H01L — Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам

Номер патента: 1435105

Опубликовано: 07.12.1991

Авторы: Гастев, Петров, Приходько, Соколов, Сухоруков

МПК: H01L 31/18

Метки: аморфного, кремния, слоев

...достижения заданногозначения Е е э45При значениях У 4 10 Вт/см иЯ 1 4 1(У Вт/си указанная выше зависимость сохраняется но несколькоухудшаются электрофизические характеристики слоев, в частности, произведение 1 л уменьшается до 1 Р 10 си/В,И р и и е р 1, Получают слойаморфного кремния с шириной запрещенной зоны Е, = 175 эВ, 55В раоочую камеру установки осаждевин слоев аморфного кремния загружают стеклянные пластины соФормюрованными на них прозрачными контактами БпО и нанесенным поверх ЗпОр "слоем легированного бором аморфного кремния. Камеру предварительно откачивают до остаточного давления-й10 Торр и после прогрева пластинодо 250 С заполняют смесью моносилана 10 об,Е) с водородом,Требуемое значение ширины запрещенной эоны 1,75 эВ,...

Номер патента: 1276158

Опубликовано: 07.12.1991

Авторы: Гусляков, Кодюков, Платов, Суков, Терентьев

МПК: G21H 1/00, H01L 35/04

Метки: генератор, радиоизотопный, термоэлектрический

...комитета СССРпо делам изобретений и открытий113035 р Ионна, Ьр Рачпская наба, д 4/5 Производственно-полнрвФнческое предприятие, г. Ужгород, ул, Проектная, 4 Изобретение относится к технике преобразования тепловой энергии в электрическую, в частности к устрой ству радиоиэотопного термоэлектрического генератора.Целью изобретения является повы" . шение надежности и расширение области применения радиоизотопного термоэлектрического генератора.На чертеже изображен общий вид предлагаемого радиоизотопного генератора.Генератор. содержит тепловой блокзакрепленные на нем термоэлектрические преобразователи 2 и 3, гер" ,метичный корпус с радиатором 5 теплоотводящий стакан б и устройство 7 поджима термоэлектрических преобразователей 2 и 3...

Номер патента: 1429848

Опубликовано: 15.12.1991

Авторы: Веденеев, Гольдман, Ждан, Кузнецов

МПК: H01L 21/66

Метки: границе, диэлектрик, параметров, пограничных, раздела, состояний, —полупроводник

...при котором заполнение ПСстановится сильно неравновесным. Обед"30няющий изгиб зон , где о - зарядзэлектрона;- потенциал, соответствующий обедняющему изгибу зон, устанавливают (меняя полевое, напряжение)примерно равным половине запрещеннойЗБзоны полупроводника Е. Точное значение о д можно найти, например, из измерений вйсокочастотной емкости цепизатвор - подложка. Ее величина С (наединицу площади структуры) связана с дошириной слоя пространственного зарядаЧ соотношением 45 65С С - переменные интегрирования;С - решение уравнения47%и Ъеет + иС Сгде 2 - относительная диэлектрическая проницаемость полупроводника;Со - емкость единицы площади диэлектрика.При этом(р =гиц И Чгде Б - концентрация легирующей приРмеси (ее значение...

Номер патента: 1385932

Опубликовано: 15.12.1991

Автор: Мягконосов

МПК: B05C 5/00, G03C 1/74, H01L 21/312 ...

Метки: нанесения, подложки, слоя, фоторезиста

...в сосуд 1, Держатель .6 с подложками 7 закрепляют посредством кронштейна 8 на крьппке 2, которую уста иавливают на сосуд 1. Затем открывагот клапан 5 в трубопроводе 14; клапан 17 в трубопроводе 16 подачи сжатого газа и, создавая давление в реВерсивном баке(1,5-2,0) х 10 Па, подают в сосуд 1 жидкость 4,контролируя ее уровень по указателю 19 уровня. При подъеме уровня жидкости 4 в сосуде 1 нанна 9 с Фаторезистом 1 О также поднимается и при достижении заданного уровня жидкости 4 подложки 7 полностью погружаются в Фоторезист 10, После этого закрывагот клапаны 15 и 17, открывагот клапан 18, устаиавлггвая в реверсивном. баке 11 давление, равное атмосферному, и герметизируют сосуд 1 прижатием крьппки 2 к.уплотнению 3, Затеи открывают клапан...

