H01L — Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам

Номер патента: 1632286

Опубликовано: 15.02.1994

Авторы: Абрамов, Сергеев, Сергеева

МПК: B04B 5/00, H01L 21/312

Метки: нанесения, пластины, фоторезиста

УСТРОЙСТВО ДЛЯ НАНЕСЕНИЯ ФОТОРЕЗИСТА НА ПЛАСТИНЫ, содержащее установленную на валу центрифуги оправку для размещения пластины с радиальными каналами для создания разрежения под пластиной, отличающееся тем, что, с целью улучщения эксплуатационных возможностей и упрощения конструкции, в оправке выполнено гнездо для размещения обрабатываемой пластины, а радиальные каналы выполнены в виде открытых пазов на рабочей поверхности оправки, причем донные поверхности гнезда и пазов расположены в одной плоскости, а на дне каждого из пазов выполнены продольные риски, проходящие через дно гнезда.

Номер патента: 1686982

Опубликовано: 15.02.1994

Авторы: Брюхно, Шер

МПК: H01L 21/76

Метки: диэлектрической, изоляцией, микросхем, элементов

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МИКРОСХЕМ С ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ИЗОЛЯЦИЕЙ ЭЛЕМЕНТОВ, включающий формирование на поверхности кремниевой подложки основной защитной пленки, вскрытие в ней окон под области боковой изоляции, вытравливание в окнах изолирующих канавок, удаление основной защитной пленки, формирование на вскрытой поверхности подложки высоколегированного n+-слоя, выращивание пленки оксида кремния путем окисления подложки, вскрытие окон к кремниевой подложке над участками под высоковольтные транзисторы, осаждение поликристаллического кремния, удаление материала кремниевой подложки до вскрытия дна изолирующих канавок и формирование во вскрытых областях кремния низковольтных и высоковольтных транзисторов, отличающийся тем, что, с целью...

Номер патента: 1690512

Опубликовано: 15.02.1994

Авторы: Сероусов, Черный

МПК: H01L 21/76

Метки: диэлектрической, изоляцией, структур

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СТРУКТУР ИС С ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ИЗОЛЯЦИЕЙ, включающий формирование в кремниевой подложке изолирующих канавок, создание диффузионной области под "скрытый слой", формирование изолирующей пленки оксида кремния, нанесение слоя порошка ситаллового стекла, соединение кремниевой подложки со стороны изолирующих канавок с дополнительной подложкой, на поверхности которой сформированы пленка оксида кремния и слой ситаллового стекла, термообработку при температуре кристаллизации ситаллового стекла и удаление материала кремниевой подложки до вскрытия дна изолирующих канавок, отличающийся тем, что, с целью снижения трудоемкости за счет сокращения количества технологических операций и повышения выхода годных за счет увеличения прочности...

Номер патента: 1471901

Опубликовано: 15.02.1994

Авторы: Брюхно, Громов, Добровичан, Коновалов, Опалев, Шер

МПК: H01L 21/82

Метки: диэлектрической, изоляцией, интегральных, компонентов, кремниевых, структур, схем

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КРЕМНИЕВЫХ СТРУКТУР С ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ИЗОЛЯЦИЕЙ КОМПОНЕНТОВ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ, включающий формирование на кремниевой монокристаллической подложке диэлектрического слоя, изготовление из этого слоя маски с окнами для вытравливания разделительных канавок, вытравливание в подложке разделительных канавок, формирование маски с окнами для вытравливания подложки при получении монокремниевых участков с уменьшенной толщиной, формирование монокремниевых участков с уменьшенной толщиной вытравливанием подложки через окна маски, заращивание окон этой маски оксидом кремния, осаждения на полученный рельеф опорного слоя поликремния, удаление части подложки до вскрытия монокремниевых участков с уменьшенной и увеличенной толщиной,...

Номер патента: 1591750

Опубликовано: 15.02.1994

Авторы: Брюхно, Коновалов, Лебедев, Шер

МПК: H01L 21/18

Метки: микросхем

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МИКРОСХЕМ, включающий создание в кремниевой подложке n-типа первых диффузионных областей p-типа, формирование канавок, разделяющих p- и n-области в подложке, формирование диэлектрической пленки на поверхности канавок, осаждение поликремния, удаления материала подложки до вскрытия дна канавок и создание во вскрытых изолированных канавками участках кремниевой подложки диффузионных базовых и эмиттерных областей n-p-n- и p-n-p- транзисторных структур, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных микросхем за счет повышения воспроизводимости параметров распределения примеси в p-n-p- транзисторных структурах, первые диффузионные области p-типа в кремниевой подложке создают глубиной, не превышающей разность между...

