H01L — Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам

Номер патента: 378973

Опубликовано: 01.01.1973

Автор: Авторы

МПК: H01F 13/00, H01L 37/00

Метки: магнитов, многополюсных, термомагнитной

...постоянный ток, создающий дополнительный магнитный поток.На фиг. 1 схематически показано распределение основного магнитного потока от индуктора в присутствии дополнительного маг. нитного потока; на фиг. 2 - то же, в отсутствие дополнительного магнитного потока.В межполюсные пазы магнитов 1 сложной конфигурации вставляют изолированные проводники 2, по профилю близкие к профилю паза. Проводники соединяют между собой последовательно и по ним пропускают постоянный ток, образующий вокруг каждого проводника магнитное поле одноименной полярности с магнитным полем намагничивающей установки 3.Магнитное поле, образующееся вокруг проводника с током, вытесняет поле рассеяния намагничивающей установки в тело магиита, что позволит создать...

Номер патента: 378999

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Авторы, Теш

МПК: H01L 21/66

Метки: герметичности, полупроводниковых

...колебания создают кавитационные процессы в жидкости, при которых возникают местные ударные волны с большими мгновенными пи ками давления. Ударные волны при гидродинамическом ударе о поверхность контролируемых изделий и разность давлений между атмосферным и откаченным в объеме изделий резко повышают проникающую способность 15 жидкости в объеме негерметичных изделий.По предлагаемому способу испытывают изделия на герметичность следующим образом.Контролируемые изделия помещают в вертикальном положении в сетчатое приспособ ление, имеющее полое фторопластовое кольцо, Вертикальное расположение изделий выбирают из условия наименьшего экранирования контролируемых поверхностей от ультразвуковых колебаний, Приспособление с изде лиями...

Номер патента: 379912

Опубликовано: 01.01.1973

Автор: Автор

МПК: G05F 1/20, H01L 29/82

Метки: всесоюзная

...справа налево; если же ВУВ той же величины наложить на другую область, то электрический ток течет через тот же четырехполюсник в противоположном направлении, т. е. слева направо,Если ВУВ увеличивает проводимость чувствительной к нему полупроводниковой структуры цепи, то наложение ВУВ на область, ле 5 ю 15 го 25 зо 35 40 45 50 55 60 65 жащую слева от плоскости Я, вызывает такое перераспределение электрического тока, подходящего к местам пространственного скрещивания ветвей, что передача в четырхполюснике происходит слева направо, а если ВУВ той же величины наложить на другую область, то в этом случае электрический ток будет течь через четырехполюсник в противоположном направлении, т. е. справа налево.Таким образом, изменение...

Номер патента: 379940

Опубликовано: 01.01.1973

Автор: Калинин

МПК: H01L 21/00

Метки: герметизации, полупроводниковых

...упорами (9 и имеет скосы 20, выполненные в форме зуба звездочки. Скосы 20 взаимодеиствуют с роликами 11 при фиксации кассет. 1 по шагу относительно нижних блоков смыкания.Каждый блок смыкания закреплен (способ крепления не показан) на тележках 21.Каждая тележка 21 оснащена двумя роликами 22 (см. фиг. 3 и 4), соосно которым размещены две каретки 23 с возможностью вращения на своих осях, Каретки 23 имеют колеса 24. Тележки 21 установлены на замкнутом монорельсе 25 и соединены между собой шарнирными тягами 26. Монорельс 25 установлен на плите 27 и имеет отверстие 28 (см, фиг. 2). Цепь блоков смыкания охватывает две одинаковые звездочки 29 (на фиг. 1 и 2 условно показаны только их начальные диаметры, на фиг. 2 показан профиль зубьев...

