H01L — Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам

Номер патента: 586407

Опубликовано: 30.12.1977

Авторы: Родный, Якерсон

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: полупроводниковых, структур, температуры

...импульсы анодного тока от генератора 2, От генератора 1 подаются импульсы на модулятор 10 че586407 ставитель Т. Дроздов Техред Л. Гладкова Корректор И. Позняковская дактор Н 1 зд.1 аказ 278 ираж 110 одписное пография, пр. Сапунова,рез блок задержки 7. В модуляторе 10 формируются импульсы для управления импульсной трехэлектродной рентгеновской трубкой 11, анодное напряжение на которую поступает от блока питания 9. Мощные кратковременные рентгеновские импульсы с анода трубки 11 через фильтр 12 и свинцовый коллиматор 13 попадают на р-и-р-и структуру со стороны катода 4. Глубина проникновения рентгеновских лучей для структуры с определенной глубиной залегания коллекторного р-и перехода и толщиной металлического покрытия регулируется...

Номер патента: 586515

Опубликовано: 30.12.1977

Авторы: Розенблит, Сугатов

МПК: H01L 23/36

Метки: охлаждения, радиатор, радиоэлементов

...- повышение интенсивности охлаждения.Цель достигается тем, что электромагнитный возбудитель колебаний расположен между ребрами и настроен на резонансную частоту их колебаний. Кроме того, основание и ребра выполнены в виде вложенных одна в другую П-образных скоб, соединенных в средней часР ий ребер, опти.езонансная частота колебанеляется из соотношения:1 Ь;586515 В. Пешехоновамышникова Составите Техред А ектор Л. Орлова Редакт оляд Подписно аж 995Министров ССытийаб., д, 4/5 Изд. Ме 1039 Ти Г 10 1 осударственного комитета Совета по делам изобретений и откр 113035, Москва, Ж.35, Раушскаяказ 2911 ипография, пр. Сапунова 3П-образные металлические скобы 1 и 2 вложены одна в другую и соединены в средней части, образуя радиатор. Материал и...

Номер патента: 587532

Опубликовано: 05.01.1978

Авторы: Кузьмичев, Мякинченко, Цой, Штейн

МПК: H01L 21/68

Метки: выступами, ориентации, прямоугольными, цилиндрических

...в плане; на фиг. 3Увеличенное иэображение одного загрузочного гнезда (поз. 1 на Фиг. 2)трафарета; на фиг, 4 - вид по стрелке А на фнг. 3.Устройство состоит из трафарета1 и привода 2 вращательных колебательных движений, Трафарет выпол.нен в виде пластины с загрузочнымигнездами, имеющими профильные пазыуглубления 3 под загружаемые дета 0 ли 4. Паэ для эападания прямоугольного вйступа деталей в ориентированном положении образован мЕжду торцами наклонных возвышений . 5 и 6, выполненных с постепенным подъемом над поверхностью,"трафарета навстречу друг другуРаботает .устройство.следующим образом, "Загружаемые:детали 4 насыпают навалом на поверхность траФарета 1, которому сообщаются колебательные движения от привода. Бла" годаря этим...

Номер патента: 587533

Опубликовано: 05.01.1978

Авторы: Саркисян, Чубич

МПК: H01L 21/78

Метки: кристаллы, пластин, полупроводниковых, разламывания

...прокатывают по поверхности разламывающего валика, повернув предварительно на 900 .Недостатком описанного устройстваявляется его сложность,так как для надежности работы устройства необходимо применение дополнительных механиз"мов прижима пластины к разламывающему валику и регулировки натяжениятранспортирующей и прижимной лент.Кроме того, . не исключено проскальзывание бесконечной транспортирующей ленты относительно разламывающего валика, что приводит к поврежде.нию рабочей поверхности кристалла впроцессе разламывания.пластины.Цель изобретения . - упрощение конструкции устройства и улучшениек ачества,разделяемых кристаллов .Поставленная цель достигается тем,что в устройстве для. разламыванияполупроводниковых пластин на кристаллы, содержащем...

