H01L — Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам

Номер патента: 1715136

Опубликовано: 20.06.1999

Авторы: Дикаев, Милявский, Яссен

МПК: H01L 21/306

Метки: индия, лазерно-стимулированного, травления, фосфида

Состав для лазерно-стимулированного травления фосфида индия, содержащий водный раствор плавиковой кислоты, отличающийся тем, что, с целью снижения мощности стимулирующего излучения при одновременном повышении скорости травления, состав дополнительно содержит бромат калия при следующем количественном содержании компонентов, моль/л:Плавиковая кислота - 0,045 - 18Бромат калия - 0,0008 - 0,32

Номер патента: 1009250

Опубликовано: 20.06.1999

Авторы: Канакин, Кляус, Ли, Черепов

МПК: H01L 27/04

Метки: ввода, зарядовой, приборах, связью, сигнала

Устройство ввода сигнала на приборах с зарядовой связью, содержащее подложку с входной областью, слой диэлектрика с расположенными на нем входным затвором, затвором накопления, затвором переноса, а также последовательно расположенные и связанные зарядовой связью первую стоковую область, первый затвор, вторую стоковую область, второй затвор, который электрически связан с входным затвором и второй стоковой областью, и шину опорного потенциала, отличающееся тем, что, с целью повышения чувствительности, устройство дополнительно содержит шину управления и МДП-транзистор, сток которого соединен с шиной опорного потенциала, затвор - с шиной управления, а исток - с входной областью, при этом второй...

Номер патента: 1632293

Опубликовано: 20.06.1999

Авторы: Гольдман, Ждан, Пономарев

МПК: H01L 21/66

Метки: заряда, локализованного, мдп-структуре, характеристик

Способ определения характеристик локализованного заряда в МДП-структуре, включающий подачу изменяемого напряжения смещения Vg на МДП-структуру, одновременное измерение зависимостей низкочастотной Cнч и высокочастотный Cвч емкостей от напряжения смещения Vg, отличающийся тем, что, с целью обеспечения возможности определения координаты центроида локализованного заряда Zс.лок, по измеренной зависимости Cвч от Vg определяют первую производную высокочастотной емкости по напряжению смещения при различных напряжениях смещения , устанавливают скорость...

Номер патента: 824831

Опубликовано: 20.06.1999

Авторы: Верходанов, Гаштольд, Герасименко

МПК: H01L 29/02

Метки: полупроводниковый, прибор

Полупроводниковый прибор на основе кристалла с p-n-переходом, содержащего область с дефектами структуры, отличающийся тем, что, с целью уменьшения токов утечки и собственных шумов, указанная область выполнена на расстоянии от p-n-перехода, не превышающем диффузионную длину примеси, и имеет дефекты типа введений второй фазы, объем которых в ней 1 - 10%.

Номер патента: 1835966

Опубликовано: 20.06.1999

Авторы: Дикаев, Миргородская

МПК: H01L 21/312

Метки: дифракционной, монокристалла, поверхности, решетки

Способ изготовления дифракционной решетки на поверхности монокристалла, включающий формирование на поверхности монокристалла фоторезистивной решетчатой маски с равной шириной полосы и промежутка голографическим методом, анизотропное вытравливание через маску канавок трапециевидного или треугольного профиля и удаление маски, отличающийся тем, что, с целью получения дифракционной решетки с удвоенной пространственной частотой, перед удалением фотомаски на структуру напыляют металлическую маскирующую пленку толщиной не более полуширины полосы фоторезистивной решетчатой маски, после удаления маски проводят повторное анизотропное вытравливание канавок аналогичного профиля в открытых от...

Номер патента: 1584666

Опубликовано: 20.06.1999

Авторы: Веденеев, Ждан, Рыльков, Шафран

МПК: H01L 21/66

Метки: параметров, полупроводнике, примеси

Способ определения параметров примеси в полупроводнике, включающий измерение в криостате ЭДС Холла в образце Uн и эталоне Uн, и соответствующих токов I и I1, в условиях фоновой подсветки при температуре Tв из области вымораживания примесей, отличающийся тем, что, с целью повышения точности способа и обеспечения возможности определения концентрации основной легирующей примеси, в криостат дополнительно помещают второй этап с другим уровнем легирования и измеряют ЭДС Холла и ток I2 при тех же условиях, устанавливают температуру Tи из области истощения основной...

