H01L — Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам

Номер патента: 344534

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Бахтеев, Бочкарев, Бронштейн, Волков, Волынский, Иванов, Синчук, Смирнов, Стиоп, Татаринов

МПК: H01L 21/00

Метки: водородного, восстановления, питания, установок, электрического

...измеритель 8температуры; регулятор 9; цепь 10 отрицательной обратной связи по току; цепь 11 отрицательной обратной связи по напряжегппо; схема 12 сравнения; устройство 1 т управ ления; коммутирующие элементы 14, 15, 16,17, 18.Устройство работает следующим образом, После предварительного разогрева кремниевых стержней-нагревателей включаются коммутирующие элементы 14, 15, 17 и на стержни подается напряжение, равное сумме напряжений трех мостов. Сигнал, пропорциональный температуре поверхности стержней, через регулятор 9 подается в схему 12 срав нения; туда же поступают сигналы отрицательной обратной связи по току и напряжению от цепи 10 отрицательной обратной связи по току и от цепи 11 отрицательной обратной связи по напряжению...

Номер патента: 344544

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Белевцев, Калинин, Коломоец, Кругликов, Лебедев, Леонов, Лидоренко

МПК: F25B 21/02, F26B 21/02, H01L 35/28 ...

Метки: воздуха, осушитель, термоэлектрический

...осушители в районах влажно го и жаркого климата, например в экваториальных странах, пе обеспечивает необходимого осушения из-за увеличения паразитных перепадов температуры на воздушном горячем теплообменнике. 20С целью унификации тсрмоэлсктрического осушителя и обеспечения надежной работы его в любых климатических условиях в предлагаемом устройстве, содержащем полупроводниковые термоэлементы, холодные и горя чие теплообменные ребра, тепловой раздатчик, систему дыхания и водосбора, радиаторная система охладителя разделена от теплового раздатчика, контактирующего с горячими спаями термоэлсментов, системой трубок, 30 устанавливаемых в местах контактов ре р радиатора с телом теплораздатчика.Конструкция предлагаемого термоэлектрического...

Номер патента: 344545

Опубликовано: 01.01.1972

МПК: F25B 21/02, F26B 21/02, H01L 35/28 ...

Метки: воздуха, осушитель, термоэлектрический

...бака трансформатора воздух, подлежащий осушению, Конечная температура последнего определяется допустимой абсолютной влажностью его и термоэлектрической добротностью термоэлементов. По мере охлаждения сконденсированная и замороженная влага оседает на теплобменной поверхности холодного радиатора 8 и через определенное время при переводе охладителя в режим нагрева оттаивает и стекает с ребер в водосборник 4, в котором в процессе охлаждения выходное отверстие для стока закрыто ледяной пробкой. На водосборнике установлен специальный дополнительный реверсивный термоэлемент, который при размораживании переводится в режим нагрева, - пробка уничтожается. Скопившаяся в водосборнике вода вытекает через трубку наружу.При удалении всей влаги...

Номер патента: 344546

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Лукь, Трегубов, Энман

МПК: H01L 39/12

Метки: гибких, сверхпроводников

...момент приводит к прскращецио роста соединения КЬЯп.Цель изобретения разработка способа получения гибких сверхпроводников с ицтерметалличсским соединением ХЬ;,Яп, улучшение критических параметров сверхпроводника.Это достигается проведением в высокомвакууме (10 -- 5 10 -мм рт, ст.) следующих технологических процессов. Ниобиевую подложку протаскивают через печь предварительной термообработки, в которой при температуре 900 в 11 С в течение 3 - 20 мин происходит отжиг подложки и удаление с ее поверхности загрязнений и адсорбированных газов. Затем подложку протаскивают через расплав олова при температуре 600 в 9 С в течение 3 - 30 мин, В зависимости от температуры расплава на подложке образуется какой-либо из интерметаллидов ХЬаЯпг,...