Номер патента: 1387807

Опубликовано: 15.12.1991

Авторы: Мягконосов, Платонов

МПК: H01L 21/98

Метки: гибридных, интегральных, настройки, схем, функциональной

...элементов 2, после чего осущеществляют откачку воздуха (вакуумироночной схемы подключают к источ" нику питания и контрольно-испытательной аппаратуре посредством металлических пленочных проводников10, соединенных с разъемом 11, и при жимных контактных соединений между этими проводниками и внешними кон".тактными площадками платы. Дпя контроля функционирования ГИС используютустановки тестового контроля типа УТКили системы "Элекон-СФ". Затеи на ГИС подают питающие напряжения иОсуществляют контроль,ее электрнчес"кого функционирования, испытания инастройку, в процессе которых выяв-,ляют дефектные кристаллы ИС. Послеэтога отключают питающие напряжения,вакуумный насос, отделяют рамку 9 сгибкой диэлектрической подложкой 8от платы 1, а...

Номер патента: 1698918

Опубликовано: 15.12.1991

Авторы: Куровский, Павленко, Пельтек

МПК: H01L 23/36

Метки: полупроводникового, прибора, прокладка

...резины на основе синтетического каучука и высокодисцерсного порошканитрида алюминия с размером частиц50-80 мкм, при слецуюцтем соотношении компонентов, маг.Е: высокодисперсный нитрид алюмтеия 55-60, крупнозернистый нитрид.алюминия 20-25;резина на основе синтетического каучукаостальное. 1 цл,Высокодисперсньтй тттцнцалюминия 55-60КРУПНОЗЕРНЕтСтЬЕтнитр."д алюеештя 20-25Резина на основе синтетического каучука ОстальноеПрокладка работает следующим образом.Прокладку устанавливают на металлический теплоотвод, а ета нее устаеавливают,полуттравоцттквый прибор. Тепло ог полупроиоцннкоцого прибора через прокладку еред;.тся теплоотводу, а электроизоляццтттные свойства прокладки обеспечивюг изоляцию корпу са полупроводнцковог:;рттбора от меЕСКОГО...

Номер патента: 1698919

Опубликовано: 15.12.1991

Авторы: Кузнецов, Новиков, Пахомов, Стрижевский

МПК: H01L 29/80

Метки: полевой, полупроводниковый, прибор

...стока и затвора. 1 ил,реход 7,Второй управлякя-,яй Р-г-перехоц 7 располсжеч на расстся чи ст областп истока 4, превышающем ширину области пространственногс заряда управляющего р-л-перехода, во избежание ее короткого замыкания с областью истока и невозможности получения р жима лавинного пробоя.Пслупровоцниксвый полевой прибор работает следующим образом.Обласги 4 и 5 и затвор б подключаются к электронной схизме (не показа на) в соответствии с функциональным назначением прибора, а к дополнительному р-и-переходу 7 псдключают источник пробивного напряжения, с помощью которогс управляют током лавинного пробоя. Изменением ток лариного1 б 98919 Составитель В.Кремленсина Техред д,Олийнык Кор Редактор С Н.Ревская Заказ 4398 ПИ Госу Тираж...

