H01L — Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам

Номер патента: 1382330

Опубликовано: 20.05.2000

Авторы: Кляус, Крымский, Ли, Черепов

МПК: H01L 27/148

Метки: ввода, зарядовой, приборах, связью, сигнала

Устройство ввода сигнала на приборах с зарядовой связью, содержащее полупроводниковую подложку с входной диффузионной областью противоположного подложке типа проводимости, слой диэлектрика и расположенные поверх него восемь затворов, причем первый, второй, третий, четвертый и пятый затворы расположены последовательно и каждый из них зарядно связан с рядом расположенными затворами, стоковую и истоковую диффузионные области противоположного подложке типа проводимости, причем шестой затвор зарядно связан с вторым затвором и стоковой диффузионной областью, седьмой затвор зарядно связан с четвертым затвором, а восьмой затвор перекрывает истоковую и стоковую диффузионные области, отличающееся...

Номер патента: 625533

Опубликовано: 20.05.2000

Авторы: Романов, Сафронов

МПК: H01L 39/24

Метки: сверхпроводящего

Способ получения сверхпроводящего материала в полупроводнике путем его охлаждения до критической температуры с использованием фазового перехода полупроводник-металл, отличающийся тем, что, с целью упрощения способа и получения сверхпроводящих участков заданной конфигурации, охлажденный до или ниже критической температуры полупроводник облучают импульсами лазера с плотностью энергии ниже порога разрушения получаемого материала.

Номер патента: 743500

Опубликовано: 20.05.2000

Авторы: Кляус, Ли, Черепов

МПК: H01L 27/148

Метки: ввода, зарядовой, приборах, связью

Устройство ввода на приборах с зарядовой связью, содержащее МДП транзисторы, шины управления и ячейку ввода, затворы которой изолированы от полупроводниковой подложки диэлектриком, отличающееся тем, что, с целью повышения чувствительности, устройство содержит дополнительную ячейку ввода, причем входной затвор дополнительной ячейки ввода электрически изолирован от шин управления, расположен по крайней мере на 1/10 под входным затвором ячейки и изолирован от него дополнительным диэлектриком.

Номер патента: 1204083

Опубликовано: 20.05.2000

Авторы: Аешин, Герасименко, Смирнов, Стась

МПК: H01L 21/265

Метки: варикапов

Способ изготовления варикапов, включающий облучение протонами и последующий термический отжиг, отличающийся тем, что, с целью упрощения технологии изготовления и повышения чувствительности варикапов к малым напряжениям, облучение проводят протонами с энергией, для которой параметры Rp и Rp удовлетворяют условиюLpn< Rp-4 Rp< Lpn+LD,где Lpn - требуемая глубина залегания металлургической границы p - n-перехода или толщина слоя металла для варикапов на основе...

Номер патента: 1384130

Опубликовано: 20.05.2000

Авторы: Крымский, Ли, Черепов

МПК: H01L 27/148

Метки: ввода, зарядовой, приборах, связью, сигнала

Устройство ввода сигнала на приборах с зарядовой связью по авт.св. N 795343, отличающееся тем, что, с целью повышения чувствительности, третий изолирующий затвор имеет зарядовую связь с вторым входным затвором.

Номер патента: 862750

Опубликовано: 20.05.2000

Авторы: Кляус, Ли, Черепов

МПК: H01L 27/148

Метки: ввода, зарядовой, приборах, связью, сигнала

Устройство ввода сигнала на приборах с зарядовой связью по авт.св. N 795343, отличающееся тем, что, с целью обеспечения возможности работы в режиме с непрямой инжекцией, оно дополнительно содержит два затвора, причем эти затворы зарядно связаны между собой и расположены между входной диффузионной областью и первым входным затвором.

Номер патента: 1091781

Опубликовано: 20.05.2000

Авторы: Ли, Черепов

МПК: H01L 27/148

Метки: ввода, зарядовой, приборах, связью, сигнала

Устройство ввода сигнала на приборах с зарядовой связью, содержащее полупроводниковую подложку с входной и стоковой диффузионными областями с противоположными подложке типом проводимости, слой диэлектрика и расположенные поверх него зарядно связанные первый входной затвор, затвор накоплений, затвор переноса, изолирующий затвор и затворы 1, 2, 3 регистра считывания, причем входная диффузионная область зарядно связана с входным затвором, а стоковая диффузионная...