Номер патента: 587534

Опубликовано: 05.01.1978

Авторы: Голямина, Хлопотунова, Чашина

МПК: H01L 41/20

Метки: магнитострикционный, материал

...прочность материала на разрыв, и вместе. с тем способствуют снижению температуры окончательного обжига, что имеет значение для технологии массового изготовления образцов. Вместе с тем они не ухудшают свойств керамики, важных для электроакустического преобразования. П р и .м е р . Дня приготовленияЭ 1 магнитострикционного материала смешивают 408,6 г Ге 20 а и 191,4 гЙ 10, Полученную смесь обжигают при950 С в течение 3 час, а затем изомельчают К полученному порошкуЯ прнбавля)от окись свинца, двуокиськремния, окись бора в количестве б г,тщательно перемешивают и прессуютполуфабрикаты требуемой формы, которые обжигают при 1350 фС в течение30 2 час,587534 Свойства материаловплотность р, коэффициент электромеханической связи К, модуль Юнга...

Номер патента: 494063

Опубликовано: 05.01.1978

Авторы: Вайткус, Ярашюнас

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: полупроводника, фотоэлектрических, характеристик

...содержащее одномодовый твердотельный лазер 1 на стекле с неодимом, лазерный усилитель 2, набор нейтральных светофильтрон 3 для изменения мощности излучения лазераа стеклянную плоскопараллельную пластйну тдля отвода части луча лазера к измерителю 5 мощности излучения, например к фотоэлементу ФЭКК, За пластиной 4 на пути излучения установлен делитель 6 света, например система призма для разделения лазерного луча на два луча. На месте пересечения этих лучей помещен исследуеьияй полупроводниковый образец 7 и измеритель 8 интенсивности дифракциикоторым может служить также фотоэлемейт ФЗКК. Измеритель 5 мощности излучения и измеритель 8 интенсивности дифракции подключены к двухлучевому запоминающему осциллографу С 1-429. Направление лучей...

Номер патента: 588517

Опубликовано: 15.01.1978

Авторы: Латышев, Стельмах, Уренев

МПК: H01L 21/66

Метки: заряда, концентрации, носителей, подвижности, полупроводниках

...частоты 1 которая выше рабочих частот питания электромагнита и образца, с выхода эталонного генератора 1 подается на входы трех делителей 2, 3, 4, часто588517 Формула изобретения Составитель Т, Дозоров Техред И. Карандашова Корректор Е. Хмелева Редактор Н. Коган Заказ 3170/10 Изд, Мв 100 Тираж 1109 НПО Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб д. 4/5Подписное Типография, пр, Сапунова, 2 ты, коэффициенты деления которых подобраны таким образом, что частотасигнала на выходе делителя 2, предназначенного для питания фазового детектора 5, является суммой или разностью частот питания электромагни та 8 и образца. Сигнал частотой,а с выхода делителя 3 подается на вход...

Номер патента: 588579

Опубликовано: 15.01.1978

Авторы: Гарба, Грибов, Данилков, Дубровин, Иванов, Ильин, Кощиенко, Логинов, Малинин, Марин, Панин, Румянцева, Суханов, Шевченко

МПК: H01L 21/205

Метки: газовой, осаждением, покрытий, фазы

...8 реактора соединены под углом 1 - 20 и разделены решетчатой перегородкой 9. Рост пленки происходит в камере 8 щелевого типа прямоугольного или овального сечения. Дно 10 камеры 8, являющееся одновременно нагревателем подложек 2, выполнено из теплопроводного материала, например меди. Остальные грани камеры 8 могут быть стеклянными, металлическими, кварцевыми и т, д, При необходимости может быть предусмотрено воздушное или водяное охлаждение этих граней, Обе части камеры 8 соединяются между собой при помощи уплотнения. Такая конфигурация реактора 1 делает удобными загрузку, разгрузку реактора и его очистку.Для нейтр ализации эффекта истощения рабочей смеси площадь проходного сечения в камере 8 не остается постоянной, а уменьшается по ходу...

