H01L 21/70 — изготовление и обработка приборов, состоящих из нескольких твердотельных компонентов или интегральных схем, сформированных на общей подложке или внутри нее, или их особых частей; изготовление приборов на интегральных схемах или их особых частей

Номер патента: 528537

Опубликовано: 15.09.1976

Авторы: Баюков, Волков, Журавлев, Калинин

МПК: G03C 11/04, H01L 21/70

Метки: микроизображений, например, реставрации, фотошаблонов

...1 и 2, где 1 - фотошаблон с дефектами, 2, 3 - диазотипный материала, 4 - краска, 5 - зеркальная копия, 6 - пятно. Фотошаблон с нанесенным диазоматериалом устанавливают под микроскоп и наносят на дефекты 2 капельки невысыхающей крас ки 4, максирующей УФ излучение, после чего пластину экспонируют УФ светом. Временную краску убирают тампоном, Изображение проявляют в парах аммиака прп нормальных условиях, В результате над дефектом об разуется пятно 6, маскирующее дефект в УФсвете.Невысыха 10 щу 10 1 сраску можно использовать для маскирования при размере ретушируемых дефектов на темных полях размером 20 более 50 мкм, Реставрированное микроизображение является безрельефным, что важно для операции копирования пзооражений контактным аюсобом. 25...

Номер патента: 561165

Опубликовано: 05.06.1977

Авторы: Калошкин, Катунин, Кулагин

МПК: G03C 5/00, H01L 21/70

Метки: защитного, изображения, рельефного, формирования

...поскольку близлежащий второй край формируется неоптическим путем, что и обусловливает повышение разрешающей способности опроцесса,Формирование второго края кольцеобраэных элементов возможно вследствие того,что боковые стенки рельефного рисункапосле первого проявления получаютсягидрофильными в противоположность верхнейповерхности фоторезистового слоя, Этопозволяет селективно замедлить растворение в проявителе (по сравнению с полностьюзаэкспонированным фоторезистом) частифотореэиста, непосредственно примыкающей к боковым стенкам рисунка, при помощи подходящего реактива в водном растворе. Последующая общая засветка переводит остальную чсь фоторезистовогослоя в растворимую в проявителе форму,которая легко удаляется дополнительнымпроявлением...

Номер патента: 842644

Опубликовано: 30.06.1981

Авторы: Водяников, Гурылев, Лопухин, Шелест

МПК: G01R 31/26, H01L 21/70, H05K 13/00 ...

Метки: интегральных, микросборок, моделированиягибридных, физического

...19 и базовую пластину 20 к вакуумному захвату 11 манипулятора 10. После этого отключается электромагнит 16 управления клапаном, закрывается клапан 15, а затем отключается электромагнит 14 поддержки, Навесной элемент 8 удерживается у базовой пластины 20, благодаря разности давлений внутри и вне колпака 12. Чтобы такое удерживание обеспечить, необходимо, чтобы диаметр отверстий базовой пластины 20 был много меньше размеров меньшего из навесных элементов 8. Расстояние между отверстиями базовой пластины 20 должно быть тоже много меньше размеров навесного элемента 8, в противном случае на базовой пластине 20 будут области, где присосать навесной элемент не удастся, Переместив требуемый навесной элемент 8 и закрепив его на заданном месте,...

Номер патента: 963122

Опубликовано: 30.09.1982

Авторы: Гавриков, Кононов, Махаев, Миненков

МПК: H01L 21/70, H05K 13/02

Метки: поштучной, радиоэлементов, спутники, укладки

...относительнорадиоэлемента загоуженного з гнездо подвижного лотка, и принудительную подачурадиоэлемента в спутник. Ф о,р м у л а и з с б р е т е н и яУстройство для поштучной укладки ра диоэлементов в спутники, преимущественно интегральных схем, содержащее соединенные с приводами механизм подачи радиоэлементоз, ,механизм подачи гпутников с направляющей и механизм поштучной укладки радиоэлементов в спути- ки, снабженный подвижным лотком с подавателем, о т л и ч е ю щ е е с я тем, что, с целью повышения надежности ра:боты устройстве путем о 5 еспечения точ ности совмещения радиодеталей со спутником, подаватель механизма укладки радиоэлэментов в спутник выполнен в виде подпружиненного относительно подвижного лотка штока, а подвижной...

