H01L — Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам

Номер патента: 1753885

Опубликовано: 30.08.1994

Авторы: Водаков, Мохов, Роенков

МПК: H01L 21/205

Метки: излучающих, области, светодиодов, спектра, фиолетовой

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СВЕТОДИОДОВ, ИЗЛУЧАЮЩИХ В ФИОЛЕТОВОЙ ОБЛАСТИ СПЕКТРА, включающий эпитаксиальное наращивание в среде инертного газа на подложке карбида кремния слоя SiC n-типа проводимости, легированного азотом с концентрацией (2 - 10) 1018 см-3, слоя SiC p-типа проводимости, легированного алюминием, и нанесение омических контактов, отличающийся тем, что, с целью расширения области применения способа за счет возможности использования подложки карбида кремния любого политипа, в качестве подложки выбирают пластину с ориентацией (000 )C с углом разориентации не более 30

Номер патента: 1311547

Опубликовано: 30.08.1994

Авторы: Вето, Крымко, Кузнецов, Марков, Шилин

МПК: H01L 27/04

Метки: зарядовой, основе, приборов, регистр, связью, сдвиговый

СДВИГОВЫЙ РЕГИСТР НА ОСНОВЕ ПРИБОРОВ С ЗАРЯДОВОЙ СВЯЗЬЮ, содержащий канал переноса, расположенный в плоскости полупроводниковой подложки, стоп-каналы противоположного типа проводимости каналу переноса и фазовые электроды, выполненные в виде диффузионных областей, отличающийся тем, что, с целью упрощения конструкции сдвигового регистра и упрощения управления им, фазовые электроды имеют тот же тип проводимости, что и канал переноса, расположены в одной плоскости с каналом переноса и электрически объединены между собой, при этом канал переноса отделен от фазовых электродов и от поверхности полупроводниковой подложки стоп-каналами, размер канала переноса в направлении, перпендикулярном направлению переноса заряда, является периодически...

Номер патента: 1759203

Опубликовано: 30.08.1994

Автор: Волков

МПК: H01L 39/16

Метки: переключатель, сверхпроводящий

СВЕРХПРОВОДЯЩИЙ ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЬ ТОКА, содержащий ключевой элемент с размещенной на нем парой токовых контактов, электрически соединенных с источником тока и с расположенными между ними потенциальными контактами, а также источник переключающего магнитного поля, действующего на материал ключевого элемента в области между потенциальными контактами, отличающийся тем, что, с целью снижения энергии управления ключевым элементом, он выполнен из поликристаллической сверхпроводящей керамики, образованной анизотропными монокристаллами с параллельной действующему магнитному полю преимущественной ориентацией их кристаллографических направлений, вдоль которых напряженность критического магнитного поля имеет минимальное значение.

Номер патента: 1759204

Опубликовано: 30.08.1994

Автор: Волков

МПК: H01L 39/16

Метки: переключатель, сверхпроводящий

1. СВЕРХПРОВОДЯЩИЙ ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЬ ТОКА, содержащий ключевой элемент с размещенной на нем парой токовых контактов, электрически соединенных с источником тока и с расположенными между ними потенциальными контактами, а также источник переключающего магнитного поля, действующего на материал ключевого элемента в области между потенциальными контактами, отличающийся тем, что, с целью увеличения надежности контактов, по крайней мере приконтактные области ключевого элемента выполнены из поликристаллической сверхпроводящей керамики, образованной анизотропными монокристаллами с параллельной действующему магнитному полю преимущественной ориентацией их кристаллографических направлений, вдоль которых напряженность критического магнитного поля имеет...

Номер патента: 1760925

Опубликовано: 30.08.1994

Автор: Волков

МПК: H01L 39/16

Метки: выключатель, постоянного, сверхпроводящий

СВЕРХПРОВОДЯЩИЙ ВЫКЛЮЧАТЕЛЬ ПОСТОЯННОГО ТОКА, содержащий ключевой элемент, состоящий из изолированных ветвей, и управляющий элемент, отличающийся тем, что, с целью уменьшения энергии управления, ключевой элемент содержит две ветви, а управляющий элемент расположен на одной из ветвей сечения S1, причем сечение второй ветви S2 удовлетворяет соотношениямS1 S2 Ipаб / jc ,где Iраб - полный рабочий ток, подводимый к ключевому элементу;jc - критическая плотность тока сверхпроводящего материала ключевого...