Номер патента: 326917

Опубликовано: 05.02.1978

Авторы: Думаневич, Евсеев, Фалин

МПК: H01L 21/00

Метки: симметричный, тиристор

...й/О 1 ограничивается величиной лучшем случае порядка 30 А/мкс. Этот пара метр накладывает значительные ограничения на схемные применения приборов.Предлагаемый симметричный тиристор допускает критическое . значение Й/Й до 000 А/мкс благодаря тому, что пятислойиая структура управляется с полощью самовозбуждающегося (регенеративного) управляющего электрода по току или напряжению как для прямой, так и для обратной ветви.На фиг.и 2 изображен один из возможных вариантов предложенной пятислойной структуры,Симметричный тиристор содержит дополнительные областии 2 в правом и левом тиа напряжение на силовых полярность (плюс свер а, а управляющей цепи вльное смещение (минус аления), проводящий канал чально непосредственно у у32697формула...

Номер патента: 591974

Опубликовано: 05.02.1978

Авторы: Бергманн, Данильченко, Корольков, Яковенко

МПК: H01L 21/66

Метки: материалах, параметров, полупроводниковых, электрических

...носителей. При толщине слоя с 1(. измеряют время задержки появления максимума фототока, вызван. ного диффузией носителей с поверхности образца, относительно импульса Фототока, вызванного освещением слоя объемного заряда р -Л -перехода. Строят зависимость времени задержки от расстояния между р-п -переходом и освещаемой поверхностью и по наклону этой зависимости находят скорость диф 50 Фузии У неосновных носителей. Иэ выражения для скорости диффузии, используя определенные значения О , находят диффузионную длину неосновных носителей (55 УПри толщине исследуемого слоя да(. диффузионную длину ( находят по известному 2 из выраженияЯ-гм,полученному из условИя существования экстремума зависимости концентрации возбужденных носителей р от...

Номер патента: 594550

Опубликовано: 25.02.1978

Авторы: Ильин, Сыркин, Феоктистова

МПК: H01F 30/00, H01L 41/00

Метки: пьезоэлектрический, трансформатор

...с помощью прижимных планок 3 и винтов 4. Пьезопластины снабжены электродами 5. Все металлические поверхности, имеющие непосредственный контакт с пьезоэлементом (обойма и прижимные планки), покрыты тонким слоем лака с фторопластовым наполнителем (например, лаком марки Л), имеющего хорошие электроизолирующие свойства и низкий коэффициент трения. Обойма с пьезоэлементом помещена в металлический корпус б, закрытый крышкой 7.Г 1 ри работе трансформатора тепло, выделяюгцееся в пьезоэлементах вследствие механических и диэлектрических потерь, отводится через металлические делители 2 и 3, контактирующие по всей длине с пьезоэлементами. Слой фторопластового лака между металлом и пьезоэлементом обеспечивает электроизоляцию в то же время обладает...

Номер патента: 594904

Опубликовано: 25.02.1978

Автор: Петер

МПК: H01L 29/74

Метки: тиристор

...на левой стороне нагрузочный сегмент 8. Нагрузочный сегмент 8 частично закрываетуправляющий электрод.Как только на управляющий электрод 7 подается ток, он направляется по пути, обозначенному стрелой, к )1первой эмиттерной зоне 1. На стороне,окруженной нагрузочным сегментом 8,управляющий ток, поступая с управляющего электрода 7,должен пройти поднагрузочным сегментом 8. Такой путьоднако создает высокое сопротивлениедля управляющего тока, что обьясняется уменьшением легирования в зависимости от глубины в первой областибазы 2. Поэтому ток концентрируетсяв основном на выемке 9 в нагрузочномсегменте 8 (через которую он может восновном идти по поверхности первойбазовой области на правую сторонупервой эмиттерной области 1). Этовызывает повыаение...

Номер патента: 595810

Опубликовано: 28.02.1978

Авторы: Алексеев, Иванов, Овсянкина, Плужников, Редкобородый

МПК: H01L 41/08

Метки: модулятор, фазовый

...Прискр А. Камышников лид Иодпис Изд. М 308 1 праги 954 осударствевно;о комитета Совсса Министров СССР по аслаки пзоорсзений и озкрып 5 113035, Москва, Ж, Раушскап нзо., д. 4/5аказ 191011110 ипо 1 1 фпи пр Сап по этом девиация фазы прямо пропорциональна амплитуде управляющего сигнала Е -, Г 1 рп приложении наряду с Е - еще и постоянного управляющего напряжения Е: к электродам 3 и 4 вследствие изменения упругих свойств 5 биморфа изменяется собственная частота его колебаний и, как слсдствпс, частота модуляции фазы, соответствующая достиженик макспмальпоп дсвпацпп. 11 лавпая осг ли 1)овка частоты модуляции фазы осуществляется, та О ким образом, изменением величины постоянного управляющего сигнала Е при соответствующем пзмепсппи...

