Патенты с меткой «полупроводникового»

Номер патента: 108782

Опубликовано: 01.01.1957

Автор: Голованов

МПК: H02M 7/06

Метки: агрегата, выпрямительного, однофазно-постоянного, переключения, полупроводникового, секций, составе, электроподвижном

...как вся нагрузка воспринимается агрегатом основных секций, соединенных по параллельной схеме, При этом собирается схема, соответствуюшая четвертой позиции с выпрямленным напряжением 2 ЛГ.11 свход ия И 5 т 110 ИОзиц 330 пс)чи 13 с 1 стс 53 с ТОГО, что пя 1)я;ГлслыО контато)у 2 с) с помощьн);Ямыка 10 щихс 5 кОПГакторов 4, 1 э и 16 г 10 Д 3(,10- чяетс 5 опог)нитсльцьГЙ вс 33 тиль, послс СГО п 1 эедстяв;яетс 51 ВОзхОжпость без разрыва тока отключить контактор 29. Затем, аналогично тому, как эт пРОРГсходило нс 1 пс 3)В.х тРсх позици 5)х, сРЯО)тываОт контакт 01)ы 2, 5, 6, в результате чего обесточиваются секции 11 с - 1с и нагрузка восприни)яется параллельно соединеТИЫГР секциями эс - 10 с, а также секциями 1 с, 2 с. Так собираются схемы,...

Номер патента: 112955

Опубликовано: 01.01.1958

Автор: Федоров

МПК: H01L 21/34

Метки: детекторов, контактных, полупроводникового, свинца, сернистых, соединений, типа

...пз сернисты 5; соединений свинца, меди и,и цинка, пе обладают достаточно ЧУВСТВИТЕГ 1)НОСТЬ 0 И УСТОЙНпОСТ 1работе.Описанны ниже спосоо по.учеНИ 5 ИО,11 ИРО 0;(НИ 1 ОНОГО МЯТЕ РИЯ,Л на оспое тк же соединений позволя(т улучшить электрические сойста крист(1,Г 0.С:огласил изооретению, иримсия(-ся сл;(уюп(ая рецептура и теки О,0 Г и 5 и 3 Г От О. е н и я п О,м и р О О,- Н 1 коого материала.Порошкоооразная см(сь, со(тавл енГЯ 5, Гз 2(1 ес. и. СьчнЦл. 3 с. 1. сры и (1,2 ес. ч. (5 1(" ) мяр- ГЛИЦОКПС,ОГО КЯЛИ 51 КЛ 1(Т Окис.н(тел 51, прока.ия(.тся при т)1- перятуре(.: -80 до и рекрац( - НИ 5 ВЫДЕ,1 НИ 5 ГЯЗОВ,Г 1 Ос, е м ед,1 е н и О ГО О.к, л )к д е и и 51 млтСИЯ.1 Готод.151 изГОтолни детекторов. Медные и ципкоы соединения получаются...

Номер патента: 117441

Опубликовано: 01.01.1958

Автор: Абдулаев

МПК: G01R 31/26

Метки: выпрямителя, зависимости, нагрева, обратного, переменного, полупроводникового, работе, степени, цепи

...Л 1 триггерной релейной схемы.Измерение производится следующим образом. Когда подвижный контакт реле Р находится в положении 1, через выпрямитель Д протекает ток как в прямом, так и в обратном направлении, вследствие чего происходит его разогрев. В момент, когда к выпрямителю приложено обратное напряжение, триггер срабатывает, и под действием анодного тока лампы Л якорь реле Р на короткий промежуток времени замыкает цепь выпрямителя на батарею Б и сопротивление й (подвижный контакт117441 П реди ет изобретения Устройство для определения зависимости обратного тока полупроводникового выпрямителя от степени его нагрева при работе в цепи пере. менного тока, содержащее автоматический переключата;ь для переключения выпрямителя из цепи...

