H01L — Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам

Номер патента: 949742

Опубликовано: 07.08.1982

Авторы: Евмененко, Ковылин, Трофимов

МПК: H01L 41/09, H02N 2/04

Метки: вибрационный, двигатель, линейный

...ость устройства реверемя реверсирования.949742 Формула изобретения НИИПИ Заказ 5764/44 Тираж 761 ПодписноеЪ филиал ППП фПатент",г.ужгород,ул.Проектная Двигатель содержит подвижной элемент, выполненный в виде пьезбэлектри. ческой пластины 1, ролики 2, выполненные из Ферромагнитного материала, корпус 3, содержащий выемки 4, в которых расположены ролики, и электромаг киты 5, расположенные с обеих сторон каждой выемки. Для уменьшения потерь электромагниты выполнены с П-образным сердечником и расположены вдоль осн ролика, Поверхность выемки в месте 1 О контакта с роликом выполнена из твер.- дого материала. Выемка имеет круговой профиль.Вибродвигатель работает следующим образом. 15 На верхние и нижние электромагниты 5, расположенные с...

Номер патента: 949743

Опубликовано: 07.08.1982

Автор: Кузьменко

МПК: H01L 41/09, H02N 2/12

Метки: вибродвигатель

...содержит жесткийкорпус, образований основанием 1 икрышкой 2, внутри которого на осив подшипникам расположен ротор 3.Ротор снабжен зубцами и имеет видмноголучевой звездочки. Между зубцами ротора посредством нружинных держателей 4 укреплены передаточные элементы 5, выполненные в виде тел качения, например шариков или роликов,Вибратор, выполненный,в виде кольца,состоит из жестко скрепленных междусобой износостойкой обечайки б и пье зокерамического кольца 7. Вибраторкрепится эластичной прокладкой 8к крышке корпуса (фиг. 1) или к боковой стенке корпуса (фиг. 2). Кнопка 9 связана с зацепом 10, расположенным на кольце 11, на котором укреплены оси передаточных элементов 5,и служит для перевоца передаточныхэлементов до соприкосновения с правой...

Номер патента: 951483

Опубликовано: 15.08.1982

Авторы: Алексеев, Лазуткин, Хаскович, Шнейдерман

МПК: H01L 21/00

Метки: выводов, подачи, преимущественно, радиодеталей, ферромагнитных

...сприводом 11. Бибер 10 снабжен подпружиненными прижимамгт 12 для каждогоряда гнезд 9.25Каждый из подпружиненных прижимов12 установлен напротив ряда гнезд 9.Устройство также снабжено распределительным кулачковым валом 13, кулачкикоторого взаимодействуют с пневморас Определителем 14 и переключателем 15.Кроме того, устройство содержит . источник постоянного и переменного тока,а также блокуправления, не показыные на чертеже.Устройство работает следующим образом.При вращении распределительного кулачкового вала включается переключатель15, который запускает блок управления, не показанный на чертеже. При помаци блока управления электромагнит 4 соединяется с источником постоянного тока, а электромагнит 2 с источником переменного така.45Под...

Номер патента: 951484

Опубликовано: 15.08.1982

Авторы: Епифанов, Колядко, Масленков, Онегин

МПК: H01L 21/66

Метки: зондовое

...слой с возмскностью поочередного сцепления с поверхностью одного из пневмовакуумных столов.На чертеже показано предлагаемоезондовое устройство,Зандовое устройство содержит корпус 1 Ф 5контактирующий узел 2, предметиый стол 3,платформу 4, два пневмовакуумных стола 5и 6, систему 7 пневмовакуумного управления с пневмовакуумными каналами 8,два пневмопривода 9 с пневмотолкателямио(на чертеже показан Оан), два упругихэлемента 10 (на чертеже показан один),два ограничителя хода 11 (на чертежепоказан Один) На нижнюю повеРхностьпдатформы 4 нанесен фрикционный слой 12,5а верхние поверхности пневмовакуумныхстолов снабжены соединяющимися с каналами 8 проточками 13. Пневмовакуумныестолы 5 и 6 установлены в взаимно перпендикулярных направляющих...

