H01L — Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам

Номер патента: 427425

Опубликовано: 05.05.1974

Авторы: Клименский, Ромашов

МПК: H01L 23/02, H01L 23/06

Метки: интегральных, керамических, корпусов, оснований, схем

...по известной толстопленочнойтонкопленочной технологии. Изобретение относится к раной технике.Известен способ изготовлениских оснований корпусов интегрс вакуумплотными проходнымииспользованием металлизациипоследующей их пайки.,Предлагаемый способ отличазаготовки керамических корпусформы подвергают обжигу, нанометаллизированные выводы, сообожженными керамическимиподвергают совместному обжигуобожженной керамики. Это позввакуумплотные выводы в основа оби- пооэлект о ллия керамиче альных схе выводами с отверстий необож- кольца оожига утренний бы полул) после ется тем, что ов дисковой сят по торцу бирают с не- кольцами и в режиме неоляет создать нии. га- чаных или На фиг. 1 изображ с металлизацией и нео фиг. 2 представлена п...

Номер патента: 427426

Опубликовано: 05.05.1974

Авторы: Гордин, Изобретени, Маршаков, Миттова, Угай

МПК: H01L 21/316

Метки: кремния, окисления

...до 800 С и выше не ускоряет процесса роста окисной пленки.Предлагаемый способ отличается тем, что в окислительную среду водят пары соединений элементов 111 а группы, например хлоридов галлия и индия. Это ускоряет процесс.Окисление проводят в реакторе, аналогичном тому, который применяется при известном способе. В качестве окислительной среды используют смесь сухого и влажного кислорода.П р и м е р. Кремниевые пластины помешают в кварцевую трубу с двумя газовыми вводами. Один служит для подачи увлажненного кислорода непосредственно в зону окисления кремния, другой - для ввода сухого кислорода, транспортирующего пары хлоридов галлия и индия к окисляемой поверхности.Трубу помещают в двухзонную печь так, чтоб бы лодочка с хлоридом,...

Номер патента: 427427

Опубликовано: 05.05.1974

Автор: Постовит

МПК: H01L 21/465

Метки: железа, окиси, пленок, травитель

...экспонируют и проявляют обычным способом. Травление производят в 1%-ном растворе Ге 504 в кон. центрированной соляной кислоте уд. веса 1,18.После вытравливания рельефа фотошаблона фоторезист удаляют в диоксане и тщательно промывают в дистиллированной воде,Травительнове концептотличающийсскорости травдимости рисудержит соли15 вес. %. для пленок орированнойя тем, что, сления и улучка при фотодвухваленатно иси железа на оссоляной кислоты, ,целью увеличения щения воспроизволитографии, ои сого железа от 1 до Изобретение относится к технологии изготовления фотошаблонов на напыленных пленках окиси железа.Известно, что пленки, формируемые реактивным катодным распылением в кислороде, 5 не,поддаются травлению в концентрированных кислотах при...

Номер патента: 428483

Опубликовано: 15.05.1974

Авторы: Аржанов, Булкин, Воронин, Заворотний, Осипов, Трифонов

МПК: H01L 23/48

Метки: полупроводниковый, прибор, силовой

...приборов, например в тиристорах, дляобеспечения прижимного электрического контакта управляющего электрода с,полупроводниковой пластиной и изоляции управляющегоэлектрода от силовых электродов применяетсябольшое количество деталеи, что усложняетконструкцию и ее изготовление.С целью упрощения конструкции, а такжеповышения надежности работы предложеносовместить функции электрического проводника и диэлектрика в одной детали, для чегоуправляющий электрод в виде металлическогослоя наносят на стержень из диэлектрическогоматериала, например керамики,С помощью указанного стержня осуществляется прижим электрода.На чертеже приведена схема предлагаемогоприбора.Управляющий электрод 1, выполненный в поверхность стержня де кольцевой канавками,...