Номер патента: 1591776

Опубликовано: 15.02.1994

Автор: Ваганов

МПК: G01L 1/22, H01L 29/84

Метки: датчик, микроэлектронный

МИКРОЭЛЕКТРОННЫЙ ДАТЧИК, содержащий корпус, мембранный чувствительный элемент, выполненный в виде монокристаллической кремниевой пластины с контактными площадками, расположенными на планарной поверхности пластины вне площади мембраны, тензорезисторов и металлической разводки, крышку-кондуктор, соединенную с планарной поверхностью чувствительного элемента со сквозными отверстиями, расположенными в соответствии с расположением контактных площадок, и жесткие внешние проволочные выводы, отличающийся тем, что, с целью снижения стоимости за счет возможности использования групповых методов изготовления при одновременном уменьшении габаритов и температурной погрешности, повышении надежности, в датчик дополнительно введена втулка со сквозными...

Номер патента: 1480683

Опубликовано: 15.02.1994

Авторы: Прокофьев, Урицкий, Шаталов

МПК: H01L 21/82

Метки: диэлектрической, изоляцией, интегральных, компонентов, кремниевых, структур, схем

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КРЕМНИЕВЫХ СТРУКТУР С ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ИЗОЛЯЦИЕЙ КОМПОНЕНТОВ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ, включающий вытравливание в кремниевой подложке рельефа, формирование на рельефе слоя изолирующего оксида кремния, осаждение легированного слоя поликремния, наращивание опорного слоя поликремния, удаление части подложки с вскрытием монокремниевых участков, отличающийся тем, что, с целью улучшения электрических характеристик интегральных схем за счет уменьшения и стабилизации заряда в слое изолирующего оксида кремния, слой легированного поликремния осаждают толщиной 0,5 - 2,0 мкм, а в качестве легирующего элемента используют бор с концентрацией в слое поликремния 1017 - 2

Номер патента: 1544120

Опубликовано: 15.02.1994

Автор: Ваганов

МПК: G01L 1/22, H01L 29/24

Метки: датчик, микроэлектронный

1. МИКРОЭЛЕКТРОННЫЙ ДАТЧИК, содержащий выполненный из монокристаллического кремния кристалл чувствительного элемента с интегральной схемой, соединенный по периметру в периферийной области с первой поверхностью промежуточного элемента, выполненного из того же материала, с центральным отверстием и корпус, соединенный с второй поверхностью промежуточного элемента, отличающийся тем, что, с целью повышения стабильности и уменьшения температурной погрешности, датчик дополнительно снабжен по крайней мере еще одним промежуточным элементом, при этом каждый из промежуточных элементов выполнен в виде двух кремниевых кристаллов, соединенных между собой поверхностями в центральной области, а корпус соединен с второй поверхностью последнего...

Номер патента: 1482480

Опубликовано: 28.02.1994

Авторы: Бритвин, Ваганов

МПК: G01L 1/22, H01L 29/84

Метки: интегральный, тензопреобразователь

ИНТЕГРАЛЬНЫЙ ТЕНЗОПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ, содержащий однородную полупроводниковую пленку, нанесенную на всю поверхность упругого элемента тензопреобразователя, и электрические контакты к пленке, расположенные рядами вдоль направления максимальной тензочувствительности пленки в узлах гипотетической ортогональной сетки с квадратными ячейками, отличающийся тем, что, с целью увеличения чувствительности и уменьшения величины и температурного дрейфа разбаланса, тензопреобразователь содержит не менее трех рядов контактов и трех контактов в ряду.

Номер патента: 1753901

Опубликовано: 28.02.1994

Авторы: Аверин, Дмитриев, Эленкриг

МПК: H01L 31/11

Метки: фотодетектор

ФОТОДЕТЕКТОР, содержащий полупроводниковую подложку с расположенными на ней активным слоем и двумя встречно-штыревыми электрически проводящими электродами, образующими с активным слоем контакты с барьером Шоттки, отличающийся тем, что, с целью повышения отношения сигнал - шум при одновременном упрощении обработки сигнала, контакты с барьером Шоттки выполнены с различной высотой барьера исходя из соотношения:1 - 2 = L2qN / 2 ,где