Номер патента: 380219

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Кот, Юрлова

МПК: H01L 21/479

Метки: полупроводниковых, приборов

...микрона и соответствующей режиму осаждения плотностью, насуопензию помещают в сп .- 25, В электрическом контакте с дятся два электрода, на кото- постоянное напряжение, Элекором происходит осаждение аморфного полупроводника, выполняют из ре. зистивного материала.В качестве такого материала можно использовать манганин с удельным сопротивлением 0,42 - 0,48 ом лтлт 2/м, константан с удельным сопротивлением 0,48 - 0,52 ом млР/м, окись олова и др,В зависимости от того, какой прибор готовится, выбирают ту или иную форму электрода и соответствующий материал для его изготовления, С помощью дополнительного источника тока на резистивном электроде создают потенциальный рельеф, в простейшем случае вида ота Е=сопз 1, что в свою очередь...

Номер патента: 380684

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Глобус, Китаев, Кондратьева

МПК: H01L 31/0296

Метки: подложках, свинца, слоев, состав, сульфида, фоточувствительных

...концентрацией 3 - б м/л. Недостатеси состава заключаются в том, что щелочи не удается получать нужной чи стоты, а гидразин дорог и токсичен.Г 1 редложенный состав отличается тем, что в качестве щелочного агента используют аммиак концентрацией 2,0 - 2,5 лг/л, а для улучшения фоточувствительности слоев - добавки 20 гидразина концентрацией 0,5 - 1,0 м/л. Это позволяет удешевить производство фоточувствительных слоев сернистого свинца и снизить токсичность состава.Осаждеееие слоев сульфида свинца с высокой фоточувствительностью из ванн, содержащих гидразин, сопровождается образованием частично дегидратированного основного ацетата свинца 2 РЬО РЬЛсг . Н;О, который, явля ясь кислородсодержащей примесью, отезультате чего цианампд свинца образв...

Номер патента: 381119

Опубликовано: 01.01.1973

МПК: H01L 21/288

Метки: заготовок, полупроводниковых, приборов, припоя, сборки

...не восстанавливается при пайке в водороде (не диссоциирует в вакууме) и препятствует полной смачиваемости поверхности. Низкое качество контактов снижает надежность и циклостойкость приборов и повышает их тепловое сопротивление.Согласно предлагаемому способу, с поверхности прокатанной ленты или вырубленных заготовок удаляется пленка окислов химическим или механическим путем и наносится тонкий слой металла, окислы которого восстанавливаются водородом (например, слой никеля) или диссоциируют (например, слой серебра) при нагреве в процессе пайки до расплавления припоя. Нанесенный металл защищает припой от окисления, а в процессе пайки растворяется в припое. Толщина металлизации определяегся химическим составом припоя. Этот способ...

Номер патента: 381300

Опубликовано: 01.01.1973

МПК: H01L 21/26

Метки: дефектов, отжига, полупроводнике, радиациопных

...(рабочееченский, Г, А. Качурин, . С, Смирновибирского отделения АН СССР ЦИОННЫХ ДЕФЕКТОВОДНИКЕ го) подвергалась бомбардировке протонами (Е = 10 кэв,= 0,08 мка(см 2) в течение 132 миц. Контрольный образец защищался от воздействия протонов металлическим экраном.Методом ЭПР проводилось сравнение числа 1%-цетров, связанных с дефектами, вносимыми ионным внедрением (1 в контрольном и рабочем образцах. Оказалось, что контрольный образец содержал Ю-цетров в 10 раз больше, чем образец, облучсццый протоцамп.Электроцограммы дифракции электронов на отражение подтвердили существенное улучшение структуры слоя, аморфизированного предварительной бомбардировкой ионами аргона.П р и м е р 2. Аналогичный результат по низкотемпературцому восстановлен;по...

Номер патента: 382940

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Веселев, Вител, Завитков

МПК: G01K 3/04, G01K 7/02, H01L 35/28 ...

Метки: температуры

...и термо-э.д. с.Однако таким способом невозможно про водить измерения в условиях меняющегося во 25 времени как напряжения питания термоэлек. трического устройства, так и термо- э. д. с., что в целом ряде случаев является необходи мым (например, при регулировании температурного режима какого-либо объекта).30 Цель изобретения - обеспечить контроль температуры в нестационарны; условиях без нарушения рабочего режима. Для этого тер. моэлектрпческое устройство запптывают постоянным напряжением, снимаемым с диаго. нали питания мостовой схемы, одним пз плеч которой является термоэлектрическое устрой ство, а уравновешивают мостовую схему переменной составляющей тока питания и по величине тсрмо-э. д. с., измеряемой в индикаторной...

