H01L — Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам

Номер патента: 1820425

Опубликовано: 07.06.1993

Авторы: Козлов, Кузьминык, Уразов

МПК: H01L 21/66

Метки: параметрам, пластине, разбраковки, стабилитронов, структур, электрическим

...микроскопа совмещают над неподвижным зондом 3 , Вертикали на одной оси подвижный зонд :.;:. Г 1 омеща 1 от в зазор между зондами пластину 6 и ориентируют пЬд зонд 5 контактный выступ 8 Верхней плоскости пластины, нижний контактныЙ выступ 7 пластины автоматически совмещается с неподвижным зондом Э устройства. Пластина фиксируется на поверхности приспособления с помощью Вакуумного присоса.Предметный солик 1 зондовой установки Ориентируется по осям Х, У, С включением зондовой установки в режиме "Автомат" подвижный зонд поочередно коГ тактирует с каждым контактным выступом пластины и согласно заданной программе От источника измерителя подается ток или прикладывается напряжение В зависимости От измеряемого Гараметра.Разбраковыва"...

Номер патента: 1820426

Опубликовано: 07.06.1993

Авторы: Гайсаров, Гольдштейн, Левин, Чадаев

МПК: H01L 25/00

Метки: вентильный

...пятый модуль пятыеветви ка,кдой группы параллельных вентилей), а наименее загруженным - первый модуль.Для выравнивания нагрузок параллельных модулей токопОдводящие шины переменного тока, расположены вдоль сборныхшин переменного тока Одноименных Фаз.При этом за счет взаимных индуктивностеймежду токоподводящими шинами и сборными шинами на у цастках сборных шин появляются ЭДС вэаимоиндукции, направленныенавстречу текам небаланса. Величины этихЭДС определяются коэффициентом взаимной индуктивности, а значит расстоянием имежду шинами ввода и сборными шинами.Меняя величину Ь можно добиться требуемой компенсации небаланса токов,Для рассматриваемой конструкции преобразователя проведены расчеты по определению величин Ь для каждой...

Номер патента: 1820493

Опубликовано: 07.06.1993

Автор: Каликанов

МПК: H01L 23/48, H01L 25/00, H05K 7/20 ...

Метки: полупроводниковый, прибор, силовой

...Противоламинарные наплывы 5 на металлических покрытиях, шахматное расположение контактов штырьков с покрытиями, квадратное сечение штырьков также повышают эффективность охлаждения за счет турбулизации потока жидкого диэлектрика : около охлаждаемых поверхностей металлических покрытий и штырьков, Силовой элек.трический ток подводится к полупроводниковой структуре через частично полые штырьки теплоотводов, заполненные жидким. металлом 8, например сплавом калия и натрия (25; Ка+ 75 О К), и металли.ческие покрытия кремниевой пластины со стороны анода и катода. Ток к металлическим покрытиям от штырьков подводится дискретно,. в местах контактов штырьков.с . поверхностью покрытий. Но далее ток растекается по толщине металлических...

Номер патента: 1820962

Опубликовано: 07.06.1993

Авторы: Бернат, Богомяков, Горохов, Дученко, Якунин

МПК: H01L 23/14, H01L 25/03

Метки: модуль, полупроводниковый

...где а - высота, Ь -аширина изгиба, увеличивается расстояние между основанием и коллекторным выводом. Это позволяет повысить надежность модуля. 2 ил. канчивается не доходя до торцевой поверхности корпуса 6, что определено его геометрическими размерами; а - высотой изгиба, относительно нижней плоскости монтажной площадки 2 и Ь - шириной изгиба,В конкретном случае размеры изгиба лежат в пределах: а = 1 - 1,2 мм, Ь = 1,5 - 1,6а мм,.что соответствует отношению - = 0,62 - -0,8 и не выходит за его пределы. Увеличение размеров изгиба приводит к тому, что неоправданно возрастает расход материала, Изгиб выходит за пределы стандэртного корпуса, а это ведет к увеличению размера корпуса, и, следовательно, теряется возможность...