Номер патента: 344777

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Пахомов, Попова, Тизенберг, Шевцов

МПК: H01L 21/365

Метки: полупроводниковыхприборов

...с различными коэффициентами диффузии до концентраций примесей, разность которых превышает по крайней мере два порядка.В процессе дальнейшей диффузии примесей из выращиваемого эпитаксиальцого слоя в исходцый полупроводниковый материал (подПроцесс осуществляют следующим образом.На пластине германия р-типа проводимости с базовым соединительным слоем г-типа проводимости известными методами фотолитографии и маскирования гермацця, например пленкой ЬЮа, локально путем, например, травлеция в газообразцом НС 1 создают окца (углублеция) для эмиттера, в которые эпитаксцальцо осаждается, например, хлоридцым методом монокристаллический слой германия, легированный в процессе эпитаксиальцого осаждения акцепторцой примесью, например бором,...

Номер патента: 344779

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Буравцев, Введенский, Лушин, Шустов, Эйгель

МПК: H01L 21/00

Метки: пластины, полупроводниковой, рисунков, совмещения, фотошаблона

...пластины, а 15 плоскость, обращенная к шаровому сегменту,контактирует с чим при подключейии выводных каналов сегмента к вакуумной линии.Расположение гластины на промежуточнойопоре, подвешенной на консольной плоской 20 пружине, обладающей значительной поперечной устойчивостью, исключает смещение пластин в горизонтальной плоскости при поддуве шарового сегмента.После соединения шарового сегмента и опо ры с вакуумной магистралью в момент устранения рабочего зазора опора с плоской пружиной приобретает жесткость балки.На чертеже показана конструкция устройства для совмещения рисунков фотошаблона 30 и полупроводниковой пластины.344779 Предмет изобретения Составитель В. Гришин Редактор В. Рыбалова Техред Т. Миронова Корректоры: Е. Талалаева и...

Номер патента: 347837

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Пасечник, Петров, Чистов

МПК: H01L 21/00

Метки: выводов, полупроводниковых, приборов, присоединения

...внутренних выводов полупроводниковых приборов.5В известной установке каретка с рабочим инструментом жестко установлена на плите манипулятора, с помощью которого оператор сообщает инструменту движение в горизонтальной плоскости для совмещения его с тоцками сварки (вертикальное перемещение спсструмецта осуществляется его приводом).Однако эта установка ивсеет низкую производительность, поскольку оператору приходится с помощью манипулятора совмещать инструмент поочвредно с каждой точкой сварки.Цель изобретения - автоматизация подачи рабочего инструмента к точкам сварки.Цель достесгается тем, что в предлагаемой установке каретка с рабочим инструментом установлена не непосредственно на плите манипулятора, а через две промежуточные плиты,...

Номер патента: 347838

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Московский, Першенков, Пись, Ткачев

МПК: H01L 29/74

Метки: 347838

...базовой областью л-типа и эмпттером тпрпстора соответственно. Электрод эмиттера 4 имеет непосредственную связь с эмпттерной областью р-типа и областью 5 ц типа, которая вводится в структуру для выключечпя по управляющему .электрОду 6. Область 7 - диэлектрик - изолирует управляющий электрод 6 от базовой области 2 гг-типа и эмпттера т тпристора р-типа.Вкгпочают тиристор обычным способом: путем подачи отрицательного напряжения на управляющий электрод 6. Управляющее поле индуцирует на области 2 канал р-тппа, через которыи в базовую область р-типа тпристора вводятся основные носители, приводящие к включению л -р-л-р-структурь. воляет полностью пь и значительно с использованием 25 ю управляемый олучен обычными троникп, что,позего в...