Номер патента: 595811

Опубликовано: 28.02.1978

Авторы: Журавлев, Ковалев

МПК: H01L 41/09, H02N 2/04

Метки: биморфный, движитель

...диапазона плоскопараллельного перемещения подвижного элемента.Указанная цель достигается тем, что оп дополнительно содержит по крайней мере два биморфпых пьезокерамических преобразователя, причем все преобразователи равномернорасположены по ОкрукнОсти.На фиг. 1 схематически изображен предлаГаемый движитель, вид сверху; на фиг. 2 -5 то жс, з разрезе,Биморфный двикител содержит корпус 1,который соединен с технологических оборудованием при помощи амортизатора 2; преобразователи, выполненные в виде, например,0 трех биморфпых пьезокерамических по формебруса элементов 3, равномерно расположенных по окружности и прикрепленных с одноГО конца узлами крепления 4 к подвижномуэлен 1 снту 5, а с д 1 уГОГО - жестко и кориел 15 дв 1 жителя;...

Номер патента: 595812

Опубликовано: 28.02.1978

Авторы: Бансевичюс, Вазнелис, Гасюнас, Рагульскис

МПК: H01L 41/09, H02N 2/04

Метки: двигатель, линейный

...в пазах, выполненных в корпусе 1. Перемещения обойм 8 и 9 с пьезокерампческими преоб разователями по другим направлениям исключа.отся путем подбора соответствующих посадок. Упругое прижатие обойм 8 и 9 к обойме 3 обеспечивается пружиной натяжения 10 через упоры 11, выполненные из эластичного О материала (резина, фторопласт) и закреплен( Г ираж 99 1 зи,о 31:1 Заказ 922/12 одписн пография, пр, Сапунова,3ные в держателе 12. Для обеспечения одинаковой резонансной частоты всех трех преобразователей, размеры всех обойм 3, 8 и 9 выполняются равными при одинаковых материалах преобразователей и обойм. К обкладкам (электродам) пьезокерамической пластинки 4 присоединяется генератор электрических колебаний, частота которого равна частоте продольных...

Номер патента: 595813

Опубликовано: 28.02.1978

Авторы: Вискупайтис, Гамзюкас, Курыло, Рагульскис, Шаткус

МПК: H01L 41/09, H02N 2/08

Метки: вибродвигатель, волновой

...концом в цсп вацис, а другим коццом в дефор ецт (1.достаток известного устройств высокой скорости вращения рот Известен волцовои вибродвигатель, содержащий ротор, деформируемый элемент и пьезоэлектрический преобразователь, подключенцый к источнику многофазного папряжсния.Недостатками этого двигателя являются цевысокий крутящий момент и скорость вращеция ротора.Цель изобретения - в повышении крутящего момента и скорости вращения ротора.Указанная цель достигается тем, что пьезоэлектрический преобразователь выполнен в виде биморфного пьезокерамического кольца с разделенными ца сектора электродами,На фиг. 1 схематически изображен предлагасмый вцбродвцгатсль; цаА - А на фиг. 1.Волновой вцбродвигатель содержит бцморфное пьезокерамцческое...

Номер патента: 557699

Опубликовано: 05.03.1978

Авторы: Арефьев, Воробьев

МПК: H01L 21/26

Метки: ионных, кристаллов

...способ обработки ионныхкристаллов путем облучения потокомпозитронов, в результате которогопроводится позиционный отжиг дефектов 33Этот способ не использовался дляповышения радиационной стойкостиионных кристаллов в полях, содержащихнейтронную компоненту.Цель изобретения - повышение стойкости ионных кристаллов к нейтронному облучению.Цеть достигается тем, что накристалл наносят покрытие из материала, взаимодействующего с нейтронамис образованием радиоактивного изотопайсточника позитронов, например измеди. Толщина медного покрытия составляет от 100 до 200 мкм,Способ реализуют следующим образом.До помещения ионного кристалла вридационное поле, содержащее нейтрон 5 ную компоненту, на его поверхностьнаносится медное покрытие....