Номер патента: 119270

Опубликовано: 01.01.1959

Автор: Улановский

МПК: G01R 31/26

Метки: вольтамперной, выпрямителя, дифференциальной, крутизны, полупроводникового, способа, характеристики, этого

...на исследуемом выпрямителе 3 при номинальной и пониженной нагрузках, Разность указанных напряжений измеряется дифференциальным ламповым вольтметром б, Выпрямитель 3 питается от источника питания б, а переключатель 1 - от блока коммутации 7.При испытаниях производится непосредственное измерение с помощью вольтметра б разности двух максимальных значений прямого па119270 дения напряжения на выпрямителе 3, соответствующих двум известным величинам выпрямительного тока. Один из этих токов является номинальным, и соответствующее ему максимальное значение падения напряжения фиксируется с помощью подключаемой параллельно измеряемому выпрямителю ячейки из диода 4 и конденсатора 2, Затем ток нагрузки в цепи выпрямителя 3 периодически...

Номер патента: 122854

Опубликовано: 01.01.1959

Автор: Ашавский

МПК: C03C 17/22, C03C 23/00

Метки: влияния, параметры, полупроводникового, прибора, устранения, фотоэффекта, электрические

...на создании темного слоя путем покрытия стеклянной поверхности светонепроницаемой эмалью или краской.Недостаток подобного способа состоит в том, что при его использовании ухудшаются электрические характсрнстшси полупроводников, так как сравнительно низкое сопротиьленпе слоя эмали приводит к шунтированию участков эмиттер-коллектор и база-коллектор полупроводниеЯ. вследствие чего требуется химическим путем производить очистку поверхности стекла в области выводов.В описываемом способе этот недостаток устранен тем, что корпус полупроводникового прибора, выполненньш из свинцового стекла, подвергают нагреву в атмосфере водорода. При этом восстанавливаются окисль 1, в результате чего происходит потемнение стеклянной поверхности.При...

Номер патента: 128520

Опубликовано: 01.01.1960

Авторы: Воронин, Гринберг

МПК: H01L 35/34

Метки: отрицательного, охлаждающего, положительного, полупроводникового, термоэлемента, электродов

...прессования. ения дмет изо ельного электродов на основе теллурпщи йся тем что а) пресс-форме, а й тер моо бр а ботке в изготовления отрицательного го полупроводникового терм ений путем прессования, производится в холодной 1 б ые электроды подвергаются п и положитоэлементатличаюз подогревоследующ Спосооохлаждающстых саедпрессованиотпрессовавакууме,Предлагаемый способ отличается от известных тем, что прессование производится в холодной (без подогрева) пресс-форме, а отпрессованные электроды подвергаются последующей термообработке в вакууме.Применение такого способа упрощает технологический процесс изготовления электродов и позволяет получать электроды, обладающие более высокими техническими свойствами.Согласно предлагаемому способу...

Номер патента: 133530

Опубликовано: 01.01.1960

Авторы: Диковский, Королев

МПК: H01L 21/479

Метки: выводным, контактов, между, поверхностью, полупроводникового, прибора, проводником, сварных

...получения сварного контакта требуемого типа, Это достигается тем, что легированию подвергается не вывод, а материал полупроводника, а импульс тока пропускают от полупроводника к выводу для получения омического контакта, и в обратном направлении - для получения выпрямляющего контакта.Сущность способа заключается в следующем.Полупроводниковый материал легируется определенной примесью, затем импульсом тока производится приварка проволоки, причем в зависимости от свойств примеси и от направления тока сварки происходиг образование или выпрямляющего., или омического контакта. Например, если кремний легировать галлием и производить сварку золотой про волоки таким образом, чтобы минус подключался к проволоке, то вместе сварки образуется...

Номер патента: 141999

Опубликовано: 01.01.1961

Авторы: Ботвинкин, Запорожский

МПК: C03C 23/00

Метки: диффузии, кварцевого, металла, полупроводникового, предотвращения, примесей, расплав, стекла

...составляет 50 - 100 милливатт на 1 слР рабочей поверхности 7 изделия 4, Величину напряжения отрицательного смешения прннимаюг в пределах 100 - 200 в на 1 лл толщины стенки 8 изделия 4, но не менее 400 в при толщине стенки, меньше 3 л,ц,При подаче отрицательного электрического смещения на нару.к ную поверхность 3 изделия 4 в системе расплав 2 - изделие 1- -катод б возбуждают слабый электрический ток, обусловленньш диффузионным перемещением примесных катионов, содержащихся в кварцевом стекле изделия 4, от внутренней положительно заряженной поверхности 7 изделия 4 к наружной поверхности 3, находящейся под1999 отрицатеджйым потенциалом. Этим снижают термодиффузию примесныхкатионов из материала изделия 4 в расплав 2 полупроводникового...