Номер патента: 348129

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Мильштейн, Никитенко

МПК: H01L 21/28

Метки: р—г-перехода

...предлагаемого способа исследовали на монокристаллах кремния и-типа с удельным сопротивлением 45 ом см, размеры которых 20 Р,2)(О,5 мм.Образцы деформировали при 500 - 600 С корундовым индентором, заточенным в форме четырехгранной пирамиды. Кристаллы помещали в круглую маленькую электрическую печь (диаметр которой 75 мм, высота 60 мм), размещенную на столе микротвердомера типа ПМТ. По достижении необходимой температуры кристалл укалывали индентором с нагрузкой 2 кг. Затем индентор разгружали, стол твердомера вместе с печью при помощи микрометрического винта п перемещали на 2 - 3 мм для нанесения нового укола.В верхней крышке печи выполнена длинная прорезь, позволяющая проводить локальное деформпрование необходимое число раз...

Номер патента: 348148

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Витовский, Вихлий, Машовец

МПК: H01L 39/24

Метки: им, институт, иоффе, ленина, рыбкинирдена, физико-технический

...ПОСО дальнеишем охлажд ческой температ ры ряда возникают в чего образуется све 5 на поверхности приала. из обретен и Предмет Способ получения 0 риала из полупрово тем его охлаждения туры, отличаоирйся чения сверхпроводя проводникового мат 5 зец из полупроводн ЛпВч охлаждают 200 К, шлифуют и ской температуры.Изобретение относится к способу получения сверхпроводящего материала на основе промышленных полупроводниковых материалов.Известен способ получения сверхпроводящего материала на основе непромышленных полупроводниковых материалов, например беТе и ЬгТОз.Цель изобретения - создание способа получения сверхпроводящего материала на основе промышленных полупроводящих материалов типа ЛтпВч,Цель достигается тем, что по предлагаемому способу...

Номер патента: 349044

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Загребнева, Осипов, Петров, Серебр, Сухариер, Трусаков

МПК: H01L 29/68

Метки: активный, схем, электронных, элемент

...изобретения является усиление слабых электрических сигналов. Цель достигается тем, что активный элемент снабжен одним или несколькими дополнительными управляющими электродами, расположенными в одной плоскости с эмиттером.Изобретение поясняется чертежом,Активный элемент содержит эмиттер 1, контактные пленки 2 и 3, коллектор 4 и вспомогательные управляющие электроды 5, расположенные на той же поверхности основного диэлектрика б, на которой находится эмиттер, Электрическое поле над поверхностью эмиттера зависит от потенциалов на управляющих электродах, поэтому при изменении потенциалов на управляющих электродах может изменяться ток коллектора 4. Эффективность воздействия эл на поле вблизи эмиттера была оп помощью ЭЦВМ БЭСМ. Для...

Номер патента: 349210

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Австри, Иностранец, Сименс

МПК: H01L 23/06

Метки: полупроводниковый, прибор

...пластмассой, варианты.Деталь 1 корпуса из металлокерамическогосплава выполнена со сквозным отверстием 2 10 прямоугольного сечения в центре и рифлением8 снаружи. В сквозном отверстии укреплен полупроводниковый элемент, содержащий полупроводниковое тело 4, например из монокристаллического кремния, с р-п-переходом, 15 соединенное слоем мягкого припоя 5 с электродами б и 7, изготовленными, например, из меди. Боковые поверхности полупроводникового тела защищены слоем лака 8.Полупроводниковый элемент связан с одной 20 стороной 9 отверстия через электрод б и слоймягкого припоя 5. Электрод 7 соединен с выводом 10 также через слой мягкого припоя 5, Пружина 11 опирается на нажимной изолятор 12 из керамического материала, Нажимной 25...

Номер патента: 350107

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Барышников, Киевский, Некрасов

МПК: H01F 30/00, H01L 41/00

Метки: пьезоэлектрический, трансформатор

...и расположенных в направлениях, перпендикулярных степеням его свободы.На чертеже схематично изображен пьезоэлектрический трансформатор с пьезоэлектрическим элементом, закрепленным в корпусе.Пьезоэлемент 1 свободно расположен между туго натянутыми диэлектрическими нитями 2, которые закрепляются ца корпусе ) пьезоэлектрического трансформатора. Корпус ) изображен ца чертеже схематически, в виде толстых линий.Диэлектрические нити 2 натянуты вп к пьезоэлементу 1 таким образом, чт касаются его. Расположив диэлектрические нцтп 2 тяк, кяк показано ця че)теже или кякимлибо другим образом, цо так, чтобы оци ограццчцвалц перемещение пьезоэлемента 1 по всем возможным степеням свободы, мы получаем трансформатор с пьезоэлементом, жестко и надежно...