Номер патента: 1018265

Опубликовано: 15.05.1983

Авторы: Ершов, Рагульскис, Храмов

МПК: H01L 21/70, H05K 3/00

Метки: ориентированного, перемещения

....межцу собой цпан з:2 и 3 осуществляется изменением фазыкаин 22, а одна из мембран снабжена -питающего напряжения. пьеэоцвигатвпейрегупировочном винтом 2 З. Пьезодвига- . 1 3 и 14 через коммутирующее устройтели 13 и 14 перемещения кареток 2 и ство, состоящее из постоянных магни 3 состоят из корпуса 24; в .котсром рас тов 35 к герконов 36.полагаются пьезокерамические пластины зй Работа пьезодвигатепей 13 и 14 осу28. н. 26,. каждая из.которых выполнена ществпяется следующим образом,из четырех секций 27, 28, 29 и 30 Питающее напряжение подается от геПьезокерамические пластины 25 и 26 . нератора (не показан) на секции 28 и, снабжены регупировочными винтами 31 29 пьезоппастин 25 и 26, которые соеи.упругими элементами 32. Дпя фикса-...

Номер патента: 1056318

Опубликовано: 23.11.1983

Автор: Кононов

МПК: H01L 21/70

Метки: вакууме

...которого равномерно расположены гнезда для держателей 9 изделий,выполненные в виде направляющих 14,причем направляющие выполнены с ребрами 15, расположенными симметричноотносительно оси направляющих 14,Для ориентированного перемещенияизделий в канале 2 предназначенынаправляющие 16 и 17 для изделий.Направляющие 16 и 17 для иэделийвыполнены в виде рамок, в которыхвыполнены пазы 18 для держателей изделий, ширина которых несколько больше толщины держателей 9, и установлены в канале 2 с возможностью перемещения,Направляющие 16 и 17 для изделийопираются на дно канала 2 бочкообразными роликами 19, которые соединеныс направляющими 16 и 17 для изделийсерьгами 20 подпружиненными пружиной 21, и установлены в канале 2подвижно посредством...

Номер патента: 1058009

Опубликовано: 30.11.1983

Авторы: Глазков, Ивашков, Назаров, Пейков, Рубан

МПК: H01L 21/70, H05K 13/00

Метки: контактов, рихтовки

...конусом 6, сидящим свободно на валу колеса 2 и отжимаемом вверх пружиной 7. Прукина 8 обеспечивает контакт призм 4 с конусом 6, Перемещение конуса б вниз для зажатия детали 5 приз" мами 4 осуществляется рычагом 9 (механизм привода рычага на чертеже не показан ), Рихтовочные элеглентьг содержат рычаги 10, бойки 11. Рычаги 10 и бойки 11 соответственно снабжены пружинами 12 и 13. Бойки 11 выполнены со скосом.В исходном положении (механизм загрузки на чертеже не показан )рихтовочвые элементы находятся. в раскры" том .состоянии за счет наличия пружины 13. В основании 14 с помощью осей 15 закреплены рихтовочные элементы, а.также расположены толкатели 16, с помощью которых рихтовочиые элементы приводятся в движение. Устройство также содержит...

Номер патента: 893093

Опубликовано: 07.03.1984

Авторы: Адоньев, Кононов, Петров

МПК: H01L 21/70

Метки: автоматический, полупроводниковых, приборов, сортировщик

...конструкцией его контактного устройства, состоящего из множества взаимосвязанных и взаимодействующих друг с другом деталей.Цель изобретения - повышение производительности сортировщика.Это достигается тем, что в известном автоматическом сортировщике полупроводниковых приборов, содержащемвибробункер, питатель с приемнымвходом и раэгрузочнья выходом, кон,тактное устройство с двумя гнездамии устройство распределения изделийпо группам, он содержит опору, соединенную с приводом качания и связанную жестко с приемным входом питателя, разгрузочный выход которого снабжен упором.На чертеже изображен общий вид автоматического сортировщика.Автоматический сортировщик содержит вибробункер 1, питатель 2 с приемным 3 и разгрузочным 4 входом ивыходом...

Номер патента: 1115259

Опубликовано: 23.09.1984

Авторы: Бубновский, Кириловский

МПК: H01L 21/70, H05K 13/02

Метки: интегральных, ориентированной, подачи, преимущественно, спутников-носителей, схем, технологических

...- вид по стрелке Г на фиг.З;нафиг. 7 - четыре возможных положения,принимаемых спутниками на лотке; на55фиг.8 - механизм вторичной ориентации; на фиг.9 - вид,по стрелке Д нафиг.8; на фиг.10-12 - сечение Е-Е нафиг.9. устройство для ориентированной по дачи деталей содержит вибробункер 1(фиг, 1) с загрузочным лотком 2, механизм 3 первичной ориентации и механизм 4 вторичной ориентации.Механизм 3 первичной ориентацииснабжен направляющей 5 (фиг.4) с продольным пазом, форма которого повторяет форму боковых элементов спутников (положения В и ънафиг.7) и кли -новидной направляющей 6 (фиг.5),имеющей отверстия, соединенные с воэдуховодом 7.Механизм 4 вторичной ориентации выполнен в виде наклонной плоскости 8(фиг. 8) и снабжен лотком 9...