Номер патента: 1616488

Опубликовано: 23.06.1993

Авторы: Грахов, Лебедев, Тлявлин, Тухватуллин

МПК: H01L 41/12, H02N 2/02

Метки: исполнительным, магнитострикционным, устройством, шаговым

...Кривые ОА и ОА характеризуют процесс смещения рабочей точки магнитострикционной трубки в продольном и поперечном направлении соответственно. Кривые АЕРО и АК Р О хэрактвриэуют процесс смещения рабочей точки в исходное (точка О) положение при снятии остаточных деформаций магнитострикционного элемента импульсом поперечного поля Нр (релаксационное коэрцитивное магнитное поле), приложенного в точках А и А. Рабочие точки в продольном и поперечном направлениях за счет , возрастания поперечного поля Нр = Н поп и спаДа пРОДольного пОлЯ Нпрод ДвигаЯсь из точек А и А, проходят через ось абсцисс (Нпол - Нпрод) и образуют нечетные магнитомеханические петли в продольном направлении ОАЕРО и в поперечном направлении ОА Еф РО, Экспериментально можно...

Номер патента: 957699

Опубликовано: 23.06.1993

Авторы: Грахов, Кусимов, Смоленков, Тлявлин

МПК: H01L 41/12

Метки: магнитострикционное, перемещений, угловых

...ния, намотанную равномерно на движитель, выходной узел 4, Каждый слой движителя, например слой 5,(фиг,2), соединен с одним соседним слоем 6 на стыках квадрантов, лежащих по одному диаметру слоя, а с другим соседним слоем 7+ на стыках квадрантов, лежащих по другому диаметру слоя. Соединения слоев показаны утолщенными отрезками. Соседние квадранты каждого слоя, например, части 8,9, 10, 11 (фиг 1) слоя 5, и рядом лежащие части соседних слоев, например, 9, 12, 13 слоев 5, 6 и 7 соответственно, выполнены из материалов с разными по знаку коэффициентами магнитострикции.При подключении обмотки возбуждения 3 к источнику постоянного тока в движителе 2 возникает направленное по окружности магнитное поле и вследствие линейного...

Номер патента: 1823031

Опубликовано: 23.06.1993

Авторы: Дьяков, Елисеев, Комаров, Учайкин

МПК: H01L 21/28

Метки: пластины, полупроводниковой, соединения, термокомпенсатором

...1 ых материалов. Верхняя граница зависит только от минимальной температуры плавления одного из соединяемых материалов, Создание избыточного давления определяется моментом равномерного прогрева структуры и установлением равновесного тел 1 пературного состояния лежду ней и окружающей средой.П р и и е р ы осуществления способа.Способ был асуьцествлен на специальной установке, позволяющей создавать вакуумдо 10 мм рт.ст, и избыточное давление до-в60 атм, а также осуществлять нагрев до 800 С, Перед проведением процесса собирают структуру, состоящую из термокомпенсатора - молибдена 55 мм, на нее накладывают силуминовую фольгу с 12содержанием кремния диаметром 54,6 мм, которую накрывают кремниевой пластиной диаметром 54 мм. Собранную...

Номер патента: 1823032

Опубликовано: 23.06.1993

Авторы: Андрущенко, Климин, Стучинский, Щемелев

МПК: H01L 21/66

Метки: диффузии, длины, многокомпонентном, полупроводнике, электронов

...фотоэффекта на одном изкраев рентгеновского поглощения одногоиз элементов, входящих в состав полупроводника и получить значение длины диффузии электронов иэ решения уравнения:Бг =- А(Ек + г)/А(Ек - г),где Ь - величина скачка рентгеновского фотоэффекта, измеренная на крае поглощенияодного из элементов, входящих в состав полупроводника, Е( - энергия края поглощения данного элемента, г - малая величинаэнергии, равная ширине энергетическогоуровнн, соответствующего данному краюпоглощения, Функция А(Е) определяетсявыражением (1).Теоретическое исследование связискачков рентгеновского фотоэффекта с длиной диффузии электронов в полупроводнике проведено авторами впервые и влитературе не описано,Способ реализуют следующим...