Номер патента: 1499627

Опубликовано: 30.08.1994

Авторы: Антонова, Воронков, Енишерлова-Вельяшева, Куц, Мильвидский, Резник, Русак, Шмелева

МПК: H01L 21/322

Метки: геттерирующими, кремниевых, объеме, пластин, пластины, центрами

1. СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КРЕМНИЕВЫХ ПЛАСТИН С ГЕТТЕРИРУЮЩИМИ ЦЕНТРАМИ В ОБЪЕМЕ ПЛАСТИНЫ, включающий отжиг в окислительной атмосфере при 1100 - 1200oС в течение 2 - 3 ч и двухступенчатый отжиг в инертной среде при 700 - 750oС в течение 4 - 6 ч и при 1000 - 1050oС, отличающийся тем, что, с целью повышения стабильности геттерирования независимо от содержания кислорода в кремнии, отжиг при 1100 - 1200oС проводят в атмосфере сухого кислорода с хлорсодержащими добавками при содержании активного хлора 0,3 - 1% от содержания кислорода, после отжига в окислительной среде проводят дополнительный отжиг при 430 - 450oС, причем продолжительность отжигов при 430 - 450oС и 1000 -...

Номер патента: 1762690

Опубликовано: 30.08.1994

Авторы: Абаньшин, Высоцкий, Кузьмин, Митрохин, Севостьянов, Смирнов, Усенок

МПК: H01L 21/28

Метки: жидкокристаллическим, индикатором, матрицы, тонкопленочных, транзисторов

1. СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МАТРИЦЫ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ ДЛЯ УПРАВЛЕНИЯ ЖИДКОКРИСТАЛЛИЧЕСКИМ ИНДИКАТОРОМ, включающий нанесение на прозрачную диэлектрическую подложку слоя прозрачного токопроводящего материала, формирование элементов отображения, формирование электродов затворов и управляющих шин, подзатворного диэлектрика и активных областей, нанесение токопроводящего слоя, формирование электродов стока, истока и информационных шин, отличающийся тем, что, с целью упрощения технологического процесса, формирование электродов затворов и управляющих шин, подзатворного диэлектрика и активных областей проводят путем последовательного нанесения вентильного металла, диэлектрического и полупроводникового слоев и их совместного травления, а после...

Номер патента: 1384138

Опубликовано: 30.08.1994

Авторы: Акопян, Мымриков

МПК: H01L 39/20

Метки: ключа, сверхпроводящего, состоянием, фазовым

УСТРОЙСТВО УПРАВЛЕНИЯ ФАЗОВЫМ СОСТОЯНИЕМ СВЕРХПРОВОДЯЩЕГО КЛЮЧА, состоящее из двух импульсных источников тока и коммутатора с входом управления, причем два одноименных полюса импульсных источников питания соединены с выводами сверхпроводящего ключа, а его средняя точка соединена через коммутатор с другими одноименными полюсами импульсных источников тока, отличающееся тем, что, с целью увеличения частоты переключения и ее регулирования, в него дополнительно введены регулируемая схема задержки и блок управления, а коммутатор снабжен вторым входом управления, причем блок управления соединен с первым управляющим входом коммутатора и входом схемы задержки, а ее выход соединен с вторым управляющим входом коммутатора.

Номер патента: 1230311

Опубликовано: 30.08.1994

Авторы: Борисов, Грищинский, Гурфинкель

МПК: H01L 23/40

Метки: гибридная, интегральная, схема

ГИБРИДНАЯ ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА, содержащая керамическую подложку, имеющую систему контактов на лицевой поверхности, по крайней мере один полупроводниковый тепловыделяющий кристалл, присоединенный к контактам столбиковыми выводами и имеющий тепловую связь обратной стороны с радиатором посредством металлического теплоотвода, отличающаяся тем, что, с целью уменьшения теплового сопротивления между кристаллом и радиатором, теплоотвод кристалла имеет П-образную форму с глубиной выемки, равной сумме высот кристалла и контактов подложки, присоединен основанием к подложке и внутренней поверхностью к обратной поверхности кристалла теплопроводным материалом, а теплоотвод, присоединенный к обратной поверхности подложки теплопроводным материалом, имеет...