Номер патента: 990030

Опубликовано: 28.02.1994

Авторы: Аникин, Быченко, Кожеуров, Молдованов, Репка, Цветков, Чистопрудов

МПК: H01L 21/98

Метки: сборки, техники, электронной

СПОСОБ СБОРКИ ИЗДЕЛИЙ ЭЛЕКТРОННОЙ ТЕХНИКИ, включающий соединение деталей в условиях нагрева и охлаждения через формируемый по крайней мере на одной из поверхностей соединяемых деталей подслой металла, отличающийся тем, что, с целью удешевления и упрощения технологического процесса сборки при сохранении параметров электровакуумных приборов в процессе формирования подслоя металла, в него вводят добавки одного из элементов V группы в отношении 5 - 15 мас. % , нагревают соединяемые детали до температуры возгонки элементов V группы и выдерживают их при данной температуре 1 - 5 мин.

Номер патента: 1385951

Опубликовано: 28.02.1994

Авторы: Ваганов, Случак

МПК: G01L 1/24, H01L 29/84

Метки: датчик, механоэлектрический, микроэлектронный

МИКРОЭЛЕКТРОННЫЙ МЕХАНОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ДАТЧИК, содержащий выполненный из монокристаллической пластины кремния ориентации { 100 } , жесткое основание, мембрану с двумя жесткими областями в виде островков, отделенных друг от друга и от жесткого основания, ориентированными вдоль направления < 110 > канавками, образующими тонкие гибкие участки, на которых с планарной стороны кристалла расположены тензорезисторы, ориентированные вдоль направления < 110 >, отличающийся тем, что, с целью уменьшения размеров, повышения линейности и чувствительности преобразования, мембрана выполнена прямоугольной с двумя узкими щелевыми отверстиями, параллельными друг другу и перпендикулярными направлению канавок, причем щели с двух сторон отделяют...

Номер патента: 1387812

Опубликовано: 28.02.1994

Авторы: Бритвин, Ваганов, Эрглис

МПК: H01L 29/84

Метки: воздействия, механического, сигнал, электрический

ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ МЕХАНИЧЕСКОГО ВОЗДЕЙСТВИЯ В ЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ СИГНАЛ, содержащий упругий кремниевый элемент, связанный с опорой по линии заделки и расположенный на упругом элементе полупроводниковый тензочувствительный элемент, содержащий два концевых контакта и два боковых токоотвода, расположенных по обе стороны от продольной оси тензоэлемента, которая сориентирована под углом 45o относительно ближайшей к тензочувствительному элементу линии заделки или касательной к ней для круглых упругих элементов, отличающийся тем, что, с целью повышения чувствительности, в тензочувствительный элемент введена дополнительная область противоположного к нему типа проводимости, расположенная симметрично продольной оси тензочувствительного элемента...

Номер патента: 633389

Опубликовано: 28.02.1994

Авторы: Глущенко, Косенко, Лапунин, Плохих

МПК: H01L 21/04

Метки: p-n-переходов, стабилизации

СПОСОБ СТАБИЛИЗАЦИИ P-N-ПЕРЕХОДОВ, включающий операции нанесения многослойного покрытия, фотогравировки, подтравливания слоев при вскрытии контактных окон, напыление металла и формирование контактных площадок, отличающийся тем, что, с целью упрощения способа, подтравливание слоев производят на величину, превышающую клин травления и приводящую при напылении и формировании контактных площадок к деформации нависающих под клином участков защитного покрытия.

Номер патента: 1393265

Опубликовано: 28.02.1994

Авторы: Беклемишев, Бритвин, Ваганов

МПК: H01L 29/84

Метки: интегральный, тензочувствительный

ТЕНЗОЧУВСТВИТЕЛЬНЫЙ ИНТЕГРАЛЬНЫЙ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ, содержащее упругий элемент и расположенную на нем мостовую схему, включающую две пары комплементарных МДП-тензотранзисторов, включенные в смежные плечи мостовой схемы стоковыми выводами, и четыре тензорезистора, включенных по одному между истоком и затвором каждого из МДП-тензотранзисторов, отличающийся тем, что, с целью увеличения чувствительности, в мостовую схему дополнительно введены два МДП-тензотранзистора, включенных по одному между затворами МДП-тензотранзисторов составляющих противоположные плечи моста, причем затвор и сток каждого из дополнительных МДП-транзисторов соединены между собой, а знак тензочувствительности дополнительных МДП-тензотранзисторов совпадает со знаком...