Номер патента: 1823033

Опубликовано: 23.06.1993

Авторы: Андрущенко, Климин, Стучинский, Щемелев

МПК: H01L 21/66

Метки: диффузии, длины, многокомпонентном, полупроводнике, электронов

...Й. - число возможных рентгеновских радиационных переходов в атоме 1-того элемента. Во-вторых из рентгеновских фото- и Оже-электронов, возникающих в слое 02 при поглощении в нем флуоресцентного рентгеновского излучения, возбуждаемого по всему объему полупроводника падающим рентгеновским пучком. Полная энергия этой группы электронов Ю/2(2),1823033 Приведенное выражение есть уравнение относительно величины . - длины диф.фузии электронов в полупроводнике.Следовательно, для определения длины 5 диффузии электронов в полупроводнике достаточно измерить угол падения рентгеновского пучка на поверхность полупроводника, при котором отсутствует скачек рентгеновского фотоэффекта д, на 10 одном из краев рентгеновского поглощенияодного иэ...

Номер патента: 1823034

Опубликовано: 23.06.1993

Авторы: Андрущенко, Климин, Стучинский, Щемелев

МПК: H01L 21/66

Метки: полупроводника, характеристик

...фотоэффекта. Е - малая величина энергии, равная ширине энергетического уровня, соответствующего данному краю поглощения, 1823034,и) 1 Е) = А т) ) Е) Х) р/Мо - частичный коэффициент поглощения рентгеновского излучения с энергией кванта Е атомами 1-того. элемента, входящего в состав полупроводника, А) - атомный вес 1-того элемента, Х) -доля 1-того элемента в полупроводнике (количественный элементный состав), т) (Е) -массовый коэффициент ослабления рентгеновского излучения с энергией кванта Е в1-том элементе полупроводника, р - плотность полупроводника, Мо - молекулярныйвес полупроводника,,и(Е) - линейный коэффициент поглощения рентгеновского излучения с энергиейкванта Е полупроводником:д тЕ) = , И (Е) М - число...

Номер патента: 1823035

Опубликовано: 23.06.1993

Авторы: Андрущенко, Климин, Стучинский, Щемелев

МПК: H01L 21/66

Метки: полупроводника, физико-химических, характеристик

...квантов и эмиссии возбужденных электронов в вакуум.40 Если монохроматический пучок рентгеновского излучения с интенсивностью А=НОВ м, где Мо - число ежесекундно падающих квантов, а Ьэнергия кванта, падает под углом р к поверхности полупроводни ка, то на глубине 2 от поверхности в слое б 2возникнет Н(2) собственно рентгеновских первичных электронов, 8 еличина Н(2) будет складываться;во-первых иэ рентгеновских фото- и 50 Оже-электронов, возникающих в слое б 2при поглощении в нем падающего рентгеновского излучения. Полная энергия этой группы электронов 9/1(2):м и;55 ф,(4.Р(.е Р(- Ь ч)Х(Ь 4-Х Р;МЧ;) 1% Рдг где р - линейный коэффициент поглощения рентгеновского излучения с энергией кван- тОВ Ь Рл ПОЛУПРОВОДНИКОМ, Р 1 ЧаСтИЧНЫй линейный...