Номер патента: 1364154

Опубликовано: 30.08.1994

Авторы: Глущенко, Колычев

МПК: H01L 21/78

Метки: полупроводниковых, структур

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУР, включающий операции формирования в полупроводниковой подложке областей структур, нанесение слоя металла, формирование металлизированной разводки, окисление части толщины металла, нанесение слоя защитного диэлектрика, вскрытие контактных окон в защитном диэлектрике и присоединение металла проводников к металлизированной разводке через вскрытие окна, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности структуры путем создания беспористого диэлектрика, слой металла наносят толщинойT = t + ,где t - минимальная толщина металла, обеспечивающая токо- и теплопроводность;D - толщина наносимого защитного диэлектрика,...

Номер патента: 730202

Опубликовано: 15.09.1994

Авторы: Дурнин, Суворов

МПК: H01L 21/58

Метки: полупроводниковых, приборов, сборки

СПОСОБ СБОРКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ преимущественно с алюминиевой разводкой, включающий соединение кристаллов с металлическим кристаллодержателем пайкой с помощью припойной прокладки из эвтектического германиевого соединения, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности приборов и экономичности способа, используют прокладку из эвтектического соединения германия с алюминием, температура образования которого 350 - 570oС.

Номер патента: 1667575

Опубликовано: 15.09.1994

Авторы: Гулевич, Дубасов, Егоров

МПК: H01F 7/22, H01L 39/06

Метки: защиты, катушки, короткозамкнутой, сверхпроводящей

УСТРОЙСТВО ЗАЩИТЫ КОРОТКОЗАМКНУТОЙ СВЕРХПРОВОДЯЩЕЙ КАТУШКИ, содержащее разрядное сопротивление и коммутирующий элемент, соединенные параллельно и подключенные к сверхпроводящей катушке, а также блок управления и пороговый элемент, выходы которого соединены с входами блока управления и разрядного сопротивления, отличающееся тем, что, с целью увеличения чувствительности и надежности устройства, в него дополнительно введены несверхпроводящая компенсирующая обмотка и сумматор, выход которого соединен с входом порогового элемента, причем средние точки сверхпроводящей катушки и несверхпроводящей компенсирующей обмотки электрически соединены, выводы несверхпроводящей компенсирующей обмотки подключены к входам сумматора, а общая шина сумматора...

Номер патента: 1616457

Опубликовано: 15.09.1994

Авторы: Бурсиков, Мымриков

МПК: H01L 39/16

Метки: ключ, сверхпроводящий

1. СВЕРХПРОВОДЯЩИЙ КЛЮЧ, состоящий из соленоида управления и переключаемого сверхпроводящего токонесущего элемента, уложенного гармошкой и содержащего внутренний контур, причем выводные концы сверхпроводящего токонесущего элемента подключены к токовводам, отличающийся тем, что, с целью повышения быстродействия и надежности работы сверхпроводящего ключа путем одновременного воздействия управляющего магнитного поля на весь объем сверхпроводящего токонесущего элемента, внутренний короткозамкнутый контур образован единой прорезью по длине токонесущего элемента, замкнутой с его разных сторон выводными концами, причем выводные концы размещены перпендикулярно плоскости гармошки токонесущего элемента, а сгибы гармошки перпендикулярны направлению...

Номер патента: 1623502

Опубликовано: 15.09.1994

Авторы: Климов, Масловский, Минаев, Постников

МПК: H01L 21/66

Метки: испытания, мдп-структурой, надежность, полупроводниковых, приборов

СПОСОБ ИСПЫТАНИЯ НА НАДЕЖНОСТЬ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ С МДП-СТРУКТУРОЙ, включающий измерение в одинаковых условиях электрических параметров структур до и после термостатирования и выявление потенциально ненадежных приборов при изменении этих параметров, превышающих заданное значение этого изменения, отличающийся тем, что, с целью повышения достоверности испытаний, до термостатирования или одновременно с ним на структуру воздействуют магнитным полем, увеличивая его от 0 до 2,0 105 А/м, а затем выключая его.

Номер патента: 1623511

Опубликовано: 15.09.1994

Авторы: Акопян, Бурсиков, Мымриков, Трохачев

МПК: H01L 39/16

Метки: ключа, нормальное, перевода, сверхпроводящего, состояние

...до критического значения наведенный в ключе ток. 25На фиг. 1 изображена развертка токонесущего элемента сверхпроводящего ключа; на фиг, 2 и 3 - конструкция сверхпроводящего ключа; на фиг, 4 - принципиальная схема сверхпроводящего ключа; на фиг. 5 - 30 временные диаграммы работы ключа.Сверхпроводящий ключ состоит иэ токонесущего элемента 1, выполненного в виде состоящего из двух ветвей замкнутого сверхпроводящего контура, сложенного би филярно пополам по лини сгиба, цилиндрического каркаса 2, имеющего продольную щель, на котором намотан бифилярно сложенный токонесущий элемент 1, причем середина его заведена в продольную щель, 40 двух сверхпроводящих перемычек 3, подсоединенных параллельно половинкам обеих нормальное состояние,...