Номер патента: 951485

Опубликовано: 15.08.1982

Авторы: Новолаев, Серебрянников, Титенков, Фрумкин

МПК: H01L 21/66

Метки: автомат, классификации, полупроводниковых, приборов

...с профильным кольцом 6, аксиально закрепленным на транспортирующем роторе 7, ограничительной скобы 8 с регулируемыми упорами 9 и10, контактного механизма 11, рычага12, торцового кулака 13, привода 14, электродвигателя 15. Разгрузочное устройство включает в себя электромагнит16, тягу 17 и откидывающую площадку18. Магазин 19 имеет четырнадцать емкостей для рассортированных приборов,Автомат работает сждующим образом,Из вибробункера 1 сориентированные приборы поступают в загрузочный лоток 2. Лоток 2 закреплен на оси 3 и через ролик 5 подпружиненного рычага 4 находится в контакте с профильным кольцом 6, При совмещении лотка 2 с гнездом в роторе 7, подпружиненный ролик 5 скатывается в паз кольца 6 и увлекает лоток 2 в направлении,...

Номер патента: 824836

Опубликовано: 15.08.1982

Авторы: Васильева, Воровьев, Стафеев

МПК: G02F 1/03, H01L 31/00

Метки: ик-излучения, модулятор

...решетки кристалла) и постоянстве вводимой в кристалл мощности на один носитель заряда е р(р)Е (где р(р) - подвижность дырок, Е - напряженность электрического поля) Ь о (р) падает с ростом дырок в диапазоне р= (1 - 9) 10" см -примерно как Ло р - " (т = 0,5 - О,б 5). Однако величина Ьа р Л (глубина модуляции) при М 1 растет с ростом дырок примерно р"(п=0,35 - 0,5). 5 10 15 20 25 Зо 35 40 45 С другой стороны мощность, выделяемая в единице объема вещества, растет в непрерывном режиме с ростом дырок, что приводит к разогреву кристалла и падению глубины модуляции света.Гаким образом, при модуляции света в непрерывном режиме должна сущестьовать оптимальная область концентраций дырок, для которой достигается максимальная глубина...

Номер патента: 865081

Опубликовано: 23.08.1982

Авторы: Галузо, Матсон

МПК: H01L 29/73

Метки: биполярный, интегральный, транзистор

...рекомбинациопных и инжекционных составляющих тока базы,При малых напряжениях на эмиттерйом переходе, что равносильно режиму малых токов, доля рекомбинационных составляющих в суммарном токе базы становится более существенной, чаще всего бывает больше инжекционной, Последнее вызывает уменьшение коэффициента передачи тока,Наличие в устройстве по изобретению дополнительного слоя 8, отделяющего пассивную зону базы от поверхности, снижает вероятность процесса рекомбинации поскольку в этом случае исключается возможность встречи на поверхности кристалла основных и неосновных носителей заряда (электронов и дырок), Для обеспечения непосредственного контакта к базе дополнительный слой покрывает всю поверхность пассивной базы за исключением ее...

Номер патента: 953685

Опубликовано: 23.08.1982

Автор: Харизоменов

МПК: H01L 43/08

Метки: магнитоэлектрический, полупроводниковый

...через резистор 6 с второй контактной площадкой,. 7, Подложка 1 с полупроводниковым слоем 2 помещена между полю- зо свми источника магнитного поля, силовые линии которого перпендикулярны плоскости подложки 1 с полупроводниковым слоем 2, вторая контактная площадка 7 соединена через конденсатор 8 с Управляю- з 5 щим входом 9, а в полупроводниковом слое сформированы отверстия 10, которые расположены не перпендикулярах к краям контактных площадок 3 и 7, а источник магнитного поля выполнен ревер;4 о сивным, в между первой контактной пло.щадкой Э и ближайшими к ней отверстиями 10 сформированы прорези 11, между которыми на полупроводниковом слое сформированы выходные контакты 12,Устройство работает следутошим образом.При пропускении тока и...

Номер патента: 397118

Опубликовано: 30.08.1982

Авторы: Александров, Ловягин, Торопов

МПК: H01L 27/13

Метки: полупроводниковое

...является расширение ,частотной области применения МДП-струк-туры путем использования в качестве оспо вы совершенного монокристалла германия. енная цель достигается образоваповерхности германия пленки продолжающей совершенную кри кую структуру германия, на осрой сформирована диэлектричека. Толщина кремниевой прослойгерманием и границей диэлекттка кремния много меньше тол пространственного заряда в герма ершенные пленки кремния толщиной 20 - 1000 А на германии получены методом ионного распыления кремния в вакууме при таких температурах, когда свойства германия не изменяются: образование диэлектрической пленки достигается реактивным распылением (возможны другие известные методы).Предложенная МДП-структура состоит из металла,...

