H01L — Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам
Магниторезистор
Номер патента: 882362
Опубликовано: 23.02.1986
Авторы: Апостолов, Еросов, Климовская, Панаетов, Панчина
МПК: H01L 43/08
Метки: магниторезистор
...вектору В магнитной индукции; 10 15 20 50 25 30 35 40 45 Кроме того, такой рассеянный СНЗбудет дрейфовать в направлении внешнего электрического поля ,Каждый СНЗ имеет свой набор характеристических параметров (ХП), который определяет скорость 7 и эффективную массу в СНЗ. При рассеянии СНЗхотя бы по одному из своих ХП изменяются У и/или 1 л и, следовательно,радиус окружности г, по которой движется СНЗ в однородном магнитйом поле , перпендикулярном к направлению 7, В таком поле СНЗ с абсолютнойвеличиной зарядапод действиемсилы Лоренца движется по окружностипостоянного радиуса. Если расстояние ь между омическими контактами выполнено сравнимымс одной из характерных длинсвободных носителей заряда в примесном полупроводнике, то в таком...
Способ измерения скорости поверхностной генерации рекомбинации
Номер патента: 1213510
Опубликовано: 23.02.1986
Авторы: Витусевич, Малозовский, Малютенко
МПК: H01L 21/66
Метки: генерации, поверхностной, рекомбинации, скорости
...см 5, толщиной, срав нимой с биполярной диффузионной длиной, из монокристаллического германия р-типа с удельным сопротивлением при комнатной температурей 40 Омф см и концентрацией остаточ. ,иой примеси10 см ф К узким торцам пластины изготавливают контактын один антизапорный, другой - оми ческий. Антизапорный контакт изготавливают вплавлением 1 п на травленую в пергидроле ( НОг) поверхность германия, омический - вплавле 5нием 1 по зз Оао,оо 5Диффузионнаядлина в исследуемом материалесоставляет Ь, =0,25 см, Широкие грани пластины обрабатывают симметрично. Изменение величины скорости поверхностной генерации-рекомбинации достигается различнойобработкой широких граней, Малаяскорость поверхностной генерациирекомбинации (Я О см/с)...
Способ изготовления фоточувствительных приборов
Номер патента: 1213994
Опубликовано: 23.02.1986
Автор: Дэвид
МПК: H01L 31/18
Метки: приборов, фоточувствительных
...НОМИТЕТ СССРПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИЙЗаказ 791/б 4 Тираж 644 Подписное ВИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 1130.35, Москва, Ж, Раушская наб., л. 4/5филиал П Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4 Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов, в частности к способам изготовления фоточувствительных приборов.Цель изобретения - снижение себестоимости технологии изготовления прн сохранении электрофизических параметров приборов. Лтмосфера, содержащая водород и кремнийсодержащее вещество, находящееся в газовой фазе с элементами галогена, выбранного из группы, содержащей хлор, бром и йод, впускается в вакуумную камеру под давлением 0,1 - 5,0 торр. Б данном случае в...
Способ контроля качества полупроводникового материала
Номер патента: 1118238
Опубликовано: 23.02.1986
Авторы: Витовский, Емельяненко, Лагунова, Машовец, Рахимов
МПК: H01L 21/66
Метки: качества, полупроводникового
...источниками гораздо удобнее, чем потокамирентгеновских илц гамма-лучей, по 11182381 О лучаемыми от рентгеновских установокили от ускорителей, изотопцые гамма-установки проще в эксплуатации.1. Кремций.5Исследовался кремний Р -типа,.выращенный по методу Чохральского,н прошедший термообработки: а) при600 С в течение 6 ч (фиг.1) и б)при 900 С в течение 24 ч (фиг.2).Известно, что при таких термообработках в кремнии возникают электроактивные центры - термодоноры,но це было известно, распределены литермодоноры однородно по объему илисобраны в скопления.Из слитков кремния вырезалисьобразцы в форме прямоугольных параллелепипедов размерами 8110,5 мм.Образцы шлифовались абразивным порошком М, травились в травителеДеша (3 части ШЯО 1 часть...
