H01L — Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам

Номер патента: 1746846

Опубликовано: 20.06.2000

Авторы: Зенцов, Козлов, Кузьмин, Уверская

МПК: H01L 21/28

Метки: контактов, кремниевых, омических, сплав, структур

Сплав для омических контактов кремниевых структур, содержащий кремний, никель, фосфор, алюминий, отличающийся тем, что, с целью повышения процента выхода выпрямительных элементов на основе кремниевых структур на операции сплавления путем повышения технологической пластичности при одновременном снижении максимальной величины локального отклонения пиков вплавления относительно плоскости фронта вплавления силумина в кремний, он содержит указанные компоненты в следующем соотношении, мас.%:Кремний - 15 - 22Никель - 0,025 - 0,2Фосфор - 0,0022 - 0,02Алюминий - Остальное

Номер патента: 552860

Опубликовано: 20.06.2000

Авторы: Герасименко, Кузнецов, Лежейко, Любопытова, Смирнов, Эдельман

МПК: H01L 21/265

Метки: карбида, кремния, кубической, модификации, синтеза

Способ синтеза карбида кремния кубической модификации путем внедрения в подложку кремния, нагретую до температуры 600 - 650oC, ионов углерода при плотности тока 15 - 20 мка/см2, отличающийся тем, что, с целью получения монокристаллического карбида кремния в объеме подложки, содержащей внедренные атомы углерода, после внедрения проводят термообработку подложки при температуре 1100 - 1300oC.

Номер патента: 1480684

Опубликовано: 20.06.2000

Авторы: Абрамович, Либер, Сакович

МПК: H01L 23/18

Метки: полупроводниковый, прибор, силовой

Силовой полупроводниковый прибор, содержащий полупроводниковую структуру, расположенную между токоподводами с мембранами и помещенную в изолирующий корпус, отличающийся тем, что, с целью повышения механической стойкости прибора при возникновении электрической дуги между токоподводами, на внутреннюю поверхность по крайней мере одного токоподвода с мембраной нанесен слой цинка или кадмия.

Номер патента: 1127466

Опубликовано: 20.06.2000

Автор: Болховитянов

МПК: H01L 21/208

Метки: алюминия, арсенида, галлия, наращивания, слоев, эпитаксиального

Способ эпитаксиального наращивания слоев арсенида галлия-алюминия на подложках бинарного соединения типа AIII - BV из жидкой фазы алюминий-галлий-мышьяк, содержащей 3 - 7 ат.% сурьмы, отличающийся тем, что, с целью улучшения кристаллического совершенства слоев арсенида галлия-алюминия на подложках фосфида галлия, поверхность подложек предварительно приводят в контакт на 5 - 10 мин с насыщенной жидкой фазой индий-сурьма при температуре 723 - 798 К.

Номер патента: 1127483

Опубликовано: 20.06.2000

Авторы: Колоскова, Локтаев, Нисневич

МПК: H01L 21/316

Метки: алюмосиликатного, осаждения, пленок, раствор, стекла

Раствор для осаждения пленок алюмосиликатного стекла, содержащий растворитель - этиловый спирт 96o, тетраэтоксисилан, катализатор и азотнокислый алюминий(гидрат) с концентрацией в растворителе более 0,15 г/см3, отличающийся тем, что, с целью увеличения маскирующей способности пленки при диффузии бора и фосфора с поверхностной концентрацией более 1019см-3, отношение массы азотнокислого алюминия к массе тетраэтоксисилана берут равным 1,5 - 4,0, а компоненты в следующем количественном соотношении, мас.%:Этиловый спирт 96o - 60 - 80Азотнокислый алюминий, гидрат - 15 - 32Тетраэтоксисилан - 5 - 10.