Номер патента: 955289

Опубликовано: 30.08.1982

Авторы: Балабуев, Львов, Марченко, Черкас

МПК: H01L 23/36

Метки: выпрямительная, ячейка

...независимо от нагрузки. Все это способствует повышению термодинамической эффективности выпрямительной ячейки. Й = 84/Я = 0,009 К/Вт О = 1,05 К коплавкого металла с невысокой теплопроводностью. Кроме того, зона контакта содержит воздушные прослойки, возникающие из-за микро- и макронеровностей и непараллельности поверхностей прибора и охладптел 5.Пель изобретения - повышение термодина мической эффективности вьшрямительной ячейки.Указанная цель достигается тем, что, в Вместе с тем предлагаемое техническое решение позволяет реализовать теплопередачу через слой армированной прокладки даже в случае контакта неоднородных поверхностей, например, медного вывода корпуса прибора и алюминиевого охладителя. Так, если одна из поверхностей...

Номер патента: 955290

Опубликовано: 30.08.1982

Автор: Кругликов

МПК: H01L 31/14

Метки: фотосчитывающее

...регистр 1 ячейки 2 и 3фотоприемной матрицы, фотодиоды 4, общую шину 5, транзисторы 6, 7 и 8, шину 9 питания, выходную шину 10, регистр 11.Затворы транзисторов 6 являются управляющими входами фотоприемной матрицы, по которым производится предустановка ячеек фотоприемных матриц, заключающаяся в заряде паразитной емкости, подключенной параллельно фотодиоду 4. Затворы транзисторов 8 являются считываю.Михеева 65 И Гос делам осква Пат. Бил Ти дарст иэоб Ж - нт,ВНИИПпо 113035, М лиал ППП шими входами ячеек фотоприемно 71 матрицы. Питание ячеек осуществляется по шинам 5 и 9. Выходной сигнал снимается с общей шины, объединяющей выходы всех ячеек фотоприемной матрицы.Устройство работает следующим образом.Под воздействием управляющего сигнала от...

Номер патента: 414925

Опубликовано: 30.08.1982

Автор: Винецкий

МПК: H01L 21/263

Метки: полупроводниковых, структур

...оси Х образца. Кристалл облучается высокоэнсргстцчсскими квантами (Х, у-сучи), либо электронами высоких энергий; возможно также облучение протонами, нейтронами и другими видами ядерного излучения с энергией, достаточной для образования в образце радиационных дефектов.Вид и энергию радиации и условия облучения (температуру) выбирают таким образом, чтобы образующиеся в результате облучения радиационпые дефекты представляли собой электрически активпыс центры, противоположные по сравнению с легирующей примесью, - доноры в образцах р-типа или акцепторы в и-типе. Доза облучения должна быть такой, чтобы концентрация введенных радиацией доноров в р-(акцепторов в п-) образце оказалась между минимумом и максимумом концентрации легирующей...

Номер патента: 957321

Опубликовано: 07.09.1982

Авторы: Белоусов, Бурмистров

МПК: H01L 21/68

Метки: кассета, подложек, полупроводниковых

...и снабжены размещенными в них графитовыми стержнями 6 с диэлектрическими вкладышами 7, а в каждом графитовом стержне 6 выполнены пазы 8, совмещенные с пазами 3 и 4 каждого диэлектрического стержня, при этом диэлектрические вкладыши 7. одного графитового стержня размещены в каждом четном его пазу, а другого графитового стержня - и ка.кдом нечетном его пазу. Вкладыши 7 фик ируются в диэлектрическом стержне спомощью отверстия 9. В торцах графитовых стержней 6 предусмотрены резьбовые отвсрсгия (нс показаны) для крепления .оковедущих шин от внешнего источника 1 итания.Таки м образом, четные подложки 5, размсщенные в кассете, будут иметь:-лектричсский контакт с одним графитовым стержнем, а нечетные подложки - с другим. Набор гюдложек 5 в...