Номер патента: 409958

Опубликовано: 05.01.1974

МПК: C01G 30/00, H01L 41/18, H01L 41/22 ...

Метки: 409958

...1 л заливают йодистоводородную кислоту в количестве, соответствующем данным таблицы и нагревают до 70 - 80 С, При необходимости йод восстанавливают порошком металлической сурьмы при перемешивании.Не отделяя избыток сурьмяного порошка и не прекращая нагревания, в стакан вносят по частям навеску окиси (или трехйодистой) сурьмы, которую растворяют при перемешивании, Полученный краснооранжевый горячий раствор тщательно фильтруют через стеклянный фильтр ПС. Далее все операции с фильтратом вплоть до начала пропускания сероводорода производят, принимая меры к защите раствора от окисления кислородом воздуха, Фильтрат переносят в коническую колбу емкостью 1,5 л, предварительно заполненную углекислым газом, разбавляют до 500 мл водой, и колбу...

Номер патента: 410339

Опубликовано: 05.01.1974

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: 410339

...время жизПредлагаемый способ отличается через включенный по управляющем ду тиристор пропускают импульсы обратного токов, измеряют времена выключения, соответствующие разл плитудам импульсов обратного ток стояццых амплитудах прямого тока ношения: тем, что у электро- прямого и обратного ичцым ама, при пои из соот 11 обр,и1 обр,тр - время жизни цеосцовцых носи лей заряда в гг-базе тиристора; Изобретение вому приборостИзвестен спо ни цеосцовцых ристора, включ ристор импульс и измерение врОднако этот ходимой точцос обратного выкл от болыпого ко цепи.Цель изобр измерения. теция - повышение точнос время обратного в ответствующее амного тока 1 обр время обратного в ответствующее ам 1 обрамплитуда обратпо цая при измерепии амплитуда обратно цая...

Номер патента: 410340

Опубликовано: 05.01.1974

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: 410340

...схемой ИЛИНа чертеже представлена блок-схема предложенного устройства.Устройство содержит логическую схемуИЛИ 1, счетчик импульсов 2, схему задерж ки 3, генератор импульсов тока 4, генератор пускового импульса 5, генератор линейно изменяющегося напряжения 6, схему сравнения 7.Сигнал Пуск с одного цз выходов генера тора пускового импульса 5 поступает через логическую схему ИЛИ 1 ца генератор импульсов тока 4, а с другого выхода - на генератор линейно изменяющегося напряжения 6.Импульс тока с генератора 4, проходя по це пц эмиттер-коллектор испытуемого транзистора, создает ца цем падение напряжения, амплитуда которого пропорциональна мицималььой толщине базы. Это напряжение и линейно изменяющееся напряжение с генератора 6 25 поддается на...

Номер патента: 410492

Опубликовано: 05.01.1974

МПК: H01L 29/06, H03D 1/18

Метки: 410492

...15 размеры которого много меньше длины волны в волноводе, а на стороне, примыкающей к держателю, расположены два снабженных металлическими контактами переход типа р - и Контакт 5 имеет гальваническу корпусом держателя, а контакт 4 п изолированного проводника 7 с крышкой 8, которая изолирована держателя прокладкой 9.Держатель с кристаллом закр волноводе, в центре одной из его стенок.При воздействии электрическог кристалл на р - и и и - и+ перех кают термоэлектродвижущие сил носителей, имеющие противополож ность по отношению к кристаллу. контактах получается суммарная водящая к повышению чувствител ройства,ю связь с ри помощи оединен с от корпуса пляется в широких о поля на одах возниы горячих ную полярПоэтому на э.д.с.,...