Номер патента: 1187649

Опубликовано: 27.06.2000

Авторы: Астафьев, Боронин, Изидинов, Курцин, Нанушьян, Панкратов, Полеес, Потапова, Симановская

МПК: H01L 21/56

Метки: защиты, поверхности, полупроводниковых, приборов, силовых

Способ защиты поверхности силовых полупроводниковых приборов, включающий нанесение на них защитного компаунда, содержащего кремнийорганический винилсодержащий каучук, олигометилгидридсилоксан, наполнитель и в качестве катализатора 1%-ный раствор платинохлористоводородной кислоты, и проведение термообработки, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных и высоковольтных приборов при одновременном сокращении времени термообработки, в компаунд вводят в качестве ингибитора вещество класса пиразолов, причем соотношение катализатора и ингибитора находится в пределах от 5 : 1 до 10 : 1, а общее количество катализатора и ингибитора составляет от 0,6 до 1,2 мас. % компаунда, и...

Номер патента: 1484197

Опубликовано: 27.06.2000

Авторы: Евсеев, Лягущенко, Мишанин

МПК: H01L 21/28

Метки: выпрямительного, материал, полупроводникового, термокомпенсатора, элемента

Материал термокомпенсатора для полупроводникового выпрямительного элемента, содержащий поликристаллический кремний, отличающийся тем, что, с целью повышения обратного напряжения выпрямительного элемента и улучшения прочностных свойств термокомпенсатора, материал дополнительно содержит вольфрам или молибден при следующем соотношении компонентов, мас.%:Вольфрам или - 0,1 - 6Молибден - 0,1 - 9Кремний - Остальное

Номер патента: 1602275

Опубликовано: 27.06.2000

Авторы: Губарев, Марквичева, Нисневич

МПК: H01L 21/225

Метки: кремниевых, структур

Способ изготовления кремниевых структур, включающий химическую обработку пластин кремния n-типа проводимости, загрузку пластины и источника алюминия в печь, проведение первой термообработки - диффузии алюминия, выгрузку из печи, загрузку пластин и источника галлия в печь и проведение второй термообработки - диффузии галлия, отличающийся тем, что, с целью повышения времени жизни дырок в n-слое в качестве источника алюминия используют пленку оксида кремния толщиной 0,2-0,4 мкм, осажденную на кремниевую пластину из раствора и содержащую 0,3-4,8 мас.% оксида алюминия, а в качестве источника галлия используют пленку оксида кремния толщиной 0,2-0,4 мкм, осажденную на кремниевую пластину из...

Номер патента: 1369598

Опубликовано: 27.06.2000

Авторы: Зайцев, Пинчук, Рюмшин

МПК: H01L 21/28

Метки: контактного, кремниевые, никелевого, осаждения, покрытия, полупроводниковые, раствор, структуры, химического

Раствор для химического осаждения никелевого контактного покрытия на кремниевые полупроводниковые структуры, содержащий никель сульфаминовокислый, натрий гипофосфат и воду, отличающийся тем, что, с целью уменьшения переходного сопротивления контакта к кремнию р-типа проводимости с поверхностной концентрацией основных носителей ниже 5 1018 см-2 при сохранении стабильной скорости осаждения, он дополнительно содержит гидразинсодержащую соль при следующем соотношении ингредиентов, г/л:Никель сульфаминовокислый - 30 - 70Натрий гипофосфит - 5 - 35Гидразинсодержащая соль - 0,4 - 1,45Вода...

Номер патента: 1436785

Опубликовано: 27.06.2000

Авторы: Злобин, Костышева

МПК: H01L 21/66

Метки: образца, поверхности, потенциала, распределения

Способ определения распределения потенциала по поверхности образца, состоящий в том, что образец облучают электронным пучком, регистрируют спектр вторичного излучения и определяют распределение потенциала, отличающийся тем, что с целью обеспечения возможности измерения распределения потенциала в областях с напряженностью электрического поля свыше 104 В/см, облучают заземленный образец пучком электронов с энергией, превышающей энергию возбуждения характеристической линии рентгеновского излучения материала образца, и регистрируют рентгеновское излучение, затем увеличивают энергию пучка, снимают калибровочную зависимость изменения интенсивности рентгеновского излучения от энергии...

