H01L — Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам

Номер патента: 1101099

Опубликовано: 07.03.1985

Авторы: Берзин, Коваль, Кривич, Медвидь, Мейерс

МПК: H01L 31/00

Метки: фотоприемник

...йз плоско.параллельной пластины 1, выполненной 99 3иэ полупроводникового материала и имеющий две области .(поверхности) 2 с максимальной скоростью рекомбинации, магнита 3 с градиентом напряженности, направленным по оси У, и регулируемого источника 4 электрического напряжения, регистрирующего устройства 5; кривая 6 показывает равновесную концентрацию при Е =О, кривая 7 - режим обеднения, кривая 8- режим обогащения, кривые 9-11 - распределения чувствительности при различных напряженностях электрического поля.Фотоприемник работает следующим образом.При включении Фотоприемника в электрическую цепь на неравновесные носители, генерированные светом в полупроводниковой пластине действует сила Лоренца где Н " напряженность магнитногополя 10...

Номер патента: 1145388

Опубликовано: 15.03.1985

Авторы: Воскресенский, Гостюхин, Трусов

МПК: H01L 21/00

Метки: активная, антенная, передающая, решетка, фазированная

...соединенных фазовращателя, усилителя и излучателя, при этомвходы фаэовращателей всех каналовподключены к Й выходам общего для .всех каналов равноамплитудного делителя мощности, а усилители каждогоканала подключены к общему источнику питания 121,Недостатком данной передающейАФАР является низкий КПД при повышении направленности за счет формирования неравномерного амплитудногораспределения по раскрыву АФАР, таккак оно создается за счет примененияв каждом канале аттенюаторов.Целью изобретения является увеличение КПД и повышение иаправленносПоставленная цель достигаетсятем, что в передающую АФАР, содержащую 11 каналов, каждый из которыхсостоит из последовательно соединен-.ных фазовращателя, усилителя и излучателя, при этом входы...

Номер патента: 1146297

Опубликовано: 23.03.1985

Авторы: Веневцев, Йокста, Клейне, Косяченко, Фрейденфельд

МПК: C04B 35/472, H01L 41/187

Метки: керамический, материал, пьезоэлектрический

...О илиИс 110 1,38-1,74ВаО 2,50-6,891 25МпОг 0,71-1,952,16-5,9Характеристики материала: пьезомодуль 61 (48-85) 10 К/Н, тангенсугла диэлектрических потерь 0,010- ЗО10,025.Однако пьезоактивность известногоматериала недостаточно высока.Цель изобретения - повышение пьезоактивности и снижение диэлектричес;ких потерь пьезоэлектрического кера 35миче ского материала.указанная цель достигается тем,что известный пьезоэлектрическийкерамический материал, содержащийРЪО, ТО 2, 1.а О или Мд О, В О, иИЬго, дополйительно содержит Бго,МяО при следующем содержании компонентов, мас.%:РЬО 55,30-66,22Тдог 19,79-23,О1 а О илиИагОя 1, 41-1,74,В гоз 3,84-10,76ЯЬ,О, 2;18-6,11БгО 1,70-4,77МяО , 0,66-1,86Получение предлагаемых составовосуществляется путем...

Номер патента: 630983

Опубликовано: 23.03.1985

Авторы: Амазасиян, Горюнов, Саркисян

МПК: G01N 21/88, H01L 21/66

Метки: выявления, дефектов, поверхности, полупроводниковых, приборов

...прибор 10, видеоусилитель 11сигнала Фотоответа,Устройство работает следующимобразом. Поляризованный свет от источника 1 направляется через электрооптическую ячейку 2 на сканирующее устройство 3. Последний формирует растр, который расщепителем 4светового луча расщепляется на двечасти: растр видеолуча и растр зондирующего луча. Первый из них проходит через поляризатор 5 и объективом 7 проецируется на экран 9,а второй - растр зондирующего лучаобъективом 8 фокусируется на поверхность исследуемого образца (поляризатор 6 не используется). Сигналфотоответа усиливается электроннымусилителем 11 и подается на электрооптическую ячейку, которая с поляризатором 5 составляет модуляторинтенсивности видеолуча. На экране9 Формируется...