Номер патента: 1220516

Опубликовано: 28.02.1994

Авторы: Белов, Ваганов

МПК: H01L 21/31

Метки: защитная, маска

1. ЗАЩИТНАЯ МАСКА для группового создания на кремниевой подложке (100) прямоугольных мезаструктур малых размеров, со сторонами ориентированными вдоль направлении < 110 >, локальным анизотронным травлением, содержащая Т-образный фигуры упреждения с узким и широким лучами, стороны которых ориентированы вдоль направлений < 110 >, отличающаяся тем, что, с целью уменьшения стоимости отдельных кристаллов, содержащих одну мезаструктуру, расположенную в лунке, узкий луч Т-образной фигуры соединяется с маскированной областью, ограничивающей лунку травления, широкий луч Т-образной фигуры располагается вдоль стороны маски мезаструктуры, ширина промежутков, отделяющих этот луч от других элементов маски, определяется разрешением...

Номер патента: 1783933

Опубликовано: 28.02.1994

Авторы: Козловский, Марков, Насибов, Федоров

МПК: G01N 21/55, H01L 21/66

Метки: однородности, оптического, основе, полупроводников, раствора, состава, твердого

СПОСОБ ОПТИЧЕСКОГО КОНТРОЛЯ ОДНОРОДНОСТИ СОСТАВА ТВЕРДОГО РАСТВОРА НА ОСНОВЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВ, включающий облучение электромагнитным излучением химически полированных поверхностей исследуемого образца или его ествественных сколов в различных точках, регистрацию энергетических спектров, их сравнение и контроль однородности материала на основе этого сравнения, отличающийся тем, что, с целью упрощения способа и повышения экспрессности контроля, осуществляют облучение кристаллографически эквивалентных поверхностей исследуемого образца с энергией квантов, не меньшей ширины запрещенной зоны исследуемого полупроводника, регистрируют спектры экситонного отражения или люминесценции, выделяют на спектрах характеристическую линию экситонного...

Номер патента: 1345976

Опубликовано: 28.02.1994

Авторы: Глущенко, Красножон, Смирнов

МПК: H01L 21/82

Метки: затвором, интегральных, мдп-транзисторов, микросхем, поликремниевым

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МДП-ТРАНЗИСТОРОВ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ С ПОЛИКРЕМНИЕВЫМ ЗАТВОРОМ, включающий создание на монокремниевой подложке полевого окисла, подзатворного окисла и поликремниевого затвора, формирование областей истока и стока, создание межслойной изоляции, вскрытие контактов и создание металлизации, отличающийся тем, что, с целью упрощения технологии изготовления и повышения быстродействия МДП-транзисторов и степени интеграции МДП БИС на их основе, после создания поликремниевого затвора проводят его окисление при 800 - 900oС, травление окисла кремния по всей поверхности структуры до удаления его над участками формирования областей истока и стока и через полученную маску проводят ионное легирование монокремния для...

Номер патента: 1228722

Опубликовано: 28.02.1994

Авторы: Алейникова, Кислякова, Кондратьев, Сутырин, Тимашев, Федорец, Федосов

МПК: H01L 21/306

Метки: акустических, волнах, поверхностных, резонаторов

1. СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ РЕЗОНАТОРОВ НА ПОВЕРХНОСТНЫХ АКУСТИЧЕСКИХ ВОЛНАХ, включающий изготовление кристалла с топологией резонатора, монтаж кристалла в корпус и подстройку центральной частоты резонатора путем обработки в ВЧ-плазме, отличающийся тем, что, с целью повышения процента выхода годных резонаторов, за счет улучшения воспроизводимости обработки в плазме и улучшения долговременной стабильности резонаторов, обработку проводят в ВЧ-плазме нейтрального газа.2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что обработку проводят в плазме аргона при давлении аргона 13,3 - 26,6 Па, в течение 120 - 600 с, причем в зависимости от требуемой величины подстройки время обработки определяется какt=

Номер патента: 1473637

Опубликовано: 28.02.1994

Авторы: Бритвин, Ваганов

МПК: G01L 1/22, H01L 29/84

Метки: интегральный, тензопреобразователь

ИНТЕГРАЛЬНЫЙ ТЕНЗОПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ, содержащий упругий элемент с тензорезистивной структурой в виде квадратной ячейки с электрическими контактами, тензорезисторы которой расположены симметрично относительно центра упругого элемента и ориентированы вдоль взаимно перпендикулярных направлений максимальной тензочувствительности, отличающийся тем, что, с целью уменьшения величины и температурного дрейфа разбаланса, тензорезистивная структура выполнена в виде регулярной ортогональной сетки с квадратными ячейками, содержащей по каждой из координат не менее двух ячеек, причем тензорезисторы, расположенные по внешнему периментру сетки, выполнены в два раза уже остальных, а электрические контакты сформированы к каждому узлу сетки.