Номер патента: 957322

Опубликовано: 07.09.1982

Авторы: Ершов, Рагульскис, Улозас

МПК: H01L 21/68

Метки: ориентации, подложек

...основании 2 на упругих элементах 4 и снаб 1 О жеп толкателями, выполненными в виде пьезокерамического элемента 5 и набора 6 пьезоэлементов, Пьезокерамический элемент выполнен из нескольких блоков 7. Набор 6 содержит пьезоэлементы 8, которые охвачены П-образной скобой 9. К последней приклеивается пьезокерамический элемент 5. Пьезоэлемент 8 набора 6 приклеивается к пластине 10 через держатели 11. Сама пластина 10 установлена на основании 2 посредством шарнира 12, В данной конструкции взяты два набора пьезоэлементов. В зависимости от перемещения их можно набирать блоком. Пьезокерамический элемент 5 закреплен на выступе 3 плиты шарнирно.Устройство работает следующим образом.При подключении постоянного электрического напряжения...

Номер патента: 957323

Опубликовано: 07.09.1982

Авторы: Кособродова, Некрасов, Трохан

МПК: H01L 41/08

Метки: деформаций, изгибных, пьезоэлектрический, сигнал, электрический

...3, имеющие различную по направлению поляризацию (направление векторов поляризации показано стрелками), два электрода 4 секции 1 также, как электроды 5 секции 2, могут быть соединены между собой.Преобразователь изгибных деформаций работает следующим образом,Под действием изгибной механической нагрузки происходит деформация пьезокерамической пластины, причем верхние волокна растягиваются, а нижние сжимаются, а так как секции 2 и 3 поляризованы в разные стороны на электродах 4 генерируется заряд одного знака, а на электродах 5 другого. Соединяя электроды как показано на фиг. 1, можно зарегистрировать электрический сигнал, пропорциональный действующей изгибной деформации.Деление электродов на два симметричных и равных по площади производят...

Номер патента: 958986

Опубликовано: 15.09.1982

Авторы: Адаскин, Мишин

МПК: G01R 31/30, H01L 21/66

Метки: мдп-структур, пробивного

...резистор 24 цепи коррекции,другой вывод которого соединен с выходом интегратора 23, выход. Усилителя постоянного. тока подключен к первым входам основного компаратора 18 10и комйаратора 19 коррекции, второйвход компаратора 19 соединен с шиной нулевого потенциала, его выходсвходами. триггера 20 и блока 1 управления, второй вход которого соединенс выходом элемента 21 совпаденияпервый вход которой соединен а выходом основного компаратора 18, второй вход - с выходом трйггера 20, второй. вход которого соединен с четвертымвыходом блока 1 управления, пятый,шестой и седьмой выходы которогосоединены соответственно. с вторымивходами интегратора 23, элемента 25.защиты и дополнительного ключа 22 интегратора, второй вход которого .соединен с...

Номер патента: 958987

Опубликовано: 15.09.1982

Авторы: Овчаренко, Панасюк, Смирнов

МПК: H01L 21/66

Метки: концентрации, полупроводниках, примеси, профиля

...собой одну из одинаковых МДП-структур, сформированныхв едином технологическом процессе,й служит только для определения понему экспериментальным путем пара"метров импульсов формовки (амплитудыи их количества), измеряют неравновесную вольт-фарадную характеристи.-".,ку. По ней определяют величину обедняющего напряжения, соответствующегоминимальной емкости структуры, постоянную величину эмйссии неосновныхносителей с ловушек диэлектрика ь.,время жизни неосновиых носителей внеравновесной области пространственного заряда полупроводника , толщину неравновеснойобласти пространственного заряда при ее пробое И и .скорость насыщения дрейфа носителей Ч .Используя полученные параметрызадают амплитуду импульса формовки,которая должна...