Номер патента: 1618224

Опубликовано: 20.05.2000

Авторы: Бобылев, Марчишин, Овсюк, Усик

МПК: H01L 21/66

Метки: газа, двумерного, концентрации, электронного

Способ определения концентрации двумерного электронного газа в квантовых ямах, включающий создание поверхностно-барьерного контакта и планарного прижимного контакта к остальной открытой поверхности полупроводниковой структуры, являющегося вторым электродом для приложения напряжения постоянного смещения и высокочастотного напряжения тестирующего сигнала, измерение вольт-фарадной характеристики структуры, отличающийся тем, что, с целью снижения трудоемкости, повышения экспрессности измерений, увеличения достоверности и наглядности метода, по вольт-фарадной характеристике определяют значение напряжения отсечки Vотс, при котором емкость структуры равна нулю, и значение емкости...

Номер патента: 519043

Опубликовано: 20.05.2000

Автор: Теплова

МПК: C22C 9/00, H01L 21/00

Метки: n-типа, арсениду, галлия, контактный, материал, омический

Омический контактный материал к арсениду галлия n-типа на основе меди, отличающийся тем, что, с целью снижения температуры вжигания контакта, материал, кроме меди, содержит олово и галлий, причем меди 70 - 75 вес.%, олова 14 - 17 вес.% и галлия 11 - 13 вес.%.

Номер патента: 463398

Опубликовано: 20.05.2000

Авторы: Герасименко, Кузнецов, Лежейко, Любопытова, Смирнов

МПК: H01L 21/265

Метки: sic-si, гетероперехода

Способ изготовления гетероперехода SiC-Si путем внедрения ионов углерода энергией несколько десятков килоэлектронвольт в кристалл кремния и последующего отжига, отличающийся тем, что, с целью уменьшения плотности поверхностный состояний на границе раздела, внедрение ионов производят при дозе облучения более 7 1017 см-2.

Номер патента: 1814442

Опубликовано: 20.05.2000

Авторы: Галицын, Ковчавцев, Мансуров, Пошевнев

МПК: H01L 21/306

Метки: арсенида, индия, поверхности

Способ обработки поверхности арсенида индия, включающий обезжиривание, травление в растворе, промывку, сушку и термообработку в условиях сверхвысокого вакуума, отличающийся тем, что, с целью повышения степени совершенства структуры поверхности за счет снижения температуры термообработки, травление осуществляют в насыщенном растворе паров соляной кислоты в изопропиловом спирте в течение 5 - 10 мин, а термообработку проводят при равномерном подъеме температуры до 200 - 230oC за время 1,5 - 2 ч и последующей выдержке при этой температуре в течение 20 - 30 мин.

Номер патента: 405474

Опубликовано: 20.05.2000

Авторы: Белый, Воскобойников, Гиновкер, Синица

МПК: H01L 27/11

Метки: памяти, полупроводниковый, элемент

Полупроводниковый элемент памяти, выполненный на основе структуры металл-диэлектрик-полупроводник, диэлектрик которой состоит из слоев двуокиси кремния и нитрида кремния, причем окись кремния обеспечивает туннельное прохождение электронов, отличающееся тем, что, с целью расширения диапазона времени хранения информации, между двумя диэлектрическими слоями расположен островковый слой проводящего материала, например кремния.

Номер патента: 1816161

Опубликовано: 20.05.2000

Авторы: Гареева, Ловягин, Мигаль

МПК: H01L 21/324

Метки: 1-xte, cdxhg, p-n-переходов, монокристаллах

Способ изготовления p-n-переходов в монокристаллах CdxHg1-xTe с х = 0,200 - 0,225, включающий помещение исходного кристалла n-типа проводимости с концентрацией носителей 1014 - 1016 см-3 в замкнутый объем, нагрев до выбранной температуры и последующий отжиг при постоянстве температуры в течение времени необходимого для создания на поверхности слоя p-типа проводимости заданной толщины, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества изготавливаемых переходов за счет повышения времени жизни носителей заряда, исходный кристалл помещают в замкнутый объем, заполненный деионизованной водой, а отжиг проводят при 170 - 220oC в...

