H01L 29/02 — полупроводниковые подложки

Номер патента: 107170

Опубликовано: 01.01.1957

Авторы: Калашников, Пенин

МПК: H01L 21/603, H01L 29/02

Метки: выпрямитель, твердый

...создания искусственной однородной прослойки, М 107170толщина. которой должна бьггь порядка 10 - 4 10 -см,Однако такие прослойки можно получить весьма просто, если воспользоваться существованием, так называемых, интерметаллических соединений. Известно, что многие металлы, взятые в определенном стехиометрическом соотношении, способны давать химические соединения - интерметаллические соединения. При этом электрическое сопротивление соединения может возрастать в громадное число раз,Так, например, сплав сурьмы и цинка, отвечающий формуле Хп Ь, имеет удельное сопротивление порядка 10+Бом/см, т. е. в 10" раз превышающее сопротивление исходных металлов. Аналогичными свойствами обладает сплав сурьмы и магния в составе Мд Я 2 и многие...

Номер патента: 135977

Опубликовано: 01.01.1961

Автор: Масловский

МПК: H01L 29/02

Метки: германиевый, диод, силовой

...диск 3 указанного сплава диаметром 36 лглг и толшиной 0,2 лглг. Впчавлгние осуществляют в течение 20 - 25 лгггн при температуре 800 - 810, а диффузию ведут в течение 5 - б час при температуре 770 - 780.омическии контакт с противоположной стороной диска 1 полу гают путем проплавления диффузионной п-области, покрываюшей в.сь диск 1, сплавом олово-индий, содержащим 70% олова н 30% индия. Раз- меры диска из указанного сплава - диаметр 40 лгл 1 и толщина 0,2 лглгПриплавление омического контакта производят прн прогреве в гсчение 5 - б лгггн до температуры 490 - 500 и последующем подъеме т:- пературы за 2 - 3 лгин до 510 - 515. После удаления диффузионного и-слоя и обнажения перехода 2 путем травления в кипящей 4% перекиси водорода переход...

Номер патента: 1827144

Опубликовано: 27.06.1996

Авторы: Кондрашов, Мурзин

МПК: H01L 29/02

Метки: биполярный, вертикальный, транзистор

1. Вертикальный биполярный транзистор, содержащий в полупроводниковой подложке коллекторную область типа проводимости с канальным ограничителем, базовую область противоположного типа проводимости, эмиттерную область первого типа проводимости и пассивирующее покрытие по крайней мере на части поверхности базовой и коллекторной областей, отличающийся тем, что, с целью уменьшения аномально высокого уровня и дрейфа обратных токов Iкэо и Iкэ транзистора благодаря предотвращению попадания избыточных неосновных носителей заряда базовой области в приповерхностную часть области пространственного заряда коллекторного перехода, базовая область транзистора содержит по крайней мере одну дополнительную область, в которой дефектность...

Номер патента: 824831

Опубликовано: 20.06.1999

Авторы: Верходанов, Гаштольд, Герасименко

МПК: H01L 29/02

Метки: полупроводниковый, прибор

Полупроводниковый прибор на основе кристалла с p-n-переходом, содержащего область с дефектами структуры, отличающийся тем, что, с целью уменьшения токов утечки и собственных шумов, указанная область выполнена на расстоянии от p-n-перехода, не превышающем диффузионную длину примеси, и имеет дефекты типа введений второй фазы, объем которых в ней 1 - 10%.

Номер патента: 1036214

Опубликовано: 20.11.1999

Авторы: Чаплик, Яковкин

МПК: H01L 27/20, H01L 29/02

Метки: волн, генерации, гиперзвуковых

1. Способ генерации гиперзвуковых волн путем воздействия электромагнитного излучения на пьезополупроводник, отличающийся тем, что, с целью обеспечения непрерывной генерации когерентных гиперзвуковых волн с сохранением линейной зависимости их интенсивности от интенсивности воздействующего излучения, на поверхности пьезополупроводника создают двумерно-проводящий слой и в нем возбуждают двумерную плазменную волну ленгмюровского типа.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что двумерно-проводящий слой выполняют в виде полупроводниковой пленки.3. Способ по п.1, отличающийся тем, что двумерно-проводящий слой выполняют в виде инверсионного канала в структуре металл-диэлектрик-полупроводник.

Номер патента: 1840207

Опубликовано: 20.08.2006

Автор: Емельянов

МПК: H01L 29/02

Метки: полупроводниковый, прибор

Полупроводниковый прибор на основе антимонида индия, содержащий раздел полупроводник - диэлектрик, отличающийся тем, что, с целью улучшения электрофизических параметров прибора, в качестве диэлектрика использован материал, у которого рассогласование двумерной решетки не превышает 12% от постоянной двумерной решетки антимонида индия.