Номер патента: 410493

Опубликовано: 05.01.1974

МПК: H01L 21/00

Метки: 410493

...3 установлена на кронштейне 4, смонтированном на конце вала 5. Вал установлен на подшипниках в корпусе 6. Закрепленный на другом конце вала 5 рычаг 7 через ось 8, сухарь 9 и пружину 10 связан с тягой 11, шарнирно соединенной с рычагом 12, который через ролик 13 контактирует с профильным кулачком 14, Рычаг 15 установлен на оси 16. Одно его плечо через ролик 17 взаимодействует с кулачком 18, а другое через регулировочный винт 19 и шток 20 - со сварочной головкой 1.Механизм фиксации сварочной головки выполнен в виде трехплечего рычага 21, установленного на вертикальной оси 22. На двух плечах рычага установлены регулировочные винты 23 и 24, контактирующие соответственно с кронштейном 4, несущим сварочную головку, и неподвижным основанием 25,...

Номер патента: 410494

Опубликовано: 05.01.1974

МПК: H01L 21/00

Метки: 410494

...Между штырями-ловителями 12 размещен рабочий столик 2, смонтированный на микроманипуляторе 3 и выполненный в виде вертикально перемещающейся каретки, приводимой в движение приводом 8 через рычаг 14. Для создания нагружения при сварке рабочий столик 2 снабжен снизу пружиной 15, Ход рабочего столика 2 ограничен двумя упорами 16 и 17, один из которых 16 служит для регулировки расстояния между кристаллом и контактной рамкой при их совмещении, а другой (упор 17) является ограничителем хода рабочего столика 2 при захвате кристалла из кассеты-накопителя 6 аВтооператором 5. Сварочная головка 7 снабжена упором 18, регулирующим опускание сварочного инструмента 19. Визуальный контроль совмещения кристалла с контактной рамкой осуществляется...

Номер патента: 410504

Опубликовано: 05.01.1974

МПК: C04B 35/472, C04B 35/499, H01L 41/18 ...

Метки: 410504

...поле напряженностью 3 кв/мм.О Механическая добротность известного материала составляет 230 в 2, механическая добротность предложенного материала 400, что взначительной мере позволяет расширить область его применения,Изобретение относится к пьезокерамическим материалам и может быть использовано при изготовлении электромеханических преобразователей, работающих на основе пьезоэлектричества.Известен пьезокерамический материал на основе твердых растворов титаната-феррониобата свинца с добавкой окиси лития, содержащий в качестве исходных компонентов РЬО, ХЬ,О Ге,ОТ 10, и добавку 1.1,0 сверх стехиометрии. Этот пьезокерамический материал имеет невысокую механическую добротность, что в значительной мере ограничивает его применение в...

Номер патента: 410505

Опубликовано: 05.01.1974

МПК: H01B 12/00, H01B 13/008, H01L 39/24 ...

Метки: 410505

...сечения, вид в плане; на фиг, 2 - сечение ленты-подложки с продольными прямоугольными канавками; на фиг. 3 - ориентация ленты с продольными прямоугольными канавками по отношению к направле ци 1 о потока паров в процессе конденсациикомпонентов ицтерметаллического сверхпроводящего соединения; на фиг. 4 - сечение той же ленты с нанесенным слоем сверхпроводящего соединения; па фиг. 5 - участок ленты подложки с системой продольных непрерыв-.ных канавок треугольного сечения, вид в плане; на фиг. б - сечение ленты-подложки с продольными треугольными канавками; на фиг. 7 - ориентация ленты с продольными 20 треугольными канавками по отношению к направлению потока паров в процессе конденсации компонентов ицтерметаллического сверхпроводящего...