Номер патента: 146049

Опубликовано: 01.01.1962

Авторы: Дашевский, Лазарев, Миргаловская

МПК: C30B 29/40, C30B 31/04

Метки: антимонида, дендритах, индия, переходов, полупроводникового, создания, электронно-дырочных

...антимонида индия зашлифовки, полировки и травления лектронно-дырочный переход на опрефигурации,ма установки для осуществления спор - и переходов ведут следующим обр нь 1 помещают в печь 2 сопротивления температуру которой измеряют при поз иевого стерпня, обращенный к плоскост ом режим печи подбирают таким, чтоб от падения силами поверхностного натя) оя индия на поверхность дендрита 4 ст в сторону дендрита и, касаясь его пов азом.(с регу ОЩИ тЕР- и дендриы капля кения.ерпень 1 ерхности,ц лируе мопар та 4, индия мопе смачи Кдиевыи стержень 1 и печь 2 могут перемещаться в ости, что позволяет регулировать размеры поверхлоя индия. Как показано на схеме, тигель 5 с расертикости роцесс создачиндиевый стерпмым нагревом)ы 3, Конец...

Номер патента: 151399

Опубликовано: 01.01.1962

Автор: Мельник

МПК: H01L 21/88

Метки: вывод, кремниевого, полупроводникового, прибора, электродный

...соединен с торцом отрезка проволоки из серебра путем сплавления в вакууме,В кассету 1 из графита (см. чертеж) закладывается серебряный столбик 2, а на него алюминиевый столбик 3. На столбик д накладывается кристалл 4 кремния с прокладкой 5 из золота.Точный режим сплавления следующий. Кассета 1 загружается в кварцевую трубу, При вакууме около 10 4 л 1,и рт. ст, на трубу надви гается трубчатая печь, нагретая до 900 Когда температура кассеты будет 600 - 610, печь сдвигается, После охлаждения кассета 1 вынимается из трубы и разгружается, В данном случае контактное сплавление ве,1 ется в вакууме, поэтому спай алюминий - серебро не подвержен коррозии, Основное внимание уделяется получению хорошего сплавления алюминия с кремнием,т...

Номер патента: 166753

Опубликовано: 01.01.1964

Авторы: Вычислительной, Институт

МПК: G01R 31/26

Метки: величины, коллектора, обратного, полупроводникового, триода

...напряжения, величина которого У, выбирается равной значению коллекторного напряжения, при котором определяется величина обратного тока коллектора триода 3.Выходы сравнивающих цепочек 4 и 5 подключены к электронному коммутатору 7, содержащему триггер и ключевой элемент, Коммутатор 7 включен между импульсным генератором 8 и счетчиком импульсов 9. В момент времени Е (фиг. 2), когда выходное линейно изменяющееся напряжение (кривая 10) генератора 1 становится равным опорному напряжению Ь сравнивающая цепочка 4 выдает импульс, поступающий на триггер коммутатора 7, ключ коммутатора срабатывает и импульсный генератор 8 подключается к счетчику импульсов 9. В момент времени 1 когда напряжение на коллекторном переходе триода 8 (кривая 11)...

Номер патента: 182189

Опубликовано: 01.01.1966

Авторы: Заикин, Рад, Сапожников, Славуцкий, Фроленков

МПК: B60L 3/04, H02H 7/12

Метки: агрегата, выпрямительного, защиты, полупроводникового

...2 - принципиальная электрическая схема.Устройство представляет собой электрический аппарат без дугогашения, Конструкция его включает в себя следующие основные узлы: раму, механизм разъединителя, включающий электромагнит, контактную группу. ои раме 1 установлены два которых укреплен механизм а верхней панели рамы разщий электромагнит 3, кони защелка б, осуществляющая фиксацию разъединителя в откл положении, На боковой панели рамы рованы два высоковольтных вывода тушки 7 механизма разъединителя 5 мощью разъема 8 осуществляются вькатушки электромагнита и контактн пы. В раме имеются пазы, в которых ливается кожух 9, изготовленный пз ла. 10Выводы силовой цепи выполнены в видешип 10, на одной пз которых расположен тороидальный...

