Описание

1. Фотодетектор на основе полупроводниковой структуры, по крайней мере с одной ячейкой, содержащей фоточувствительную зону, отличающийся тем, что, с целью увеличения чувствительности в области длин волн вблизи края собственного поглощения полупроводника и расширения диапазона чувствительности в длинноволновую часть спектра, фоточувствительная зона выполнена с дефектами в виде изолированных выделений второй фазы в количестве 0,1 - 8% от объема зоны.
2. Фотодетектор по п.1, отличающийся тем, что размер дефектов - не менее длины волны края собственного поглощения полупроводника.

Заявка

3345344/25, 12.08.1981

Верходанов С. П, Герасименко Н. Н, Йожеф Дьюлаи, Петер Ревес

МПК / Метки

МПК: H01L 31/036

Метки: фотодетектор

Опубликовано: 27.06.1999

Код ссылки

<a href="https://patents.su/0-1005610-fotodetektor.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Фотодетектор</a>

Похожие патенты