Номер патента: 820546

Опубликовано: 23.03.1985

Авторы: Дубинин, Кружанов, Овчинников, Сафронов

МПК: H01L 27/04

Метки: интегральная, полупроводниковая, схема

...содержащей полупроводниковую подложку первого типа55 проводимости, в которой образованы участки противоположного типа проводимости, расположенные на границе с эпитаксиальным слоем, того же, что и подложка,типа проводимости н совмещенные с локальными областями, того же типа проводимости, глубина которых равна толщине эпитаксиального слоя, образуя при этом области, по крайней мере в одной из которых созданы приповерхностные области противоположного типа проводимости, в эпитаксиальном слое созданы дополнительные области противоположного типа проводимости на глубину, равную толщине эпитаксиального слоя, по крайней мере в,одной из которых, образованы.приповерхностные области пер-. вого типа проводимости, концентрация примесей в которых не...

Номер патента: 1148006

Опубликовано: 30.03.1985

Авторы: Катанухин, Медведев, Петров, Скрыльников

МПК: G01N 22/00, H01L 21/66

Метки: датчик, параметров, полупроводников, электрофизических

...носителей заряда.Целью изобретения является измерение подвижности свободных носителей заряда.Поставленная цель достигается тем, что в датчик электрофизических параметров полупроводников, содержащий цилиндрический СВЧ-резонатор,на одной.из торцовых стенок которого расположен индуктивный штырь, а на другой выполнено измерительное отверстие, в которое введен свободный конец индуктивного штыря, а также элементы связи цилиндрического СВЧ- резонатора, с СВЧ-генератором и индикатором, введен соленоид, который охватывает ципиндрический СВЧ-резонатор в области измерительного отверстия и установлен соосно с индуктивным штырем.Торец соленоида расположен в плоскости наружной поверхности торцовой стенки с измерительным отверстием.Торцовая...

Номер патента: 1148064

Опубликовано: 30.03.1985

Авторы: Аукштуолис, Мацас, Сащук, Шилальникас

МПК: H01L 43/08

Метки: гальваномагниторекомбинационный, элемент

...(более 100 С).Поставленная цель достигается тем, что гальваномагниторекомбинационный элемент, выполненный в виде полупроводниковой пластины с омическими контактами на торцах и областью повышенной скорости поверхностной рекомбинации носителей тока на одной из граней, содержит на гранях с малой скоростью поверхностной рекомбинации поликристаллические слои из материала, не изменяющего энергетический спектр поверхности полупроводника и способного блокировать активные рекомбинационные центры на его поверхности, например иэ серебра, с островковой структурой и концентрацией островков не меньшей, чем концентрация активных рекомбинационных центров на поверхности полупроводника.На фиг 1 представлена конструкция предлагаемого элемента, фиг. 2-...

Номер патента: 1044205

Опубликовано: 15.04.1985

Авторы: Афанасьева, Пашук

МПК: G01T 1/24, H01L 31/02

Метки: детектор, излучений, ядерных

...и созданная1-область определяет рабочую областьприборов. Создание столь протяженных областей обеспечивает, во-первых возможность регистрации и спектрометрии длиннопробежных частиц (элек -троны, протоны больших энергий) и Ф-квантов эа счет полного энерговыделения в 1-области и, во-вторых,воэможность. работы на созданномслое нужной глубины при значительноменьших рабочих напряжениях, чем вслучае детекторов с и- переходом.Обладая большим чувствительным объе"мом и изотропныии свойствами, этидетекторы имеют достаточно высокоеразрешение по энергии, если уровеньшумов мал и качество исходногополупроводникового материала обеспечивает условие однородного собираниязаряда, В ряде случаев для коакеиальных литий-.дрейфовых детекторовусловие получения...

Номер патента: 1150589

Опубликовано: 15.04.1985

Автор: Усик

МПК: H01L 21/66

Метки: концентрации, полупроводниках, примесей, профиля

...тока соединен с выходом первого детектора, второй вход соединен с выходом источника опорного напряжения, выход усилителя постоянного тока соединен со входом филь 1 ра, а первый и второй детекторы выполнены синхронными.На чертеже приведена блок-схема устройства.Устройство содержит первый генератор 1, сумматор 2, модулятор 3,выходной усилитель 4, блок 5 компенсации, первую клемму б для подключения полупроводника, нагрузочнуюемкость 7, линейный повторитель 8,первый избирательный усилитель 9,первый детектор 10, усилитель 11постоянного тока, источник 12 опорного напряжения, фильтр 13, смеситель 14, избирательный фильтр 15,блок 16 поляриэующего напряжения смещения, развязывающий резистор 17,второй избирательный усилитель 18,второй...