Номер патента: 1823036

Опубликовано: 23.06.1993

Авторы: Бочарова, Рыжков

МПК: H01L 21/66

Метки: качества, полупроводниковых, структур

...ВАХ вырождается впрямую линию с наклоном где Мь ь - концентрация свободных носителей заряда в подложке,При освещении оптическим излучением структуры происходит фотогенерация свободных носителей с глубоких уровней, что приводит к изменению сопротивления Яз; Отсюда легко получить выражение для определения отношения концентрации глубоких центров к концентрации свободных носителей в подложке Используя конечные приращения, формула (6) на линейном участке ВАХ прекращается в формулу (1).Если к структуре приложить напряжение, смешающее буферный слой 2 в обратном направлении (обратное смещение), то его сопротивление возрастает с ростом напряжения (насыщение) и затем по мере увеличения Оо уменьшается (пробой). При ОПРЕДЕЛЕННЫХ ЗНаЧЕНИЯХ О -...

Номер патента: 1823037

Опубликовано: 23.06.1993

Авторы: Воронин, Коган, Комаленков, Никитин, Тепман, Феоктистов, Чибиркин

МПК: H01L 23/36, H05K 7/20

Метки: охладитель, полупроводникового, прибора

...свинца или пластичного материала. Работа охладителя фиг.5 аналогична работе охладителя, изображенного на фиг, 2 и 3. Применение таких конструкций упрощает решение проблемы коррозионной стойкости и совместимости материалов внутри охладителя при одновременном снижении материалоемкости и трудоемкости его изготовления. Изображенный нэ фиг. 6 охладитель полуп роводникового прибора содержит корпус 1, связанные с ним гибкие теплопередающие диафрагмы 2 с возможностью контакта их внутренних поверхностей с теплоносителем 3, а на их внешних поверхностях размещены полупроводниковые приборы 4. Между внутренними поверхностями гибких тепло- передающих диафрагм 2, примыкая к ним, размещена составная эластичная опора 11, состоящая из 2-х дисков...

Номер патента: 1823146

Опубликовано: 23.06.1993

Авторы: Глотов, Тяжев

МПК: H01L 27/14

Метки: дискретных, приема, сигналов

...знаках очередной и предыдущей выборке формируется импульс добавления. При разных знаках очередной и предыдущей выборок формируется импульс исключения. В других случаях когда обе выборки по модулю велики или обе малы, импульсы добавления и исключения не формируются, Таким образом обеспечивается фазирование импульсов управления моментами выборки из входного сигнала, поступающими на управляющие входы АЦП 2 и регистра 8 с выхода выделителя 10, Формирование выходного сигнала осуществляется с помощью решающего блока 5. Нд фиг. его вход поступает выборка с выхода АЦП 2, а на другой вход - значение амплитуды сигнала с выхода блока 3. Если выборка по модулю близка к амплитуде сигнала, то, в зависимости от ее знака формируется импульс на одном...

Номер патента: 1823806

Опубликовано: 23.06.1993

Авторы: Атсуси, Кен-Ити, Тосиро

МПК: B25J 7/00, H01L 41/08, H02N 2/00 ...

Метки: микроманипулятор

...49, поддерживающий перемещающий элемент 50, соединяется с шарнирным рычагом 51, который имеет кратное число степеней свободы, и снабженспиральной пружиной 52, намотанной на50 55 него, Вращаемый рычаг 49 осуществляет вращательное движение вокруг вращающегося вала 53, который удерживается фрикционной силой, использующей упругую силу спиральной пружины 52. Шарнирный рычаг 51, имеющий кратное число степеней свободы, снабжен сферическим телом 54 в нижней части. Сферическое тело 54 находится в тесном контакте с основанием 55 через фрикционную поверхность 56 и удерживается нв ней при помощи этой фрикционной силы. Аналогично показанному на фиг.3,4, вращаемый рычаг 49 по фиг.11, 12 также содержит две пластины, расположенные одна над другой,...