Номер патента: 428484

Опубликовано: 15.05.1974

Авторы: Кольцова, Коробов, Петручук

МПК: H01L 21/314

Метки: диэлектрик—кремний, структуры

...следующим образом.На пизкоомную подложку пз кремния электронной проводимости наносится эпитаксиальный слой 51 толщиной 2 якл с удельным сопротивлением 5 ом. слк Затем в реактор при температуре образца 800 в 12 С в течение 1 - 10 сек подавалась парогазовая смесь, содержащая ЫС 14, СОз, ХНз, Нз, с соотношением компонент смеси, обеспечивающим получение оксинитрида кремния. После обработки чистой поверхности Я в парогазовой смеси наносился методом реакций в парогазовой фазе диэлектрик ЯО 2 - 51 з 1 М 4 с толщиной слоев по 1000 А, Для сравнения были также приготовлены образцы Я с эпитаксиальным слоем ЯО, - .1 зХ 4, с аналогичным428484 Предмет изобретения Составитель П. Сорокина Текрсд Т. КурилкоКорректор В. Гутман Редактор Л. Цветкова...

Номер патента: 428492

Опубликовано: 15.05.1974

Авторы: Кирпач, Козлюк, Котырло, Щеголев

МПК: F25B 21/02, H01L 37/00

Метки: 428492

...1 с радиальными прорезями 2 для коммутационных пластин, с размещенной электроизоляцией 3, ферромагнитный материал 4, источник внешнего магнитного поля, выполненный либо в виде постоянных магнитов 5, либо в виде каскадной термоэлектрической батареи б, скоммутированной по схеме цилиндрического соленоида.10 Кольцевые полупроводниковые элементы 1, собранные в пакет, образуют канал 7 для прохода теплоносителя. Холодильник работает следующим образом, 15К кольцеобразным полупроводниковым элементам 1 через коммутационные пластины, размещенные в прорезях 2, подводят последовательно электрический ток, Благодаря этому происходит перенос тепла от внутренней поверхности элементов к внешней. При прохождении тока по кольцеобразным элементам...

Номер патента: 237269

Опубликовано: 25.05.1974

Авторы: Думаневич, Курцин, Челноков

МПК: H01L 31/111

Метки: 237269

...4, например, конусообразной формы.Металлические электроды 1 и 2 соединенысо структурой сплавами, обеспечивающими 5 хороший омический и электрический контакт.Верхний контакт имеет одно или несколькоотверстий (форма отверстий может быть различная - круг, звезда, прямоугольник и т. д.) для доступа свегового потока на различные 10 у частки полупроводниковой структуры. Отразмеров, формы и количества отверстий зависят параметры прибора.Скорость поглощения света экспоненциально умсньшается с глубиной проникновения, 15 величина фототока определяется расстояниеммежду ближайшими р - а переходом и местом генерации носителей. В связи с этим для повышения световой чувствительности структуры необходимо сокращать расстояние меж ду поверхностью...

Номер патента: 429385

Опубликовано: 25.05.1974

Авторы: Еньшин, Окружнов, Стручаев

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: диодов, формовкиполупроводниковых

...б, посылая тактовые импульсы, которые совместно с информацией, получаемой от счетчиков 9, 10 и ячеек 4, б, 12 памяти, через схемы совпадения 7, 8 и 11 управляют включением источника 1 и блока 3.С приходом первого тактового импульса на входах схемы совпадения 8 создается комбинация сигналов, составленная из логических единиц, так как наличие тактового импульса, исходное состояние счетчика 10 и начальная информация ячейки Б памяти представляют25 собой логические единицы. При этом на выходе схемы совпадения 8 появляется сигнал, который, воздействуя на источник 1, заставляет последний пропустить через диод импульс тока, форма и мощность которого определена состоянием счетчика 10.Спад первого тактового импульса приводит к спаду сигнала...

Номер патента: 429482

Опубликовано: 25.05.1974

Авторы: Кривошеев, Мисик, Ткин

МПК: H01L 21/24

Метки: арсениду, галлия, контактов, припой

...нейтральной примесью в арсениде галлия, то для образования невыпрямляющего перехода р+ - р-типа в свинец добавляется цинк, являющийся акцепторной примесью для баАз и образующий область р+-типа.Известный припой характеризуется плохим смачиванием полупроводника расплавленным припоем, вследствие чего в контактах и, особенно, в контактах большой площади наблюдаются несмоченные участки и неровный фронт вплавления.Предлагаемый припой позволяет улучшить смачивание полупроводника и повысить качество контактов за счет введения в припой в качестве составной части серебра, причем компоненты взяты в следующем соотношении, вес. %; цинк - 5 - 10; серебро - 2 - 5; свинец - остальное.Припой состава: 90,5% РЬ+7% Хп+2,5% Ад 5 использовался для...