Номер патента: 1699015

Опубликовано: 15.12.1991

Авторы: Каликанов, Туник

МПК: H01L 23/34

Метки: испарительным, модуль, охлаждением, полупроводниковый, силовой

...жидкости, имеется коллектор 13 с системой сопел 14.Каждое из сопл направлено в межре берный промежуток оребренных тепло отводов. Количество сопл определяетсяследующим образом;р=(п) гп,где и. - количество ребер двустороннегооребренного теплоотвода;тп - количество СПП в модуле,Устройство работает следующим образом.При прохождении силового тока, соответствующего длительному режиму работыстатического преобразователя с номинальным рабочим током 1 дном через токоведущиешины 3 и силовые полупроводниковые приборы 1, последние выделяют тепло, котороепередается теплоотводящим элементом 2 идалее диэлектрической жидкости 5, которойзаполнена герметичная емкость 4. Диэлектрическая жидкость закипает и стекает обратно в герметичную емкость,При...

Номер патента: 1699022

Опубликовано: 15.12.1991

Автор: Чижиков

МПК: H01L 23/36, H05K 7/20

Метки: охлаждения, радиатор, радиоэлектронных, элементов

...охлаждения), а также для уменьшения дличы теплопроводных участков расположены по треугольной решетке с шагом й. Тепловое сопротивле ние радиатора представлено большим количеством параллельно соединенных участков (стенок), общих для соседних каналов на протяжении всей длины. Это резко умень, шает тепловое сопротивление радиатора по 20 ,теплопроводности, а в сочетании с развитой поверхностью охлаждения - и всего , радиатора в целом, Каналы 4 охлакдениявыполнены с переменным сечением, рас- ширяющимися кверху и книзу. Это расши,ряет технологические возможностиизготовления массовыми способами (литье под давлением, штамповка), кроме того, уменьшает массу радиатора и снижает потери на краевой эффект, особенно для набе , гающего потока...

Номер патента: 1699023

Опубликовано: 15.12.1991

Авторы: Дождев, Миненко

МПК: H01L 23/36, H05K 7/20

Метки: между, монтажной, навесными, платой, прокладки, размещения, теплоотводом, теплоотводящей, электрорадиоэлементами

...стенками оболочки 3 ее внутреннюю поверхность покрывают тонким слоем разделительной смазки, например, силиконовым вазелином КВпо ГОСТ 15975-70. В оболочку 3 заливают дозированную массу теплопроводного компаунда 4, например, К 5, К 12, КТЭили КТЭпо ОСТ 4 Г 0.029.026 в жидком состоянии и выдерживают узел в режиме отверждения теплопроводного компаунда 4. После=едактор и,Пчол:;иска аллй ректор За 1:аз 440 1 ирах Подписно31,-1 Р 11 ПИОсД.",Гственного к)и)ета ГО изобре Генияч и Открь13035, 1.1 )сква. )1:.-35, Раув 1 ска 5 Наб 4/5 ням при ГЕ 1-П СС прГОго его отверждения узел демо 1 ГГг)уют и удал 51 от Оболочку 3, Полученный Оттиск поНостьо Г 1 овтор 51 ет конфигураци 1 о зоздуиных зазоров узла между обрашен 11 ь 1 ми одна к доугой...

Номер патента: 1699025

Опубликовано: 15.12.1991

Авторы: Большаков, Каликанов, Туник

МПК: H01L 23/34, H05K 7/20

Метки: аппаратуры, бортовой, жидкостным, испарительным, охлаждением, плавучих, преимущественно, средств, статический

...приборы 1, д 1 Оссели 2и траьсфрла)пр 3 Выделяю) тепле. кстоооепередаегся диэле;срической жидкости.ОМВВВЮШей ИХ ПОВерХНОСтЬ, ОтбИрая ЭГО тепло, диэлектрическая жидкость 7 охлаждает указанные выше тепловыводящие элементы и при этом превращается в пар. Парподнимается кверху и, достигнув теплооб 5 менника 4, конденсируется на его поверхности, имеющей температуру нижетемпературы конденсации паров, образовавшийся конденсат пара под действиемсил тяжести стекает вниз и попадает на под 10 дон 5, откуда по трубке 9 стекает в отсек ссиловыми полупроводниковыми приборами1, через отверстие 10 в вертикальнол перегородке 8 переливается в смежнысл отсек, вкотором расположены трансформатор 3 и15 дрпссели 2,Отверстие 10, предусмотренное в вертикальной...