Номер патента: 1823931

Опубликовано: 23.06.1993

Авторы: Авдеенко, Калинин, Нефидов, Пак, Поляков, Сведе-Швец

МПК: H01L 31/10

Метки: фототранзистор

...На чертеже показана стру гаемого устройства. Фототранжит изолирующую подложку сформирован участок кремни двумя областями п типа 3 и 4, соединены 2 электрода 5 и 6 но. Управляющий электрсд 7 над р-областью 2 и изолирова лектрическим слоем. Устройс следующим образом.1823931 На управляющий электрод 7, расположенный на диэлектрическом слое 8 подается опорное напряжение величиной равное1 А - Оя + Ь О, где Опор - пороговоенапряжение МОП транзистора, сформиро+ +ванного областями п, р, и, 3,2 и 4 соответственно и электродом 7, а Л Онапряжение, равное примерно (0,050,5)Опор, При этом транзистор приоткрыт ичерез него протекает незначительный темновой ток порядка единиц-десятков мкАпропорциональный величине (Оол-Олэр)(1),Под воздействием квантов...

Номер патента: 1823932

Опубликовано: 23.06.1993

Авторы: Инкин, Князев, Кулик, Махов, Павлов, Самсонов

МПК: H01L 39/12, H01L 39/24

Метки: высокотемпературной, иттрия, основе, пленки, сверхпроводящей, тонкой, формирования

...с энергией менее 1 эВ; потоком тяжелых части плазмы с энергией 0,1 эВ и потоком электромагнитного излучения10 эВ). Эти воздействия обеспечивают низко- температурную нетепловую модификацию пленок буферного слоя эа время воздействия менее одной секунды. Отсутствие высокоэнергетических частиц обеспечивает формирование совершенной кристаллической структуры на поверхности и в приповерхностном слое буферной пленки, что позволяет приблизить свойства буферных слоев к свойствам монокристаллических пластин соответствующих материалов. Обеспечивается согласование кристаллических структур ВТСП пленки и буферного слоя. В сочетании с очисткой поверхности от адсорбированных слоев это создает условия для формирования вышележащих ВТСП пленок...

Номер патента: 1417721

Опубликовано: 23.06.1993

Автор: Диковский

МПК: H01L 29/73

Метки: биполярный, генераторный, мощный, свч-транзистор

...коллектортранзистора по постоянному току отзамыкания на базовый электроД. Натех же кремниевых кристаллах, гдерасположены блокировочные конденса4 Цторы с одного. края созданы ЙОП-конденсаторы 8 с площадьш электрода каж.фдого конденсатора, равной х 10 4 см,а с другого. краятойкопленочныенихромовые резисторы 9 с сопротивлени+ем каждого резистора, равным 4 Ом.45Четыре кристалла с ИОП-конденсаторамии резисторами смонтированы мк, чтосредние элементы объединейия вклвчафит в себя последовательно вкличеиныерезисторы, а крайние элементы объеди Ыпения - последовательно вкличеиныеконденсаторы. Объединение выполненос помощьи объединяащи индуктивныхэлементов 10 длиной не более 0,4 ммиз алимиииевой ленты сечением 240 Я30 мкм, Внутренняя цепь...