Номер патента: 429483

Опубликовано: 25.05.1974

Авторы: Богданова, Зайцев, Пинчук, Рахленко, Френкель

МПК: H01L 21/288

Метки: 429483

...и несплошность покрытий.Покрытия из кислых растворов, содержащих хлорид никеля, гипосульфит натрия, натриевые соли органических кислот и глицин, в целом, давая более качественные покрытия, не обеспечивают достаточной прочности и сплошности покрытия на полупроводниковых структурах.Цель изобретения - разработка состава кислого раствора, обеспечивающего высокое качество покрытий на полупроводниковых структурах.Это достигается оптимизацией количества глицина в растворе.Уменьшение количества глицина (15 г/л) по сравнению с вводимым в известных растворах (30 г/л) повышает в 2 - 3 раза стабильность раствора и обеспечивает высокое качество сцепления и сплошность получаемых покрытий.5 Оптимальный состав раствора для получения покрытия на...

Номер патента: 429565

Опубликовано: 25.05.1974

Авторы: Ройзен, Рубин

МПК: H01L 23/367

Метки: испарительного, охлаждения

...расположенному с ней на одном уровне, а избыток - по переливному устрой ству 9 поступает в нижележащую секцию емкости и т, д. Число секций емкости равно числу модулей.Устройство работает следующим образом.Переливное устройство обеспечивает оди наковый уровень жидкости во всех модуляхи секциях. Для предотвращения поступления пара в конденсатор через подпитывающую емкость нижние концы переливных устройств опущены под слой жидкости нижележащей 25 секции емкости, в результате чего создаетсягидравлический затвор. Для устойчивой работы охладителей паровой коллектор 5 связан с паровым пространством соответсгвующей секции емкости, Конденсатор через гру бу 10 сообщается с атмосферой, что позволяет поддерживать постоянное давление (практически...

Номер патента: 246682

Опубликовано: 25.05.1974

Авторы: Думаневич, Курцин, Павлик, Савкин, Челноков

МПК: H01L 29/74, H01L 31/111

Метки: 246682

...неравномерности будет зависеть от величины продольного сопротивления базового слоя. Увеличение продольного сопротивления базового слоя приводит к повышению максимального значения плотности тока по структуре, что способствует более быстрому достижению условий, необходимых для переключения структуры,246682 Иеоюбой ооглок тщаппическцйконтаит юлией пегиенлод фиг В предлагаемой конструкции фототиристора вокруг освещаемого пятна в базе создается участок с повышенным продольным сопротивлением, Этот участок может быть получен за счет более низкого уровня легирования части базового слоя (фиг. 1), а также уменьшения ширины базового слоя при ступенчатой форме эмиттер ного или коллекторного перехода (фиг. 3), получаемых, например, с помощью...

Номер патента: 430338

Опубликовано: 30.05.1974

Авторы: Белова, Институт, Петраченок, Соколов, Степанов, Электроники

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: полупроводниковыхматериалов, электрическихпараметров

...регистрирующий узел,Устройство работает следующим образом,Если отсутствует магнитное поле, мостовая схема балансируется изменением величины тока, стабилизированного элементом 3. Когда с помощью магнита 6 к полупроводниковому кристаллу прикладывается магнитное поле, в измерительной диагонали моста образуется напряжение разбаланса, поступающее через усилительный каскад на транзисторе 7, между коллектором и базой которого включена цепочка из элементов 8 - 11, на вольтметр 12.Анализ работы мостовой схемы с токостабилизирующим элементом с учетом соотношения (1) показывает, что напряжение разбаланса мостовой схемы ЬУ, возникающее в случае приложения к исследуемому полупроводниковому кристаллу магнитного поля, связано простым соотношением с...

Номер патента: 430459

Опубликовано: 30.05.1974

Авторы: Гурбанов, Джагупов, Химии, Якубов

МПК: H01L 41/08

Метки: двигатель, шаговый, электростатический

...обмоток, потребляемая его мощность довольно большая, а входное сопротивление мало, что затрудняет применение его в высокоомных слаботочных цепях.Предларукцией гаемыи двигатель отличается констротора, в котором для шагового двиНа чертшаговый дв с сечение.10 Двигатель содержит ферромагнитный статор 1 с зубцами 2 и ротор, состоящий, например, из трех биморфных электрострикционных пластин 3, которые жестко укреплены на валу 4 двигателя с помощью изоляционной втулки 15 5. Пластины оснащены наконечниками 6 изпостоянных магнитов, прикрепленных к ням, например, клеем.Биморфные пластины выполнены из двухпрямоугольных пьезоэлементов, склеенных 20 или сваренных так, что направления векторовполяризации их направлены в противоположные стороны, Когда...

