H01L 21/322 — для модификации их характеристик, например для образования внутренних дефектов кристаллической решетки

Номер патента: 176986

Опубликовано: 01.01.1965

Автор: Маркович

МПК: H01L 21/322

Метки: германиевьх, дрейфовых, транзисторов

...порядка 10 т лтл рт. сг. и полном токе 200 лка в течение 3 - 5 сек. При этом скорость рекомбинации на поверхности пассивной базы возрастает до величины ) 2 10 л сл/сек.Г 1 редлагаемая обработка приводит к сокращению времени рассасывания транзисгоров в 5 - 10 раз. Предме зоб р етен и Способ обработ транзисторов пут тлеющим разрядо целью сокр а ще шгя сителей тока тра защитного покрыт незащищенную по одписная группа Лф 9 Относительно большое время рассасывания существующих германиевых транзисторов приводит к существенному усложнению и удорожанию быстродействующих схем вычислительной техники и снижению их надежности.Известные методы сокращения времени рассасывания с помощью введения рекомбинационных примесей не дают в германиевых...

Номер патента: 240852

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Берников, Никонов, Носиков, Пресс, Ржанов

МПК: H01L 21/322

Метки: диффузионных, коэффициента, кремниевых, повышения, р—р-л-транзисторов, току, усиления

...а время и температура геттерирования малы, образующийся наразитный слой и-типа обычно уничтожается при вжигании контактов. Перед нанесением контактов слой Р.О; удаляют травлением в составе, содержащем 15 ч. НЕ (490/О), 10 ч. Н 1 ЧОз (700/) и 300 ч. Н О, в течение 2 мия.На чертеже приведен, пример реализации заявляемого способа в технологическом процессе изготовления,кремниевого планарного р - и - р эпитаксиально-диффузионного транзистора. Исходным материалом для производства подобных транзисторов служит очень низкоомная эпитаксиальная структура: на подложку 1 р-типа наращивают более высокоомную эпитаксиальную пленку 2 и-типа толщиной, порядка 10 мк. Далее проводят изолирующую диффузию бора 3, в результате которой эпитаксиальная пленка...

Номер патента: 1061658

Опубликовано: 07.01.1986

Авторы: Волков, Липко, Царенков

МПК: H01L 21/322

Метки: полупроводниковых, растворов, твердых

...чтодля прямоэонных полупроводников вслучае примеси, создающей водородоподобные центры,- 10 / М, а оо , для концентрации легирующейпримеси получаем соотношение М10 /ь,Концентрация легирующей примеси естественным образом ограничена сверхузначением М соответствующим предельной растворимости вводимой примеси. Создание ч Е в условиях фотонного переноса приводит к возникновению фотонного дрейфа ННЗ, направНаиболее близким по технической сущности и достигаемому результату к изобретению является способ получения полупроводниковых твердых растворов для силовых диодов и солнечных элементов, на основе по крайней мере двух полупроводниковых соединений, образующих непрерывный ряд твердых растворов, включающий управление градиентом ширины...

Номер патента: 1635827

Опубликовано: 23.09.1992

Авторы: Асеев, Бельц, Горохов, Денисов, Тепман, Трищункин, Федина, Чулинина

МПК: H01L 21/322

Метки: внутреннего, геттера, кремния, пластинах, формирования

...м е р 1. Пластины кремния диаметром ,00 мм, легированные бором с концентрацией кислорода (б) 10 см.17 -3 подвертались окислению в хлорсодержащей среде при 1000 С до толщины окисла40 ф 10 нм, а затем температура в печи поднималась до 1200" С в газовой смеси азо1635827 Формула изобретения Составитель Т.СкомороховаТехред М,Моргентал Корректор Н Ревгкая Редактор Т,Кпюкинэ 3 аназ 4059 Тираж Подписное ВНИИПИ Государственного комитета поизобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Раушская нэб., 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул.1 эг:рнл 101 та с кислородом с содержанием кислорода 2,5 -0,5 и сохраняпэсь в течение 4 ч. Затем температура в печи снижалась до 750 С и сохранялась на этом уровне в течение...