Номер патента: 1393264

Опубликовано: 15.09.1994

Авторы: Жильцов, Сивак

МПК: H01L 29/73

Метки: мощный, планарный, транзистор

МОЩНЫЙ ПЛАНАРНЫЙ ТРАНЗИСТОР, содержащий подложку, являющуюся коллектором, в которой выполнена область базы с активными и пассивными участками, включающая эмиттерную область, диэлектрическое покрытие, в котором выполнены контактные окна, эмиттерную и базовую металлизации с контактными площадками, расположенные на диэлектрическом покрытии, и дополнительные области, расположенные в приповерхностной области коллектора с типом проводимости, противоположном типу проводимости коллектора, отличающийся тем, что, с целью увеличения коэффициента усиления по мощности, дополнительные области расположены над контактными площадками эмиттерной и базовой металлизации, имеют глубину не менее глубины пассивной части базовой области и находятся от нее на...

Номер патента: 1005607

Опубликовано: 15.09.1994

Авторы: Борисов, Гурфинкель, Сергеев

МПК: H01L 29/73

Метки: биполярный, транзистор

БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР, содержащий полупроводниковую подложку с областями эмиттера первого типа проводимости, включающего высоколегированный и слаболегированный участки, базы второго типа проводимости, включающей высоколегированный пассивный участок, который охватывает слаболегированный активный участок, а также коллектора, отличающийся тем, что, с целью повышения коэффициента усиления мощности на частоте свыше 104 Гц, в активном участке области базы сформирована дополнительная высоколегированная зона того же типа проводимости, которая охватывает активный участок базы и примыкает к пассивному участку области базы, при этом проекция слаболегированного участка области базы на поверхность подложки размещена в пределах проекции...

Номер патента: 1570568

Опубликовано: 15.09.1994

Авторы: Василевская, Журавлева, Кузнецов, Манагаров, Харитонов

МПК: H01L 27/148

Метки: заряда, переносом, прибор, фоточувствительный

ФОТОЧУВСТВИТЕЛЬНЫЙ ПРИБОР С ПЕРЕНОСОМ ЗАРЯДА, содержащий не менее двух аналогичных по конструкции структур, состоящий из линейки фоточувствительных элементов и регистра переноса заряда, а также оптические фильтры, расположенные над указанными элементами, и выходное устройство, отличающийся тем, что, с целью обеспечения чувствительности в заданных спектральных диапазонах при одновременном повышении чувствительности и разрешающей способности по строке, число линеек фоточувствительных элементов соответствует числу заданных спектральных диапазонов, регистры переноса размещены по обе стороны линейки фоточувствительных элементов и каждый из них снабжен выходным устройством, причем шаг расположения фоточувствительных линеек кратен размеру...

Номер патента: 1581149

Опубликовано: 15.09.1994

Авторы: Брылевский, Грехов, Ефанов, Кардо-Сысоев, Смирнова, Чашников, Шеметило

МПК: H01L 29/04

Метки: восстановлением, высоковольтный, диод, обратного, резким, сопротивления

ВЫСОКОВОЛЬТНЫЙ ДИОД С РЕЗКИМ ВОССТАНОВЛЕНИЕМ ОБРАТНОГО СОПРОТИВЛЕНИЯ, содержащий слаболегированный слой n-типа проводимости, расположенный между двумя сильнолегированными слоями разного типа проводимости, и два омических контакта, отличающийся тем, что, с целью увеличения диапазона длительностей и амплитуд импульсов прямого тока, в него введен дополнительный слой p-типа проводимости, расположенный между сильнолегированным слоем p+-типа проводимости и слаболегированным слоем n-типа проводимости, причем концентрация легирующей примеси в дополнительном слое N1 и его толщина d1 удовлетворяют соотношениямN3 > N1 ...