Номер патента: 326915

Опубликовано: 15.06.1974

Авторы: Думаневич, Молибог, Сахарова, Толкунов, Челноков, Якивчик

МПК: H01L 21/02

Метки: 326915

...В. Гута)аи Т)Граса 760 Совета Министро открытий паб., д. 4,5Изд.1712сударствсиного комитетпо делам изобретенийМосква, Ж, Рауиска Под)ГсносСССР ип. Хары(. фил. пред. Патент ВяЛЬПОГО 110 роиКд. Г,сК ПОГ(ссЗЫВЯ 10 т ЭКСГСр 1- МСНТс.ЛЬПЫС ПССЛСДОВсП 51,;ЯВЛСИ 1 С с)01 Дифс,ЗДПГс 1 В Зс 30)С СТсц 1 ДВЛИВДСТС 5 0 С.11 быст )о. -)ТИГ 1:рс,ОГврс)щсстся иоявлсппс НС 1)ОБПОСТСЙ ф)0 Ггс ДПС)фУЗИП В ХГССТс)Х НСПО. средстцсицого коцтйкта пластин и ысстах, гдс СОПРПКОСПОВСПП 51 ПСТ.1(,с)пцсптрЯИИ 5 ДИСГ)1)уздГтс ЯЗОТГГОГ(СЛОГ) алюыпшя прп Г;тсутстгиш кГслорода в зоис. Дцфс) , Зии 5 ВЛ 5 СТ(51 ПОСТОЯНПОИ И СОСТс 3,151 СТ 0,01- О,ъ.ПрГГ ко 111 спт)ЯГИГГ дзотеокслого й:Омпнпя большс 0,1% иа полироваццой повсрхио- СТП 1 РС)ГНП 51 П 05 ВЛ 51 ОТС 51...

Номер патента: 285707

Опубликовано: 15.06.1974

Авторы: Думаневич, Молибог, Якивчик

МПК: H01L 29/74

Метки: 285707

...сигнал большой адля быстрого, переноса включеннония в новые области структуры.Цель предлагаемого изобретенияшение допустимой величины скоростания анодного тока и повышеничастоты.Для эффективннал полевой частистаточно большиз ого самовозоуждения сигэмиттера должен быть дот, что и осуществляется в представлена предлагаемая ерного слоя четырехслойной - основной управляющий ектрод полевой области, 3 - управляющий электрод.ет длинную полевую часть 1, позволяющуо возбудить включение в центре структуры.Таская геометрия четырехслойной структуры с самовозбужде:ием обладает. рядом преимуществ:а) позволяет увеличить амплитуду. сигнала управлеия, снимаемого с полевой части, для включения перферийных мест;б) первоначально устраняется, возможное...

Номер патента: 432618

Опубликовано: 15.06.1974

Авторы: Загайтов, Рков, Северинов, Степанов

МПК: H01L 21/00

Метки: автомат, контактной, полупроводниковыхдиодов, приварки, пружины, формовки

...что приводит к браку на юслсдуощих операциях.Предложенный автомат снабжен механизмом сдвига и фиксации вывода с бусой в момент резки, выполненным в впдс подпружиненного прижима и закрепленной на нем изогнутой пружиной сдвига, что иовьппает :качество приварки.Ня фиг. 1 показана кинсаЯтичсскд 51 схема автомдтд приварки и формовки контактной пружины; на фиг, 2 - механизм с.вигд и фиксации вывода. Вт) м л т состоит из Вид рооу 1 кс р 1 1, мехх,1 низхд 2 п)итчнои выдяи, ВьВОд)В с Оусой, грейфсрного механизма у с редуктором 4, элсктродвигдтсл я 5. Нд корпусе грсйфсрного механизма рдзмсцсны лоток 6, механизм иодрсзки 7 торца выводя 8 с оусой, лсх 1 низ)1 прижим 1 ВЫВОдд ид позиции 9 свдрки. механизм 10 формовки контактной пружины, неодвижная...