Номер патента: 351266

Опубликовано: 01.01.1972

Автор: Рюмшин

МПК: H01L 23/18

Метки: вакуумноплотного, металл, соединения, —полупроводник

...квантовых генераторов, работающих в ИК-области спектра в значительной мере сдерживается технологическими трудностями, связанными с получением вакуумноплотных паяных соединений выходного окна (например, в германии) с металлической (например, коваровой) оправой, выдерживающих нагрев до 250 в 3 С.Известные припои обеспечивают устойчивую работу приборов лишь при температуре не более 60 - 70 С, При использовании известных пластичных тугоплавких припоев на основе свинца и кадмия образующиеся паяные соединения германий - ковар не отвечают требованиям эксплуатации по вакуумной плотности.Трудности получения вакуумноплотных паяных соединений связаны с тем, что скорость взаимодействия этих припоев с германием значительно превышает их скорость...

Номер патента: 351267

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Васильев, Лебедев, Левинсон, Меркулов, Сверидов, Усольцев

МПК: H01L 21/78

Метки: отдельные, пластины, разделения, элементы

...относится к электронной технике, в частности к технологии разделению пластин полупроводникового материала на кристаллы.Известны различнуяе способы разделения пластин на кристаллы. Наибольшее применение получил способ разделения посредством скрайбирования, т. е, механического нанесения, например, алмазным резцом, на поверхность пластины прямолинейных рисок, по которым производится последующее разделение пластин на кристаллы, например, резиновым роликом.Основным недостатком известного способа является возникновение сколов и выкрашивание материалов, приводящее к нарушению геометрической формы кристаллов, ухудшению характеристик выделяемых элементов.Цель изобретения - улучшение параметров отдельных элементов.Цель достигается...

Номер патента: 351269

Опубликовано: 01.01.1972

Автор: Кривоносов

МПК: H01L 31/00

Метки: 351269

...транзистор ца основе МОП-структуры, электромагнитное реле, оомотка которого вклсочена в цепь транзистора стока, и источник напряжения постоянного тока, ссодклньчеьгньсй плюсовым зажимом к истоку МОГ-траьсзистора, а минусовым - через облсотку электромагнитного реле к его стоку.Предлагаемое устройство отличается от известных тем, что в него введен нелинейный делитель напряжения, вьцсолценцый иа последовательно соединенных фотоприемнике и нелинейном элементе, например транзисторе, эмцттер которого подключен к затвору МОГ 1- транзистора и к фотоприемнику, а коллектор транзистора соединен с минусовым полюсолс источника напряжения постояццосо тока, плюсовой полюс которого подключен к фотоприемнику. Это позволяет повысить термостабильность и...

Номер патента: 351276

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Горелик, Московский, Охотин, Сплавов, Турдалиев

МПК: H01L 35/16, H01L 35/34

Метки: термоэлектрическогоматериала

...Характерной особенностью этих соединений является возможность одного или 10 нескольких полиморфных превращений, испытываемых разными материалами при разных температурах. Некоторые из этих превращений сопровождаются существенными изменениями удельного объема или коэффици ента термического расширения. Известно также, что полиморфные превращения, связанные со значительным различием в атомной структуре и удельных объемах старой и новой фаз, могут вызвать возникновение струк турных несовершенств кристаллической решетки (явление фазового наклепа), которые "казываются на свойствах материала.Путем циклического нагрева и охлаждения материала в интервале температур полиморф ного превращения (термоциклирования) можно накапливать структурные...