Номер патента: 695433

Опубликовано: 15.04.1985

Авторы: Зайцев, Кадомский, Свиридов

МПК: G03B 27/20, H01L 21/68

Метки: подложки, рисунков, совмещения, фотошаблона

...систему, манипулятор совмещения, держатель фотошаблона, столик для подложки, механизм образования микрозазора, калибратор с базовыми упорами со стороны.подложки, выполненный с воэможностьюгоризонтальных перемещений иа базо 1 вых упорах калибратора выполненывакуумные прихваты, а на его обратнойстороне - дополнительные базовыеупоры, параллельные первым, причемкалибратор выполнен с возможностьювзаимодействия с механизмом созданиямикрозаэора, в который введен узелкомпенсации толщины калибратора,выполненный, преимущественно, в видекулачка со ступенью подъема, имеющей высоту, равную толщине калибратора.На фиг. 1 представлен общий видустройства для совмещения рисунковподложки и фотошаблона; на фиг. 2 развертка рабочей поверхности кулачка....

Номер патента: 1040975

Опубликовано: 23.04.1985

Авторы: Локтаев, Нисневич, Пайвель, Щицель

МПК: H01L 21/225

Метки: диффузии, донорный, источника, поверхностного, раствор

...тем,что донорный раствор для полученияповерхностного источника, содержащийрастворитель 1 тетраэтоксисилан, ката"лизатор и ортофосфорную кислоту со"держит компоненты в следующем количественном соотношении, мас.7:Растворитель 45-62Катализатор 0,2-1,5Тетраэтоксисилан 19,4-28,5Ортофосфорная кислота 70 -ная 18-25.Причем в качестве растворителяиспользуется смесь воды и этиловогоспирта при их объемном соотношенииот 1:30 до 1:6,Соотношение компонентов растворапозволяет получить пленку легированного окисла (после термодеструкции)толщиной около 1 мкм с содержаниемв нем окисла фосфора около 60 мас,Е,которая является практически неограниченным источником фосфора при создании дидйузионных слоев и+-типа толщиной до 200 мкм.В то же время...

Номер патента: 1152053

Опубликовано: 23.04.1985

Автор: Мякинченко

МПК: H01L 21/00

Метки: групповой, загрузки, кассеты

...с угладо угла + к ролик 17 катится по упору и неподвижному копиру 13, рычаг 14, поворачиваясь вокруг оси крепления, опускает установленный на нем дополнительный трафарет 10 на основной трафарет 3.Далее, не останавливаясь, вибробункер 2 поворачивается до угла -М.Во время выстоя вибробункера 2 наэтом угле стеклотаблетки 18 из приемной полости 5 перемещаются по поверхности дополнительного трафарета 10над его загрузочными отверстиями. Часть деталей западает в загрузочные отверстия, остальные перемещаются в загрузочную полость 6 вибробункера, накапливаясь в ней.Благодаря тому, что толщина трафаретов 3 и 10 выполнена равной толщине стеклотаблетки 18, а концы вьводов введены в основной трафарет 3 на величину его толщины, запавшие в загрузочные...

Номер патента: 719398

Опубликовано: 07.05.1985

Авторы: Лепилин, Самыгина, Столичнов, Феофанова, Черняк

МПК: H01L 21/82

Метки: интегральных, мдп, схем

...второй и третьей фотолитографических операциях травления в среднем в два раза ниже, чемна первой, Помимо сказанного, лучшие результаты на первом травлении 10обусловлены возможностью визуального контроля травления по уменьшениюдиаметра пятна, соответствующегоневытравленной области пластины,При исчезновении пятна травление 15прекращают, вынимая пластину изтравителя, Яа следующих операцияхэта возможность отсутствует, таккак на пластине уже имеется рисунокпервого травления.Целью изобретения является снижение трудоемкости изготовленияи увеличение выхода годных интегральных схем.Поставленная цель достигается 25тем, что все окна в проводящем слоеполикристаллического кремния. вскрывают одновременно в одной операциифотолитографического...