Номер патента: 1289294

Опубликовано: 20.06.1999

Авторы: Верходанов, Герасименко, Едренов, Мясников

МПК: H01L 21/268

Метки: кремниевых, пластин

Способ обработки кремниевых пластин, включающий обработку поверхности кремниевых пластин импульсом электромагнитного излучения, отличающийся тем, что, с целью повышения производительности операции сглаживания краев пластин, обработку всей поверхности пластин проводят импульсом некогерентного излучения при длительности импульса от 1 до 250 мс и удельной мощности от 0,3 до 140 кВт/см2.

Номер патента: 786712

Опубликовано: 20.06.1999

Авторы: Верходанов, Герасименко

МПК: H01L 21/265

Метки: кремниевых, пластин

Способ обработки кремниевых пластин, включающий механическую обработку поверхности и термический отжиг, отличающийся тем, что, с целью улучшения параметров кремния за счет снижения концентрации дефектов, перед отжигом пластины облучают ионами кремния дозой 5 1014 - 5 1016 см-2 и энергией, обеспечивающей выполнение условия:R d,где R - глубина проникновения ионов в пластину.d - толщина нарушенного механической обработкой приповерхностного слоя...

Номер патента: 1597032

Опубликовано: 20.06.1999

Авторы: Милявский, Яссен

МПК: H01L 21/302

Метки: лазерно-стимулированного, полупроводников, травления

Способ лазерно-стимулированного травления полупроводников, включающий обработку полупроводникового образца в растворе травителя при облучении стравливаемых участков лазерным излучением перпендикулярно поверхности образца, отличающийся тем, что, с целью повышения скорости травления при снижении величины бокового подтравливания, образцы располагают горизонтально обрабатываемой поверхностью вниз.

Номер патента: 686563

Опубликовано: 27.06.1999

Авторы: Верходанов, Гаштольд, Герасименко, Домахин, Зайцев, Логинова

МПК: H01L 31/0288

Метки: фотоприемник

1. Фотоприемник на основе полупроводниковой подложки с по крайней мере одной ячейкой, содержащей фоточувствительную зону, отличающийся тем, что, с целью увеличения чувствительности и расширения ее спектральной области в длинноволновую часть спектра, фоточувствительная зона содержит изоэлектронную примесь с концентрацией 1018 - 1021 см-3.2. Фотоприемник по п.1, отличающийся тем, что полупроводниковая подложка выполнена из кремния, а фоточувствительная зона содержит примесь элемента, выбранного из IV группы Периодической системы, преимущественно германия.

Номер патента: 1005610

Опубликовано: 27.06.1999

Авторы: Верходанов, Герасименко, Йожеф, Петер

МПК: H01L 31/036

Метки: фотодетектор

1. Фотодетектор на основе полупроводниковой структуры, по крайней мере с одной ячейкой, содержащей фоточувствительную зону, отличающийся тем, что, с целью увеличения чувствительности в области длин волн вблизи края собственного поглощения полупроводника и расширения диапазона чувствительности в длинноволновую часть спектра, фоточувствительная зона выполнена с дефектами в виде изолированных выделений второй фазы в количестве 0,1 - 8% от объема зоны.2. Фотодетектор по п.1, отличающийся тем, что размер дефектов - не менее длины волны края собственного поглощения полупроводника.

Номер патента: 991880

Опубликовано: 10.07.1999

Авторы: Засядько, Карлебо, Кузьмин, Подобедов, Хабенко

МПК: H01L 23/34

Метки: преобразовательная, ячейка

Преобразовательная ячейка, содержащая силовой полупроводниковый прибор и охладитель со штуцером для принудительного подвода хладагента, отличающаяся тем, что, с целью повышения интенсивности охлаждения полупроводникового прибора и надежности ячейки, охладитель выполнен в виде полого цилиндра со стенками из пористого металла с открытой пористой структурой, внутрь цилиндра с одного из его торцов встроен штуцер для подвода хладагента, а на другом торца установлен полупроводниковый прибор.

Номер патента: 993775

Опубликовано: 10.07.1999

Авторы: Белобровая, Биленко

МПК: H01L 21/66

Метки: контролируемого, подложка, создания, структур, эпитаксиальных

Подложка для контролируемого создания эпитаксиальных структур GaAs и твердых растворов на его основе, содержащая слой GaAs, отличающаяся тем, что, с целью повышения точности контроля, она содержит внутренний отражающий слой Ga I-xAlхAs при 0,2 < x < 0,5 мол.долей.