Номер патента: 1700046

Опубликовано: 23.12.1991

Авторы: Атаев, Васильев, Мездрогина, Теруков

МПК: C09K 9/00, H01L 31/0264

Метки: материал, фотопроводящий

...-ности н У(1 в области спектра,До настоящего времени це было известно о влиянии П) ца повьппение фоточувстнительности в У в облас сцектРЯБЬ 3 О 31 Рппт, известно О Влияниина изменение фоточунстнительцости вдлинцоволноной Облясттт спектра 0,59 О,б 5 мкм, что объяснялось общим уве -личсИием Фоточунстнительцости пленокЯ-Б).:Н с Гу.Известно также, что ВнеДЕЦИЕ Н НЕупорядоченнуто структурную сетку я-Б 1Нможет приводить к умРны 1.цию плотнос -Ги локллизонацшх состояцРп, а следовательно, тс увеличенито фоточунстнительности, Однако в данной работе использовалась концентрация 0,1 мас.%.11 ожцо лтппь предположить, что увеличение концентрации 37 У более 0,1% приведет к уменьшению фоточувствительностиза счет увеличения концентрации...

Номер патента: 1700277

Опубликовано: 23.12.1991

Автор: Будревич

МПК: F03B 13/10, H01L 41/08

Метки: будревич, гидравлического, потока, преобразования, электрическую, энергии

...потока в скую содержит пару цилин плавучих колес 1, снабженных ло закрепленными на их обечайкахизмом ориентации по потом в себя трос 6, закрепленой опоре (не показана).ыполнен в виде гибкой бесоэлектрической ленты 7, ектродами, установленноймежду приводными шкивами 8 и 9. Ветви ленты пропущены между рядами промежуточных контактных роликов 10 и 11, которые изолированы от рамы и кинематически связаны со шкивами 8, 9 и осями 4 плавучих колес 1 при помощи передачи 12. Ролики 10, 11 выполнены в виде "беличьего колеса" из Стержней, которые имеют возможность упругого контакта с одной из сторон верхней Йли нижней ветви пьезоэлектрической лен ты 7, на которых находятся электроды 13 и 4 противоположной полярности.Для начала работы...

Номер патента: 1700639

Опубликовано: 23.12.1991

Авторы: Бобровников, Рябиков, Тучинский, Шеревеня

МПК: H01L 21/52

Метки: герметичном, интегральная, корпусе, схема

...расширения (КТР). Это происходит благодаря тому, что толщина выводов не поевышает 35 мкм, в этом случае предел текучести алюминия меньше напряжений, созн)икающих в контактных слоях при перепадах температур, т,е. меньше величин напряжений, вызванных разностью КТР материалов стеклоприпоя и выводов.(роме этоо, такая толщина выводов позволяет присоединять их к кристаллу ультразвуковой сваркой беэ модификации контактных площадок, Экспериментально Тстан влено. что.при толщине выводов свы ше 35 мкм невозможно получить ненапряженные герметичные спаи с легкоплавким 1",.,Теклом. Толщину меньше 15 мкм получить сложноувеличивается трудоемкость иэготовл 8 ния.1(роме того, с целью повышения надежности интегральной схемы под выводы...