Номер патента: 382174

Опубликовано: 05.01.1974

МПК: H01L 21/463

Метки: вскрытия, интегральных, кремния, монокристллличёских, островков, сносов, структурр, схем

...Ратшска 51 иаб., д, 45двлоярословеикоя городсяоя ти 1 огдв 1 ия Килтгясяого оолдстиого уирдвлсниа ив,твтсльсто, ир.тигрвфии и кви:Кио 1 торговли В(,1 цчиид усилия, огредед 5 емя из указдииого соотношения, достаточна для выирямлсиия исе 1)ИВлеций струетуры и ис ириюдцт и се разрушению. После того, как ириложсо усилие и структуры выирямлецы, ие ЗДКРСИ,5110 Г В ЭТО) ИО,ОЖСИИИ.С 1) Метмр 1 иослс соили(1)овки ир дети" с ски состоит цз одиородиого слоя иоликрцстдлличесеого крсмиця с вклочииями от- ,СЛЬ 1 ЫХ Е РИС 1 Д.1,ОВ, ИЗО(1 ИРОВЯИИЬХ ДИЭ,1(Е- трцком. 11 аиряженця в структуре, сущсствующис зд счет различной величины смиератури,1); наиряжсицй слоев, снимаются после искры гчя моиоерисалли чески)( островков. Посл( сошлифовки структуры не...

Номер патента: 411398

Опубликовано: 15.01.1974

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: 411398

...10 низкой частоты.В исходном состоянии исследуемый транзистор отсутствует, при этом выход генератора 11 низкой частоты соединен со входом усилителя 9, выход которого через разделительный 15 конденсатор 5 подсоединен к токозадающемурезистору 4, токосъемному резистору 2 и одному из входов индикатора 1,Вывод токозадающего резистора 4 соединенс выходом источника 8, а вывод токосъемного 20 резистора 2 соединен со вторым входом индикатора 1 и с эмиттерным контактом исследуемого транзистора 3, коллекторный контакт которого соединен с блокирующим конденсатором 6 и источником 7, а базовый контакт 25 транзистора 3 соединен с резистором 10 ивходом усилителя 9.Устройство работает следующим образом.При подключении исследуемого транзистора замыкается...

Номер патента: 411526

Опубликовано: 15.01.1974

МПК: H01F 21/00, H01L 43/00

Метки: 411526

...сопротивления,подключена параллельно входным зажимам трансформатора и конденсатору, выполняющему роль компенсирующего, через входное сопротивление горизонтальной ветви четырех полюсника.На чертеже приведена электрическая блоксхема описываемого полупроводниковоготрансформатораЧетырехполюсник Т-образного типа, в вер тикальную ветвь которого входит отрицательное сопротивление 1, а в горизоптальную -- входное 2 и выходное 3 сопротивления, подключе параллельно входным зажимам 4 и 5 и конденсатору 6. В активную шину транс форматора на выходе включен гиратор 7, связанный с выходными зажимами 8 и 9 и источником 10 управляющего напряжения. Гиратор выполнен на полевом гальваномагниторекомбинационном датчике, а конденсатор 6 служит 20...

Номер патента: 395030

Опубликовано: 25.01.1974

Авторы: Беленков, Курносов, Малицкий

МПК: H01L 29/74

Метки: 395030

...покрытие 10.Электрофизические характеристики и геометрические размеры слоев выбираются из ус- ЗО ловий реализации необходимых значений рабочих токов и напряжений.Принцип работы тиристора заключается в следующем.При подаче анодного напряжения на электроды 5 и 9 и при отсутствии входного сигнала на электроде 8 тпристор находится в закрытом состоянии, и ток через него определяется током утечки обратносмещенного центрального р - и перехода.Наличие входного сигнала на электроде 8 вызывает протекание управляющего тока, величина которого определяется характеристиками обратносмещенного управляющего р - и ггерехода, нрнчсм перевод тнрнстора в проводящее состоянне происходит при входном сигнале, равном напряжению пробоя управляющего р -...

Номер патента: 414657

Опубликовано: 05.02.1974

МПК: H01L 23/34, H01L 23/367

Метки: 414657

...кожух 2 с разъемом по горизоц тали. Охладители 3 размещены отцосительпо оси машины по обеим сторонам фундаментной плиты 1 цепосредствеццо в зоне расположения вецтилирующих каналов 4 вращающегося выг;рямительцого устройства б и закреплены ца 25 лите 1 ца флаццах б. Благодаря последнему демоцтаж верхней половины кожуха 2 (этого достаточно, чтобы огкрыть доступ для переустановки вышедших из строя элементов устройства 5) осуществляется без снятия охлади- зо телей 3 и отсоединения их от питающей магистрали. Для улучшения аэродинамических свойств системы вецтиляциоццый кожух 2 в зоне вецтилирующих каналов 4 выполнен с двумя спиральными камералги (улитками) 7, соединенными с охладителями 3. При вращеции выпрямительцого устройства б нагретый...