Номер патента: 747370

Опубликовано: 23.09.1982

Авторы: Алфеев, Вербило, Колесников, Коноводченко, Тябликов

МПК: H01L 39/00

Метки: болометр, многоэлементный, сверхпроводящий

...1 из кремния ориентации (100) сформирована тонкая пленка аморфного диэлектрика 2, которым служит трехслойная композиция ЯзК 4 - 5 О - 51 з 1 х 14Толщина слоев этой композиции составляет соответственно 0,05, 10 и 0,05 мкм, 1-1 а поверхности аморфного диэлектрика с помощью вакуумного осаждения и последующей фотолитографии сформировацы тонкопленочные чувствительные дат(ики 3 Б форме меандра, занимающего площадь 100(100 мкм.Дл 5 уменьшения теплоотвода (гг чувствительных датчиков и устранения тепловой связи между ними через основание 1 сделана вышка 4 вплоть до пленки лцэлсктрцка 2. Д 1 я устра 1 ения тепловой связи между соседними элементами в лиэлектри;сской пленке выполнены прорези 5. Для увеличения коэффициента поглошения бо 10 15 Я) э...

Номер патента: 960680

Опубликовано: 23.09.1982

Авторы: Манкулов, Марасанов

МПК: G01R 31/265, G01R 33/07, H01L 21/66 ...

Метки: холла

...участка.На чертеже приведено устройство реализующее предлагаемый способ.Устройство содержит два соосных магнитных зонда 1 и 2, которые являются составной частью магнитопровода электромагнита 3, причем размеры поперечных сечений магнитных зондов 1 и 2 равны. Магнитный зонд2 укреплен на измерительном столена котором расположена полупроводниковая пластина 5, таким образом, цто участок 6, в котором измеряется ЭДС Холла находится в зазоре между магнитными зондами 1 и 2. По границе б участка 7 установлены четыре электрических зонда: два токовых 8, 9 и два холловских - 10 и 11Предлагаемое устройство позволяет обеспечить .резкий перепад индукции магнитного поля до нуля на границе 6 измеряемого участка 7.При протекании тока между токовы.ми...

Номер патента: 961005

Опубликовано: 23.09.1982

Авторы: Кононов, Махаев, Миненков

МПК: H01L 21/66

Метки: виду, внешнему, радиодеталей

...приводом 6, вращающим транспортные каналы 7, образованные тремя струна ми 8. На шестернях 3, соосно странспортными каналами 7, крепятся загрузочные гнезда 9 с Фиксатором 10 и межоперационной тарой - загрузочными пеналами 11. Под транспортными каналами 7 расположен сменный экран 12, приводимый в движение механизмом подъема 13.Устройство работавт следующимобразом.Пеналы 11 с микросхемами Э вставляются в загрузочные гнезда 9, которые крепятся на шестернях 3 с отверстиями 4 для входа и выхода ИС 5, находящихся на торцевой стороне 2 корпуса 1 устройства. Загрузочные гнезда 9 выполняются соосно с транспортными каналами 7, транспортные каналы 7 для ИС в корпусе ДИП образованы тремя струнами 8, имеющими общий механизм натяжения. Затем...

Номер патента: 961006

Опубликовано: 23.09.1982

Авторы: Малков, Ребизов, Федоров

МПК: H01L 23/04

Метки: интегральной, корпус, микросхемы

...сварки в объем З 0 ,корпуса.Указанная цель достигается тем,что в корпусе для интегральной микросхемы, содержащем диэлектрическоеоснование, выполненное в виде полого цилиндра с коммутационными выводами, и .крышку с сечением Т-образнойФормы, в торце боковой стенки основания выполнена Б-образная кольцевая канавка на расстоянии от наружной боковой поверхности стенки непревышающем ширины сварного шва меж Оду основанием и крышкой,Наличие разделительной канавки вторце боковой стенки позволяет осуществлять надежную герметизацию засчет полного проваривания шва от канавки до внешней поверхности боковойстенки основания, и в то же времясохранить широкую опорную контактнуюплощадку для крышки, что увеличива-ет прочность корпуса. 20Кроме того,...

Номер патента: 961007

Опубликовано: 23.09.1982

Авторы: Бансевичюс, Вазнялис, Петрайтите, Рагульскис

МПК: H01L 41/09, H02N 2/12

Метки: вибропривод

...мгновенного тренияпри ударе в зоне контакта вибратора 452 и ротора 1. В предлагаемом виброприводе с геометрическим суммированием колебаний возбуждают высокочастотные колебания одного плеча, например 4 вибратора 2, который определяет направление вращения ротора 1,При неподвижном защемлении несвязанных концов вибратор 2 с предварительным натягом, обеспечивающимоптНмальное значение угловой скорости, в вибраторе 2 из-за отклоненийконтура ротора, от идеальной окружности и биения его опор возникаютмедленно меняющиеся механические напряжения, приводящие к появлениюзарядов наизмерительном электроде 7 60плеча 3 вибратора 2. Заряды поступают на вход модулятора 10, которыйуправляет величиной высоковольтногонапряжения, поступающего на...