Номер патента: 433570

Опубликовано: 25.06.1974

Авторы: Митрофанов, Смирнов, Чеховской

МПК: H01L 21/304

Метки: выступающих, дефектов, поверхности, слоев, удаления, эпитаксиальных

...удаляя выступающие дефекты, могутповредить эпптаксиальный слой.Цель изоорстения - создание способа, позволяющего повысить качество поверхностиэпитаксиальных слоев, т. е. удалить острые10 выступающие дефекты без влияния на остальную поверхность эпитаксиального слоя,Это достигается тем, что предварительновсю поверхность эпитаксиального слоя окисляют, а шлифование осуществляют с по 15 мощью плоского полировальника с канавкаНа чертеже схематически представлена полупроводниковая пластина с эпитаксиальнымслоем на операции обработки с помощью20 плоского полировальника,По предлагаемому способу после эпитаксиального выращивания слоя 1 на полупроводниковой пластине 2 всю поверхность эпитаксиального слоя 1 окисляют. Окисел выполня 25 ет функцию...

Номер патента: 434069

Опубликовано: 30.06.1974

Авторы: Данцигер, Клевцов, Пьезокерллшческий, Разумовска, Рогач, Ростовский, Фесенко

МПК: C04B 35/01, C04B 35/491, H01L 41/187 ...

Метки: 434069

...параметров.Это достигается тем, что В состав, предсЯвл 515 ощи 1 Сооой Верды й р с 1 Вор РоТ 10 з -- РЬХГОз - РЬМ) . Хп Оз - РЬ.Ь . 37,983 - ,8 46 17,466 -РЬТРОРЬХгОз РЬЬ 7 п 11 Ь С о Ес Оз 9,26217,827 Оз О,2) Автор, изобретения Е, Г, Фесецк 1) Заявитель Ростовский о СоОз, дополнптсг 5,цо Введен модпфцпцрук 5 ций окцсел ГсО, прп следуощем ко:пчсс вецном соотношении компоцецтов, мол. (то: Гя изготовления предлагаемого шсзоксразцсскоО Я српала бер т исходивс (Ом поцспты: углскпсль 5 й свинец, дзуокцсь П 5 таца, 5 двуокись пцркоцця, пятпокцсь нцобця, окцспипка, Гп,Ч 1 оок 55 сь кооальтя, ОкС 1 акслсзя.Смешивают пх В шаровых мел 5 ипппях мокрым с:тособом В тсчс 5 гпс 10 час.Синтез соствоз осущсст:ляется по обыч О пой ксрямичсскоц...

Номер патента: 434070

Опубликовано: 30.06.1974

Авторы: Гринбаум, Дидкоеска, Правилова, Шапкин

МПК: C04B 35/497, H01L 41/18

Метки: керамический, материал

...свинца.Целью изобретения является повышениемеханической добротности и диэлектрическойпроницаемости, снижение диэлектрических потерь и температуры Кюри материала.Это достигается тем, что в феррониобатсвинца, содержащий окись лития, дополнительно введена окись редкоземельного элемента, например, лантана в количестве 0,5 -3,5 мол. % и марганца в количестве 0,25 -1,5 мол, %,П р и м е р, Керамический материал составаРЬ(Рео,а 1.ао,овИЬо,в)Оз с добавками 5 мол. ОоЕ 120 и 0,67 мол. % Мп 20 зДля получения 100шихту при следующем сотов, г:Р 5 СОз 81,80Ре 20 з 10,8320,04Еа 20 з 2,441.12 СОз 1,1 1Мп,Оз 0,32 После смешивания компонентопли вибромельнпце прессуют бррые подвергают обжигу при 8503 час. Обожженные брикеты изме 5 рошок с...

Номер патента: 434341

Опубликовано: 30.06.1974

Авторы: Выгловский, Горохов, Изобретеии, Хррошков

МПК: G01R 31/26, G01R 31/28, H01L 21/66 ...

Метки: восстановления, проверки, структур, транзисторных

...точ теля, а один из полюсов этого соединен с источником напрян прямитель.На чертеже схематично из лагаемое устройство,Оно включает в себя характериограф 1,группу зондов 2, 3, 4, источник переменного напряжения 5, диод 6, тслефонныш ролпковып ключбез фиксации ролика и контактный О стол 8.Устройство работает следующим образом.Пластину 9, имеющую многоэмпттерныеструктуры, состоящие из гг параллельно соединенных менгду сооои ячеек, каждая из кото рых содержит р - гг-переход и последовательновключенное в цепь эмиттера балластное сопротпвлеьп 1, помещают на стол 8 и подводят зонды так, ч;обы зонд 2 располагался на базовой контактной плогцадке, а зонды 3 и 4 - 30 на эмиттсрных.434341 тавнтель 3. ЧелноковаТекред Н. Куклина едактор рлова...