Номер патента: 414658

Опубликовано: 05.02.1974

Авторы: Дудко, Колегаев, Кравченко

МПК: H01L 21/302

Метки: выполнения, знаков, пластине, полупроводниковой, совмещения

...сполученные известным способом знаки совмещения не выдерживают длительной высокотемпературной обработки в окислительной среде, причем из-за окисления размеры знаков совмещения изменяются, что приводит к изменению расстояний между ними и изменению оптического контраста знаков.Цель изобретения - повышение стойкости знаков совмещения к окислению и обеопечение их высокой контрастности по отношению к окисному слою.Предлагаемый способ отличается тем, что в приповерхностных слоях пластины формируют дислокационные области путем электроннолучевой обработки пластины но заданному рисунку, затем методом фотолитографии вскрыдают в окисном слое окна по заданному рисунку и матируют обнаженные участки поверхности пластины путем вытравливания на них...

Номер патента: 415734

Опубликовано: 15.02.1974

Авторы: Бондаренко, Воробей, Лабунов, Максидонов, Минский, Соловьев, Структура

МПК: H01C 7/00, H01C 7/18, H01G 4/10 ...

Метки: 415734

...связи.Известна КС-структура со ступенчатым распределением параметров, состоящая из резистивного, диэлектрического и проводящего слоев.Недостатком известной структуры является то, что ступенчатая неоднородность в пих достигается скачкообразным изменением ширины структуры, что приводит к усложненито топологии, нерациональному использованшо площади подложки и образованию электрически слабых мест на ступеньках.В качестве материала диэлектрического слоя использована термически напылетптая моноокись кремния, позволяющая получать весьма малые удельные емкости, обладающая высоким температурным коэффициентом емкости, значительно меняющая свои диэлектрические характеристики во вреатени, что ведет к увеличению габаритов структур, их низким...

Номер патента: 415753

Опубликовано: 15.02.1974

МПК: H01L 21/02

Метки: 415753

...светоотражающее покрытие, а качестве которого может быть использовано диффузно рассеивающая излучение двуокись кремния, спеченная до нулевой порнстости.На фиг. 1 показан предлагаемый газоразрядный источник света с торцовым выходом излучения, продольный разрез; на фиг. 2 ,разрез,по А - А на фиг. 1.Предлагаемый источник света содержит три коаксиальные цилиндрические трубки 1 - 3 из оптически прозрачного кварцевого стекла. На одном конце внутренней трубки 1 размещен торцовый электродный узел 4 с электродом 5 из торированного вольфрама, закрепленным на коваровом держателе 6. Олово-титановый,припой, который залит между титановым цилиндром 7 и трубкой 1, осуществляет вакуумплотную герметизацию электродного узла 4, Отверстие 8 в держателе 6...

Номер патента: 415757

Опубликовано: 15.02.1974

МПК: H01L 21/50

Метки: ддясраек«, ковых, лупроводни, приборов, устадовка

...схемы,; с выводами, соответственно. Корпус 1 установлен на вертикальном валу 8 в шариковых цилиндрических направляющих 9, На валу В; жестко закреплен механизм нагружения, ьклю. чающий нагружатель 10, передающий уситие на каждый инструмент отдельно, и нагружа-. тель 11:, предназначенный для восприятия соб ственного веса револьверной головки и фикса. ции инструментов на рабочеи позиции по отверстиям 12 в корпусе 1. Перемещение вала .8 с механизмом нагружения и корпусом револьверной головки осуществляется приводом, 18; содержащим шаговый двигатель 14 и винтовую пару. качения 15, кинематически связанные, между собой зубчатой передачей 16,3Установка работает следующим образом.При помощи оптической системь, состоя-. щей из микроскопа...