Номер патента: 180643

Опубликовано: 01.01.1966

Авторы: Гаврилов, Додик

МПК: G05F 1/569

Метки: защиты, комплексной, полупроводникового, стабилизатора

...перегрузке пли коротком замыкании) увеличивается прямое напряжение на диоде и минус на базе транзистора 4, при увеличении тока нагрузки (при перегрузке или коротком замыкании) увеличивается прямое напряжение на диоде и минус на базе транзистора 4, диод 8 и транзистор 4 отпираются и реле 9 срабатывает, отключая нормально замкнутыми контактами 23, 24 стабилизатор. Одновременно нормально разомкнутыми контактами 26, 26 реле 9 переходит на самопитание и удерживает стабилизатор от включения. Для возвращения схемы в исходное состояние достаточно выключить питание реле тумблером 27, что практически осуществляется тумблером выключения стабилизатора,В схеме защиты от повыцения напряжения часть выходного напряжения с сопротивле.3ний 13, 14 делителя...

Номер патента: 211661

Опубликовано: 01.01.1968

Авторы: Всесоюзный, Голованов, Сапожников

МПК: G01R 31/26

Метки: 1управляемого, величины, выпрямителя, нрямого, падения, полупроводникового

...на вентиле в 25 этот момент полупериода, Вольтметрпоказывает величину этого напряжения. Кнопкой КУ 2 закорачивают конденсатор, тем самым разряжая его и подготавливая для следующего опыта. Переключатель П 1 осуществляет 30 подключение измерительной цепи, состоящей из конденсатора С и вольтметра Ь, через диоды Д, и Д;, к испытуемому выпрямителю таким образом, чтобы,при испытании эта измерительная цепь была подключена через диод, имеющий полярность, противоположную той, которую имеет испытуемый выпрямитель в проводящий полупериод. Переключатель П 2 позволяет разъединить измерительную цепь и общую точку осциллографа. Временной замыкатель В содержит синхронный электродвигатель Д, на валу 1 которого, между изоляционными дисками 2 и 3 зажат...

Номер патента: 220570

Опубликовано: 01.01.1968

Авторы: Голованов, Сапожников

МПК: G01K 1/14, G01K 7/04

Метки: выпрямителя, из, мерения, полупроводникового, температуры, управляемого

...для отжимания термопары от вентиля установлена микду панелью и тем:ке выступом прижимной тяги. Это позволяет повысить точность измерения и производительность устройства.На чертеже представлена схема устройства, Устройство работает следующим образом.Испытуемый вентиль 1 вворачивается в охладитель 2, заключенный в панели 3 и соединенный с источником питания. К установленному вентилю 1 подводят термопару 4, соединенную с рукояткой б, При нажатии на рукоятку пружина б сжимается, а пружина 7 поднимает термопару к вентилю, Упорный подшипник 8 предохраняет пружину от скручивания при повороте рукоятки 5 для фиксирования, По окончании измерений термопару отводят, чтобы не повредить ее при смене исследуемых выпрямителей.Устройство содержит также...

Номер патента: 238871

Опубликовано: 01.01.1969

Автор: Изс

МПК: G01N 30/00

Метки: детектирования, полупроводникового

...носителя применяют, например, смесь нейтрального газа с газом-окислителем или во 1 сстановителем для анализируемого вещества.Полупроводниковыми элементами служат, ,например, пленки ХпО и Т 102 толщиной 2000 А или прессованные,спеченные таблетки из ХпО, Газ.носитель - гелий высокой чистоты с содержавием кислорода до 0,0001% или азот с содержанием кислорода до 0,5%, или смесь азота с различным,процентным содержаниехг кислорода. При использованмесью кислорода наникового элементаская реакция окислщества.Напримерфикс ируетсствлощеещества.На чертеже предполупроводнгиковогослева для газа-нокислорода, справа -с 0,5% кислорода.Скорость газа-,ностура 550 С. Вводобъема 0,4 лг.г с разацетона: 0,02%; 0,62 При использовании газа-носителя...