Способ изготовления фотошаблонов
Номер патента: 1215081
Опубликовано: 28.02.1986
МПК: G03C 11/04, H01L 21/00
Метки: фотошаблонов
...Светочувствительного покрытия не превышает нескольких микрон. Образуемый вторым слоем гарантированный зазор между фотошаблоном и подложкой УФЭ не приведет к искажениям изображения при последующих фотолитографических операциях.В качестве светочувствительного слоя можно использовать негативно работающие диазосоединения с различными механизмами образования изображения. Например, такие диазосоединения, которые, разрушаясь под действием Уф света, образуют продукты взаимодействия с оставшимися диазосоединениями с образованием красителя.В качестве негативно работающих материалов можно предложить материалы, дающие везикулярное изображение. Диазосоединения являются светочувствительной составной частью этих материалов.При экспонировании слоя...
Способ ввода электрического сигнала в прибор с зарядовой связью
Номер патента: 1032948
Опубликовано: 07.03.1986
Авторы: Вето, Винецкий, Скрылев, Тришенков, Эскин
МПК: H01L 27/04
Метки: ввода, зарядовой, прибор, связью, сигнала, электрического
...поданаемый на разрешающий электрод в момент времени С импульс напряжения прекращает слив и изолирует зарядв истоке на время Ь й; если за этовремя сигнал изменяется от 75 ( С)до Чз ( Й + 4), то из ямы истока+ 6 С) - 75 (С), который после снятияимпульса на разрешающем электродевытекает из истока и образуетинформативный заряд, Этим достигается режим, когда роли "опорного" и "сигнального" напряжений играют два значения напряжения сигнала, последовательно взятые с интервалом Ьй. При малых д г.)- ( 1) 1(с,)йЬ,с 1 епричем последнее равенство тем точнее, чем меньше аи чем ниже верхняя граничная частота спектрасигнала 7 (1С(1),поэтому при5укаэанных условиях входное устройство ПЗС приобретает передаточную характеристику дифференцирующего...
Транзисторная ячейка мощного свч-планарного транзистора
Номер патента: 598468
Опубликовано: 07.03.1986
Авторы: Асессоров, Булгаков, Горохов
МПК: H01L 29/70
Метки: мощного, свч-планарного, транзистора, транзисторная, ячейка
...транзисторов при высоких КСВН), посколькупри этом неизбежно уменьшение выходной мощности насыщения и КПД из-завозрастания последовательного интегрального сопротивления слоя коллектора.Таким образом вариант прототипапри суммарной толщине двух слоев вмкм не может обеспечить надежную(безотказную работу) транзисторов вусловиях рассогласования при большихКСВН. Лучшее, что может обеспечитьтакая структура - это устойчивуюработу при КСВН=1,5-3.Целью изобретения является обеспечение полной устойчивости транзистора ко вторичному прибою.Укаэанная цель достигается тем,что верхний эпитаксиальный коллекторный слой, прилегающий к базовой598468 4 мер,йд= 2,0 0 см З, что соответствует-2,5 Ом см) . При этомоказывается, что транзистор неспособен...
Способ изготовления омического соединения
Номер патента: 667007
Опубликовано: 23.03.1986
Автор: Козлов
МПК: H01L 21/18
Метки: омического, соединения
...соединения при одновременном сохранении электрофизических параметров исходных структур.Поставленная цель достигаетсятем, что по предложенному способусплавление проводят при 577-600 Сс выдержкой 40-50 мин,При таком режиме сплавления образуется. сплав алюминия с кремнием,66700 1 О 20 Изготовление омических соединений кремниевых структур с вольфрамовыми компенсаторами проводят при помощи алюминиевых или силуминовых дисков толщиной 40 мкм. Перед сплавлением детали тщательно обезжиривают, затем . помещают в кассету для сплавления в следующей последовательности: кремний, алюминий или силумин и вольфрамовый термокомпенсатор. Сверху устанавливают груз, кассету, помещают в вакуумную печь, нагревают до 577-, 600 ЧС и выдерживают 40-50 мин....