Номер патента: 351277

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Аксенов, Гусев, Макаров, Тур

МПК: H01L 39/00

Метки: криогенных, питания, сверхпроводящих, токоввод, управляемый, устройств

...тем, что, теплопрцтока в крцостат, с потребителем тока цодва независимых управависимое от авт, свидетельстваИзобретение относится к области сверхпроводящих и криогенных устройств, а именно к конструкции сильноточных токовводов.Известные токовводы, обеспечивающие минимальный теплоподвод к хладоагенту только для одного значения тока, при питании устройств с изменяющимся током работают в неоптимальном режиме.Цель изобретения - создание токовводов, обеспечивающих минимальный теплоподвод при изменении тока в широком диапазоне.Для этого токоввод выполнен в виде нескольких параллельных токоведущих элементов с прерывателями.На чертеже представлена схема предлагаемого устройства.Параллельные токоведущие элементы 1 с контактами 2 и штоки 3...

Номер патента: 351476

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Дашевский, Ерусалимска, Коломоец, Осипова, Черноусов

МПК: H01L 35/16, H01L 35/34

Метки: iij•••"lбибяиотекд, natejiiyu, ёсесоюзназ, •civ»i_yч, •r-•fli

...состава, а с большилт избытком сурьмы. Сурьма, растворяясь в соединении и являясь акцепторной примесью, обусловливает р-тип проводимости с концентрацией 10" - 10" 1/слтз, которая превышает оптимальную с точки зрения термоэлектрической эффективности для любого предполагаемого рабочего интервала температур.Эффективность терт чеши термоэлектрической добротности, наподложку, например, из слюды, подогретую дотемпературы 150 - 300=С, одним из способов,например испарением в вакууме, направляют5 пучок атомов либо молекул с превышениемсодержания теллура над стехпометрическимсоставом ЬЬзТез до 20 ат, %. На подложкепроисходит синтез соед 1 тцсцня ЬЬ 2 Тез, Избыточный теллур, конденсируясь ца подложке,10 частично растворяется в соединении...

Номер патента: 353450

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Ипостраииа, Ипостранец, Соедииеииые

МПК: H01L 31/14

Метки: воспроизведения, изображений

...устройство в разрезе,На поверхность изоляционной пластины У, пропиз)циой еталлиСсихи ввод 1 и , ияцесецы чередующиеся фотопроводящие Л и)езистивцье 4 слои таким ооразом, что границ ( раздела мекду слоями Л и 4 проходигчерез вводы , Иод каждым из слоев (примерно посредине) находится контактная полоса (, причем все полосы 6 находящиесяпод (1)отопроводяцими слоями, соединены содним полюсом источника 7 постояого )дпряжсиия, а Все полосы, цяходящ)сея подрези(.ти Вп ы и сз)051 х и, - с друГВ ) ПО.1)осо)10 ис 0 )ии); 7.Улройство р;)бо)д( г слсдуюиВм образом.(.цдчял ца вс)0 цоверхцос) 1,ц Л и 4)ппо 51одиовремс ик) о Грицятел)и)ыи;(дряд1 ц Яц Р Р с иоОВСЬ)0 кОРОииОГО 1)13 Р 51 ДЯ),15 затем ца поверхность просктиру)от изображение. 11 ри этом...

Номер патента: 354496

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Осип, Савченко

МПК: H01L 31/16

Метки: деформирования, кристаллов, пластического, типа

...пластичностью кристаллов,Цель достигается за счет того, что на ста дии пластической деформации, осуществляемой с определенной скоростью при заданной температуре, фоточувствительный кристалл облучают двумя источниками света - первичного (с длиной волны в области собственно го поглощения), определяющего дополнительное упрочнение кристалла, и вторичного (с длиной волны в инфракрасной области), приводящего к разупрочнению, величина которого зависит от интенсивности и длины волны 20 вторичного источника.Деформирование осуществляется в закрытой камере на специальной машине. Виды деформации могут быть различными: одноосное сжатие, изгиб, растяжение и т. д, В ка мере поддерживается постоянная температура, при которой для данного...