Номер патента: 782510

Опубликовано: 23.09.1982

Авторы: Версоцкас, Кальвенас, Михаляк

МПК: H01L 21/66

Метки: поверхностного, полупроводника, потенциала, электростатического

...термоэдс от постоянного напряжения на емкостном контакте с ес теоретической зависимостью от поверхностного электростатического потенциала полупроводника при фиксированной энергии электромагнитного излучения.Данный способ осуществляют следующим образом.К полупроводниковому образцу с одним металлическим и другим емкостным контактами прикладывают постоянное смещающее напряжение такой малой величины, чтобы существенно не нарушалось термодинамическое равновесие между свободными носителями тока и решеткой полупроводника. Измеряют суммарную емкость образца С, состоящую из емкости области поверхностного пространственного заряда С,-, и емкости диэлектрика Со, под емкостным контактом в зависимости от величины постоянного смещающего напряжения...

Номер патента: 963120

Опубликовано: 30.09.1982

Авторы: Зайцев, Зенкович, Иванушко, Токарев

МПК: H01L 21/00

Метки: кассета-спутник

...на втулке со стороны, противоположной размещению обоймы.На Фиг. 1 изображена предлагаемая кассета -спутник; на фиг. 2 - втул 45 ка в замкнутом состоянии; на Фиг,3- то же, в разомкнутом состоянии.Кассета-спутник содержит основание 1 с цилиндрическим выступом 2, размещенную на нем эластичную плен ку 3, с разделенной на кристаллы полупроводниковой пластиной 4, закрепленную в зажимных кольцах 5 и 6, установленных концентрицно цилиндВтулка 8 установлена на цилиндрическом выступе 2 основания 1 с возможностью перемещения вдоль его оси и на ее внутренней стороне втулки выполнеена Фигурная проточка 10 с плоской поверхностью 11 и конусной поверх" ностью 12, В фигурной протоцке 10 расположено кольцо 13 с гнездами в которьх размещены тела 15...

Номер патента: 963121

Опубликовано: 30.09.1982

Автор: Устинов

МПК: H01L 21/66

Метки: интегральных, отклонений, размеров, структура, схем, тестовая, элементов

...резисторы 36, прямоугольный элемент 7 из поликристаллического кремния, прямоугольные окна 8 в диэлектрическом слое 9,проводники 10, контактные площадки11, прямоугольные области 12 с меньшим 1 чем у резисторов удельным сопротивлением.Пример применения тестовой структуры (ТС), имеющей прямоугольные области с меньшим, чем у материалатонкопленочных резисторов удельнымсопротивлением (фиг. 1 и 3).На окисленную поверхность 1 полупооводниковой подложки 2 нанесенылитографические слои, в которых выполнены тонкопленочные резисторы 3-6.Каждый из них представляет собой пря;моугольный элемент 7 из поликристаллического кремния, к которому сверхучерез прямоугольные окна 8 в диэлектрическом слое 9 контактируют проводники 10 и контактные...

Номер патента: 963122

Опубликовано: 30.09.1982

Авторы: Гавриков, Кононов, Махаев, Миненков

МПК: H01L 21/70, H05K 13/02

Метки: поштучной, радиоэлементов, спутники, укладки

...относительнорадиоэлемента загоуженного з гнездо подвижного лотка, и принудительную подачурадиоэлемента в спутник. Ф о,р м у л а и з с б р е т е н и яУстройство для поштучной укладки ра диоэлементов в спутники, преимущественно интегральных схем, содержащее соединенные с приводами механизм подачи радиоэлементоз, ,механизм подачи гпутников с направляющей и механизм поштучной укладки радиоэлементов в спути- ки, снабженный подвижным лотком с подавателем, о т л и ч е ю щ е е с я тем, что, с целью повышения надежности ра:боты устройстве путем о 5 еспечения точ ности совмещения радиодеталей со спутником, подаватель механизма укладки радиоэлэментов в спутник выполнен в виде подпружиненного относительно подвижного лотка штока, а подвижной...