Номер патента: 965248

Опубликовано: 30.01.1987

Авторы: Губич, Лифлянд, Мазаник

МПК: B05C 1/02, H01L 21/70

Метки: гибридных, интегральных, кристаллов, подложки, преимущественно, схем, установки

...механизма подачи и установки кристаллов.Устройство работает следующим образом. 40 45 50 55 На фиг.1 изображено предлагаемое устройство; на фиг.2 - узел Т на фиг.1; на фиг.3 -то же, нанесение клея; на фиг.4 - вид А на Фиг.2.Устройство содержит подвижное основание 1, на котором установлены координатный столик 2 для подложек 3 и координатный столик 4 для кристаллов 5, и механизм 6 для нанесения клея, включающий установленную с возможностью вращения при помощи привода 7 ванночку 8 для клея. Над ванночкой8 для клея неподвижно установленакрышка 9, на которой закреплен скребок 10 для формирования слоя клеяна дне ванночки, установленный с зазором относительно дна ванночки, величину которого можно регулировать. В дне ванночки выполнена кольцевая...

Номер патента: 1518789

Опубликовано: 30.10.1989

Авторы: Арутюнян, Бабаян, Мирзоян

МПК: B07C 5/08, H01L 21/70

Метки: активности, оценки, сорбента, экспрессной

...высутпенному до постоянного веса, Измеряют высоту расположения электрода, при которой частицы сорбента поляриунтся и притягиваются к электроду. По зависимостям высота электрода - напряжение опредес ляют адсорбциоцную активность, 3 ил., 1 табл.1518789 25 30 Адсорбат 7,; Т С 7,2 Бензол82 700 1,7 0,5 ЦветохромКТо же гексан 0,61 600 0,58 700 0,41 600 8,9 11,1 14,0 12,0 16,0 17,6 2,7 3,3 4,0 То жеи Температура обработки сорбента. П р и м е р 1, Предлагаемым способом определяли электростатические кривые зависимости высоты электрода Н от напряжения на ннх для разных 5 сорбентов из армсорба: немодиФицированного 6, модиФицированного 7, модиФицированного с ПГ х 20 М 8, немодиФицированного с ПЭГ х 20 И 9, Фракции 0,16-0,20 мм (Фиг.2). 10В...

Номер патента: 1519789

Опубликовано: 07.11.1989

Авторы: Абрашин, Иванов, Логвинов, Селезнев

МПК: B07C 5/08, H01L 21/70

Метки: полупроводниковых, приборов, сортировки

...ь 1( 3(РОс)к и д, (Я с 1с ц ИЯ,(3 Р НР 1 3,3(л .(Й( ш(и . Норами 1) Ед сскСр- Л 3(ц 13 П 1 (црс ) 33(кяс р 11 С (31( ц К 13 (ОК ш ,1,1 ц(,1 Ьс 13 рь 1 Г О ГССКт, 351ср ис(нц Ьчя сцргирнки рд(ц(;с сл. .) В 3,(ич ц(р, л..с 3 (л(,п цч, ск;я Иддчд Ориц гирцвдц- ЦЫ С 3( ,1 ЧЦДЦВ (К НССТВ.1 С Гся С ЦЦМЦЦЬК) цибр(к)ср; 5, сгк,1 издс ли ццд(ктся пц нибрц,1 ц 3 к 1 (, ццчц цськ) О ск)тс 151 прци 3- цц 1 С ццц 1 Г 3135 3 цд;чд 3 зчсгНЙ В зцц д р ки и с кцрс ццц. Ис рсл)цссц 3 из,И- шй и (Г (ц(с л)ц)ц.(.су 1;. (.сктс)р-мдцип. , 3Ор О с ( 13(рцс 3 ццц рц(ц(с псрсьчсИИци ц, , 3,)3 с ИЬ 1 сГ(3 ц кццц. )сцд 1, 1 ри .3 ЦЧ Н ЛЦ 33 ЦДД ЦРЦИС,ц СОВПД,Снп(сс; (к( 1,(.ч,ницля(црд с пд(цм Вибрцлотка. В момент совпадения упорная планка 17 рычага 15 находится...