Устройство для измерения импульсных вольтамперных характеристик полупроводниковых материалов
Номер патента: 1132685
Опубликовано: 23.03.1986
Автор: Файнберг
МПК: G01R 27/00, G01R 31/26, H01L 21/66 ...
Метки: вольтамперных, импульсных, полупроводниковых, характеристик
...будет при НЕ. В этом случае будет низкой точность измерения импульсов "тока".Наиболее близким по технической сущности к изобретению является устройство для измерения импульсных вольтамперных характеристик полупроводниковых материалов, содержащее последовательно соединенные генератор импульсов, и измерительную линию задержки с введенным в нее реэистивным зондом, выход которого подключен к входу осциллографа. Устройство позволяет измерять импульсы ВАХ преимущественно в наносекундном диапазоне по измерениям падающего и отраженного от образца импульсов, Из .величин этих импульсов с помощью простых математических преобразований получают напряжение и ток на образце. Проводя такую обработку для различных ампли. туд падающих импульсов, получают...
Полупроводниковый дискретно-аналоговый индикатор (его варианты)
Номер патента: 1144575
Опубликовано: 23.03.1986
Авторы: Бушма, Рассохин, Сыпко
МПК: H01L 33/00
Метки: варианты, дискретно-аналоговый, его, индикатор, полупроводниковый
...утомляемости оператора при одновременном сокращении энергозатрат на индикацию.Цель достигатся тем, что в полупроводниковый дискретно-аналоговый индикатор, содержащий М источников излучения прямоугольной формы с размерами а х в, соединенных одноименными полюсами и имеющих один общий и М независимых выводов, введены 2 М прямоугольных источников излучения с размерами а х с, гдевс е - , расположенных попарно симметрично на оси каждого из источниковс размерами а х в, перпендикулярнойпродольной оси индикатора, при этомодни из одчоименных полюсов введенных источников соединены с общимвыводом источников с размерами а хх в, а другие одноименные полюсапопарно симметричных источников излучения соединены между собой и имеют независимые выводы от...
Устройство для сборки полупроводниковых приборов
Номер патента: 1220030
Опубликовано: 23.03.1986
Автор: Сергеев
МПК: H01L 21/68
Метки: полупроводниковых, приборов, сборки
...и кулачки-эксцентрики 12,взаимодействующие с подпружиненными двуплечими рычагами 6, На одном плече двуплечего рычага 6 установлены пластина со сквозным отверстием 13 по форме крышки 5 и сопряженные с ним от 40 верстия 14 под два сварочных электрода (не показаны). Сквозное отверстие 13 в верхней части выполнено с заход- ными фасками 15 и фасками 16 в некией части продольных граней 17 сквознога отверстия 13. Нижние кромки 18 поперечных граней 19 сквозного отверстия 13 выполнены острыми с минимальными радиусами 0,05 - 0,10 мм. Дляа сборки полупроводниковых при 5 О боров, например интегральных микросхем в прямоугольных корпусах, высота корпуса полупроводникового прибора Н, минимальное расстояние Ь междунаправляющим выступом 2 гнезда и...
Радиатор преимущественно для полупроводниковых приборов
Номер патента: 1220145
Опубликовано: 23.03.1986
Автор: Левицкий
МПК: H01L 23/02, H05K 7/20
Метки: полупроводниковых, преимущественно, приборов, радиатор
...стороны и выполненными Я. -образного сечения, лепестки образованыпрорезями 3, выполненными в среднейчасти пружинного разрезного кольца 1.Расстояние между торцами 4 и 5 Н,причем профилированные лепестки 2имеют внешнюю 6 и внутреннюю 7 поверхность. Кольцо 1 устанавливаетсясвоей внутренней поверхность б Е накорпусе 9 полупроводникового прибора35и соединяется с ним теплопроводящим связующим слоем 10, например,в виде клея, припоя с возмсжностьюобразования между корпусом 9 и внутренними поверхностями 7 лепестков 24 Озазоров 11.Устройство работает следующимобразом,В процессе работы полупроводникового прибора выделяется тепло что приводит к конвективному теплообмену. Полупроводниковый прибор с установленным на нем радиатором...