Номер патента: 354497

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Заев, Кузьмина

МПК: H01L 21/477

Метки: кадмия, селенида

...восстановить утерянные в результате длительного хранения технологические свойства селенида кадмия (способность к вакуумному напылению) и может быть использован при производстве полупроводниковых приборов, преи муществец но фотоэлектрических.Известен способ обработки некоторых полупроводниковых соединений путем циклического воздействия температур (термоциклировация) от комцатцой температуры ц выше, Известный способ це позволяет восстановить технологические свойства селецида кадмия, утерянные им в результате хранения.Цель данного изобретения заключается в восстановлении первоначальных технологических свойств (способности к высококачественному вакуумному напылению) селецида кадмия,Поставленную цель достигают путем многократной обработки...

Номер патента: 354681

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Германска, Иностранец, Иностранное

МПК: H01L 21/3105

Метки: 354681

...10 ограничена линиями 21, 19, 22 и т, д.ОбРаботка подложки заключается в том,что электронно-вычислительная машина раз деляет изготавливаемую структуру 3 на зоныобработки так, что все тубусы работают почти одновременно. При этом на структуре д возникают перекрывающиеся области (заштрихованы крест накрест). редме пособ изготовлен омощьк, паприв лоскостных структур метода фотолитограИзобретение относится к электронной промышленности, в частности, к способу получения плоскостных структур на подложках из различных материалов.Известны способы получения полупроводниковых и других структур, в которых применяют устройства с координатными столами и световым лучом. Обработка световым лучом фоторезиста на подложках производится с помощью одного...

Номер патента: 354768

Опубликовано: 01.01.1972

Автор: Ходак

МПК: H01L 29/00

Метки: интегральной, микросхемы, элемент

...те я тока утечки, уве электродами по и ой диэлектрика. росхемь ий из д и актичто,ичения форме напрэлектр ного м с цел стабил распол Элемент 5 мер плана ческой под териала,уменьшени ности, под 20 жен подслс присоединением заявкиИзобретение относится к электронной технике и может быть использовано на предприятиях, изготавливающих тонкопленочные элементы и схемы.Цель изобретения - уменьшение тока утечки и увеличение стабильности устройства.Достигается это тем, что под электродами по их форме расположен подслой диэлектрика.На чертеже представлен элемент интегральной микросхемы.Устройство состоит из подложки 1, электродов 2, активного материала 3 и подслоя из диэлектрика 4.Применение подслоя диэлектрика под электродами, протравленного...

Номер патента: 355696

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Альперович, Кислицын, Лебига, Ордена, Россошинский, Трудового

МПК: H01L 21/50

Метки: 355696

...из выводов, цолупрсводпиковой пластины с р-гг-переходом, термокомпенсатторсв и верхнсго продольного вывода, сжатии с определенным усилием собранной структу 1 ы и устацовке 1(ассст 1.1 В печь, в которой припой, нанесенный ца кристаллодержатель, термокомпецсаторы и верхний вывод, расплавляется. При охлакдеции системы жидкая фаза кристаллизуется, и детали прибора соединяются. Недостатком известного способа является необходимость нагрева структуры в печах,Известен способ сборки полупроводниковых приборов, включающий в себя нагрев элементов прибора путем пропускация через них электрического тока. Недостатком этого способа является возможность единичного соединения для создания Омичсского кОцтакта к полупроводнику.Целью изобретения является...

Номер патента: 355697

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Лепилин, Черн

МПК: H01L 21/203

Метки: металла, нанесения, пластину, полупроводниковую, селективного

...наносят тон к)ю пленк) Отя,ля (напримерр, золота или алюминия), металлизированныее пластины покрыва 1 от фоторезнстом, экспонируют через фотошаблон с соответс 1 вующнм рисунком, проявляот и травленел удаляют металл с участков, не,покрытых фоторезстом. Затем металл вжигают в кремниевую поверхность путем нагрева до температуры образованя эвтект 1 к для получения низкого сопротивления коннпя металла соседние днфтп лог)т Окязя 1 ься зякОро355697 Составитель В. ГришинРедактор Т. Орловская Техред Л. Евдоиов Корректор Е. Миронова Заказ 3672/5 Изд.1557 Тираж 406 Подписное ЦПИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССРМосква, Ж, Раушская наб., д. 4/5 Типография, пр. Сапунова, 2 соответственно 600 и 750 С, в то...