Номер патента: 1491299

Опубликовано: 30.06.1993

Авторы: Грахов, Кусимов, Лебедев, Любарский, Прохоров, Тлявлин

МПК: H01L 41/09, H02N 2/02

Метки: двигателем, линейным, шаговым

...О тяже ци)т дон жуве го эле мецтд дос 1 игдет уст;тцстчтншегося зцачеция,зстттиттт 1,1 г ближний к дгрузке зажим.ИР)т ЗГсм 1 ДГРУЭ, ИЕРЕЛЕЩДЕтСЦ ЦаОдиНдб 1 ОбИ тт ) Ого Х)дд дн) тжчЦС С)С) Э 1 Г 1 С.Ц Г а ЦДЭС)Е ФИКГИРЧН)Тдн)т),;ттй):.)н ч г ближцил зд)юттс)мОбссто л 1 Обмотку двжутцего элс. -и цтд ; с)длрсмс)тцо здцитьтндют нгор и 1)зэм т Ф 1 с:црчют ет О при носстдцогчтсл) т )ноцдчдльцых рдэмеров Дттт)НЦс ГО Э. Л т Г,111) рдс тжс )цдгрузки, при ие 1) смсг 1 Р т т с: 1 "ноподан)т уира вя ющ с тсзэтсйс т т)тс. д движущий элемецтс Одцг)н 1 ем цц);и освобождением ддльцСО ОГ и )1)у:с) ЗджИМд И Н ЛОЛЕИТпост)тженя стансцттцпегося значениям тт)Гостг)н 1 Рй д.ФОрмд сии рдс т)жеи) фтксирунгг его. Лдлсс Обест Он нд нт Обмотку ттижчтт 1 ГО мд...

Номер патента: 1254968

Опубликовано: 30.06.1993

Авторы: Грахов, Кусимов, Тлявлин

МПК: H01L 41/12, H02N 2/00

Метки: варианты, его, микроперемещений

...с продольной поляризацией. Устройство содержит (Фиг, 1) консольно закрепленный на основании 1прямоугольный двухслойный элемент 2,составленный из скрепленных междусобой пластинок 3 и 4. Пластинка 3выполнена из пьезокерамики и поляризована по толщине, а пластинка 1 вы"полнена из магнитострикционного ма"те 9 иала. На внешней поверхности элемента 2 со стороны пьезопластинкирасположена обкладка 5, источникэлектрического напряжения 6 подсоединен к пластинке 4 и обкладке 5.Пластинка 4 магнитно поляризованав поперечном направлении за счет магнитной связи с источником поля,выполненным в виде магнитопровода 7с постоянным магнитом 8. На магнито"проводе 7 размещена обмотка намагничивания 9, подсоединенная к источнику тока 10,Изобрет":.не...

Номер патента: 993791

Опубликовано: 30.06.1993

Авторы: Грахов, Кусимов, Тлявлин

МПК: H01L 41/12, H02N 11/00

Метки: двигатель, магнитострикционный, шаговый

...подшипник установлен насвободном торце вала,)5свободный конец магнитострикциснного элемента выполнен в вире диска, д сопряженный с ним торец валаснабжен сланцем диаметр которого рзвен диаметру диска, при этом упорный подшипник установлен на торце фланца;диск магнитострикционного элемента установлен так, что он является частью магнитопровода замыкающего кжухд,Нд гиг,1 схематично изображен магнитострикциснный рвигатель, разрез; нд Фиг. 2 - вариант исполнения двигателя с конусообразным выполнением свободного конца магнитострикционного элемента и взаимодействующего с ним торца вдлд с конусообразным углублением; на гиг.3 - вариант исполнения двигателя с дисковым выполнением свободного конца мдгнитострикционного элемента и валом,...

Номер патента: 1442013

Опубликовано: 30.06.1993

Авторы: Иноземцев, Куликов

МПК: H01L 21/66

Метки: качества, линий, проработки

...р и м е р. Способ был применен для контроля качества проработки линий субмикронной ширины на фотошабло" ннх для литографии, представляющих собой слой маскирующего хромового пока 5 рытия толщиной 0,1 мкм на кварцевой подложке. Линии получали ионным травлением хромового покрытия. Эталонная зависимость интенсивности в центре профиля была получена в результате измерений для набора линий шириной50 О,Э мкмжд 1,0 мкм, качество травления которых контролировали с помощью растрового электронного микроскопа. Числовая апертура использованного объектива составляла 0,95, отношение числовых апертур конденсора и объектива - 0,35. Измерения проводили при длине волны излучения %0,546 мкм. Эталонная зависимость интенсивностив центре профиля от ширины...