Номер патента: 1032953

Опубликовано: 15.05.1985

Авторы: Рассохин, Сидоров

МПК: H01L 33/00

Метки: диод, светоизлучающий

...обоих выводов, и увеличения тока, протекающего через кристалл (до 100 мА). Однако размер излучающей поверхностиэтого прибора, также как и другихконструкций, содержащих выводырамочного типа, не превышает 5 мм,что не позволяет использовать ихв табло коллективного пользованиябез дополнительного рассеивающегосвет элемента с большим размеромсветящейся поверхности,Целью изобретения, является увеличение излучающей поверхности светодиода при сохранении технологичности его сборки. Поставленная цель достигаетсятем, что в известном светоиэлучающем диоде, содержащем рамочный держатель с выводами и излучающие кристаллы, включенные последовательно,верхние части выводов держателявыполнены под прямым углом к егоплоскости и расположены по меньшеймере в...

Номер патента: 1007547

Опубликовано: 15.05.1985

Авторы: Байкова, Земцов, Кулагин, Лукашкин, Рассохин

МПК: H01L 23/02

Метки: полупроводниковый, прибор

...тю р и 3 Я11 я и с н иж Р ц и е Б с с:1 ц р и б 0 р;1 при сохГ)днРнии еО элРктричских и с)Отоетрических Гдряметрс 3 и 01)ь: - шеции тсзхнс)еогичности конг трукциц.ПОстд е)лРннля цРль Ос. ти ЯР тс 5 тем, что н полупрси)одиковом;рибс - РЕ, СОДЕРжаЩЕМ ПОс:КИЕ ЦЛПРЫЦЕ)РЦЦЬЬС В Одну с тороу Выводы рамо:101 Р ти - па, полупроводниковый крис.тдзл, закрепленный на одном из ныно;он,проволс.чцые перемычки между кристдц -лом и другими ньнс)дяыи и плстмдгг" 115) вый корпус, концы нь 30 ое, цлходяЬих - ся в пластмассовом корпусе, цьп)ц - ны в виде площадок различной конььцгурации, образующих н сое)осупс)с п диск с прорезями н ниде ломлцых линий. При этом любой угол, образов)в ныЙ Вых Од н 1 ем а с тк Ом и р 0 р Р:3 и с ц 51- правлением выводов не...

Номер патента: 660509

Опубликовано: 15.05.1985

Авторы: Кротова, Павличенко, Скарин, Сушков

МПК: H01L 31/12

Метки: источник, многоэлементный, света

...к данному изобретению является многоэлементный источник света, содержащий герметизированный корпус, в котором размещена керамическая подложка, кристаллы широкозонных полупроводниковых соединений с электролюминесцирующим р - и- переходом, расположенные на параллельных металлизированных полосках керамической платы и соединенные проволочными выводами с проводниками, расположенными перпендикулярно метаплизированным полоскам керамической платы 12.Однако этот элемент имеет недостаточную оптическую изоляцию и контрастность излучения.Цель изобретения - повышение оптической изоляции и контрастности его излучения.Для этого в многоэлементном источнике света, содержащем герметизированный корпус, в котором размещена керамическая подложка,...

Номер патента: 1157595

Опубликовано: 23.05.1985

Авторы: Гриднев, Моисеенко, Шараев

МПК: H01L 21/66

Метки: взаимозаменяемости, контрольная, оценки, пара, проекционного, совмещения, установок, шаблонная, экспонирования

...фоторезиста (контрольную пластину )экспонируют с помощью первого контрольного шаблона на этаз 1575 лонной установке совмещения и экспонирования. Затем контрольную пластину экспонируют на контролируемой установке с помощью второго контрольного шаблона по той же же программе мультипликации, После проявления контрольной пластины на ней образуется изображение нониусных шкал, вписанных одна в другую (фиг,41. Затем визуально под микроскопом снимают О показания нониусных шкал на контрольной пластине и рассчитывают параметры рассовмещения,Анапиэ взаимозаменяемости установок проводят в два этапа. На первом 5 этапе - анапиз внутримодульного рассовмещения, обусловленного взаимным оптическим немасштабом, взаимным разворотом фотошаблонов и...