Номер патента: 355698

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Библ, Булахов, Лившиц

МПК: H01L 21/00

Метки: выводами, контакта, полупроводниковых, структур

...катушка 2 электромагнита. Сквозь отверстие в основании проходит якорь 3 электромагнита. Якорь опускается в нижнее положение пружиной 4.На передней части основания 1 закреплен пружинный шарнир, состоящий из трех плоских пружин, Одна пружина 5 расположена горизонтально, а довс другие б симметрично по обе ее стороны, в плоскости, перпендикулярной плоскости пружины 5. К концам пружин 5 и б при помощи винтов прикреплен под. вижный элемент 7 из диэлектрика, на одном конце которого винтом 8 и гайкой 9 крепится контактная игла 10. Для исключения изгиба иглы при контактировании с выводом полу. проводниковой пластины игла изогнута упором 11, установленным на подвижном элементе 7 и воздействующим на иглу в точке, мак355698 фиг. 7 фиг Р сймально...

Номер патента: 355707

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Левитас, Могильницкий, Пожела, Сащук

МПК: H01L 43/02

Метки: балансный, смеситель

...схема устройства.Балансный смеситель состоит из намагничивающей обмотки 1, намотанной на магнитопровод 2, в зазоре которого расположены полупроводниковые датчики 3 и 4, резисторов 5и б, источника постоянного тока 7, резонансного индикатора 8, источников переменноготока 9 и 10, разделительного конденсатора 11,ограничительного резистора 12 и входноготрансформатора 13.Полупроводниковые датчики 3 и 4 и резисторы 5 и б образуют мост.Сигнал от источника переменного тока 9 через входной трансформатор 13 подается на 3 диагональ моста, На другую диагональ подается постоянный ток от источника 7. Для балансировки моста изменяют соотношение резисторов 5 и б.Переменный ток от источника 10, протекая по намагничивающей обмотке 1, создает в...

Номер патента: 355758

Опубликовано: 01.01.1972

МПК: H01L 21/304, H05K 3/00

Метки: 355758

...11. На вертикальной оси в верхней части каретки закреплен поворотный стол 12, который может за нимать два фиксированных положения - О и90, что обеспечивает разворот изделия для продольного и поперечного резов. На столе смонтирован узел И для размещения и фиксации изделий, разворачивающийся с помощью 10 винта 14 и пружины 15 на угол-+4 для установки изделия по визирной линии окулярного микрометра микроскопа (на чертеже не показан). На боковой поверхности стола в направляющих типа ласточкин хвост установлены 15 двое салазок 1 б, перемещающихся в продольном направлении микрометричеокими выводами 17 и 18, связанными через зубчатую муфту 19 с рукояткой узла настройки 20. На салазках с помощью двух базовых штифтов 20 устанавливают сменные...

Номер патента: 356599

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Краснобаев, Кругликов, Шевцов

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: полупроводниковых, приборов, сопротивления, теплового

...узел автоматического выполнения арифметических операций, состоящий из блока вычитания б и блока деления б, регистрирующий прибор 7, клеммы 8 и 9 для подключения испытуемого прибора.Устройство работает следующим образом.10 Постоянный греющий ток от источника 1,проходя через испытуемый прибор, подключенный к клеммам 8 и 9 вызывает его нагрев до установившейся температуры. Инфракрасное излучение структуры и основания полу проводникового прибора попадает на соответствующие датчики 2 и 3, которые вырабатывают выходные напряжения, пропорциональные температурам структуры и основания, Полученные напряжения поступают на блок 20 вычитания 5, напряжение на выходе которого пропорционально разности температур структуры и основания испытуемого...