Номер патента: 1091792

Опубликовано: 30.06.1993

Авторы: Грахов, Кусимов, Тлявлин

МПК: H01L 41/12, H02N 11/00

Метки: двигатель, магнитострикционный, перемещений, угловых, шаговый

...поворота валапри подаче напряжения на .обмотку цир"кулярного намагничивания, Таким образом отпадает необходимость в уста" новке упорного подшипника, за счет чего повышаются быстродействие, точность и надежность работы устройства. Возрастает нагрузочная способность, так как увеличивается сила Фиксации вала, а вращающий момент создается, кроме того, и кожухом устройства,На Фиг.1 схематично изображен предлагаемый двигатель, магнитострик" ционный элемент которого выполнен из материала с положительным коэФФициентом магнитострикции, а кожух - из материала с отрицательным коэФФициентлм магнитострикции, разрез; на фиг.2 - вариант исполнения двигателя, магнитострикционный элемент которого выполнен из материала с отрицательным коэФФициентом...

Номер патента: 1824656

Опубликовано: 30.06.1993

Авторы: Борисов, Венков

МПК: H01L 21/335

Метки: моп-транзистора

...формируют охранную область 2. Для этого формируется маскирующая область 6 и проводится имплантация ионами легирующей примеси. например, бора с энергией Е = 40 кэВ и дозой д = 10 мкКл/см. После имплантации удаляется слой 6 и проводится термообработка при температуре 1000 С в течение 120 мин в инертной среде для активации примеси и рвзгонки примеси имплантируемой примеси на глубину 1 мкм,Полевой оксид кремния формируется толщиной 0,8-1,0 мкм термообработкой поверхности кремниевой подложки в окисляющей среде при температуре 950 С в течение 30 мин и давлении 15 атм (фиг,3), Удаляется диэлектрическая маска 5, затем наносят слой поликремния толщиной 0,3 мкм. При этом на поверхности полевого окисла толщиной поликремния равна 0,3 мкм....

Номер патента: 1824657

Опубликовано: 30.06.1993

Авторы: Альтман, Ким, Лившиц, Саттаров, Шмиткин

МПК: H01L 23/28

Метки: аксиальным, выводов, высоковольтных, герметизации, полупроводниковых, приборов, расположением

...исключениявытекания компаунда через боковые вертикальные прорези нами были опробованы30 следующие методы: зажим кассеты в струбцину с одновременным ее прижимом по краям и в центре к плоскому поддону печи;принудительный изгиб кассеты эа счет прижима ее к сферически вогнутой поверхности35 поддона(0,25 м 5 Низгиба- - 0,5 мм); стягивание кассеты эластичным ободом после загрузки арматур. В табл.2 представленырезультаты герметизации по 1 и 2 способам.Данные табл,2 - способ 1 - указывают40 на отсутствие какой-либо закономерности вповедении ячеек при их горизонтальномсдавливании, что обусловлено структурными неоднородностями кассет, разбросомсвойств компаунда. Общая же тенденция45 очевидна: сдавливание кассет с помощьюструбцины не устраняет...

Номер патента: 1824658

Опубликовано: 30.06.1993

Авторы: Вишневский, Выдревич, Скрылев, Шилин

МПК: H01L 27/148

Метки: зарядовой, прибором, связью, фоточувствительным

...у функцией х = 1(у); точками показаны уровни дискретизации, определяемые дискретизацией строк в матрице ПЗС; стрелками показаны траектория движения зарядов (для нескольких сдвигов строк в матрице), которые суммируются в сдвигаемой потенциальной яме одного элемента регистра; на фиг.2 - в таблице представлены дискретизированные в относительных единицах знэчения аргумента - и, функции - в, приращения ап, суммарных зарядов после окончания выборки в сдвигаемой потенциальной яме - Зп и соседних ямах.Управление осуществляется следующим образом, В соответствии с заданной траекторией считывания на каждом шаге дискретизации по у определяются: требуемое количество и направление сдвигов пь суммирующего элемента выходного регистра, частота...