Номер патента: 1779202

Опубликовано: 10.07.1999

Авторы: Егудин, Лихтман, Смирнов

МПК: H01L 21/28

Метки: затворов, системы, субмикронной, формирования, электродной

1. Способ формирования субмикронной электродной системы затворов СВЧ-полевых транзисторов, включающий создание маски, осаждение в вакууме на неподвижные полупроводниковые пластины, прикрепленные к подложкодержателю, многослойных пленок из тугоплавких и драгоценных металлов, образующих управляющую и токоведущую части электродной системы, и удаление маски, отличающийся тем, что, с целью повышения адгезии пленок и снижения расхода драгоценных металлов, управляющую часть электродной системы в виде многослойной пленки из тугоплавких металлов выполняют общей толщиной 0,15-0,2 мкм и осаждают с расстояния, обеспечивающего максимальный угол расхождения осаждаемого молекулярного потока от строго...

Номер патента: 1591751

Опубликовано: 10.07.1999

Авторы: Белобровая, Биленко, Медведев, Мокеров, Пылаев, Слепнев, Ципоруха

МПК: H01L 21/205

Метки: арсенида, галлия, основе, структур, эпитаксиальных

Способ получения этипаксиальных структур на основе арсенида галлия, включающий осаждение на нагретую подложку арсенида галлия буферного слоя с последующим осаждением рабочих слоев, освещение структуры в процессе осаждения буферного и рабочих слоев оптическим излучением с длиной волны = 0,6328 мкм и регистрацию временной зависимости интенсивности отраженного монохроматического излучения, отличающийся тем, что, с целью повышения качества осаждаемых рабочих слоев, осаждение буферного слоя прекращают после достижения интенсивностью регистрируемого отраженного излучения постоянного уровня в момент времени t3,...

Номер патента: 1799523

Опубликовано: 20.07.1999

Авторы: Бахвалова, Волков, Данилов, Иванова, Ковалев, Овчинников, Фокина

МПК: H01L 39/24

Метки: высокотемпературных, сверхпроводников

Способ получения высокотемпературных сверхпроводников, включающий измельчение исходных солей и/или оксидов, гомогенизацию, отжиг, охлаждение, измельчение спека, введение оксида таллия (III), прессование таблеток и заключительный отжиг, отличающийся тем, что, с целью повышения критической температуры, содержания сверхпроводящей фазы в образце и исключения потерь таллия, одновременно с оксидом таллия в шихту вводят 1,0 - 2,0 моль нитрата калия в расчете на один моль исходного вещества, при этом заключительный отжиг проводят при температуре 850 - 870oС в течение 5 - 10 мин.

Номер патента: 1551163

Опубликовано: 20.07.1999

Авторы: Балмашнов, Голованивский, Омельяновский, Поляков

МПК: H01L 21/02

Метки: генератор, диссоциированных, молекул, потока

1. Генератор потока диссоциированных молекул, содержащий систему формирования магнитного поля, кварцевую камеру, размещенную в резонаторе с двумя соосными отверстиями, через которые внутренняя полость камеры при помощи двух трубчатых отводов сообщается с системой напуска газа и системой откачки, отличающаяся тем, что, с целью повышения доли диссоциированных молекул в потоке газа, система формирования магнитного поля выполнена в виде постоянного магнита, торцы полюсов которого параллельны торцам резонатора и перпендикулярны оси камеры, и пусковых катушек намагничивания, охватывающих резонатор и соосных камере, а оси трубчатых отводов перпендикулярны оси камеры и расположены в ее центральной...

Номер патента: 1715141

Опубликовано: 20.07.1999

Автор: Мусонов

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: m-параметра, p-n-перехода, полупроводниках

1. Способ измерения m-параметра p-n-перехода в полупроводниках, включающий измерение амплитуды переменного напряжения Um1, обусловленного протекания через p-n-переход переменной составляющей тока Im1 с частотой 1 и постоянной составляющей I0, соотношение между которыми A1 = (Im1/I0) поддерживают постоянным, и определение m-параметра расчетным путем по величине амплитуды измеренного напряжения, отличающийся тем, что, с целью повышения точности и расширения диапазона определения m-параметра полупроводниковых приборов по постоянному току, повторяют...