Номер патента: 1083848

Опубликовано: 30.06.1994

Авторы: Иноземцев, Итальянцев, Кузнецов, Мильвидский, Мордкович, Смульский

МПК: H01L 21/322

Метки: кластеров, кремнии, монокристаллическом, ростовых, экстракции

СПОСОБ ЭКСТРАКЦИИ РОСТОВЫХ КЛАСТЕРОВ В МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОМ КРЕМНИИ, включающий термообработку пластин кремния при температуре 1000 - 1250oС в атмосфере неокисляющего газа, содержащего добавку хлористого водорода, отличающийся тем, что, с целью увеличения производительности процесса, в качестве неокисляющего газа используют водород, содержание хлористого водорода выбирают в диапазоне 0,5 - 2 об.%, а термообработку проводят в течение 3 - 10 мин.

Номер патента: 1499627

Опубликовано: 30.08.1994

Авторы: Антонова, Воронков, Енишерлова-Вельяшева, Куц, Мильвидский, Резник, Русак, Шмелева

МПК: H01L 21/322

Метки: геттерирующими, кремниевых, объеме, пластин, пластины, центрами

1. СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КРЕМНИЕВЫХ ПЛАСТИН С ГЕТТЕРИРУЮЩИМИ ЦЕНТРАМИ В ОБЪЕМЕ ПЛАСТИНЫ, включающий отжиг в окислительной атмосфере при 1100 - 1200oС в течение 2 - 3 ч и двухступенчатый отжиг в инертной среде при 700 - 750oС в течение 4 - 6 ч и при 1000 - 1050oС, отличающийся тем, что, с целью повышения стабильности геттерирования независимо от содержания кислорода в кремнии, отжиг при 1100 - 1200oС проводят в атмосфере сухого кислорода с хлорсодержащими добавками при содержании активного хлора 0,3 - 1% от содержания кислорода, после отжига в окислительной среде проводят дополнительный отжиг при 430 - 450oС, причем продолжительность отжигов при 430 - 450oС и 1000 -...

Номер патента: 1340492

Опубликовано: 25.07.1995

Авторы: Воронков, Енишерлова-Вельяшева, Мильвидский, Резник, Русак, Шмелева

МПК: H01L 21/304, H01L 21/322

Метки: геттерирующими, кремниевых, объеме, пластин, пластины, центрами

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КРЕМНИЕВЫХ ПЛАСТИН С ГЕТТЕРИРУЮЩИМИ ЦЕНТРАМИ В ОБЪЕМЕ ПЛАСТИНЫ, включающий проведение двухступенчатого отжига при температурах в диапазоне 650 750oС и 950 1050oС в течение 3 4 ч на каждой стадии, отличающийся тем, что, с целью расширения области применения способа для кремния с содержанием кислорода 5 1015 9 1017 см-3, перед отжигом при 950 1050oС с обеих сторон пластины механической обработкой создают приповерхностные области, состоящие из системы микротрещин, произвольно направленных и...

Номер патента: 1387798

Опубликовано: 20.08.1999

Авторы: Ковешников, Редькин, Старков, Юнкин, Якимов, Ярыкин

МПК: H01L 21/322

Метки: геттерирования, кремния, металлических, пластине, примесей

Способ геттерирования металлических примесей в пластине кремния, включающий обработку нагретой пластины в электрическом разряде в газовой атмосфере, отличающийся тем, что, с целью расширения технологических возможностей процесса геттерирования путем снижения температуры геттерирования, обработку пластины проводят в разряде высокой частоты, в атмосфере смеси кислорода с фторсодержащим соединением при их объемном отношении (0,1-1) : 1 соответственно величине удельной мощности на единицу поверхности 0,4-1,3 Вт/см2 и рабочем давлении 6 10-3 - 6