Номер патента: 1700640

Опубликовано: 23.12.1991

Авторы: Андреичев, Вовк

МПК: H01L 21/48

Метки: гибридных, интегральных, корпусов, схем

...р фили 3 и 4. На торцевые остроконечные профили заготовки 2 боковых граней наносят металлическое покрытие 5, образующее с Ь материалом заготовок эвтектику. Затем пе- О ред сборкой удаляют с вершин профилей покрытие. Сборку корпуса проводят на оп-, 3 равке 6, зажимая заготовки между электродами 7 и 8. При этом устанавливают шунтирующие вставки 9 и 10, пропускают ток по образовавшейся цепи между электродами 7 и 8 в виде короткого импульса продолжительностью 2 - 3 с в защитной среде.При достижении температуры образования эвтектики, например, никель-титан, происходит оплавление боковых поверхно 1700640стей остроконечных профилей. Одновременно с разогревом на острие профиля действует приложенное к электродам давление.. В процессе сварки...

Номер патента: 1700641

Опубликовано: 23.12.1991

Авторы: Новик, Тур

МПК: H01L 25/00

Метки: полупроводниковый

...сверху горизонтальными планками 9. На вертикальной стенке 8 выполнен фиксатор 10, имеющий обтекаемой формы сечение. Фиксатор 1 О служит элементом упора при закрывании двери 2, давление двери 2 через упругий элемент 11, например резиновую прокладку, передается на перегородки 6, а те своими фиксаторами 10 упираются в щель между теплоотводами 5, Упираясь в щель, фиксатор 10 одновременно перегораживает ее, оставляя для движения воздуха только "живое" сечение (межреберное) теплоотводов 5, При включении преобразователя в работутепло, выделяемое и/и приборами 4 по принципу действия теплоотводов на тепловых трубках, отводится в оребренную часть теплоотводов 5. С помощью вентиляторов (не показаны) из шкафа 1 выкачивается воз дух, создавая в нем...

Номер патента: 1700642

Опубликовано: 23.12.1991

Авторы: Ершов, Сафронов, Селезнев, Ханин

МПК: H01L 25/00, H02M 9/06

Метки: тиристорный

...друга по стержням и имеют одна правую, другая левую намотку, причем конец обмотки б соединен с началам обмоки 5 и эи точки соединены с другими фазами и с одним выводом 7 преобразователя па постоянному току. Свободные начала и концы фазных обмоток соединены с соответствующими тиристорами через шины 8, образуя шестифазную с уравнительным реактором схему выпрямле. ния (см. фиг.4). Блоки тиристоров 3 выполнены в виде шин 9,10, которыми соедлнены три тиристорных набора с охладителями 11, в каждом наборе: по одному тиристору 12 в обыччай схеме выпрямления и па два в реверсивной схеме(на фиг.4 представлена реверсивная схема), Во втором случае блоки снабжены дополнительнымишинами 13, соединяющими внешний электрод тиристора 12 реверса...

Номер патента: 1700796

Опубликовано: 23.12.1991

Автор: Хирилов

МПК: H01L 21/68, H05K 13/02

Метки: носитель, радиоэлементов

...выступов для приводов ленты с помощью приводного ротора 15, Возможно также выполнение на ленте перфорированных отверстий,цля привода. Для прохода ленточного кабеля 11 к разъему 13 служит окно 16 в сердечнике катушки 4.Работа носителя для радиоэлементов поясняется на примерах загрузки-выгруэки и при сворачивании в спираль, т.е, в состоянии, когда носитель, как кассета, помещается на оборудование для измерения ФЭП при комнатной температуре или в камерах тепла и холода, В положении носителя без приборов, когда лента 1 свернута вокруг сердечника катушки 4 держателями 2 внутрь, каждый держатель своей боковой поверхностью нажимает на упругие контакты 9 и 10 соседнего держателя. При этом упругие контакты, деформируясь, входят в...