Номер патента: 246605

Опубликовано: 01.01.1969

Автор: Сигаловский

МПК: H01H 71/28, H02M 5/00

Метки: защиты, полупроводникового, стабилизатора

...защгты.Токовая обмотка 1 цепь последовательно с с агруз ки. Обмотка 8 подмагничивания подключерез регулируемое сопротивление 4 к выстабилизатора (в принципе эта обмоткажет быть подключена на стабилизированапряжение независимого источника). Мтоуправляемый контакт 5 включен послетельно с удерживающей обмоткой б ивочным сопротивлением 7 между базой уляющего транзистора 8 стабилизатора и вдом дополнительного источника напряжкоторый обычно используется для пптпроходного транзистора 9. База управляюго транзистора 8 подключена к выходу сх10 управления стабилизатором.Устройство работает следующимСрабатывание магнитоуправляемта определяется суммарными амобмоток 1 и 8, причем ампер-виткипропорциональны току нагрузки (побмотки 8 определяются...

Номер патента: 253931

Опубликовано: 01.01.1969

Автор: Корпус

МПК: H01L 23/367

Метки: полупроводникового, прибора

...структурные изменения, обусловленные переменными напряжениями, что приводит к усталостному разрушению паяного соединения после определенного числа циклов.Микроскопический анализ начальной, стадии разрушения и внешний вид разрушенных контактов свидетельствуют о том, что разрушение припоя начинается на периферии шва и развивается к его центру, постепенно сокращая площадь, через которую отводится тепло. Кон такт полностью нарушается при оплавленииучастка в середине шва, когда температура внутри прибора резко возрастает, Развитие процесса термической усталости можно затормозить, снизив напряжения среза иа перифе рии паяиого соединения, что возможно, еслиувеличить здесь толщ ну припоя. С целью снижения теплового сопротивленияприбора,...

Номер патента: 256083

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Магал, Смирнов

МПК: H01L 21/04

Метки: полупроводникового, прибора

...ров анных специалистов. Кроме того, изготовление диодов этим способом сопровождается дополнительными расходами вспомогательных и основных материалов (кварц, полупроводниковые материалы и др.).Предлагаемый способ позволяет значительно сократить время, число операций, коли ество сложных технологических установок, обслуживающий персонал и дорогостоящие материалы. Он отличается от известного тем, что, с целью одновременного создания р - и-перехода и металлизации, на одну из сторон пластины напыляют диффузант, а на противоположную сторону - материал контакта с последующим покрытием пластины с обеих сторон пленкой двуокиси кремния.256083 Составитель М. ЛепешкииаТехред А, А, Камышникова Корректор Л, В, Юшина Редактор В, Дибобес Заказ 661/12...

Номер патента: 266962

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Довгаль, Кощеев, Треть

МПК: H02H 7/12

Метки: вентилей, обнаружения, плечах, полупроводникового, преобразователя, пробитых

...выражения видно, что с уменьшением коэффициента передачи переменной составляющей напряжения чувствительность датчика возрастает настолько, что может быль достаточной для обнаружения одного пробитого вентиля.Увеличение максимального напряжения на конденсаторедо величины, большей напряжения срабатывания динисторов, приводит к их срабатыванию и появлению импульсов тека в первичных обмотках трансформатора б. При этом во вторичной обмотке трансформатора б появляются импульсы тока, достаточные для срабатывания коммутирующего устройства (например, тнристора), обеспечивающего отключение преобразователя.Работа предлагаемого датчика для обнаружения пробитых венгилей проверена в эксплуатациснпых услсвиях преобразователя постоянного тока мощностью...

Номер патента: 283321

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Додик, Иванчук, Компанцева, Николашкй, Рувинов

МПК: G05F 5/00

Метки: защиты, полупроводникового, стабилизатора

...токе нагрузки выбором величин резисторов 1 - 5 на переходе эмиттер.база транзистора б обеспечивается запирающее напряжение lаа0 аа - 11 1 з 11 ьгде Оь Уз, У, - падение напряжения на резисторах 1, 8, 4, соответственно,При увеличении тока нагрузки напряжение Уз увеличивается, напряжение 1/аа становится отрицательным, транзистор б отпирается, а транзистор 7 регулирующего каскада запирается от источника 8. При этом напряжение ца выходе стабилизатора и напряжение на резисторах 1 и 3, определяемые соответственно выходным напряжением и током нагрузки, падает до нуля, а к переходу эмпттер-база транзистора б прикладывается отпирающее напряжение, определяемое источником 9.Напряжение источника 8, запирающее транзистор 7, це участвует в схеме...