Номер патента: 1160483

Опубликовано: 07.06.1985

Авторы: Днепровский, Мамедов, Михайлов, Яковук

МПК: C30B 29/46, H01L 21/302

Метки: варианты, его, стекол, травитель, халькогенидных

...74,3. Время. растворения облученных участков пленки 2 мин. Через 2 мин подложку с пленкой вынимают из травителя, ополаскивают спиртовым раствором уксусной кислоты и высушивают. Измеряют высоту рельефа толщину необлученных участков пленки) по сдвигу интерференционных полос в микроскопе ИИИ, Толщина оставшейся пленки - (0,18+0,01) мкм - близка к начальной, Опыт с экспонированной пленкой повторяют, измеряя времярастворения незасвеченных участков,30 которое равно 10 мнн, Таким образом, отношение скоростей облученного .и необлученного участковпленки, т.е. селективность травителя, составляет 5: 1.35 П р и м е р 2. Аналогично предыдущему примеру подготавливают пленку состава Аз Яе , толщиной 0,28 мкм. Для формирования рельеФа используют...

Номер патента: 1160484

Опубликовано: 07.06.1985

Авторы: Болгов, Ботте, Липтуга, Малютенко, Пипа, Яблоновский

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: варианты, его, заряда, неосновных, носителей, подвижности

...величины магнитного поля, находят максимальный сигнал отражения, рассчитывают подвижность неосновных носителей заряда по формулеС,Рнеосн,=где р - подвижность неосновныхГнеоснносителей заряда;В - индукция магнитного поляТ(соответствующая максимальному сигналу отражения);с - скорость света,причем величину электрического поля3 выбирают соответствующей линейномуучастку вольт-амперной характеристики образца в отсутствие магнитногополя.На фиг. 1 представлена схема изме 1 Ь рительной, установки, первый вариант;на фиг. 2 -.то же, второй вариант;на фиг. 3 - кривая, отвечающаяпространственному распределению но- ".сителей заряда в образце; на фиг. 4 -кривая зависимости интенсивностирекомбинационного излучения Р/Рот величины магнитной индукции В;на...

Номер патента: 1023969

Опубликовано: 07.06.1985

Авторы: Зеленцов, Панкратов, Сельков, Трушин

МПК: H01L 21/82

Метки: взаимодополняющих, мдп-приборов

...удаление . .нитрида кремния и лежащего пбд ним окисла, выращивание на открывшейся поверхности тонкого подзатворного диэлектрика, нанесение слоя материала затворов, формирование рисунка разводки в слое материала затворов, создание ионным легированием областей стоков и истоков МДП приборов, нанесение слоя диэлектрика и вскрытие в нем контактных окон к областям стоков, истоков и затворов МДП приборов, нанесение слоя материала разводки и1023969 3ее формирования, после нанесенияслоя материала затворов, вскрываютв нем окна для областей стоков-истоков ИДП приборов одного типа проводимости с одновременным формировакием затворов в области каналовэтих приборов, проводят ионное легирование областей полупроводника вэтих окнах соответствующей...

Номер патента: 1162001

Опубликовано: 15.06.1985

Автор: Мякинченко

МПК: H01L 21/00, H01L 21/68

Метки: виде, загрузки, кассеты, преимущественно, стержней

...с рычагом 18, установленным на оси 19, закрепленной .на кронштейне 20 основания 12, соединен с кронштейном 21 бункера 1 полуосью 22, которая неподвижно закреп лена на рычаге 18. Такая установка бункера 1 на оси 11 качания и его соединение с виброприводом и механиз-. мом поворота обеспечивает возможность колебаний бункера .1 параллельно осно" 15 ванию 12 и качания его вокруг оси, параллельной направлению его колебаний.Отверстия 3 плиты магазина 2 выполнены продолговатой формы и расположены своей продольной осью симмет О рии перпендикулярно оси 11 качания бункера 1.На плите магазина 2 выполнены заходные поверхности, сообщающиеся с его отверстиями 3, выполненные в виде пазов 23 и 24, расположенных параллельно оси 11 качания бункера 1 и...