Номер патента: 1630907

Опубликовано: 28.02.1991

Автор: Беккер

МПК: B28D 5/00, H01L 21/70

Метки: кристаллы, пластин, разделения

...чтобы надрезпри скрайбировании алмазным резцом былсвежий. Скрайбирование пластины производят при коматной температуре. Проскрайбированную пластину, надрезы которой наполнены расклинивающей жидкостью, помещают в ванну, содержащую такую же жидкость - раствор гексана в нитробензоле. Затем включают ультразвуковойвибратор и возбуждают в жидкости ультразвуковые колебания,Для расчета собственных частот колебаний кристаллов следует пользоватьсяформулой для пластины с опорой по контуру-- (Гц),2 л 7 па 2где 1. = 9,87(1+ - ):раи Ь - соответственно длинная и короткая стороны кристалла;0= - жесткость кристалла на12 (1 - о )изгиб; .Е - модуль упругости;й - толщина кристалла;а- коэффициент Пуассона;а - масса, отнесенная к единице площади поверхности...

Номер патента: 1767584

Опубликовано: 07.10.1992

Авторы: Гужавин, Калинин, Трубин, Чиненков

МПК: H01L 21/70

Метки: кристаллов, монтажа

...обрарегулируют пружиной 8 так, чтобы не быложесткого контакта между кристаллом 2 иопорными поверхностями 4 инструмента 1.Инструмент 1, удерживающий кристалл2, вместе с кареткой 9 при помощи механизма 10 перемещения поднимается и монтажный столик 11 подает под инструменткорпус 12 изделия с соединительной прокладкой 13. С помощьЮмеханизма 10 перемещения каретку 9 опускают до тех пор,пока кристалл 2 не начнетсжимать соединительную прокладку 13. Каретка 9 останавливае"гся;ЭксперИментально установлено, что сила Рот (Н), с которой газ давит на кристалл 2,подчиняется соотношениюг.,=р.я. - вч 1 - , 1 уб 1где Ро - давление газа в системе (Па);Я - площадь кристалла (м );г,и - величина зазора (м);б - диаметр аксиального отверстия...

Номер патента: 1264783

Опубликовано: 15.08.1994

Авторы: Григоришин, Ефремов, Кривоусова, Муравьев

МПК: H01L 21/70

Метки: микросхем, сборки

1. Способ сборки микросхем, включающий нагрев мест пайки диэлектрических подложек и металлических выводов путем пропускания тока через вывод, пайку подложек с выводами твердыми припоями, охлаждение спаяного узла, отличающийся тем, что, с целью повышения процента выхода годных изделий за счет улучшения распределения температуры в зоне пайки, подложку перед пайкой предварительно подогревают до 500 - 700oС и выдерживают при этой температуре до начала локального разогрева мест пайки, а после снижения температуры в местах пайки до температуры подогретой подложки проводят охлаждение спаяного узла.2. Устройство для сборки микросхем, содержащее соединители с отверстиями в контактах, подвижные пластины с упругими элементами, гнездо...

Номер патента: 822705

Опубликовано: 27.08.1996

Автор: Федосов

МПК: H01L 21/70

Метки: параметров, полупроводников, реализации, электрофизических

1. Способ измерения электрофизических параметров полупроводников, основанный на приложении к одной поверхности полупроводникового элемента постоянного и модулированного электрического поля изменяющегося вдоль поверхности, измерении поперечного электрического напряжения имеющего частоту модуляции, отличающийся тем, что, с целью повышения точности и расширения диапазона измерений, поддерживая пространственный период переменного электрического поля постоянным, измеряют зависимость поперечного электрического напряжения от частоты модулированного электрического поля, по которой судят о параметрах поверхности полупроводника.2. Устройство для реализации способа по п.1, содержащее полупроводниковую пластину с диэлектрическим слоем,...

Номер патента: 1264782

Опубликовано: 10.10.1999

Авторы: Агеев, Лугин

МПК: H01L 21/68, H01L 21/70

Метки: тара-спутник

Тара-спутник преимущественно для бескорпусной интегральной микросхемы с гибкой выводной рамкой, содержащая основание и крышку с элементами фиксации интегральной микросхемы и выступами, отличающаяся тем, что, с целью повышения надежности защиты от статического электричества, она снабжена Ф-образной пластиной с отбортовками, средняя полка которой жестко соединена с крышкой, выступы размещены на внутренних сторонах крайних полок, а отбортовки размещены на наружных сторонах полок.