Номер патента: 284181

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Властимил, Евжен, Зденек, Изобретен, Иностранное, Йиржи, Оборовы, Пиврнец, Чехословацка

МПК: H01L 23/10

Метки: корпус, полупроводникового, прибора

...корпуса с мсталлпчсскп 284181ми трубочками согласно изобретению можно упростить конструкцию, Для этого одно из колец изготавливают из электроизоляционного материала, а другое из металла, причем тру. бочка металлического кольца образует с последним единое целое.Металлические кольца выполняют,преимущественно в вндссеченного конуса.На фиг, 1 изображено, сечение,полупроводникового прибора, у которого соединительные элюинты кори са Выполнены В виде металлических труоочек; на фиг. 2 предстаьлено сечение полчпроводликового прибора, 1 которого соединительные элементы выполнены из электроизоляционного матсриала и образуют с кольцом одно нераздельное целое; на фиг. 3 дано сечение полупроводникового прибора с упрощенлой конструкцией...

Номер патента: 288160

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Заддэ, Зайцева, Ландсман, Стребков

МПК: H01L 21/78

Метки: генератора, полупроводникового, фотоэлектрического

...способу, твердотельные матрицы с р - и-переходами соединяют между 30 собой в заготовки посредством металлических или изолирующих слоев так, чтобы плоскости р - и-переходов, перпендикулярных рабочей поверхности матриц, были параллельны у всех матриц, входящих в состав заготовки, Полученные заготовки из матриц разрезают перпендикулярно плоскости р - и-переходов на твердотельные блоки, у которых указанные плоскости перпендикулярны рабочей поверхности. На готовых блоках создают дополнительные р - и-переходы на рабочих сторонах, например методом ионной бомбардировки. Изготовление фотоэлектрического генератора заканчивается после присоединения контактов, просветления и нанесения защитного покрытия,Описываемый способ позволяет получать...

Номер патента: 288162

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Заддэ, Зайцева, Ландсман, Лидоренко, Стребков

МПК: H01L 21/761

Метки: генератора, полупроводникового, фотоэлектрического

...генератор с рабочим напряжением 50 в/см и более при рабочем токе более 10 а/см площадир - п-перехода.Для этого фотопреобразователи с р - и-переходами, параллельными падающему излучению, коммутируют в твердотельную матрицу с последующим созданием диффузией на рабочих поверхностях готовой матрицы примесей дополнительных переходов,Диффузию осуществляют ионной бомбардировкой.5 Согласно описываемому способу пластиныс р - и-переходами соединяют в заготовки так,чтобы плоскости р - и-перехода были параллельны, затем заготовки разрезают на пластины перпендикулярно плоскости р - п-пере 10 ходов. После полировки и снятия шунтовпластину превращают в твердотельную матрицу из фотопреобразователей с р - и-переходами, расположенными параллельно...

Номер патента: 319933

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Винник, Всесоюсна

МПК: G05F 5/00

Метки: защиты, полупроводникового, стабилизатора

...Резистор 26 служит датчиком тока, протекающего через нагрузку, и падение напряжения на нем 30 сравнивается с прямым напряжением надиоде 21. Конденсатор 24 способствует отпиранию транзистора 20 и через его коллекторноэмиттерный переход подает запирающее напряжение смещения на регулирующий транзистор 2 стабилизатора. В нормальном режиме работы стабилизатора падение напряжения на резисторе 26 меньше прямого напряжения на диоде 21, транзистор 20 заперт, транзистор 10 открыт, транзистор 9 заперт и реле 16 обесточено.При увеличении тока нагрузки или перегрузке увеличивается напряжение на резисторе 26, и транзистор 20 приоткрывается, подзапирая при этом регулирующие транзисторы 1 и 2, Это приводит к уменьшению выходного напряжения...