Номер патента: 1369593

Опубликовано: 20.08.1999

Авторы: Вяткин, Итальянцев, Копецкий, Мордкович, Пащенко

МПК: H01L 21/306

Метки: арсенида, галлия, монокристаллического, основе, приборных, структур

1. Способ изготовления приборных структур на основе монокристаллического арсенида галлия, включающий формирование локальных ионнолегированных областей в арсениде галлия, отличающийся тем, что, с целью увеличения процента выхода годных структур путем повышения кристаллического совершенства и снятия упругих напряжений в арсениде галлия, перед формированием локальных легированных областей рабочую поверхность арсенида галлия подвергают высокотемпературному полирующему газовому травлению при 650-950oC на глубину 0,5-25 мкм со скоростью 0,02-30 мкм/мин.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что при формировании легированных областей в пленке арсенида галлия толщину пленки при...

Номер патента: 1378711

Опубликовано: 20.08.1999

Авторы: Кулешов, Панин, Редькин, Юнкин, Якимов

МПК: H01L 21/306

Метки: зондовых, кадмия-ртути, методик, основе, п-типа, проводимости, структур, теллурида, тестовых, электронно

Способ изготовления тестовых структур для электронно-зондовых методик на основе теллурида кадмия-ртути р-типа проводимости, включающий обработку поверхности исходного кристалла полирующим бромсодержащим составом с последующим напылением медленно диффундирующих металлов из ряда: Al, Cr, Pb, Mn, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества тестовой структуры за счет повышения ее чувствительности в режиме наведенного тока для диагностики материала теллурида кадмия-ртути, перед напылением металла в течение 10 мин проводят плазменную обработку поверхности теллурида кадмия-ртути в ВЧ диодной системе в атмосфере Ar при давлении от 5

Номер патента: 1387798

Опубликовано: 20.08.1999

Авторы: Ковешников, Редькин, Старков, Юнкин, Якимов, Ярыкин

МПК: H01L 21/322

Метки: геттерирования, кремния, металлических, пластине, примесей

Способ геттерирования металлических примесей в пластине кремния, включающий обработку нагретой пластины в электрическом разряде в газовой атмосфере, отличающийся тем, что, с целью расширения технологических возможностей процесса геттерирования путем снижения температуры геттерирования, обработку пластины проводят в разряде высокой частоты, в атмосфере смеси кислорода с фторсодержащим соединением при их объемном отношении (0,1-1) : 1 соответственно величине удельной мощности на единицу поверхности 0,4-1,3 Вт/см2 и рабочем давлении 6 10-3 - 6

Номер патента: 1389598

Опубликовано: 20.08.1999

Авторы: Вяткин, Данилин, Ерохин, Жолудев, Иванов, Калинин, Копецкий, Литовченко, Медвидь, Мордкович, Попов, Романюк, Рудской, Темпер, Устинов, Шаповалов

МПК: H01L 21/265

Метки: многослойных, структур

1. Способ изготовления многослойных структур, включающий создание в кремниевой подложке скрытого диэлектрика путем внедрения ионов кислорода с последующим отжигом, отличающийся тем, что, с целью повышения качества структур, в подложку дополнительно внедряют ионы азота при соотношении атомов внедренного кислорода и азота в пределах 0,5-2,5 и суммарной объемной концентрации внедренных атомов (0,8-3,0) 1022 см-3.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что внедрение ионов азота проводят при энергии ионов на 80-100 кэВ меньшей, чем энергия ионов кислорода.

Номер патента: 1393248

Опубликовано: 20.08.1999

Авторы: Зоболотный, Левашов, Приймак, Яковлев

МПК: H01L 21/52

Метки: кристалла, монтажа, пайкой, полупроводникового

Способ монтажа полупроводникового кристалла пайкой, включающий нанесение на паяемую поверхность слоя металла, смачиваемого припоем, и последующую пайку кристалла на основание, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности полупроводникового прибора за счет увеличения его циклостойкости, предварительно на паяемую поверхность кристалла наносят сетку взаимно пересекающихся или концентрических относительно центра кристалла V-образных канавок глубиной 0,003-0,05 мм.