Номер патента: 1162002

Опубликовано: 15.06.1985

Автор: Сергеев

МПК: H01L 21/00

Метки: загрузки, кассеты

...соединенного с приводом вращения, кинематическое соединение механизма поступатель-но-вращательного перемещения бункерас приводом вращения выполнено в видепередачи с переменным передаточнымотношением.Кроме того, передача с переменнымпередаточным отношением кинематического соединения механизма поступательно-вращательного перемещениябункера с приводом вращения выполнена в виде пары некруглых зубчатыхколес, передаточное отношение которыхпеременно в пределах от 1/2 до 2.На чертеже схематичеСки показанопредлагаемое устройство для загрузкидеталей в кассеты, общий вид,Устройство для загрузки деталейв кассеты содержит механизм 1 поступательно-вращательного перемещения бункера 2, выполненный в видешарнирного параллелограмма, включающего...

Номер патента: 1130148

Опубликовано: 23.06.1985

Авторы: Кокавец, Марковская, Марковский, Счастливый, Хласник, Цеснак

МПК: H01L 39/20

Метки: криотрон, мощный

...ключевого элемента за счет мощности силовой цепи усиливается, приближаяськ расчетному. Если нормальное сопротивление ключевого элемента таково,что при номинальных параметрах силовой цепи его саморазогрев обеспечивает поддержание температуры вышекритической, то управляющее напря- Зожение блоком управления может бытьотключено. Интенсивность нагрева ключевого элемента за счет мощностисистемы управления при ограниченныхразмерах поперечного сечения трубок 8 и обмотки 3 усиливается за счетзаполнения внутренней полости трубок 8 материалом с повышенноймагнитной проннцаемостью, играющегороль магнитопровода индуктивно 40связанных обмоток 3 и 8. В устройстве может быть предусмотрен обратный магнитопровод из того же илидругого материала с...

Номер патента: 1162569

Опубликовано: 23.06.1985

Авторы: Буянов, Киселев, Кундышев, Фролов

МПК: B23P 15/22, H01L 23/36

Метки: алюминиевой, тепловой, трубы

...силовых. полупроводниковых приборов таблеточной. конструкции. 5Цель изобретения повышение теплопередающей способности тепловой трубы за счет образования пористой внутренней поверхности.На чертеже изображены половины 10тепловой трубы перед их соединением.Способ осуществляют следующим образом,Предварительно получают две половины тепловой,.трубы 1 и 2 любым известным способом. Предпочтительнымявляется способ получения половин трубы штамповкой иэ листа, в результате чего снижается металлоемкостьизготовления. Половины трубы очищают 20и обезжиривают, а затем протравливают йх внутренние поверхности допоявления в поверхностном слое микропор, Полученная в результатетравления пористая поверхность обеспечивает повышение ее...

Номер патента: 1163126

Опубликовано: 23.06.1985

Авторы: Красуцкий, Рудюк

МПК: F28F 3/04, H01L 23/46

Метки: охлаждения, полупроводниковых, приборов, радиатор

...о рф оф офоф р О,ф Р . Ооф 000 офр00 офрф 00000 Ффф Оо ф офф о 0Оф Рффрфр О 0000 ефф Оф о фо Фо0 0ффф ффр000 фф 0ОООфф оеф ф орфф фо Оффорфффф фррооф О 00000Ф 00000 Рофффофф 00 фрр0000000 О Офо ррррр Оф 00 орОО оф Оф Офф ф фро ф ф .Ор0 ф фф 0 г игЗ Риг г Составитель Ю. Карпенко Техред С.йовжий .Корректор В, Бутяга Редактор О.Юр Тираж 623 Государственного комитета елам изобретений и открытий осква, Ж, Раушская наб.о 4/ 13 Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4 1 1Изобретение относится к радиаторам для охлаждения полупроводниковых приборов и может быть использовано в электротехнике.Цель изобретения - интенсификациятеплообмена.На фиг, 1 изображен радиатор,поперечный разрез; на фиг. 2 - видА на фиг. 1: на фиг. 3 - узел 1 нафиг,...