Полевой транзистор
Номер патента: 1221690
Опубликовано: 30.03.1986
МПК: H01L 29/80
Метки: полевой, транзистор
...1, от подложки до области затвора и расстояние от области затвора до приповерхност ной высоколегированной области: отко Условия (1) и (2) означают, чтов предлагаемом устройстве при низком 25 уровне напряжения на области 6, непревышающем /Оо/ ОПЗ 3, и д в слоесмыкаются, а ОПЗ 4, и / в областизатвора 5 не смыкаются, так что полевой транзистор закрыт и между об 3 р ластями стока и истока отсутствуетканал в слое 2 для протекания тока.Когда напряжение на области б, равноили превышает величину 10 отх, то ОПЗ3, и 0 не смыкаются, а ОПЗ Зо исмыкаются. При этом в слое 2существует канал и полевой транзистор открыт.При указанных параметрах слоев ви областей полевого транзистора на" 40пряжение 0 составляет величину 0,1 т0,5 В, напряжение Ц" 1-3 В, а...
Зондовая головка
Номер патента: 1224858
Опубликовано: 15.04.1986
Авторы: Карабанов, Манкулов, Марасанов
МПК: H01L 21/66
...поперечный разрез.Зондовая головка имеет токовые и потенциальные зонды 1, которые расположены в-образных пазах 2 кремниевой пластины 3 с ориентацией (100). Зонды 1 изолированы от пластины 3 слоем диэлектрика 4, а пластина закреплена в корпусе 5 перпендикулярно его основанию 6. Зонды 1 прижаты к стенкам пазов 2 пружиной 7, изолированной от зондов диэлектрическими прокладками 8. На зонды насажены токосъемные втулки, упирающиеся в диэлектрическую прокладку 10.Зондовая головка работает следующим образом При опускании зондовой головки на полупроводниковую пластину зонды 1 за счет эластичной прокладки 10 прижимаются к пластине. С помощью токосъемных втулок 9 через определенные токовые зонды 1 пропускают электри ческий ток, а на других...
Устройство для гипотермии внутренних органов
Номер патента: 1225549
Опубликовано: 23.04.1986
Авторы: Авилов, Барабаш, Галев, Горемыкин, Гребенкин, Захарцев, Капустин, Коломоец, Корнеев, Кубалов, Кузин, Ломова, Портной
МПК: A61F 7/12, H01L 35/00
Метки: внутренних, гипотермии, органов
...хладагента.Первичная камера 7 теплообменника, расходораспределяющий механизм 4, термобатарея 1 и средство 14 для циркуляции хлада гента, соединенные между собой, образуют промежуточный контур. Расходораспределяющий механизм 4 включен в промежуточный контур так, что вход его соединен с магистралью нагнетания промежуточного хл ада гента, первый выход соединен через первичную камеру 7 двухконтурного теплообменника с приемной магистралью 15, а второй выход непосредственно соединен с приемной магистралью 15 этого контура.Датчик 3 температуры, задатчик 11 температуры, блок 2 управления и термобатарея 1 образуют систему автоматического 3. Устройство по п. 1, отличающееся тем, что блок управления выполнен в виде последовательно...