Номер патента: 1616429

Опубликовано: 27.06.2000

Авторы: Дерменжи, Кондаков, Почуева, Шмелев

МПК: H01L 21/28

Метки: полупроводниковых, приборов, силовых

Способ изготовления силовых полупроводниковых приборов, включающий формирование в полупроводниковой подложке базовой области, создание в базовой области дискретных областей эмиттерных элементов, формирование первого слоя металлизации на поверхности базовой области и областей эмиттерных элементов, выявление неработоспособных эмиттерных элементов, нанесение изолирующего покрытия, закрепление на поверхности подложки с помощью магнитной кассеты маски с окнами над эмиттерными элементами и создание второго слоя металлизации путем напыления металла в окна маски, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных и снижение трудоемкости, изолирующее покрытие после выявления неработоспособных...

Номер патента: 1568799

Опубликовано: 27.06.2000

Авторы: Губарев, Нисневич

МПК: H01L 21/225

Метки: кремниевых, многослойных, структур

Способ изготовления кремниевых многослойных структур, включающий создание n-n+- или n-p+-двухслойной кремниевой структуры, формирование на ее поверхности маскирующего покрытия, формирование слоя p-типа диффузией акцепторных примесей со стороны слоя n-типа, формирование термическим окислением пленки окисла кремния, фотолитографическое вскрытие в ней окон со стороны слоя p-типа и формирование n+ - областей диффузией донорной примеси в окна пленки окисла кремния, отличающийся тем, что, с целью упрощения технологии изготовления структур за счет сокращения количества высокотемпературных операций, маскирующее покрытие формируют толщиной 0,2-0,4 мкм путем нанесения...

Номер патента: 639366

Опубликовано: 27.06.2000

Авторы: Кудрявцев, Куликов

МПК: H01L 39/22

Метки: джозефсона, контакт, типа, точечного

Контакт Джозефсона точечного типа, содержащий сверхпроводящий электрод с острием, соосно с ним расположенный сверхпроводящий электрод с плоской контактной поверхностью и привод их взаимного перемещения в виде соединяющей электроды втулки из материала с пьезоэлектрическими свойствами, отличающийся тем, что, с целью повышения его надежности и увеличения срока эксплуатации, посредством создания возможности автоматического размыкания сверхпроводящих электродов в неохлажденном состоянии, они размещены в соосно с ними расположенной заполненной газообразным гелием герметичной камере, выполненной в виде тонкостенного цилиндра с поперечно гофрированной боковой поверхностью и жестко скреплены с...

Номер патента: 1335055

Опубликовано: 27.06.2000

Авторы: Блохина, Изидинов, Мишанин

МПК: H01L 21/28

Метки: полупроводниковых, приборов

1. Способ изготовления полупроводниковых приборов, включающий создание кремниевой структуры по крайней мере с одним p-n-переходом и контактное соединение кремниевой структуры с электродом припоем на основе алюминия, отличающийся тем, что, с целью улучшения электрических характеристик приборов, перед контактным соединением на контактной поверхности кремниевой структуры формируют поры, суммарная площадь которых составляет 15-50% площади контактной поверхности.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что поры формируют анодным электрохимическим травлением кремниевой структуры.

Номер патента: 1400376

Опубликовано: 27.06.2000

Авторы: Локтаев, Нисневич, Пайвель

МПК: H01L 21/225

Метки: диффузии, источника, кремний, пленкообразующих, поверхностного, приготовления, примесей, растворов

Способ приготовления пленкообразующих растворов для получения поверхностного источника диффузии примесей в кремний, содержащих органический растворитель, воду, катализатор гидролиза тетраэтоксисилана, соединения легирующих примесей и тетраэтоксисилан, включающий растворение части компонентов, включая тетраэтоксисилан; гидролиз тетраэтоксисилана и растворение оставшихся компонентов в растворе гидролизованного тетраэтоксисилана, отличающийся тем, что, с целью улучшения параметров диффузионных слоев за счет повышения вязкости растворов, раствор гидролизованного тетраэтоксисилана перемешивают, нагревая до температуры 50 - 90oC, пока его объем не уменьшится в 1,2 - 2,5 раза.