Номер патента: 1457754

Опубликовано: 20.08.1999

Авторы: Блиновсков, Гошицкий, Давыдов, Каркин, Кожевников, Леонидов, Мирмильштейн, Фотиев, Чешницкий, Швейкин

МПК: H01L 39/12

Метки: керамический, материал, сверхпроводящий

Сверхпроводящий керамический материал, содержащий оксид Ln2О3, где Ln - лантаноид, Sc или Y, оксиды МО, где М - щелочноземельный элемент или Pb, и CuO, отличающийся тем, что, с целью увеличения содержания сверхпроводящей фазы, компоненты взяты при следующем соотношении, мол.%:Ln2О3 - 3,5 - 13,5MnO - 18,5 - 43,5CuO - 43,0 - 78,0

Номер патента: 1463089

Опубликовано: 20.08.1999

Авторы: Блиновсков, Гошицкий, Давыдов, Каркин, Кожевников, Леонидов, Мирмильштейн, Фотиев, Чешницкий, Швейкин

МПК: H01L 39/12

Метки: керамического, сверхпроводящего

Способ получения сверхпроводящего керамического материала на основе оксида меди, иттрия, лантаноидов и щелочноземельных элементов путем смешения исходных компонентов и термообработки, отличающийся тем, что, с целью повышения воспроизводимости и улучшения параметров перехода в сверхпроводящее состояние, термообработку проводят при 500-920oC в течение 10-50 ч с последующим охлаждением до комнатной температуры со скоростью 5-15oС/мин в кислородсодержащей атмосфере.

Номер патента: 1510635

Опубликовано: 10.09.1999

Авторы: Волков, Глухоманюк, Цветников

МПК: H01L 41/18

Метки: материал, пьезоэлектрический

Применение оксида графита составаCxOyHz,где x = 4 - 8;y = 2 - 3;z = 1 - 2,в качестве пьезоэлектрического материала.

Номер патента: 1264782

Опубликовано: 10.10.1999

Авторы: Агеев, Лугин

МПК: H01L 21/68, H01L 21/70

Метки: тара-спутник

Тара-спутник преимущественно для бескорпусной интегральной микросхемы с гибкой выводной рамкой, содержащая основание и крышку с элементами фиксации интегральной микросхемы и выступами, отличающаяся тем, что, с целью повышения надежности защиты от статического электричества, она снабжена Ф-образной пластиной с отбортовками, средняя полка которой жестко соединена с крышкой, выступы размещены на внутренних сторонах крайних полок, а отбортовки размещены на наружных сторонах полок.

Номер патента: 1338729

Опубликовано: 10.10.1999

Авторы: Евдокимова, Козинцев, Хлыбов

МПК: H01L 39/24

Метки: композиционного, сверхпроводящего

Способ получения сверхпроводящего композиционного материала на основе Nb3Al0,8Ge0,2, включающий воздействие высокого давления и температуры на предварительно спрессованные смеси из порошкообразных компонентов с последующим снижением температуры до комнатной и давления до нормального, отличающийся тем, что, с целью повышения пластичности и механической прочности, в смесь дополнительно водят порошок меди и воздействуют давлением 15 - 25 105 кПа и температурой в интервале 1000 - 1150oC в течение 30 - 60 с, причем охлаждение ведут со скоростью 30 - 40 град/с, а компоненты...

Номер патента: 1526526

Опубликовано: 10.10.1999

Авторы: Зайцев, Лебедев, Махов

МПК: H01L 35/02

Метки: генератор, термоэлектрический

1. Термоэлектрический генератор, содержащий термоэлектрические плоские модули, размещенные в пакетах между каналами холодного и горячего агентов, и обжимное устройство, состоящее из бандажа с натяжными винтами, взаимодействующими с сухарями и тарельчатыми пружинами, отличающийся тем, что, с целью повышения энергетической эффективности за счет уменьшения массогабаритных характеристик, каналы в пакетах выполнены в виде призм трех-, четырех- и шестигранного сечения, между стенками которых зажаты термоэлектрические модули.2. Генератор по п.1, отличающийся тем, что в обжимное устройство дополнительно введены коромысла, опирающиеся на бандаж и имеющее на концах натяжные винты,...

Номер патента: 1463084

Опубликовано: 20.10.1999

Авторы: Григорьев, Певцов, Петровский, Федотов, Чернокожин

МПК: H01L 31/18

Метки: изображения, пироэлектрического, приемника, теплового

Способ изготовления пироэлектрического приемника теплового изображения, включающий формирование на пироэлектрическом слое верхнего и нижнего электродов, соединение пироэлектрического слоя с подложкой, локальное травление подложки, формирование контактного слоя, травление лунок в месте контакта и щелевидных отверстий и соединение с устройством обработки сигнала, отличающийся тем, что, с целью повышения чувствительности приемника и уменьшения неоднородности сигнала, сначала осуществляют соединение устройства обработки сигнала с подложкой, затем в подложке вытравливают лунки и формируют контактный слой, образующий нижний электрод, соединяют с подложкой пироэлектрический слой путем его...