Номер патента: 434486

Опубликовано: 30.06.1974

Авторы: Нов, Фрадков

МПК: H01B 17/26, H01L 39/00

Метки: ввод, электрический

...онце было ном. Таксеоковедущегриводит кдную зону Предлагаемыи ввод сми располагают на кртак, чтобы поперечноеэлемента па верхнем,больше, чем на нижнуменьшение поперечногго элемента вдоль егмспьшсн.ю теплоприткриостата. еский ввод для криог ержащий токоведущпй с ребрами и изолятор ичающийся тем, чт диаметрального габа енин притока тепла, ре сль трубы и имеют т сечение.енных устэлемент в с уплотнес целью рита ввода бра распо- реугольное Электрпч ройств, сод 25 виде трубы нпем, отл уменьшения при уз еньш ложены вд 30 продольноеВ этих изв положены и нежелательн габарита вво Цель изо рального га пригока тепл Для этого и имеют треЮ, Л, Буянов и А. Б. Фрадков рдена Ленина физический институт им. П, Н. ЛебедеваНа чертеже изображен предлагаемый...

Номер патента: 434488

Опубликовано: 30.06.1974

Авторы: Бойко, Малютенко, Тесленко

МПК: H01L 31/08

Метки: фоторезистор

...сила Лоренца Р=е 1 Е Х О (где О - напряженность магнитного поля, и - подвижность носителей, Е - напряженность электри. ческого поля), вызывающая в зависимости ог знака поля Е при фиксированной напряженности магнитного поля либо отклонение эгпх но. сителей к задней грани с большой скоростью поверхностной рекомбинации, либо повышен. цую концентрацию их у освещеной грани: малой скоростью поверхностной рекомбьн. ции.Если под действием силы,1 оре;ща цосцтел:; дрейфуют к грани с большой скоростью по.434488 чувствительных чистых полупроводников без намеренного легировация с одновременным сохрацецием большой скорости рассасывация неравновесных носителей заряда, свойственцой примесцым полупроводникам; расширяются функциональные возможности...

Номер патента: 434516

Опубликовано: 30.06.1974

МПК: H01L 21/04

Метки: локального, перехода, полупроводниковых, приборов, р.п

...битум.Способ заключается в следующем. На промытую и обезжиренную после шлифовки пластину с помощью маски из металла на участ чи, где не должна пройти диффузия, наносят слой битума, например БН, хорошо растворимого в органических растворителях, например в толуоле или четыреххлористом углероде, 3 2Далее любым известным способом наносят раствор солей, содержащий диффузант (алюминий). Пластину сушат до полного высыхания раствора (температура сушки не выше температуры растекания битума - около 40 С). После этого битум снимают кипячением в четыреххлористом углероде или толуоле, при этом соли остаются на пластине. Затем производится диффузия. Алюминий диффундирует только в месте его нанесения,Диффузант с большим давлением паров можно...

Номер патента: 434517

Опубликовано: 30.06.1974

Авторы: Котенко, Кутолин, Шурман

МПК: H01L 45/00

Метки: активного, порогового, слоя, состав, элемента

...для изготовления пороговых элементов с величиной порогового напряжения 6 - 100 в, например элементов Х 1 - 10, И 1 - 20, М 1 - 30 (США).При использовании таких составов в элементах с более высоким пороговым напряжением требуется значительное увеличение толщины активного слоя. При этом уменьшается диапазон рабочих частот (увеличивается общее время переключения), снижается рабочий ток (увеличивается сопротивление элемента в открытом состоянии), ухудшается зависимость порогового напряжения от температуры (увеличивается температурный коэффициент порогового напряжения).С целью увеличения порогового напряжения элементов предлагается состав для изготовления активного слоя, содержащий теллур, мышьяк, германий, кремний и сульфид одного...