Номер патента: 1452404

Опубликовано: 20.05.2000

Авторы: Курышев, Логвинский, Мараховка, Парм, Соловьев

МПК: H01L 21/318

Метки: антимонид, индия, кремния, нитрид, структур

1. Способ получения структур нитрид кремния - антимонид индия, включающий химическую очистку подложек антимонида индия, размещение подложек в камере плазмохимического осаждения, откачку камеры и нагрев подложек, напуск инертного газа, моносилана и азотсодержащего газа, осаждение нитрида кремния в плазме высокочастотного разряда, отличающийся тем, что, с целью повышения качества структур за счет устранения окисного слоя на границе раздела нитрид кремния - антимонид индия и улучшения диэлектрических свойств нитрида кремния, нагрев подложек производят до 150 - 200oC, в качестве азотсодержащего газа используют аммиак, отношение газовых потоков моносилана и аммиака устанавливают в...

Номер патента: 762662

Опубликовано: 20.05.2000

Авторы: Золотухин, Кравченко, Марончук

МПК: H01L 31/16

Метки: видения, ночного

Способ ночного видения, основанный на облучении объекта импульсами ИК-излучения не более 10-8 с и его визуализации с помощью фотопреобразователя мембранного типа, на который подают напряжение питания и со стороны, противоположной воздействию ИК-излучения, воздействуют видимым световым потоком, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества изображения при одновременном увеличении помехозащиты, питания фотопреобразователей осуществляют импульсно с возрастающей амплитудой и синхронизируют его по времени включения с импульсами ИК-излучения, а интенсивность видимого светового потока изменяют синхронно с изменением напряжения питания фотопреобразователей.

Номер патента: 1776164

Опубликовано: 20.05.2000

Авторы: Крымский, Ли, Ольшанецкая

МПК: H01L 27/148

Метки: зарядовой, многоканальное, приборах, связью, считывания

Многоканальное устройство считывания на приборах с зарядовой связью по авт. св. N 1702829, отличающееся тем, что, с целью повышения однородности скорости адаптации при вычитании постоянных и медленно меняющихся во времени неинформационных компонент сигналов индивидуально по каждому каналу, устройство дополнительно содержит диффузионную область и два затвора, зарядно связанных со вторым затвором записи, причем сток МДП транзистора электрически соединен с первым дополнительным затвором.

Номер патента: 1157987

Опубликовано: 20.05.2000

Авторы: Журавлев, Савченко, Терехов, Шариков

МПК: H01L 21/66

Метки: гетероэпитаксиальных, полупроводниковых, структур

Способ контроля полупроводниковых гетероэпитаксиальных структур, основанный на облучении образца с одной стороны импульсами электромагнитного излучения с интенсивностью I, отличающийся тем, что, с целью упрощения и повышения чувствительности, образец облучают импульсами электромагнитного излучения с такой же интенсивностью I с противоположной стороны, но сдвинутыми по фазе на 180o, измеряют интенсивность Ф разностного сигнала рекомбинационного излучения, а годность образца определяют по величине отношения при толщине слоя d (в микронах), равной...

Номер патента: 1630570

Опубликовано: 20.05.2000

Авторы: Волков, Логвинский, Мараховка, Парм, Соловьев

МПК: H01L 21/318

Метки: кремния, оксинитрида, слоев

Способ получения слоев оксинитрида кремния, включающий очистку полупроводниковой подложки, плазмохимическое осаждение слоев из смеси газов моносилан, аммиак и закись азота на нагретую подложку, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества диэлектрика за счет уменьшения электропроводности и повышения электрической прочности, плазмохимическое осаждение слоев ведут при активации высокочастотным разрядом смеси аммиака и закиси азота при соотношении газовых потоков 0,075 - 0,15 и удельной мощности высокочастотного разряда 5 - 10 Вт/см3, а подложку нагревают до 90 - 250oC.

