Способ определения характеристик локализованного заряда в мдп-структуре

Номер патента: 1632293

Авторы: Гольдман, Ждан, Пономарев

Описание

Способ определения характеристик локализованного заряда в МДП-структуре, включающий подачу изменяемого напряжения смещения Vg на МДП-структуру, одновременное измерение зависимостей низкочастотной Cнч и высокочастотный Cвч емкостей от напряжения смещения Vg, отличающийся тем, что, с целью обеспечения возможности определения координаты центроида локализованного заряда Zс.лок, по измеренной зависимости Cвч от Vg определяют первую производную высокочастотной емкости по напряжению смещения при различных напряжениях смещения , устанавливают скорость изменения напряжения Vg, исключающую перезарядку локализованных электронных состояний и формирование канала инверсии в приграничной области полупроводника в области напряжений, соответствующих состоянию указанной области от обогащения до глубокого обеднения, и при этой скорости изменения Vg дополнительно измеряют зависимость высокочастотной емкости от подаваемого напряжения , а координату центроида локализованного заряда определяют из соотношения


где d - толщина диэлектрика;
q - заряд электрона;
Nd(Vg) - концентрация легирующей примеси на границе области пространственного заряда, отвечающего напряжению Vg;
5 - диэлектрическая постоянная полупроводника;
Cох - емкость диэлектрика;
S - площадь затвора.

Заявка

4716675/25, 11.07.1989

Институт радиотехники и электроники АН СССР

Гольдман Е. И, Ждан А. Г, Пономарев А. Н

МПК / Метки

МПК: H01L 21/66

Метки: заряда, локализованного, мдп-структуре, характеристик

Опубликовано: 20.06.1999

Код ссылки

<a href="https://patents.su/0-1632293-sposob-opredeleniya-kharakteristik-lokalizovannogo-zaryada-v-mdp-strukture.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ определения характеристик локализованного заряда в мдп-структуре</a>

Похожие патенты