Номер патента: 1701703

Опубликовано: 30.12.1991

Авторы: Гринева, Комаров, Мирошниченко, Разумовская, Шилкина

МПК: C04B 35/472, H01L 41/187

Метки: керамический, материал, пьезоэлектрический

...- 3,23, Спекание материала проводят в атмесфере кислорода при 1130 - 1170 С в течение 4 ч, Материал имеет следующие характеристики: Тк 277-347 С; (6,75-7,1) 10 кг/м;бэ/е 0120-170; Щ д 1,8 - 2,1%; К(0,61 - 0,68; Ом(т) 4,0 - 8.4; баэз (100 - 123) 10 1 Кл /Н; дзз (73 - 107) 10 В м/Н. 2 табл,Режимы последовательных обжигов; Т 1 = ( 8500 С при т 1 = 10 ч, Т 2=-1000 - 1150 С при (2д = 2,5 ч. Спекание проводят по обычной керамической технологии в атмосфере кислорода при Тп = 1130 - 1170 С в течение 4 ч.В результате получают однофазные поли- ф кристаллические ТР со структурой типа перовскита. Поляризацию измерительных образцов диаметром 12 мм и толщиной 0,5 мм проводят в полизтилсилоксановой жидкости марки ПЭСпри Тп = 100 - 160 С.Еп-(6 - 10) 10...

Номер патента: 1702269

Опубликовано: 30.12.1991

Авторы: Веневцев, Калева, Колганова, Политова, Томашпольский

МПК: G01N 23/227, H01L 39/00

Метки: высокотемпературных, качества, сверхпроводящих

...эоны) проявляется при содержании кислорода, близком к стехиометрии, При потере кислорода происходит изменение в электронной структуре сверхпроводника. заклнчающееся, в частности, в непрерывном ум: ньшении концентрации свободных носителей .- зоне проодмоси с ростом дефицита кислорода. В этом случае независимо от донорн ого или акцепторного типа проводимости число эмиттированных вторичных электронов будет возрастать за счет уменьшения электрон-электронного взаимодейств я, Таким образом, уровень вторичной электронной эмиссии в ВТСП-материалах является функцией степени кислородного дефицита, цто позволяет провести измерения относительного содержания кислорода, Для абсолютных измерений следует применять эталоны.Определим возможность...

Номер патента: 1702456

Опубликовано: 30.12.1991

Авторы: Лукьянов, Осипов, Пеков, Трегубенко

МПК: H01L 21/68, H05K 13/02

Метки: вакуумный, пинцет

...между торцом цилиндрического корпуса 1 и ручкой 7 имеется кольцо 8, выходной продольный канал корпуса 1 может быть выполнен с наконечником 9 и присоской 10,Пинцет работает следующим образом.Зона входного канала цилиндоического корпуса 1, соединенная подводящей трубкой 6 с вакуумной системой, отделена герметизирующей прокладкой 3 ог продольного выходного канала, Прокладка 3 удер1702456 Формула изобретения Составитель З.ЯшинаТехоед М,Моргентал едактор Т.Лошкарева Корректор Н.Ревская Заказ 4548 Тираж Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СС 113035, Москва, Ж.35, Раушская наб., 4/5 оизводственно-издательский комбинат "Патент", г, Ужгород ул.Гагарина, 1 живается в этом положении Д...

Номер патента: 1702457

Опубликовано: 30.12.1991

Авторы: Ескин, Тугов

МПК: H01L 29/73

Метки: выключения, транзисторов

...располагающуюся в основном в активной 5 и пассивной 6 базах и имеющую осьюлинию выхода 12 перехода 8 эмиттер - базана поверхность полупроводника, Генерируемые лавинной дырки 17 дрейфуют к элект 25 роду 7 базы, генерируемые электроны 18 -к электроду 11 эмиттера,Наиболее существенным в этом процессе является то, что выводимые из ВОК 3дырки 19 захватываются мощным полем30 лавины 16, ускоряются им и с высокой скоростью дрейфуют к электроду 7 базы, Диффузионный механизм вывода дырок, такимобразом, в значительной степени заменяется дрей фовым, что приводит к существен 35 ному уменьшению времени выключения, т,е. Повышению быстродействия УВБТ. Скорость диффузии носителей в современныхМВБТ составляет 0,05 - 0,5 мкм/нс, поэ) омутипичное время...