Номер патента: 597032

Опубликовано: 05.03.1978

Авторы: Антонов, Вдовкин, Морозов, Хутарев

МПК: H01L 21/77

Метки: выводов, интегральных, контактное, подключения, схем

...рычаг и меха- контактов к выводам, Вылопожностью взаимодействия с Это устройство не обеспечивает п мляного контактирования одновременно всехвыходов подключаемой интегральной схемы,С цепью повышения надежности .,отактирования за счет стабилизации контактного давления в контактном устройстве длнодключения выводов итегралььх схем,содержащем размещенные в пазах корпуса к, .такты,. а также подпружиненный поворотный рычаг и механизм прижима контактовк выводам, выполненный с возможностьювзаимодействия с рычагом, механизм принима выполнен в виде гибкой нити, одинконец которой неподвижно закреплен някорпусе, а другой -на рычаге,На фиг. 1 представлен вид устройствасбоку;на фиг. 2-вид сверху,ценный в виде гибкой нити 10, один конец которой...

Номер патента: 597033

Опубликовано: 05.03.1978

Автор: Тагер

МПК: H01L 29/78

Метки: транзистор, униполярный

...периодическая диэлектрическая структура 6. Периодическая структура может иметь различную конфигурацию. В варианте конструкции, показанном на чертеже заявки, эта структура выполнена в виде набора узких диэлектрических полосков, шириной 1 образующих на поверхности ппастины периодичес -кую структуру с шагом 2 Й, причем отношение этого шага к насьпленной скорости носителей тока в попупроводнике Ф равняется периоду Т- высокочастотныхУкопебаний, соответствующему центральной иастоте рабочего диапазонаи не зависит от полного угла пропета носителей заряда в высокочастотном поле 8 . й р, фПп,который может намного превысить 23Существенно, что в отличие от явпения нарастания волн пространственного заряда в полупроводниках с ОЛП, используемых...

Номер патента: 597034

Опубликовано: 05.03.1978

Авторы: Гуторов, Прямов, Хайдаров

МПК: H01L 41/12

Метки: акустический, излучатель

...первый и последний витки намотки ленты скрепляются точечной сваркой, при атом места сворки внутреннего и внешнего витков должны располагаться диаметрально противоположно,Обмотка возбуждения 3 выполнена в вн=овательно соединенных секций,з которых равномерно навита поти сердечника и имеет выводыответствующие началу секции,На фиг, 2 представпены амплитудно-частотные характеристики магнитострикционных излучателей для различных сердечников: кривая 7 - для сердечника тонкостенного, витого, неклееного, маслонаполнен 5ного; кривая 8 - для сердечника тонкостенного, витого, клееного эпоксиднойсмолой; кривая 9 - для сердечника толстостенного клеенного из штампованных колец.При использовании в качестве прослойки между витками сердечника жидкого...

Номер патента: 597035

Опубликовано: 05.03.1978

Автор: Фальков

МПК: H01L 41/18

Метки: армированный, материал, полимерный, фалкова

...изобретения - пности использования матния ему вибросвойств.Указанная цель достигается тем, что вкачестве покрытия армированного полимерного материала применяют пьезоэпектрический ипи магнитострикционный материал.На фиг. 1 показан предпожениый матеркав разрезе, содержащий синтетический вибропередаюший слой 1, кордовую плетенку 2вибровоэбудитепя трубкообраэной формы,виброизопяционный и защитный слой 3 ,ЮИфй т -и тно-. . кьокНа фиг. 2 показаны зпементы кордовойппетенки: внутренний зпектрод 4,зпектрострпкционные материапы 5,6, дизпектрик 7, второй зпектрод 8, вибропередаюший пой 9, 5 Строение кордовой виброткани обеспечиваетее колебания с заданной частотой в зависимости от частоты зпектрического генератора переменного тока, Это позвопяет...