Номер патента: 963123

Опубликовано: 30.09.1982

Авторы: Абдул-Заде, Агаев, Алекперова, Ахмед-Заде, Ахмедов

МПК: H01L 45/00

Метки: переключательный, тонкопленочный, элемент

...Ж 35, Раушская Подписноета СССРтийнаб., д. 4/5 аказ ППП "Патент", г. Ужгород ул, Проектн или 3 9631напыления необходима термобработка втечение 1,5 2,0 ч при 240-270 С 2,Недостатками известного устройстваявляются наличие гистерезиса в вольтамперной характеристике (ВАХ), вызванныйбольшой емкостью структуры, кроме тогоактивная область двухслойна, а также необходимость в золотых электродах и термообработке.Бель изобретения - упрощение конструкции трехс табильного переюпочателя,обладающего безгистерезис ной симметрией.Указанная цель достигается тем чтообласть полупроводника выполнена на ос- ииове полукристаллического сплава АВСоВ в соотношении (30 40)Я 5 и (7060)% СоЬ с концентрацией носителей(10-10") см .На чертеже представлена...

Номер патента: 730227

Опубликовано: 07.10.1982

Авторы: Волле, Воронков, Грехов, Левинштейн, Сергеев, Чашников, Яссиевич

МПК: H01L 31/16

Метки: переключения, полупроводникового, прибора

...способу,оснещенив описанных выше структур произ водят со стороны слаболегированцого базового слоя, что позноляе. устранить потери света, связанные с нефотоактин. цым поглощением ца примесях н сильнолегиронацном слое и усиленным поглощением н области сильного поля у рИ -перехода (эффект Франца-Келдыша) . В слаболегиронанном слое ицтенсинность света падает по закону 1(х) -енр Г Ы(Л) х 3,О а концентрация гецерируеьд.:х светом носителей - по законуН(х) - КЕКрГ-Ы(Л) х 3 где с( Л) - коэффициент поглощения н материале освещаемого слоя, занисящий от длины волны;- интсц: ивность освещения на поо верхности; й - поверхностная концентрация геб нерируемых светом носителей, Длину волны света выбирают из условия р(Л) Н1-2, где И - толщина...

Номер патента: 849928

Опубликовано: 07.10.1982

Авторы: Ахметов, Болотов, Смирнов

МПК: H01L 21/263

Метки: кремния, повышения, стабильности, характеристик

...содержание углерода ( МЪ34 10 см) определяет эффективностьперестроек кислороца в % и выэьвает дополнительные реакции в кристалле матрицы, Учитывая, что концентрации примесей 0 и С, а также легируюших примесей (бор, фосфор и др.) в кристаллах кремния превышает предел растворимостив условиях производстм и эксплуатации полупроводниковьк приборов, следует .ожидать неконтролируемых измененийих состояний в кристалле, а следовательно, и неконтролируемых изменений параметров материала и приборов. В частности, изменение концентраций кислородаи углерода приведет к нестабильностипараметров ряда полупроводниковыхприборов на основе кремния. Так, например, будет меняться чувствительностьпримесных инфракрасных фотоприемниковв области 9 и 16,5...

Номер патента: 964556

Опубликовано: 07.10.1982

Авторы: Гохт, Зеевалд, Крюгер

МПК: G01R 1/00, G01R 31/28, H01L 21/66 ...

Метки: иглоноситель, микросхем, полупроводниковых

...множества одинаковых изогнутых остриев игл, чтобы игла была образована заменяемо с повторным применением всех остальных частей иглоносителя,без демонтажа последнего,и чтобыпри смене иглы плоскость, образованная иглой и изогнутыи острием иглы,располагалась перпенд)лкулярно к верхней поверхности полупроводниковоймикросхемы.Иглоноситель для проверки полупроводниковых микросхем на полупроводниковой подложке,ииеющий )1 глу с пригодныи для контактирования с кон -тактной площадкой иэогнутыи острием,состоит из корпуса, припаянного однимприсоединительны)л концо)л к карте дляигл.Игла иглоносителя ииеет на стороне, поотивоположной изогнутому острию, отогнутый под угло)л), предпочтительно вертикально, конец, причем этот конец иглы вводится в...