Номер патента: 1574120

Опубликовано: 20.05.2000

Авторы: Казаков, Кляус, Новоселов, Черепов

МПК: H01L 29/768

Метки: задержки, зарядовой, линия, приборах, связью, сигнала, электрического

Линия задержки электрического сигнала на приборах с зарядовой связью, содержащая устройство ввода зарядового пакета, последовательно соединенное с регистром сдвига заряда, содержащим N ячеек задержки, выходное устройство, последовательно соединенное с N-й ячейкой задержки, при этом регистр сдвига заряда содержит n отводов от ячеек задержки, соединенных с n усилителями считывания информации, причем каждый усилитель имеет вход, управляющий коэффициентом передачи, отличающаяся тем, что, с целью уменьшения погрешности коэффициентов передачи сигнала от устройства ввода заряда до выходов усилителей, между регистром сдвига заряда и усилителями считывания информации дополнительно введены две шины и...

Номер патента: 1730991

Опубликовано: 20.05.2000

Авторы: Бокк, Кляус, Новоселов, Ольшанецкая

МПК: H01L 27/10

Метки: зарядовой, многовходовое, приборах, связью, сигналов, считывания

Многовходовое устройство считывания сигнала на приборах с зарядовой связью, содержащее слой диэлектрика, нанесенного на полупроводниковую подложку с входной и выходной диффузионными областями с противоположным подложке типом проводимости в каждом 1,2 ..., M, (M + 1), ... H-ом канале на приборах с зарядовой связью, на котором расположены последовательно за входной диффузионной областью первый и второй входные затворы, а за ними последовательно затвор переноса, выходная диффузионная область, соединенная с истоком транзистора сброса и затвором электрометрического транзистора, затвор транзистора сброса соединен с первой общей шиной управления, а сток - с шиной питания, к которой подсоединен...

Номер патента: 704314

Опубликовано: 20.05.2000

Авторы: Золотухин, Марончук

МПК: H01L 31/0232

Метки: твердотельный, экран

Твердотельный экран для визуализации импульсов изображения, содержащий фоточувствительные элементы на основе многослойной полупроводниковой структуры и металлизированную мембрану на основе полимерной пленки, отличающийся тем, что, с целью управления перестройкой контраста при одновременном улучшении качества изображения, мембрана выполнена полупрозрачной и между ней и фоточувствительными элементами расположена изолирующая прослойка с ячейками, размер каждой из которых соответствует размеру группы однородных элементов экрана.

Номер патента: 221176

Опубликовано: 20.05.2000

Авторы: Васильева, Покровская

МПК: H01L 21/314

Метки: поверхности, полупроводников

Способ обработки поверхности полупроводников, например германия, соединениями серы при температуре 430 - 450oC, отличающийся тем, что, с целью упрощения процесса сульфидирования, поверхность германия подвергают воздействию безводного сероводорода.

Номер патента: 531430

Опубликовано: 20.05.2000

Автор: Сидоров

МПК: H01L 21/20

Метки: арсенида, газотранспортной, галлия, источник, эпитаксии

1. Источник галлия для газотранспортной эпитаксии арсенида галлия, представляющий собой кварцевую лодочку закрытого типа, отличающийся тем, что, с целью повышения стабильности работы и уменьшения времени насыщения источника, в отверстие источника опущен капилляр, имеющий на другом конце развитую поверхность контакта с газовой фазой.2. Источник по п.1, отличающийся тем, что капилляр образован близкорасположенными пластинами из материала, смачиваемого галлием, например вольфрама, имеющего отверстия в верхнем конце пластины.3. Источник по п.1, отличающийся тем, что капилляр образован спиралью, намотанной на пластину.

Номер патента: 1403907

Опубликовано: 20.05.2000

Авторы: Васильева, Коркман, Ненашева, Нестерова

МПК: H01L 21/316

Метки: диоксида, кремния, слоев

Способ получения слоев диоксида кремния окислением моносилана SiH4 кислородом O2 в изотермическом проточном кварцевом реакторе при парциальных давлениях моносилана 0,05 - 0,5 мм рт.ст. и соотношении внутренней поверхности реактора в зоне осаждения к объему 1 - 3 см-1, отличающийся тем, что, с целью повышения производительности процесса за счет увеличения скорости роста слоев и улучшения качества слоев путем уменьшения их пористости, процесс ведут в присутствии добавок газообразного аммиака NH3 при соотношении NH3/SiH4 = 0,05 - 1, давлении в реакторе 0,3 - 3 мм рт.ст. в температурном диапазоне 70 - 300oC и...