Номер патента: 1824659

Опубликовано: 30.06.1993

Авторы: Биленко, Рабинович

МПК: H01L 43/06

Метки: датчик, магнитного, поля

...в подключении соединенных общих выводов транзисторов не к самостоятельному выводу датчика, а к од,ому из токовых выводов элемента Холла. Благодаря этому суммарный ток транзисторов является, одновременно, и током питания элемента, При этол элемент Холла, выполняя функцию магниточувствительной части датчика, определяет в то же время и рабочую точку транзисторов. Таким образом при использовании датчика в аппаратуре (см.фиг.2) из схемы исключается резистор автосмещения, а следовательно, и рассеяние на нем избыточной питающей мощно ти.1824659 ставитель Л. Рабиновичхред М.Моргентал Корректор С, Шекм дактор С. Кулакова акаэ 2227 Тираж Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ ССС 113035, Москва, Ж, Раушская...

Номер патента: 1824662

Опубликовано: 30.06.1993

Авторы: Акялис, Моласян

МПК: H01L 41/09, H02N 2/00

Метки: вибрационный, двигатель

...питания поступает на правую половину 11 пьезокерамического элемента 1 и ротор 7 вращается в противоположную сторону. Аналогично работают и известные вибрационные двигатели включая и прототип, Однако их недостаток заключается в том, что при долговременной их работе пьезокерамический элемент нагревается, его температура достигает точки Кюри, он деполяризуется и двигатель выходит из строя. Чтобы этого не было, в предложенном двигателе попеременно, на тот же башмак и ротор, работает второй пьезокерамический элемент 2, который начинает работать, когда с низкочастотного генератора 23 на вход управления коммутатора 20 поступает низкий логический уровень от низкочастотного генератора 23. В этом случае напряжение питания от высокочастотного...

Номер патента: 1824679

Опубликовано: 30.06.1993

Авторы: Ермолаев, Калентьев, Петошин

МПК: H01L 23/34, H05K 7/20

Метки: варианты, термокомпенсирующее

...7 поступает в генератор 11. За счет вихревого эффекта сжатый газ в генераторе 11 разделяется на центральный холодный и периферийный горячий потокиПоток холодного газа при температуре на 30-40 С ниже температуры окружающей среды из патрубка 12 генератора 11 поступает через трубопровод 5 и сопла 4 в полость 3(при выполнении устройства по 1 варианту). Газ поглощает выделенное аппаратурой тепло и, нагревшись на 10 - 15 С под избыточным давлением через обратный клапан 16 поступает в рубашку 17 охлаждения патрубка 13 генератора 11, Пройдя рубашку, подогревшийся газ удаляется в окружающую среду, За счет охлаждения патрубка 13 понижается температура холодного воздуха, а также увеличивается возможность о 1 бора холодного воздухаПоток горячего...

Номер патента: 1824682

Опубликовано: 30.06.1993

Автор: Каликанов

МПК: H01L 23/34, H05K 7/20

Метки: блок, испарительным, охлаждением, полупроводниковый, принудительным, силовой

...эксплуатации всех силовых полупроводниковых приборов с одинаковой нагрузочной способностью,Изобретение поясняется фиг,1 и фиг,2.Силовые бескорпусные полупроводниковые приборы 1, расположенные между оребренными теплоотводами 2, размещены в несущем герметичном корпусе 3, выполненном иэ высокотеплопроводного материала и заполненном движущимся (текущим) промежуточным хладагентом (теплоносителем) (ПТ) 4. Внутри герметичного корпуса, вдоль всех полупроводниковых приборов расположен внутренний оребренный теплообменник 5. Снаружи на внешней поверхности герметичного корпуса расположен внешний оребренный теплообменник 6 также вдоль всех полупроводниковых приборов; внешний теплообменник охлаждается , конечным хладагентом (КХ).Герметичный корпус...