Номер патента: 434518

Опубликовано: 30.06.1974

Авторы: Кулешов, Мистейко, Панчев

МПК: H01L 21/60

Метки: выводов, полупроводниковых, приборов, присоединения

...одновременно со скольжением. Однако скольжение инструмента относительно прибора ведет к смещению выводов относительно контактных площадок и к ухудшению качества сварки; кроме того, известное устройство не позволяет производить присоединение выводов при круговом расположении контактных площадок корпуса.Цель изобретения - устранение скольжения инструмента относительно прибора,Цель достигается тем, что предлагаемая установка содержит механизм стабилизации обкатки, выполненный в виде кронштейна, имеющего выступы с установленной в них рамкой, в средней части которой имеется паз с расположенным в нем цилиндром, жестко закрепленным на хвостовике инструмента сварочной головки, расположенной в кронштейне с возможностью вращения вокруг...

Номер патента: 434519

Опубликовано: 30.06.1974

Авторы: Иванов, Ордена, Скрипко, Шушпан

МПК: H01L 21/00

Метки: полупроводниковыхслитков, поперечной, резки

...изобретения ение выхода годщих операциях ин, улучшение ка ых пластин нарядиаметров разреСпособ поперечнои резки пол вых слитков абразивным отрез включающий вращение инструме ную подачу слитка на инструмен щ и й с я тем, что, с целью увели годных пластин и повышения кач ности, радиальную подачу слит мент прекращают после пересече кромкой инструмента продольно а затем осуществляют подачу с струмент путем поворота слитка дольной оси,подача слитка на в два этапа; снаная подача, кото- сечения режущей тка, а затем сливоей продольной и поясняется схеующим образом Известен способ рез слитков, когда одновр дачей слитка на вра происходит вращение ной оси; при этом рез ферии и заканчиваетс В результате такой мой пластины остаютс пы,...

Номер патента: 434520

Опубликовано: 30.06.1974

Авторы: Думаневич, Курцин, Челноков

МПК: H01L 23/10

Метки: корпус, фототиристора

...на чертеже.К массивному металлическому основанию1, служащему одним из электродов прибора,припаян вентнльный элемент 2, содержащий5 многослойную полу 1 роводниковую структурусо светочувствительным участком. К основапию крепится крышка 3, внутри которой через изолирующее кольцо герметично укреплена металлическая втулка 4 в виде полого ци 10 линдра, служащая друтик электродом прибора. Канал втулки закрыт оптически прозрачным окном 5, которое может обладать фокуснрующими свойствами.Втулка 4 электрически соединена с вентиль 15 ным элементом 2 с помощью амортизационного элемента 6 ввиде, например, металлической мембраны с отверстием посредине. Навтулку 4 может надеваться съемная фокусирующая оптическая система,23 Выполнение внутреннего...

Номер патента: 434529

Опубликовано: 30.06.1974

Авторы: Киевский, Лавриненко, Якименко

МПК: H01L 41/107, H03H 9/54

Метки: пьезоэлектрический, трансфильтр

...Секции жестко скреплены между собой с помощью токопроводящего клея, образующего средний электрод 3. На поверхностях трансфильтра, на расстояниях друг от друга не менее утроенной средней его толщины, нанесены серебряные электроды 4, Образованные противоположными парами электродов зоны поляризованы: у одной секции (2) все зоны поляризованы в одном направлении, а у другой секции (1) соседние зоны поляризованы в противоположных направлениях. Форма и толщина элемента выбраны таким образом, что толщина каждой зоны соответствует ее резонансной частоте при продольных колебаниях по толщине, Противоположные поверхности трансфпльтра с электродами над зонами покрыты сверху медными илп никелевыми общими электродамп 5, к которым, как и к среднемч...

Номер патента: 435573

Опубликовано: 05.07.1974

Авторы: Таранчук, Турусов

МПК: H01L 21/00

Метки: загрузки, ферромагнитныхдеталей

...с трубками, пода 20 ются из вибробункера по вибролотку в вибрирующую приемную кассету 1, полностьюзаполняют ее и под действием магнитногополя катушки 9 удерживается в ней в вертикальном положении, Под действием вибрации25 детали равномерно распределяются в пределах приемной кассеты. Устройством 11 включают катушку 1 О, которая работает в импульсном режиме. Под влиянием магнитного полякатушки 10 детали 12 перемещаются в сторо 30 ну позиционного накопителя и заполняют всеего глухие горизонтальные пазы, причем каждая последующая деталь подталкивает предыдущую. Достигнув глухой стенки, первые в ряду детали под действием вертикальной составляющей магнитного поля катушки 10 опускаются в вертикальных цилиндрических пазах и зависают на корпусе...