Номер патента: 1577627

Опубликовано: 20.05.2000

Авторы: Бобылев, Овсюк, Севастьянов, Усик

МПК: H01L 21/66

Метки: глубоких, параметров, полупроводниках, уровней

1. Способ определения параметров глубоких уровней в полупроводниках, заключающийся в том, что к образцу прикладывают постоянное напряжение смещения различной величины, формирующее область обеднения, пропускают через образец высокочастотный ток с заданной амплитудой, прикладывают к образцу низкочастотное напряжение с частотой , вызывающее амплитудную модуляцию глубины области обеднения, регистрируют высокочастотное напряжение на образце, по которому определяют глубину области обеднения, выделяют огибающую этого сигнала, определяют ее квадратурную составляющую посредством синхронного детектирования на частоте

Номер патента: 429604

Опубликовано: 20.05.2000

Авторы: Болотов, Васильев, Герасименко, Смирнов

МПК: H01L 21/26

Метки: полупроводниковых, приборов

Способ изготовления полупроводниковых приборов с использованием облучения полупроводника высокоэнергетическими легкими частицами, например электронами, отличающийся тем, что, с целью увеличения стабильности уменьшения времени жизни неравновесных носителей заряда в полупроводнике, облучение ведут при температуре выше температуры начала собственной проводимости, но ниже температуры эффективной диффузии примеси.

Номер патента: 1414233

Опубликовано: 20.05.2000

Авторы: Ламин, Пчеляков, Соколов

МПК: H01L 21/68

Метки: закрепления, пластин, полупроводниковых

Устройство для закрепления полупроводниковых пластин, содержащее основание с токоподводами и с элементами фиксации полупроводниковой пластины и хвостовик, отличающееся тем, что, с целью расширения эксплуатационных возможностей, оно снабжено элементами разъемного соединения хвостовика и основания в виде выполненных в основании фигурных пазов и фигурных штифтов, установленных на хвостовике с возможностью сочленения с фигурными пазами основания и с токоподводами, причем фигурные штифты электрически изолированы один от другого.

Номер патента: 1473612

Опубликовано: 20.05.2000

Авторы: Алиев, Бакланов

МПК: H01L 21/265

Метки: анизотропного, кремния, травления

1. Способ анизотропного травления кремния, включающий одновременное воздействие на него потока молекул дифторида ксенона и пучка ионов, отличающийся тем, что, с целью повышения качества и скорости травления, во время воздействия кремний охлаждают до температуры ниже температуры конденсации дифторида ксенона при спонтанном травлении, но выше температуры конденсации при ионно-индуцированном травлении.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что, с целью снижения дефектности подложки, процесс травления проводят при плотности потока молекул дифторида ксенона 5 х 1015 - 1017 с-1см-2, энергии ионов в пучке 0,5 - 1,5 кэВ и плотности ионного тока 1 - 10...

Номер патента: 1023973

Опубликовано: 20.05.2000

Авторы: Бобылев, Коржов, Косцов, Кравченко

МПК: H01L 27/04, H01L 31/16

Метки: или-не, логический, элемент

Логический элемент "ИЛИ-НЕ", состоящий из прозрачной непроводящей подложки, на которой размещены модулятор света и фотоприемник, отличающийся тем, что, с целью снижения рабочего напряжения, увеличения быстродействия и упрощения конструкции, модулятор света и фотоприемник выполнены в виде однотипных мезаструктур, представляющих собой поверхностно-барьерные контакты Шоттковского типа на эпитаксиальной полупроводниковой пленке, в которой созданы глубокие центры, причем модулятор света и фотоприемник электрически включены последовательно.

Номер патента: 1419430

Опубликовано: 20.05.2000

Авторы: Кляус, Крымский, Ли, Ольшанецкая, Пленидкин, Халиуллин, Черепов

МПК: H01L 27/148

Метки: ввода, зарядовой, приборах, связью, сигнала

Устройство ввода сигнала на приборах с зарядовой связью по авт.св. N 795343, отличающееся тем, что, с целью повышения чувствительности, в него введена дополнительная управляющая шина, а третий затвор зарядно связан с вторым передающим затвором второй ячейки передачи заряда и электрически соединен с дополнительной управляющей шиной.