Охладитель для силового полупроводникового прибора
Номер патента: 1226693
Опубликовано: 23.04.1986
Авторы: Тарс, Узарс, Феоктистов, Чаусов
МПК: H01L 23/34, H05K 7/20
Метки: охладитель, полупроводникового, прибора, силового
...снабжен металлическимитрубками, а в боковых поверхностяхребер, обращенных одна к другой, выполнены симметричные цилиндрическиевыемки, в которых установлены металлические трубки с обеспечением плотного контакта со смежными ребрами.На чертеже изображен охладительдля силового полупроводникового прибора.Корпус 1 охладителя имеет площадку 2 для крепления полупроводникового прибора 3 и ребра 4, в которых выполнены выемки 5 с плотно установленными в них трубками 6 из металла,причем длина трубок 6 соответствуетдлине охладителя.Устройство работает следующимобразом.Тепло, выделяющееся в силовомполупроводниковом приборе 3, передается через площадку 2 к ребрам 4,поверхности которых охлаждаются потоком воздуха, продуваемым в...
Способ определения подвижности носителей заряда
Номер патента: 1168019
Опубликовано: 07.05.1986
Авторы: Ждан, Омельченко, Рыльков, Синкевич
МПК: H01L 21/66
Метки: заряда, носителей, подвижности
...быть использовано для контроля параметров полупроводников, в частности для определения дрейфовой подвижности носителей заряда.Цель изобретения - повышение точности, оперативности и обеспечение неразрушающего контроля.На фиг. 1 приведена схема реалиэа ции способа; на фиг. 2 показаны зонные диаграммы структуры полупроводник - диэлектрик для случая Ч т 01 на фиг. 3 " для случая 7 (О наЯУ фиг. 4 показана зависимость переходного тока 1 от времени 1.На фиг. 1 приняты следующие обозначения; генератор 1 импульсов, выходное сопротивление 2 генератора импульсов, источник 3 постоянного смещения, металлический электрод 4, диэлектрик , полупроводник 6, коллекторный электрод 7, входное сопротивление 8 измерительного прибора.На фиг. 2 и 3 приняты...
Охладитель для силового полупроводникового прибора
Номер патента: 1229982
Опубликовано: 07.05.1986
Авторы: Иоспа, Узарс, Феоктистов, Чаусов, Чуверин
МПК: H01L 23/34, H05K 7/20
Метки: охладитель, полупроводникового, прибора, силового
...на ней гофрированными вставками; на фиг. 4 - пластина с гофрированными вставками визометрин, общий вид.Охладитель (фиг. 1) содержит корпус 1 с площадкой 2 для крепления силового полупроводникового прибора 3 и с плоскими ребрами 4. Корпус 1 и ребра 4 изготавливаются как единое целое в виде стандартного прокатного профиля из алюминиевого сплава. Торцы плоских ребер 4 профрезеровани и к ннм прикрепляется плоская пластина 5. На пластине 5 закреплены . гофрированные вставки 6, каждая из. которых ориентирована по оси межребериого канала 7. Крепление гофрированных вставок б к пластине 5 осуществляется с помощью сварки или пайки.Конструкция пластины 5 показана на фиг. 3. Эта пластина имеет гофрированные вставки 6, причем их глу" бина Ь...
Вентильно-конденсаторный умножитель напряжения
Номер патента: 1233252
Опубликовано: 23.05.1986
Авторы: Будько, Голиков, Сивков
МПК: H01L 25/00, H02M 7/10
Метки: вентильно-конденсаторный, умножитель
...его жидким диэлектриком. Для увеличения электрической прочности между проводникамина платах выполнены пазы. 5Изготавливают предлагаемый умножитель напряжения, состоящий из одиннад.цати последовательно соединенных каскадов, каждый из которых рассчитан на выходное рабочее напряжение до 10 кВ, Он предназначен для получения высокого напряжения до 100 кВ и питания ускорительной трубки типа УНГ(потребляемый ток десятки мкА), В умножителе применяются диоды2 Ц 106 Г и конденсаторы К 73-13-2200 пФх х 10 кВ. Внешний диаметр умножителя 100 мм, внутренний 50 мм, ширина пазов и расстояние между платами и элементами 2 - 3 мм. Расстояние между внешними поверхностями плат не превышает 36 мм, а разомкнутой части кольца по внутренней окружности 16 мм....