Номер патента: 1400378

Опубликовано: 27.06.2000

Авторы: Локтаев, Лягущенко, Мишанин

МПК: H01L 21/28

Метки: выпрямительного, контакта, омического, элемента

Способ изготовления омического контакта выпрямительного элемента, включающий помещение припоя алюминиевой основы между кремниевой структурой и электродом и термообработку, отличающийся тем, что, с целью повышения обратного напряжения выпрямительного элемента, между поверхностью кремниевой структуры и припоем алюминиевой основы помещают слой силумина заэвтектического состава, термообработку проводят при температуре от 577oC до 0,95 температуры плавления силумина заэвтектического сстава.

Номер патента: 1340476

Опубликовано: 27.06.2000

Авторы: Грипас, Локтаев, Марквичева, Насекан, Нисневич, Павлынив

МПК: H01L 21/225

Метки: n+pnpp+, многослойных, структур, типа

1. Способ изготовления многослойных структур n+-p-n-p-p+ типа силовых тиристоров, включающий создание на p-n-p-структуре маскирующей пленки, локальной со стороны катода и сплошной со стороны анода, загонку донорной примеси, полное удаление маскирующей пленки, осаждение на анодную сторону раствора, содержащего соединения бора, складывание пластин в стопку и разгонку, отличающийся тем, что, с целью улучшения электрических параметров тиристора за счет повышения однородности подлегирования бором шунтов и управляющего электрода со стороны катода и создания неоднородного распределения времени жизни неосновных носителей заряда в n-базе, на анодную сторону осаждают раствор,...

Номер патента: 1340484

Опубликовано: 27.06.2000

Автор: Бротиковский

МПК: H01L 21/28

Метки: защищенных, мезаструктур, никелирования, пленками, свинцово, силикатными, стекловидными

Способ никелирования мезаструктур, защищенных свинцово-силикатными стекловидными пленками, включающий активацию поверхности структур в золотосодержащем активаторе и химическое осаждение никеля, отличающийся тем, что, с целью уменьшения себестоимости приборов, после активации мезаструктуры обрабатывают в кипящей азотной кислоте.

Номер патента: 1523010

Опубликовано: 27.06.2000

Авторы: Бучнев, Дмитриев, Зайцев, Рюмшин, Сизова, Смыслов

МПК: H01L 21/58

Метки: кремниевых, мощных, полупроводниковых, приборов, термокомпенсатор

Термокомпенсатор мощных кремниевых полупроводниковых приборов, содержащий графитовое основание с приповерхностным слоем из карбида кремния, отличающийся тем, что, с целью расширения технологических возможностей термокомпенсатора за счет увеличения его смачиваемости алюминием и сплавами на основе алюминия, приповерхностный слой дополнительно пропитан кремнием с концентрацией по привесу 1 10-3 - 2,5 10-2 г/см2 поверхности.

Номер патента: 1579344

Опубликовано: 27.06.2000

Авторы: Авдонин, Евтушенко, Мишанин

МПК: H01L 21/28

Метки: полупроводниковой, соединения, структуры, термокомпенсатором

Способ соединения полупроводниковой структуры с термокомпенсатором, включающий размещение в каждой из ячеек кассеты пакета из термокомпенсатора, алюминиевого припоя, кремниевой структуры с р-n-переходом, заполнение полости кассеты графитовым порошком, создание сжимающего давления на пакеты и термообработку при 577 - 900o, отличающийся тем, что, с целью повышения качества соединения, осуществляют предварительную термообработку заполненной кассеты при 500 - 560oC и давлении 1 - 9 Н/мм2.