Номер патента: 597057

Опубликовано: 05.03.1978

Автор: Бобров

МПК: H01L 41/09, H02N 2/06

Метки: двигатель, шаговый, электрострикционный

...4. В силу естественногораэбаланса схемы (при наличии конструктивной симметрии между всеми элементами стопоров) равенство токов вобмотках А и Б трансформатора 10 нарушается, разностный,ток трансформируется в обмотку В и пополняет энергией последотельный рево(ансный контур, образованный обмотками 11 и 12стопоров и суммарной электрическойемкостью пьезоэлемента 1 и конденсаторов 14 . Распределение токов в обмот)ках А и Б определяется величиной сопротйвлений магниторезисторов 8 и 9,которые зависят, в свою очередь, отмагнитной индукции в зазорах магнитопроводов стопоров. 26При правильно сфазированных обмот=ках 11 и 12 (критерием 1 правильности в данном случае являетоя отсутствие переменной составляющей в цепи фисточника постоянного...

Номер патента: 494958

Опубликовано: 05.03.1978

Авторы: Бродовой, Дерикот, Мирец, Пека

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: инжекции, коэффициента

...при исследовании фоточувствительных кристаллов, в которых наблюдается оптическое гашение собственной,фотопро" водимостй, например, Сд Ь, Сц Яе, ба Аз СС о ) 6 о Аь(С),йв и Ь 1с глубокими примесными центрами и др Способ позволя. ет определить долю инжекционного тока в общем токе через кристалл.Предложенный способ измерения коэффициента инжекции состоит в следующеМ, После нанесения контактов снимают темновую вольт-амперную характеристику (ВАХ) . Кристалл возбуждают, светом из области собственного спектрального состава и при напряжении - из области линейности темновой БАХ измеряют фо"494958 формула изобретения Составитель В. УтехинаТехред Н.Андрейчук Корректор А. Кравченко Редактор Т, Орловская Заказ 937/7 Тираж 1111 Подпис...

Номер патента: 598159

Опубликовано: 15.03.1978

Авторы: Зарипов, Петрова, Попов, Ястребцев

МПК: H01L 29/788

Метки: делитель, мдп-транзисторе

...Фси. у Состав Техред И.Шубин е Тираж 960 нного комите м изобретени Ж, Раушск ПодМиниий.4/5 сноеров ССС Совет откр наб., Патент, г.ужгород, ул.Проектна илиал П тивной длины канала 1.в, при этом ток стока 3 увеличивается.На фиг. 1 изображен топологический чертеж делителя напряжения на МДП-транзисторе; на фиг. 2 изображен разрез делителя напряжения.Делитель напряжения на металл-диэлектрик-полупроводниковом транзисторе состоит из полупроводниковой подложки 1 одного типа проводимости Р, с сформированными в ней областями, истока 2 и стока 3 другого типа проводимости ь,на которых образованы электроды истока 4 и стока 5 из слоя жидкого диэлектрика 6, нанесенного на подложку и выполняющего одновременно роль смазки, из подвижного электрода затвора...

Номер патента: 497899

Опубликовано: 25.03.1978

Авторы: Бочкарева, Парицкий

МПК: H01L 31/00

Метки: фотоприемник

...покрытием в контакте с твердым электролитом. оВ темноте в отсутствии внешнего напряжения и при гальванической разности потенциалов, равной нулю, что возможно при определенном разборе материалов электропроводящего покрытия и вещества твердого электролита, ток в Фотоприемнике равен нулю. При величине напряжения на фотоприемнике, отличной от нуля, в фотоприемнике (при замыкании внешней цепи) протекает темновой ток. При освещении Фотоприемника вследствие инжекции светом неосновных носителей сопротивление поверхностного барьера уменьшается, что приводит к появлению фото- тока. Если на поверхности Фотоприемника задано распределение интенсивности 25 света, то оно приводится к распределению Фототока по площади фотоприемника, что мсжет...

Номер патента: 600481

Опубликовано: 30.03.1978

Авторы: Березин, Парпаров, Писарский, Райхцаум, Смирнов

МПК: H01L 21/66

Метки: переходов, температуры

...характеристики управляющего перехода (т, е. наклона касательной в точке вольтдмперной характерцстцкц, которая задается значением измерительного тока более резкая, чем температурная зависимость С р - и.На фцг, 1 представлена блок-схема устройства для осуществления предлагаемого способа; на фиг. 2 - график изменения наклона касательной в заданной точке вольтамперной характеристики управляющего перехода с увеличением температуры от Т до Тг и соответствующего ему изменения разбаланса моста от у,1 до у.Источник измерительного тока 1 включен в цепь испытуемого управляющего перехода, например, тирцсторд 2. Управляющий переход включен в одно цз плеч дифференциального моста переменного тока, плечи которого составляют переменные резисторы 3 и...