Номер патента: 1581150

Опубликовано: 15.09.1994

Авторы: Аверина, Крымко, Кузнецов, Марков, Пресс

МПК: H01L 29/10

Метки: многослойная, структура, электродная

МНОГОСЛОЙНАЯ ЭЛЕКТРОДНАЯ СТРУКТУРА, содержащая металлические шины, поликремниевые слои параллельных электродов с замыкающими шинами, чередующиеся с изолирующими диэлектрическими слоями, в которых выполнены контактные окна, предназначенные для создания омического контакта между металлическими шинами и поликремниевыми слоями и расположенные на участках, свободных от электродов нижележащего поликремниевого слоя, отличающаяся тем, что, с целью снижения вероятности короткого замыкания между электродами разных поликремниевых слоев, расстояние x между электродами нижележащего поликремниевого слоя и проекций на этот слой верхней границы ближайшего контактного окна к электродам...

Номер патента: 1738042

Опубликовано: 15.09.1994

Авторы: Ачкасов, Мешеряков, Цыбин

МПК: H01L 21/82

Метки: больших, интегральных, матричных, структур, схем

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СТРУКТУР МАТРИЧНЫХ БОЛЬШИХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ, включающий формирование полевого и затворного слоев окида кремния, поликремниевых областей, диффузионных областей стока и истока и металлизации, отличающийся тем, что, с целью повышения плотности упаковки активных элементов схем без снижения радиационной стойкости БИС за счет уменьшения площади пассивных областей и упрощения способа за счет снижения требований к величине концентрации примеси в подложке, полевой слой оксида кремния в накопителе матрицы формируют только под областями контактов поликремния с металлизацией со смешением относительно поперечной оси канала транзисторов на величину не менее половины длины канала, поликремниевые области формируют с перекрытием...

Номер патента: 1738039

Опубликовано: 15.09.1994

Авторы: Брицис, Казачонок, Стасюк, Фоминых

МПК: H01L 21/60

Метки: кремниевого, кристалла, кристаллодержателю, полупроводникового, прибора, присоединения

СПОСОБ ПРИСОЕДИНЕНИЯ КРЕМНИЕВОГО КРИСТАЛЛА К КРИСТАЛЛОДЕРЖАТЕЛЮ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ПРИБОРА, включающий формирование на посадочной поверхности кристалла слоистой структуры, наружный слой которой выполнен из алюминия, нанесение алюминиевой пленки на контактную поверхность кристаллодержателя и пайку кристалла с кристаллодержателем, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных, слоистую структуру выполняют в виде внутреннего слоя из алюминия и промежуточного слоя из сплава германий-алюминий, толщину наружного слоя выбирают равной 30 - 150 нм, а пайку осуществляют при 400 - 480oС в течение 1,5 - 5 с.

Номер патента: 1547619

Опубликовано: 30.09.1994

Авторы: Бачурин, Верников, Енишерлова-Вельяшева, Концевой, Левин

МПК: H01L 21/324

Метки: высокотемпературной, пластин, полупроводниковых

1. УСТРОЙСТВО ДЛЯ ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНОЙ ОБРАБОТКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПЛАСТИН, включающее печь с горизонтальной трубой и кварцевую кассету, средство для центровки и удержания пластин, узел регулирования усилия сжатия пластин, отличающееся тем, что, с целью обеспечения высокотемпературной термокомпрессионной попарной сварки полупроводниковых пластин, средство для центровки и удержания пластин выполнено в виде опоры и набора плоскопараллельных шайб из полупроводникового материала, покрытых нитридом кремния, между средством для центровки и удержания пластин и узлом регулировки усилия сжатия пластин дополнительно введен подвижный шток, содержащий шаровую опору, а узел регулировки усилия сжатия пластин находится вне трубы печи.2. Устройство...

Номер патента: 1662306

Опубликовано: 30.09.1994

Авторы: Велигура, Выгловский, Косой

МПК: H01L 29/72

Метки: мощный, свч-многоэмиттерный, транзистор

...тока в цепи эмиттера, а.Выражение, определяющее величину токостабилизирующего сопротивления получено исходя из следующих исходных предпосылок:а) рабочая точка по постоянному току не должна меняться в крайних точках температурного диапазона транзистора, т.е. эо = эЛТб) приложенное напряжение к эмиттерному переходу определяется выражениемФО =Оэб +1 э РэьгДе Оэб - встРоенныйпотенциал Р-и-пеРехода;йэ - сопротивление цепи эмиттер база;4 - ток эмиттера,Температурная зависимость встроенного потенциала определяется выражением.О: О - К Лт,эб эб иогДе Оэб - встРоенный потенЦиал Р - и-перехода при начальной температуре;10К- термический коэффициентиэмиттерного напряжения;15 Л Т - изменение температуры,в) температурная зависимость...