Номер патента: 1294213

Опубликовано: 28.02.1994

Авторы: Гальцев, Глущенко, Колычев

МПК: H01L 21/28

Метки: полупроводниковых, структур

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУР, включающий формирование на полупроводниковой подложке активных областей, пассивацию подложки слоем диэлектрика, вскрытие контактных окон, нанесение слоя алюминия вакуумно-термическим напылением, формирование маскирующего покрытия, фотогравировку разводки, окисление торцовых поверхностей разводки и удаление маскирующего покрытия, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности структур и упрощения способа, после нанесения слоя алюминия проводят его поверхностное окисление до образования пленки окиси алюминия толщиной от 2,5 10-8 до 4 ...

Номер патента: 1702825

Опубликовано: 28.02.1994

Авторы: Глущенко, Зенин, Колычев

МПК: H01L 21/60

Метки: полупроводниковых, приборов

...слоя и вцтравленйых канологического процесса разделения навок путем термического оксидирования пластин кристаллы(ширина реза), ориенти- многоступенчатым способом создают слой руясь на наличие минимального зазора 15 30 толщиной 1,5-2 мкм, например 1,7 мкм, между изоляцией кармана и краем кристал- Затем на всю окисленную поверхность плала 12 мкм. Минимизация этого размера свя- стины наращивают слой 1 поликристалличезана экономией площади пластины ского кремния, толщиной 200-250 мкм, в (возможно большим сьемом кристаллов с результате чего всеканавкиполностьюзапластины), максимально возможное рассто растают. На презиционном станке часть пояние между краем кристалла и изоляцией ликремния сошлифовывают, обеспечивая кармана (при...

Номер патента: 1702826

Опубликовано: 28.02.1994

Авторы: Брюхно, Лазина, Шер

МПК: H01L 21/76

Метки: диэлектрической, изоляцией, структур, транзисторных

...пленку окисла и проводят осаждение поликристаллического кремния для формирования подложки. снижает напряжения пробоя сформированныхтранзисторных структур, а следователь- Одновременно с выполнением этих но, и выход годных структур. операций, которые осуществляются при температуре 1180-11200 С в течение 4 ч,Целью изобретения является повышение выхода годных структур по напряжению на них диэлектрического слоя, наращивание на него поликристаллической 15кремнйевой подложки, вскрытие монокристаллических карманов, формирование вмонокристаллических кремнйевых карманах транзисторных структур, Одновременно с высоколегированными слоями на 20исходной монокристаллической пластине(или до образования высоколегированныхскрытых слоев)...

Номер патента: 1545888

Опубликовано: 15.03.1994

Авторы: Горбунов, Ширшов

МПК: H01L 39/24

Метки: зависимости, исследования, сверхпроводников, способности, температуры, токонесущей

УСТРОЙСТВО ДЛЯ ИССЛЕДОВАНИЯ ЗАВИСИМОСТИ ТОКОНЕСУЩЕЙ СПОСОБНОСТИ СВЕРХПРОВОДНИКОВ ОТ ТЕМПЕРАТУРЫ, содержащее криостат, источник внешнего магнитного поля, сменный шток с измерительной камерой, причем выход камеры через вентиль соединен с газгольдером, а вход соединен с криостатом, отличающееся тем, что, с целью повышения точности регулирования температуры и сокращения времени на переход с одной температуры на другую, в него дополнительно введены камера испарения жидкого гелия с датчиком уровня и нагревателем, камера нагрева газа с нагревателем, фильтрующие сетки, блок испарения жидкого гелия и блок регулирования нагрева газа, причем камера нагрева газа отделена от камеры испарения жидкого гелия изолирующим стаканом с отверстиями для прохода...

Номер патента: 858495

Опубликовано: 15.03.1994

Авторы: Наумов, Редько, Фетисов

МПК: H01L 27/148

Метки: аналоговых, сигналов

УСТРОЙСТВО ОБРАБОТКИ АНАЛОГОВЫХ СИГНАЛОВ на ПЗС, содержащее входные электроды, присоединенные к общей шине, первый регистр сдвига аналоговых сигналов с ячейками, состоящими из электродов переноса заряда с системой шин тактового питания, и первый затвор, отделяющий входные электроды от ячеек регистра и обеспечивающий зарядовую связь между каждым входным электродом и соответствующей ячейкой, отличающееся тем, что, с целью обеспечения возможности усиления контраста в распределении входных сигналов, оно дополнительно содержит второй регистр сдвига с электродами переноса и второй затвор, обеспечивающий зарядовую связь между ячейками регистров, при этом электроды переноса второго регистра подключены к системе шин тактового питания в обратном...