Номер патента: 1702458

Опубликовано: 30.12.1991

Авторы: Йордан, Смирнов

МПК: H01L 29/82

Метки: биполярный, латеральный, магнитотранзистор

...сформирована вторая инжекторная область второ О типа проводимости, расположенная с противоположной стороны от первой контактной базовой области на расстоянии большем, чем расстояние между первой контактной базовой областью и первой инжекторной областью.На чертеже приведен биполярный латеральный магни готранзистор, поперечный разрез, со схемой его внешнего соединения.Биполярный латеральный магнитотранзистор состоит иэ полупроводниковой пластины 1 первого типа проводимости, в приповерхностной области которой сформированы последовательно расположенные на расстоянии один О 1 другого первая контактная базовая область 2 первого типа проводимости, инжекторная область 3 Второго типа проводимости, коллекторная область 4 второго типа...

Номер патента: 1187658

Опубликовано: 07.01.1992

Авторы: Ракитин, Сафонов, Седунов, Тишин

МПК: H01L 27/14

Метки: зарядовой, приборах, связью, фотоприемником

...питание подается на электроды матрицы 4 и регистра 5.После накопления видеоинформации в Ъ,тецение времени от г до,с, когдана один из электродов матрицы подается обедняющее напряжение, происходитсчитывание накопленной видеоинформации. Для этого на электроды 6 и 7,фг 8 и 9, 10 и 11 матрицы и регистра подается общее тактовое питание. При таком способе считывания в выходном регистре происходит суммирование зарядов от элементов, расположенных на диагоналях матрицы. Чтобы считать полностью весь кадр, требуется М+Вимпульсов. Полученная инФормация позволяет определить одну координату 10 изображения. Для определения второй координаты нужно еще раэ воспринять изображение, В течение времени от й 4 до й 5 для этого подается...

Номер патента: 1189300

Опубликовано: 07.01.1992

Авторы: Беляев, Ракитин, Сафонов, Седунов, Тишин

МПК: H01L 27/148

Метки: координатно-чувствительный, фотоприемник

...в диагонально расположенных элементах,Фотоприемник содержит Фоточувствительную матрицу 1 приборов с зарядовой связью с трехфазной электродной структурой, с противоположных сторон которой расположены первый выходной регистр 2 и второй выходной регистр 3, прицем обатакже с трехфазной электродной структурой. Выходы регистров 2 и 3 связаны с выходными диодами 4 и 5 усилителе" соответственно, Соответствующие зы ФР , Фз матрицы 1 и реги 2 объединены, причем порялок ихдования в матрице - сверху вниз, апо регистрам - противоположен, в регистре 2 - слева направо, в регистре 3 - справа налево,Матрица работает следующим образом, В интервале времени-й 1,напряжение на фазах обеспечивает движение зарядовых пакетов по матрицесверху вниз к регистру...

Номер патента: 682062

Опубликовано: 07.01.1992

Авторы: Гребцов, Домашнев, Троицкий

МПК: H01L 39/24

Метки: композиционных, сверхпроводящих, тел

...мас,ь,Предлагаемый способ дает следующиепреимущества,Характер распределения дисперсных частиц сверхпроводящего вещества в пластичной матрице, как показывают исследования, существенноне влияет на характеристики сверхпроводимости, что упрощает процессперемешивания исходных веществ, Трехкратного совместного пропускания ис.ходных порошков через сито с.ячейкой 00 мкм достаточно для обеспече-.ния хорошего формования компактовв любой форм с полУчением для данного материала сверхпроводящихСВОЙСТВ2. Большое число частиц высокодисперсного порошка сверхпроводящейФазы в единице объема позволяет получать проводящие компакты при содержании диэлектрического наполнителя, например фторопласта, вплотьдо 80 об,Ф цто упрощает процессыпрессования и...