Устройство для групповой сборки деталей преимущественно в виде стержня с фланцем с деталями в виде диска с отверстиями
Номер патента: 1233309
Опубликовано: 23.05.1986
Автор: Мякинченко
МПК: H01L 21/00, H05K 13/02
Метки: виде, групповой, деталями, диска, отверстиями, преимущественно, сборки, стержня, фланцем
...деталей, содержащая раму 21, установленную в шариковых направляющих 22, на раме установ.лены две траверсы 23 с четырьмя отверстиями 24 под стыковочные штыри19 заслонок.В открытом положении заслонок.подвижная опора фиксируется относительно виброоснования регулируемымупором 25 и защелкой 26, в закрытом - регулируемом упором 27 и защелкой 28.Ход подвижнои опоры относительновиброоснования равен расстоянию 1между осями Й и Р проема профильныхотверстий 12 заслонок.Для размещения деталей в видедиска с отверстиями, например стеклотаблеток 29, на выводах 30 предназначена кассета 31, в которой233309 4ствуют (с допуском+0,03 мм) координа- там отверстий 32 в кассете 3. Устройство содержит также вибропрйвод виброоснования 1 (не показан)....
Способ комплектования в пары изделий, преимущественно фотоэлектрических пар “излучатель-приемник
Номер патента: 1234792
Опубликовано: 30.05.1986
Автор: Шихалев
МПК: G01R 31/26, H01L 21/66
Метки: излучатель-приемник, комплектования, пар, пары, преимущественно, фотоэлектрических
...от генератора 2 и регулируетсяпо току резистором 3, Выходное напряжение приемника 4, к которому39подключен эквивалент нагрузки 5,контролируется измерителем напряжений 6. Приэтом для излучателя иприемника создают условия работы,идентичные условиям их работы в изЗ 5 делии (режим питания излучателя, величины,нагрузки приемника, взаимноерасположение и др).С помощью той же схемы определяютамплитуду .выходного сигнала пооче 40 редно всех приемников партии в паре с контрольным излучателем и павеличине этого сигнала сортируютприемники по руам (ИБ).С помощью той же схемы определяют амплитуду выходного сигнала пары,составленной из контрольного излучателя и контрольного приемника, иопределяют номер группы контрольной, пары (И),50 Задаются...
Способ определения характеристик электронных состояний на границе раздела полупроводник-диэлектрик
Номер патента: 1199153
Опубликовано: 07.06.1986
Авторы: Гуляев, Ждан, Пономарев, Сульженко
МПК: H01L 21/66
Метки: границе, полупроводник-диэлектрик, раздела, состояний, характеристик, электронных
...фиг.1 показана зависимостьамплитуды тестового сигнала от напряжения смещения, на фиг.2 - зависимость плотности электронных состояний на границе раздела полупроводник-диэлектрик от величины поверхностного потенциала полупроводникагде о - заряд электрона;К - постоянная Больцмана;Т - температура измерений0 - амплитуда тестового сигнала,"П - напряжение смещения;И - плотность электронныхсостояний на границераздела полупроводник-диэлектрик;9 - поверхностный потенциал5полупроводника .Пример реализации способа.Определяют характеристику электронных состояний на границе с раздела полупроводник-диэлектрик в структуре метал-диэлектрик-полупро" водник (МДП) в виде функции плотности электронных состояний в зависимости от величины...
Сверхпроводящий датчик постоянного тока
Номер патента: 1088617
Опубликовано: 15.06.1986
Авторы: Дорошенко, Павлов, Сосницкий
МПК: H01L 39/22
Метки: датчик, постоянного, сверхпроводящий
...тем, что в сверхпроводящем датчике постоянного тока, содержащем токовод в виде двух коаксиальных трубок, соединенных с одного конца сверхпроводящим диском, изоли рующую втулку, надетую на внутреннюю трубку, сверхпроводящий контур квантованияфс двумя слабыми связями и две пары сигнальных проводов, на поверхности втулки сформирован охваты. вающий ее пленочный сверхпроводящий приемный контур, плоскость которого расположена относительно оси внутренней трубки под угломВагс 1 д - ( о с2 где В - наружный диаметр втулки;1 - длина втулки;причем ось втулки смещена относительно оси внутренней трубки по диаметру втулки, лежащему в плоскости приемного контура на расстояние где Й - диаметр внутренней трубкиа сверхпроводящий пленочный...