Номер патента: 1563506

Опубликовано: 15.03.1994

Авторы: Гук, Зубрилов, Котин, Шуман

МПК: H01L 21/225

Метки: n-переходов, лавинным, пробоем

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ p - n-ПЕРЕХОДОВ С ЛАВИННЫМ ПРОБОЕМ, включающий очистку шлифованной поверхности кремниевой пластины n-типа проводимости, формирование на поверхности пластины боросодержащего источника диффузии, проведение диффузии бора при температуре не ниже 1250oС не менее 20 ч, отличающийся тем, что, с целью повышения быстродействия включения p - n-перехода за счет уменьшения времени задержки лавинного пробоя и повышения величины допустимой энергии в единичном импульсе обратного тока, используют кремниевую пластину с удельным сопротивлением 0,01 - 1,0 Ом см, очистку шлифованной поверхности кремниевой пластины проводят кипячением в водяном растворе едкого кали...

Номер патента: 1450671

Опубликовано: 15.03.1994

Авторы: Белых, Тимашев, Федорец

МПК: H01L 21/312

Метки: фотолитографии

1. СПОСОБ ФОТОЛИТОГРАФИИ, включающий нанесение на подложку слоя позитивного фоторезиста, его экспонирование через фотошаблон, обработку в органическом растворителе, проявление, нанесение слоя рабочего материала и удаление слоя фоторезиста с нанесенным материалом, отличающийся тем, что, с целью увеличения процента выхода годных структур за счет получения в слое фоторезиста профиля с отрицательным углом наклона, обработку слоя фоторезиста в растворителе проводят в процессе проявления путем добавления растворителя в проявитель в количестве 1 - 5 об. % , причем в качестве растворителя используют растворитель используемого фоторезиста.2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что в качестве растворителя используют ацетон.3. Способ по п....

Номер патента: 1028203

Опубликовано: 15.03.1994

Авторы: Орешкин, Петров, Селляхова, Сурис, Фетисов, Фукс, Хафизов

МПК: H01L 21/66

Метки: легирования, полупроводника, профиля

СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ПРОФИЛЯ ЛЕГИРОВАНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКА компенсирующей примесью, включающий подачу на полупроводник постоянного напряжения и гармонического сигнала, измерение импеденса полупроводника и расчет профиля легирования, отличающийся тем, что, с целью повышения информативности способа путем расширения пространственной области определения профиля легирования без нарушения целостности образца, величину постоянного напряжения U и амплитуду гармонического сигнала U выбирают в соответствии с условиямиU > ; U <

Номер патента: 1253380

Опубликовано: 30.03.1994

Авторы: Веригин, Красик, Крючков, Лопатин, Погребняк

МПК: H01L 21/263

Метки: дефектов, кремнии, отжига

СПОСОБ ОТЖИГА ДЕФЕКТОВ В КРЕМНИИ , включающий облучение импульсами заpяженных частиц наносекундной длительности, отличающийся тем, что, с целью улучшения кpисталлической стpуктуpы, облучение пpоводят сильноточным пучком ионов с плотностью энеpгии в импульсе 0,5 - 0,9 Дж/см2.

Номер патента: 993778

Опубликовано: 30.03.1994

Авторы: Золотарев, Хафизов

МПК: H01L 27/04

Метки: зарядовой, матричный, приборах, связью, фотоприемник

МАТРИЧНЫЙ ФОТОПРИЕМНИК НА ПРИБОРАХ С ЗАРЯДОВОЙ СВЯЗЬЮ с межстpочным считыванием, содеpжащий полупpоводниковую подложку, покpытую слоем диэлектpика с pасположенными на нем в каждой ячейке электpодами накопления и пеpеноса заpяда, а также сбpоса фонового заpяда, в котоpой имеются области с повышенной концентpацией основной пpимеси, где pасположены области пpотивоположного подложке типа пpоводимости, отличающийся тем, что, с целью увеличения pазpешающей способности, электpод сбpоса фонового заpяда в каждой ячейке объединен с одним из электpодов пеpеноса заpяда.