Номер патента: 600482

Опубликовано: 30.03.1978

Автор: Головко

МПК: H01L 21/66

Метки: полупроводников, свойств, электрофизических

...производится следующим обра.зом,Путем металлизации участка поверхности ис следуемого полупроводника изготовляют барьерШоттки, который подключают к клеммам 6 и по.мещают в криостат 3, Через барьер пропускают от источника 4 постоянного, тока через нагрузочный резистор 5 прямой постоянный ток, величина кото, рого примерно в два раза превышает ток насьпщения. Изменяя температуру в криостате 3 регистрируют температуру, и измеряемую при помощи термопары 2 и милливольтметра 1, и уровень флук.туаций напряжения по индикатору 7. Затем строят 15 график зависимости логарифма величины, флуктуаций от обратной величины температуры и по графику находят точку перегиба падающего с повышением температуры линейного участка графика.Температура,...

Номер патента: 600483

Опубликовано: 30.03.1978

Авторы: Гуревич, Долгих, Салман

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: структуры, температуры, тиристоров

...о- ЯАЧр гт Ж)45 Между управяющим электродом и катодом испытуемого тиристора 1 1 см фиг .1) подключают источник постоЯнного упрааляюще).о тока 2 и уста- навливают.ток УЛРавлснин, достаточи)дй д)Я полив го включения береговой липин управляющего алек трода тиристора. Анод и катод испытуемого тирнс. тора 1 соединяют через измерительный прибор 3 для регистращти разности потенциалов Е ,. Между этими электродами В отсутствие специального источника аноДного напряже)пот. В качестт)е термо 10 чувствительного параметра используют 1 тазнс)сть по" тенциалов между анодом и катодом тиристора,Физическая сущность возникновения Е, следуеогцаяь.При протекппщ тока д по р-базе В нее )и. 15 жектируются избыточные электроны и и для со. хранения...

Номер патента: 600502

Опубликовано: 30.03.1978

Автор: Шабанов

МПК: G03B 27/12, H01L 21/77

Метки: печати, проекционной, фотошаблонов

...плоскости высокоразрешающего объектива.На фиг. 1 схематически показано средство защиты от пыли для фотооригпнала с проецированием фотоор игпи ала вверх; на фиг, 2 - общий вид устройства.Устройство состоит пз корпуса 1, светооптической системы с источником 2 света, конденсатором 3, высокоразрешающего объективафО Г 01.111 с 11 ны дст апов,1 снпоп на коорди натном столе 6, средства защиты от пыли для фотоорш инала 7 с рамкой 8, крышкой 9, дно которой выполнс;ю пз плоскопараллелыого оптического стекла 10.Устройство работает следующим ооразом.Фотооригпнал 7, прпкрспленньш к рамке 8, очпщенпьш от частиц пыли в контролируемой среде и закрытый нлоскопараллсльным оптическим стеклом 10, устанавливается в оптическу 10 спстсму и экспонируется па...

Номер патента: 600640

Опубликовано: 30.03.1978

Автор: Ерофеев

МПК: H01L 41/00

Метки: напряжением, преобразователях, пьезополупроводниковых, частотно-амплитудного

...управления сводится к следующему.1 ри действии сильных возмущений (значительное изменение тока нагрузки) у ПТ имеет место дрейф АЧХ: при резком уменьшении нагрузки (режим, близкий к,х.х.) АЧХ уходит вправо по резонансной частоте и вверх по амплитуде, при резком увеличении нагрузки (режим, близкий к.к.з.) ЛЧХ уходит влево по резонансной частоте и впиз по амплитуде имеется в виду дрейф АЧХ в разные стороны от согласованного номинального режима работы ПТ (см. фиг, 2). Дрейф АЧХ влево сопровождается уменьшением резонансной частоты (1 р 1р) иуменьшением напряжения на выходе нагрузки (С,ы,(У-); дрейф АЧХ вправо сопровождается увеличением резонансной частоты (р 2., р,) и увеличением выходного напряжения (/вых.2) 1.вых.н) . Сигнал с выхода схемы...