Способ отбраковки ненадежных кмоп ис
Номер патента: 1239658
Опубликовано: 23.06.1986
Авторы: Барков, Бражникова, Дмитриев, Знаменская, Каленик, Малков, Молодык, Петров, Сизов
МПК: G01R 31/28, H01L 21/66
Метки: кмоп, ненадежных, отбраковки
...загрязненийявлчются основные операции технологического процесса изготовления МОПструктур. Такую же роль, как и загрязняющие примеси, могут играть различные дефекты кристаллической решетки; пустые узлы, дислокации илиЗО сдвиги, возникающие при деформациикристаллов и т,д,Велгячина обратного теплового токав диапазоне температур 50-70"С, обусловленная загрязнениями кристаллаи окисла, зависит как от концентрациипримесей, так и от величины энергиисоответствующей примесному уровню, т,е, виду примесных атомов, Поэтому по величине обратного тепло 40 вого тока в диапазоне температур 50 о,70 С можно судить о наличии загрязнения кристалла, однако из-за разницы в величине Е трудно судить оконцентрации примесей,При 90-120 С приращение обратного...
Камера для измерения параметров свч двухполюсников
Номер патента: 1239659
Опубликовано: 23.06.1986
МПК: H01L 21/66
Метки: двухполюсников, камера, параметров, свч
...герметизация камеры по линии разъема со съемным патроном 5, Через штуцер 4 откачивается воздух из объема камеры и создается разряжение 510 мм рт.ст.Для измерения параметров испытуемого образца 15 в диапазоне температур в сосуд Дюара 6 заливают жидкий азот, включают подогреватель 8 ипосле достижения испытуемым образцом 15 заданной температуры, которая фиксируется за счет размещенной в теплопроводе 7 термопары 9, осуществляют измерение его параметров. Для этого камеру 24 электрически соединяют по структурной электрической схеме (фиг,4 ) с аттенюатором 25, приемником 26, источником 27 постоянного смещения, вольтметром 28 и генератором 29. Измерительный сигнал от генератора 29 поступает через аттенюатор 25 в камеру 24 и регистрируется...
Устройство для охлаждения радиоэлементов
Номер патента: 1239768
Опубликовано: 23.06.1986
Авторы: Кагерманьян, Щелохов
МПК: H01L 23/34, H05K 7/20
Метки: охлаждения, радиоэлементов
...стенке 4 которой симметрично основанию радиатора 1 выполнены два отверстия 5, На торцовойстенке 4 с внешней ее стороны перпендикулярно основанию радиатора 1 свозможностью вращения установлендиск б с отверстиями 7. Отверстия 7диска б равномерно расположены поокружности, радиус которой равен расстоянию от продольной оси симметрии.радиатора 1 до оси отверстий 5 в торцовой стенке 4. На основание радиатора 1 крепится радиоэлемент.8. Количество отверстий в диске должно бытьнечетным, т.е. определяется отношением 2 и +1 где- натуральный рядчиселУстройство работает следующим образом.В момент времени, когда при вращениидиска 6 одно из его отверстий 7 совпадает с верхним отверстием 5 в торцовой стенке 4 камеры 3, принудительно нагнетаемый...