Номер патента: 1200798

Опубликовано: 07.01.1992

Авторы: Ливенцов-Ковнеристов, Тверетнев, Трошкин, Ященко

МПК: H01L 31/08

Метки: координатный, кремниевый, многоэлементный, фотоприемник

...веточувст вител ьных площадках1 и 2 нанесены контакты 6, к которымприварены токосъемные проводники,припаянные к ножкам цоколя. Проводники, идущие от четырех малых внутренних секторных площадок 2, прокладываются в радиальных зазорах 3 между кольцевыми периферийными площадками, Это необходимо для того, чтобыне затенять светочувствительные коль"цевые площадки и не создавать ложныхизменений (падений) фотоэлеКтрическихсигналов при пересечении проводниковветовым пятном - изображением ориентира малого размера,В центре светочувствительнойплощадки большого размера (диаметра)10-60 мм, определяемого необходимымнаибольшим полем зрения, при помощиольцевого зазора 4 на светочувствиельной поверхности выделяется фоторлвктриквоки изолированная...

Номер патента: 1263151

Опубликовано: 07.01.1992

Авторы: Ракитин, Сафонов, Седунов, Тишин

МПК: H01L 31/08

Метки: координатно-чувствительное

...пар, электроны двигаются к блоку7 считывания и вызывают изменение потенциала и+-областей. Выбранная дешифратором строка соединяется черезИЦП-транзистор с входом усилителя 10и происходит считывание информациис данной строки. Перебор кодов навходах дешифрагора позволяет вывести информацию со всех строк, Приэтом другой дешифратор не работает.Для считывания информации по столбцам ключи 9 замыкаются, что приводитк образованию каналов переноса заряда между электродами 3 к блоку 6считывания. Таким образом фиксирует:ся информация о световом сигнале подвум координатами что позволяет опре-делить основной его параметр - координаты центра тяжестиУпрощение блока управления позволяет разместить его на одном кристалле с матрицей,. что по крайней мерев...

Номер патента: 1704194

Опубликовано: 07.01.1992

Авторы: Кузнецов, Лебедев

МПК: H01L 21/66

Метки: годности, группам, пластине, полупроводниковых, разбраковки, структур

...активной части структур, проверку электрических параметров указанных областей. маркировку структур по результатам проверки. о т л и ч а ющ и й с я тем, что, с целью повышения надежности разбраковки, контрольные области формируют на поверхности, свободной от защитных пленок, в количестве, соответствующем числу групп годности, а маркировку производят нанесением меток на зти области,2. Способ поп,1, отл ича ющийс я тем, что нанесение меток производят злектроэрозионны," путем. Составитель И.Петрова Редактор С,Патрушева Техред М.Моргентал Корректор С.ЧерниЗаказ 65 Тираж Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035. Москва. Ж, Раушская наб 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г,...

Номер патента: 1704195

Опубликовано: 07.01.1992

Авторы: Гусаров, Костылев, Соболев, Шугинин

МПК: H01L 21/66

Метки: глубоких, исследования, полупроводниках, уровней

...усилителя 21 и синхронноо детектора 22, на вход опорного сигнала которого через 20 фазовращатель 24 подается сигнал с генератора 23 синусоидального напряжения, второй выход которого подключен к мосту 20 полных и ро водим остей. В качестве моста полн ых проводимостей может быть использован 25 трансформаторный мост по схеме, приведенной нв фиг.б. На образец 2, включенный в измерительную цепь моста 20 напряжение постоянного и импульснаго смещения может быть подано по известной схеме. К об разцу 2, включенному в измерительную цепь моста 20, приложено также синусоидальное напряжение с выхода генератора 23 синусоидального напряжения (фиг.2 г). В результате воздействия на образец 2"1- 35 г;льсов заполнения происходит л 1 су "яция...