Патенты с меткой «кадмия-ртути»

Номер патента: 1603284

Опубликовано: 30.10.1990

Авторы: Витер, Каменев, Крылова, Шацкий

МПК: G01N 27/48

Метки: кадмия-ртути, компонентов, теллуриде, титриметрического

...нокислого буферного раствора до рН ) 8 и потенциометрическом осади- тельном титровании кадмия (11) тем же титрантом с платиновым иццикатор-., Е ным электродом. потенциометрическим раствором ДДТК . ффф с графитовым индикаторным электродом Оеи хлорсеребряным электродом сравне- , 4) ния (х,с.э.). После второго скачка потенциалов осадок отделяют, в фильт- Я рат добавляют 2-3 мл аммиачно-винно-. кислотного буферного раствора (0,5 М) до рН ) 8 и далее титруют Сд (11) раствором ДДТК с платиновым электродом и х,с,э - электродом,. сравнения. Раствор 0,1 М ДДТК готовят, растворением навески по известной ме- фф тодике. Рабочие растворы 0,02 и ффффф 0,002 М готовят разбавлением исходного раствора. Время проведения анализа не превышает 15 мин для...

Номер патента: 1378711

Опубликовано: 20.08.1999

Авторы: Кулешов, Панин, Редькин, Юнкин, Якимов

МПК: H01L 21/306

Метки: зондовых, кадмия-ртути, методик, основе, п-типа, проводимости, структур, теллурида, тестовых, электронно

Способ изготовления тестовых структур для электронно-зондовых методик на основе теллурида кадмия-ртути р-типа проводимости, включающий обработку поверхности исходного кристалла полирующим бромсодержащим составом с последующим напылением медленно диффундирующих металлов из ряда: Al, Cr, Pb, Mn, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества тестовой структуры за счет повышения ее чувствительности в режиме наведенного тока для диагностики материала теллурида кадмия-ртути, перед напылением металла в течение 10 мин проводят плазменную обработку поверхности теллурида кадмия-ртути в ВЧ диодной системе в атмосфере Ar при давлении от 5

Номер патента: 1364146

Опубликовано: 27.12.1999

Авторы: Кулешов, Панин, Редькин, Юнкин, Якимов

МПК: H01L 21/306

Метки: p-n-переходов, кадмия-ртути, кристаллов, основе, п-типа, проводимости, теллурида, формирования

Способ формирования р-n-переходов на основе кристаллов теллурида кадмия-ртути р-типа проводимости, включающий обработку кристаллов потоком ионов, отличающийся тем, что, с целью повышения качества р-n-перехода за счет снижения радиационного воздействия на кристаллы, обработку проводят в плазме аргона ВЧ-разряда при давлении от 6,7 10-1 до 66,5 Па и величине удельной мощности на единицу поверхности от 0,6 до 1,3 Вт/см2.