Способ определения характеристик локализованного заряда в мдп-структуре
Описание | Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Описание




где d - толщина диэлектрика;
q - заряд электрона;
Nd(Vg) - концентрация легирующей примеси на границе области пространственного заряда, отвечающего напряжению Vg;

Cох - емкость диэлектрика;
S - площадь затвора.
Заявка
4716675/25, 11.07.1989
Институт радиотехники и электроники АН СССР
Гольдман Е. И, Ждан А. Г, Пономарев А. Н
МПК / Метки
МПК: H01L 21/66
Метки: заряда, локализованного, мдп-структуре, характеристик
Опубликовано: 20.06.1999
Код ссылки
<a href="https://patents.su/0-1632293-sposob-opredeleniya-kharakteristik-lokalizovannogo-zaryada-v-mdp-strukture.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ определения характеристик локализованного заряда в мдп-структуре</a>
Предыдущий патент: Электродинамический плазменный формирователь импульса тока
Следующий патент: Способ дозиметрии ионизирующих излучений
Случайный патент: Устройство для загрузки корнеклубнеплодов