Номер патента: 1378722

Опубликовано: 30.09.1994

Авторы: Карепов, Климова, Рубан

МПК: H01L 21/44

Метки: контактная, преобразователям, фотоэлектрическим

1. КОНТАКТНАЯ СИСТЕМА К ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИМ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЯМ, содержащая слой титана, осажденный на поверхность кремния, барьерный слой и слой меди, отличающаяся тем, что, с целью повышения надежности путем создания эффективного барьера от меди в контактной системе, в качестве материала барьерного слоя использован нихром и барьерный слой выполнен толщиной 200 - 300 нм.Система по п.1, отличающаяся тем, что поверхность медного слоя покрыта слоем антикоррозийного металла или сплава.

Номер патента: 1316486

Опубликовано: 30.09.1994

Авторы: Брюхно, Сафронов

МПК: H01L 21/205

Метки: кремниевых, структур

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КРЕМНИЕВЫХ СТРУКТУР, включающий операции затравливания, осаждения поликристаллического кремния из газовой фазы на монокристаллическую кремниевую пластину, выравнивания поликристаллического слоя параллельно обратной стороне монокристаллической пластины, удаления части монокристаллического слоя до достижения заданной толщины, нанесения защитного покрытия на поликристаллический слой кремния, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных структур путем увеличения механической прочности слоя поликристаллического кремния, в процессе осаждения поликристаллического кремния проводят дополнительные операции затравливания по достижении толщины поликристалла d (мкм), изменяемой в пределах 30

Номер патента: 1218855

Опубликовано: 30.09.1994

Авторы: Веригин, Егорушкин, Крючков, Логачев, Печенкин, Погребняк, Рмнев

МПК: H01L 21/265

Метки: имплантации, ионов, материалы, полупроводниковые

СПОСОБ ИМПЛАНТАЦИИ ИОНОВ В ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ МАТЕРИАЛЫ, включающий облучение ионами легируемого материала, отличающийся тем, что, с целью повышения экспрессности способа, облучение проводят импульсным сильноточным пучком ионов с плотностью энергии (0,9 - 1,5) 103 Дж/см3 и дозой (5 1012 - 5 1014) частиц/см2 за импульс.

Номер патента: 1464831

Опубликовано: 30.09.1994

Авторы: Карепов, Климова, Рубан

МПК: H01L 23/532

Метки: контактная, преобразователям, фотоэлектрическим

КОНТАКТНАЯ СИСТЕМА К ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИМ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЯМ, содержащая последовательно расположенные друг над другом адгезионный слой, слой нихрома толщиной от 200 до 300 нм, слой меди и слой антикоррозийного металла или сплава, отличающаяся тем, что, с целью повышения надежности, в качестве адгезионного слоя используют пленку силицида хрома с поверхностным сопротивлением от 300 до 1000 Ом/о, а толщина слоя меди от 3 до 15 мкм.

Номер патента: 784636

Опубликовано: 30.09.1994

Автор: Григоришин

МПК: H01L 21/311

Метки: масок

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МАСОК, включающий операции анодирования алюминиевой пластины, нанесения защитного покрытия, вытравливания алюминия, формирования рисунка и кромок щелей маски и термической обработки масок на воздухе, отличающийся тем, что, с целью повышения тепловой формоустойчивости масок, после анодирования алюминиевой пластины на глубину, равную толщине кромок щелей маски, формируют на анодированной поверхности алюминиевой пластины рисунок маски из защитного покрытия, вытравливают анодный окисел и частично алюминий на открытых участках анодированной поверхности, выращивают в вытравленных участках барьерный оксидный слой при напряжении формирования, в 2 - 4 раза превосходящем напряжение анодирования алюминиевой пластины, стравливают...

Номер патента: 1774796

Опубликовано: 15.10.1994

Автор: Петлин

МПК: H01L 31/04

Метки: батарея, солнечная

СОЛНЕЧНАЯ БАТАРЕЯ, содержащая плоские солнечные элементы и плоские отражатели солнечного излучения, расположенные под углом 45o к плоскости солнечной батареи, отличающаяся тем, что, с целью улучшения энергоэкономических показателей батареи, солнечные элементы и отражатели имеют одинаковые геометрические размеры и образуют друг с другом двугранный угол, равный 90o, причем для солнечной батареи с односторонней или двусторонней рабочей поверхностью солнечные элементы выполнены односторонне- или двустороннечувствительными соответственно.