Номер патента: 1282757

Опубликовано: 27.06.2000

Авторы: Ибрагимов, Реутов

МПК: H01L 21/265

Метки: кремния, пластин, тонких

1. Способ изготовления тонких пластин кремния, включающий их отделение от слитка путем формирования поверхности скола, отличающийся тем, что, с целью повышения производительности и воспроизводимости изготовления, поверхность скола формируют облучением слитка потоком легких ионов преимущественно водорода, дейтерия, гелия и нагревом слитка.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что слиток облучают дозами по крайней мере 1017 см-2 при комнатной температуре.3. Способ по п.1, отличающийся тем, что слиток облучают дозами по крайней мере 1016 см-2 при температуре не менее 700 К.4. Способ по п.1, отличающийся тем, что слиток облучают дозами...

Номер патента: 1535272

Опубликовано: 27.06.2000

Авторы: Бротиковский, Минков

МПК: H01L 21/78

Метки: высоковольтных, диодов, изготовлении, кремниевых, мезаструктур, формирования

Способ формирования мезаструктур при изготовлении кремниевых высоковольтных диодов, включающий изготовление на полупроводниковой пластине диффузионной структуры с р-n переходом контактов, нанесение защитной маски, формирование мезаструктур путем надрезания пластины алмазным диском с последующим химическим травлением по образованным надрезам, отличающийся тем, что, с целью увеличения выхода годных приборов с повышенными значениями обратных пробивных напряжений, надрезание осуществляется со стороны n-слоя структуры с частотой вращения диска от 20 до 50 тыс.об/мин со скоростью подачи от 1 до 30 мм/с при толщине алмазной режущей кромки от 150 до 400 мкм и величине алмазного зерна от 0,5 до 20...

Номер патента: 1593507

Опубликовано: 27.06.2000

Автор: Нисневич

МПК: H01L 21/225

Метки: диффузионного, донорный, кремния, легирования, раствор

Донорный раствор для диффузионного легирования кремния, содержащий растворитель, тетраэтоксисилан, катализатор, ортофосфорную кислоту и соединение мышьяка, отличающийся тем, что, с целью повышения глубины диффузионных слоев до 100 мкм при сохранении высокой поверхностной концентрации, в качестве катализатора использована азотная кислота, а в качестве соединения мышьяка использована ортомышьяковая кислота, причем соотношение ортофосфорной и ортомышьяковой кислот составляет от 8:1 до 1:1 по объему при следующем соотношении компонентов, мас.%:Растворитель - 45 - 62Тетраэтоксисилан - 19,4 - 28,5Азотная кислота - 0,2 - 1,5Ортофосфорная и ортомышьяковая кислота - 18 - 31

Номер патента: 1593508

Опубликовано: 27.06.2000

Авторы: Губарев, Локтаев, Нисневич

МПК: H01L 21/225

Метки: алюминия, галлия, диффузии, кремниевые, пластины

Способ диффузии алюминия и галлия в кремневые пластины, включающий очистку поверхности, осаждение из растворов легированных пленок, складывание пластин одноименными сторонами в стопку, загрузку в окислительной атмосфере в реактор диффузионной печи, нагретой до температуры ниже температуры диффузии, выдержку при этой температуре для проведения деструкции, нагрев до температуры диффузии в потоке газа и термообработку, отличающийся тем, что, с целью улучшения параметров изготавливаемых силовых полупроводниковых структур на основе полированных пластин за счет повышения времени жизни дырок и повышения воспроизводимости легирования, стопку пластин предварительно помещают в заваренный с одного...

Номер патента: 1480664

Опубликовано: 27.06.2000

Авторы: Колоскова, Локтаев, Нисневич

МПК: H01L 21/225

Метки: многослойных, полупроводниковых, приборов, структур

Способ изготовления многослойных структур полупроводниковых приборов, включающий очистку пластин кремния, осаждение на одну поверхность пластин пленкообразующего раствора с легирующими примесями, осаждение на другую поверхность пластин кремния пленкообразующего раствора, содержащего этиловый спирт, азотнокислый алюминий, борную кислоту и тетраэтоксисилан, и проведение одновременной диффузии путем термообработки, отличающийся тем, что, с целью расширения области применения способа для изготовления многослойных структур тиристоров и транзисторов одной термообработкой, проводят осаждение на вторую поверхность пластин кремния пленкообразующего раствора, дополнительно содержащего ортомышьяковую...