Бесконтактный термоэлектрический преобразователь
Номер патента: 1241132
Опубликовано: 30.06.1986
Авторы: Алейникова, Вельдер, Горбачев, Григоришин, Сенько, Черняев
МПК: G01R 19/03, H01L 35/00
Метки: бесконтактный, термоэлектрический
...1 изображен бесконтактныйтермоэлектрический преобразователь;на фиг.,2 в .,разрез А-А на фиг. 1.Преобразователь содержит корпус1 с изолированными от него стеклоспаями выводами 2, преобразовательныйблок из двух идентичных секций 3,расположенных каждая на плоской диэлектрической подложке 4, на противоположных сторонах которой размещеныпленочные нагреватель 5 и термобатарея 6В подложках 4 выполнены соосныес выводами 2 .сквозные отверстия 7.Нагреватели 5 и термобатареи 6снабжены контактами 8, расположенными вокруг отверстий 7 и прилегающимик ним,Подложки 4 расположены таким образом, что поверхности нагревателей 5соприкасаются, а также совпадают поконфигурации, и жестко закреплены на Звыводах 2 посредством пайки к нимконтактов 8, при этом...
Устройство для жидкостного охлаждения элементов радиоаппаратуры
Номер патента: 1241307
Опубликовано: 30.06.1986
Авторы: Плис, Спиридонова
МПК: H01L 23/34, H05K 7/20
Метки: жидкостного, охлаждения, радиоаппаратуры, элементов
...1 и 2. Через 1 рубопровод 1 осуществляется подвод хладагента, через трубопровод 2 - его отвод., В стенках трубопроводов имеются отверстия 3, соединяющне трубопровод с внутренней полостью сильфона 4, Через эти отверстия сильфоны заполняются хлад- агентом,под давлением, в результате чего гофры сильфонов раздвигаются, а контактные поверхности плотно прижимаются к основанию печатных плат 5, осуществляя плотный контакт торцов металлических сильфонов, заполненных хладагентом, и теплотоков - металлических основЖий печатных плат.При отключении подачи хладагента гофры сильфонов сжимаются, обеспечнвая возможность отстыковки печатныхплат.Предложенное устройство удобнов эксплуатации, плотный контакт ох лаждаемых элементов с...
Устройство для коррекции характеристик нелинейных элементов
Номер патента: 1242862
Опубликовано: 07.07.1986
Автор: Свирид
МПК: G01R 31/26, H01L 21/66
Метки: коррекции, нелинейных, характеристик, элементов
...режекторными фильтрами (РФ) (первым и вторым) с частотой режекции Г =или 1": =. 1" ", а вторую 4 ильтрующую систему - полосовым фильтром (ПФ) с центральной частотой настрой 1 рдр = , или г,Однако на основании фиг, 3 нетрудно заключить, что выполнение этих фильтрующих систем может быть и иным.Действительно, при выборе частотыгенератора 6 ниже частоты нижнего среза Г (нижней границы частотного диапазона рабочей цепи 21), аналогич ные технические характеристики пред лагаемого устройства могут быть полу. чены и в случае, если первая и третья фильтрующие системы 1 и 3 будут реали зованы на основе фильтров верхних частот (ФВЧ) с частотой среза Г,д, а вторая фильтрующая система 3 ." на основе фильтра нижних частот (ФНЧ) с частотой среза...
Устройство для охлаждения радиоэлектронной аппаратуры
Номер патента: 1243164
Опубликовано: 07.07.1986
Авторы: Безуглый, Беляев, Бондарь, Данчул, Иващенко, Пахолок
МПК: H01L 23/34, H05K 7/20
Метки: аппаратуры, охлаждения, радиоэлектронной
...контакт с нижней поверхностью радиатора 3. Один из основных каналов делается впускным, остальные выпускными, На каждом из радиаторов 3 на внешней по;верхности установлены пластины 7 из материала, обладающего эффектом "памяти Формы". Одчн конец каждой из пластин жесткозакреплен на радиаторе, а другой посредством системы рычагов 8 соединен с подвижной заслоной 9, Последняя установлена в отводном канале 6 таким образом, что ее ось вращения перпендикулярна продольной оси канала 6.При оптимальной рабочей темпера. туре радиоэлектронной схемы устройство работает следующим образом.Температурный интервал превращения пластины 7 из материала с эффектом "памяти Формы" подбирается такимВ интервале температур от оптимальной рабочей до критической...