Номер патента: 708877

Опубликовано: 23.06.1985

Авторы: Зайцев, Пинчук, Рюмшин

МПК: H01L 21/306

Метки: активации, полупроводниковых, раствор, структур

...кислоты с рН 1-6, инертные к полупроводниковым материалам и их окислам, и фтористый аммоний при следующем соотношении ингредиентов, мас. 7; 1 10 -5.1 КОт 0,5 донасыщения Ионы золотаФтористый аммонийВода деиониОстальное эованная В растворе отсутствует свободная плавиковая кислота, благодаря чему степень воздействия его на защитные окислы незначительна. Скорость снятия атмосферного окисла с поверхности полупроводников легко регулируется количеством добавляемой кислоты, Поскольку каталитически активные центры на поверхности полупроводникового материала в процессе активации возникают при непосредственном (контактном) восстановлении ионов золота атомами полупроводника, использование окисляющих кислот нежелательно. Кислоты должны быть...

Номер патента: 830987

Опубликовано: 30.06.1985

Автор: Свердлов

МПК: H01L 27/04

Метки: защиты

...образованном в полупроводниковой подложке первого типа проводимости и содержащем две высоколегированные области второго типа проводимости, одна из которых соединена с контактной площадкой через резистивную шину, реэистивная шина состоит из отдельных параллель" но соединенных участков, а одна иэ высоколегированных областей состоит из локальных участков, каждый из которых соединен с соответствующим участком резистивной шины, причем расстояние между высоколегированными областями обеспечивает возникновение вторичного пробоя.Изобретение поясняется чертежом, где полупроводниковая подложка 1, например р-типа проводимости, контактная площадка 2, резистивная шина 3, высоколегированные области 4,5, например О -типа проводимости.Устройство...

Номер патента: 1114246

Опубликовано: 30.06.1985

Авторы: Зарипов, Петухов, Хайбуллин

МПК: H01L 21/265

Метки: магнитных, пленок, полупроводниках, тонких

...адгезия ТМП с полупроводниковой подложкой.Конкретные значения или интервалы допустимых изменений параметров 10(Е,0, ), определяющих режимы ионнойимплантации, вытекают из необходимости выполнения следующих основныхусловий зарождения и роста ТМП задан.ной толщины и в заданной области 15внутри полупроводника: наличия достаточного количества ферромагнитныхатомов в заданной области формирования ТМП, наличия центров преципитации (выпадения в осадок) внедренной 20примеси в заданной области формирования ТИП; малая растворимость атомов материала ТМП в подложке,Всем этим условиям удовлетворяетбомбардировка полупроводников (например, Б или Се) ионами магнитныхэлементов, например железа, кобальта,никеля, для которых предел растворимости не...

Номер патента: 1166199

Опубликовано: 07.07.1985

Авторы: Кормилкин, Филатов

МПК: H01L 21/66

Метки: интегральных, камере, климатической, контактирования, перемещения, схем

...шарнирно соединенных между собой рычагов 26, На транспортирующем роторе 15 жестко закреплено зубчатое колесо 27, которое находится в зацеплении с шестерней 28, на валу 29 которой жестко установлен мальтийский механизм 30. Поводок 31 последнего жестко установлено на кулачковом валу 21, который своим нижним концом выведен на габариты климатической камеры 1 и посредством карданного вала 7 соединен с однооборотным редуктором 4 (фиг. 1) . Транспортирующий ротор 15 установлен на кулачковом валу 21 с возможностью вращения. Кулачки 22 с толкателями 23 образуют механизм подачи интегральных схем, а мальтийский механизм10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 При дальнейшем повороте ведомого вала 21 поводок 31 входит в паз мальтийского механизма 30,...

Номер патента: 1166975

Опубликовано: 15.07.1985

Авторы: Копытин, Маковкин, Ситников, Ушаков

МПК: B24B 37/04, H01L 21/463

Метки: плоских, поверхностей

...равномерного зазора между дисками и нахождение но"так как он определен всеми тремя 55 носителями, что обеспечивает свободный ввод изделий в этот зазор навсех трех рабочих позициях. При вращении носителей 11 (фиг, 4) изделия 5 10202535 сителей с утолщениями 13 в зазоре при положении выгрузки и загрузки пластин.Носители 11 установлены между плоскими накладками 15, которые образуют щелевую направляющую полость, совмещенную с зазором между дисками 2 и 3. Нижняя накладка 15 имеет два полудиаметральных выреза 16 в зонах загрузки и выгрузки, центр которых совпадает с центром отверстия для изделий (пластин) на носителях 11. В зоне загрузки имеется столик 17 с плунжером, приводом 18 для подъема пластин в отверстия носителя.Пластины, поступают на...