Номер патента: 415758

Опубликовано: 15.02.1974

Авторы: Колытин, Комиссаров, Кучеров, Новак, Тригуб, Шаталов

МПК: H01L 21/00

Метки: пластин, полупроводниковых, скрайбирования

...7 установлен на валу 8 и кинемати-.чески связан с механизмом перемещения 9, который имеет столик 10 для закрепления полупроводниковой пластины 11, Каретка 12, сна ряженная резцом 13, подпружиненным с помощью пружины 14, перемещается по направляющим 1 б, которые оснащены демйферным устройством 1 б. Привод холостого хода состоит из цепнойпередачи 17 с захватами 18 и ки нематически связан с механизмом 9 перемещения пластины.Устройство работает следующим образом.Обрабатываемая полупроводниковая пластина 11 закрепляется (например, мастикой) З 0 на столике 10. Поршень 3 посредством тяги413б, кулачка б и вала 8 выводится в крайнееле-, вое положение. Привод холостого хода, управляемый валом 8, выводит каретку 12 с помощью одного из захватов...

Номер патента: 415759

Опубликовано: 15.02.1974

Авторы: Кулешов, Панчев

МПК: H01L 21/00

Метки: выводов, присоединения

...плоского кольца 1, на котором установлен привод сварочного инструмента в виде пневмоцилиндра 2 с поршнем 3 и по меньшей мере два механизма перемещения инструмента. Каждый из механизмов перемещения выполнен в виде П-образного рычага 4, в двух углах которого имеются шарнирные опоры б и б. Через опору б П-образный рычаг крепится к кольцу 1, а к опоре б крепится кронштейн 7, на одном конце которого закрепляется инструмент 8. На другом кронштейне 7 имеются два упора 9 и 10. Упор пружиной 11 прижимается к кольцу 1, а упор 9 устанавливает зазор между кронш. тейном 7 и нижним плечом 12 П-образного рычага 4. Верхним плечом 13 П-образный ры415759 б 010 9 авитель Ю. Цвехред Т. Усков Редактор Л. Цветкова орректор А, Васильева Подписное Тираж...

Номер патента: 415764

Опубликовано: 15.02.1974

МПК: H01L 37/00

Метки: 415764

...ого диапаечения выдатчика вматериаля добавка жании исю увели рения чений в мый те льно в ц, при омпоненсплав ие добавки альная композиция спла содержит,Опти .%: е -РЬ Яе 47,71 )47 71Основа0,48легпрую На чертеже показан датчик с каскадным термоэлементом, в котором применен предлагаемый термоэлектрический материал.Датчик с каскадным термоэлементом содержит поглотитель 1 СВЧ-мощности, коммутационный материал 2 (%Ь+РЬ), термоэлектрический материал 3 средней ступени каскада 1 РЬВе(Сц, Яе), коммутационный мате. риал 4 (МЗЬ+РЬ), материал 5 нижней стуе добавки Бе 5 Компонент няться в еле РЬв составе сплавющих пределах,47,69 - 47,7347,69 - 47,730,46 - 0,504,08 - 4,12 могут м %: Сц Яе Известе датчика с жащий в Извести накладыва диапазон вает...

Номер патента: 415897

Опубликовано: 15.02.1974

МПК: H01L 21/465

Метки: 415897

...по крайней мере, на порядок по величине, а обычно в 200 - -10000 раз пс сравнению со скспостьтс травления во время выделения водорода. Поскольку скорость травления резко пдидет и визуалытю наблюдается т 1 оекраптение выделения водорс да имеется промежуток воемени тпорядка нескольких тдсавт. в течецие которого может бттть обнаружено прекратцецие выделения водоратд т в течение кстсвогс оставшийся полупроводник и-типа может быть удален из реактива прежде. чем нд материал тт-типа заметно подеиствует реактив,Нет необходимости в виз.д.иьнам обнаружении прекраптения выделения водорода и в ручном извлечении полупроводника из педк 1 ива для тттавления. Очевидца, что в реактив или вблизи него может быть помещен водо- родный детектор, с...