Номер патента: 321777

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Айзман, Горюнов, Гуцкин, Завод, Леонов, Лихтеров, Рапопорт, Фролов, Шушаков

МПК: G01V 1/24

Метки: заряда, полупроводникового

...зарядом соответствующей дорожкипучком ионов от коронного разрядника (коронатора). При этом запись на других дорожках не должна разрушаться.Целью изобретения является обеспечениепрограммного потрассового заряда полупроводникового слоя. Это достигается тем, чтомежду коронирующими электродами и полупроводниковым носителем установлена зарядная маска, а коронирующие электродыкоммутированы высоковольтными электронными лампами,На чертеже показана блок-схемаженного устройства.Между барабаном 1 с полупроводниковымпокрытием и коронирующими электродами 2располагается маска 3 с отверстиями по числу трасс. Для создания однородного коронирующего заряда на полупроводниковом слое к маске приложен небольшой потенциал той же полярности, что и на...

Номер патента: 299000

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Волотковский, Королев, Фурсов

МПК: H02H 7/125

Метки: выпрямителя, защиты, полупроводникового, управляемого

...дным сигнапуса вентиния СУ венр управля чик тока вой ана,5 отличаю надежно ры корп выходы аналога О системыоиство защиты поемого выпрямителя,, к выходу котороготог, и системпрщееся тем, что, с цсти, оно содержитуса защищаемогодатчика темперавключены последовуправления. лупровюдннсодержащеподключенавления венелью повыдатчик темивентиля,туры и тепательно со кового е дат- теплотилем, щения ератупричем лового входом Днепропетровский горный инсти Известны устроиства защиты полулпроводыикового управляемого выпрямителя, содержащие датчик тока, к выходу которого подключен тепловой аналог, и систему управле)ния вентилем.С целью повышения надежности предлагаемюе устройство содержит датчик температуры корпуса защищаемого вентиля, иришем...

Номер патента: 305524

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Аси, Тоомсоо

МПК: G01R 29/00, H01L 21/00

Метки: перехода, полупроводникового, прибора, температуры, электроннодырочного

...напряжения.Цель настоящего изобретения зв повышении точности измерения.Это достигается применениемтемпературно-чувствительного пара пературцой завцсимостц напряжения лавицообразовакня в обратном направлении.Предлагаемый способ осуществляется следующим образом, Через тцристор цлц вентиль5 пропускают в обратном направлении измерительный обратный ток определенной величиныц измеряют обратное напряжение на тиристоре цли вентиле.Температуру полупроводниковой структуры10 определяют по заранее известной температурной зависимости напряжения в лавинном пробое,Величина измерительного обратного токасоответствует режиму лавинного пробоя, но15 достаточно мала, чтобы не вызвала значительного дополнительного нагрева полупроводниковой...

Номер патента: 307445

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Долгов, Савельев, Смирнов

МПК: H01L 21/304

Метки: механической, полупроводникового, слитка

...снижаются потери полупроводникового материала от брака. 5 20 25 Предмет изо б р е те н Способ механич проводникового аявлено 13.1,1970 ( 14 с присоединением заявкиубликовано 21.71,1971. Бю Дата опубликования описан СОБ МЕХАНИЧЕСКОЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВ Изобретение относится к области изготовления полупроводниковых приборов, например фотопреобразователей, где требуется механическая обработка одной стороны кристалла.Известны способы механической обработки полупроводниковых кристаллов, сущность которых заключается в следующем: моно- кристаллические слитки, например кремния, германия, арсенида, галлия, представляющие собой стержни определенной длины и диаметра, разрезаются на диски требуемой толщины. После резки диски промывают, сортируют по...

Номер патента: 313244

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Выдра, Климов, Палей, Потупайленко, Шаповалов

МПК: H01L 21/477

Метки: rtigt, диодассгсоюзная, полупроводникового, с-1блиотка, точечного, формовки, ц•"•, электрической

...примесей. Вследствие этого эффективность микродефектов и дислокаций как центров рекомбинации усиливается. Последнее обстоятельство отрицательно сказывается на электрических параметрах диодов и является существенным недостатком цзвестньгх способов электрической формовки.Цель изобретения - уменьшение влияниянеконтролируемого флуктуацпоццого распре деления центров рекомбинации в объеме р-иперехода за счет сглаживания термического удара при охлаждении отформованной структуры путем уменьшения общего градиента температуры и введения принудительного ох лаждения.Цель достигается тем, что процесс электрической формовки точечных полупроводниковых диодов на основе германия и-типа осуществляют с предварительным прогревом дио дов при температуре...