Номер патента: 1480665

Опубликовано: 27.06.2000

Авторы: Бахшецян, Варданян, Локтаев, Нисневич

МПК: H01L 21/225

Метки: диффузионного, кремния, легирования, раствор, фосфором

Раствор для диффузионного легирования кремния фосфором, содержащий органический растворитель, ортофосфорную кислоту и пленкообразующий компонент, отличающийся тем, что, с целью повышения уровня легирования диффузионных слоев толщиной более 50 мкм, в качестве пленкообразующего компонента используют эфир германия Ge(OCnH2n+1)4 где 3 n 6, при следующем соотношении компонентов, мас.%:Органический растворитель - 45 - 70Ортофосфорная кислота (70%-ная) - 20 - 40Эфир германия - 5 - 20

Номер патента: 1424632

Опубликовано: 27.06.2000

Автор: Нисневич

МПК: H01L 21/225

Метки: кремния, легирования, пластин, пленкообразующий, приготовления, раствор

1. Пленкообразующий раствор для легирования пластин кремния, содержащий этиловый спирт, катализатор, тетраэтоксисилан и соединения 1-й легирующей примеси - азотнокислый алюминий, гидрат и 2-й легирующей примеси, отличающийся тем, что, с целью повышения воспроизводимости легирования за счет повышения стабильности раствора и улучшения смачиваемости поверхности пластин, а также облегчения процесса удаления пленки с поверхности после окончания легирования, он содержит компоненты в следующем количественном соотношении, мас.%:Этиловый спирт 96o - 38,6 - 52,0Катализатор - 0,5 - 2,5Тетраэтоксисилан - 4,2 - 6,4Соединение 1-ой легирующей примеси - азотнокислый...

Номер патента: 1482485

Опубликовано: 10.07.2000

Авторы: Байков, Горохов, Троцко, Федоров

МПК: H01L 39/22

Метки: высокочастотный, гибридный, сквид

Гибридный высокочастотный сквид, содержащий параллельно соединенные контуры квантования в виде полостей, образованных двумя цилиндрами и стенками в массивном корпусе из сверхпроводника, подложку с пленочными электродами и контактом Джозефсона между ними и заглушку, прижимающую электроды к элементам сквида, отличающийся тем, что, с целью увеличения чувствительности сквида к входному току, цилиндры установлены вдоль одной оси и разделены перегородкой с отверстием, внутри которого размещен с зазором стержень, соединяющий цилиндры, причем в перегородке снаружи корпуса выполнен паз, соединенный с отверстием, а внутри паза установлены подложка и заглушка, прижимающая один электрод контакта...

Номер патента: 1436798

Опубликовано: 10.07.2000

Авторы: Байков, Кондаков, Лузе

МПК: H01L 39/22

Метки: джозефсона, контакт, точечный

Точечный контакт Джозефсона, содержащий корпус с двумя отверстиями и два соприкасающиеся торцами сверхпроводящих электрода в виде стержней, установленных в отверстия, отличающийся тем, что, с целью уменьшения брака при изготовлении, отверстия в корпусе выполнены конусными, а стержни - с прямоугольным поперечным сечением.

Номер патента: 999872

Опубликовано: 10.07.2000

Авторы: Епихин, Кузнецов, Марончук, Сушко, Тузовский

МПК: H01L 21/208

Метки: наращивания, подложках, полупроводниковых, слоев, эпитаксиального

Способ эпитаксиального наращивания полупроводниковых слоев на подложках, включающий сборку в пакет параллельно расположенных пластин, на поверхности которых расположены полупроводниковые подложки, заполнение зазора между подложками раствором-расплавом и принудительное охлаждение системы, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества слоев, диаметр пластин выбирают больше диаметра подложек на величину, по крайней мере в 4 раза большую, чем зазор между подложками.