Зоболотный
Способ монтажа полупроводникового кристалла пайкой
Номер патента: 1393248
Опубликовано: 20.08.1999
Авторы: Зоболотный, Левашов, Приймак, Яковлев
МПК: H01L 21/52
Метки: кристалла, монтажа, пайкой, полупроводникового
Способ монтажа полупроводникового кристалла пайкой, включающий нанесение на паяемую поверхность слоя металла, смачиваемого припоем, и последующую пайку кристалла на основание, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности полупроводникового прибора за счет увеличения его циклостойкости, предварительно на паяемую поверхность кристалла наносят сетку взаимно пересекающихся или концентрических относительно центра кристалла V-образных канавок глубиной 0,003-0,05 мм.