Патенты с меткой «p-n-перехода»

Номер патента: 1715141

Опубликовано: 20.07.1999

Автор: Мусонов

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: m-параметра, p-n-перехода, полупроводниках

1. Способ измерения m-параметра p-n-перехода в полупроводниках, включающий измерение амплитуды переменного напряжения Um1, обусловленного протекания через p-n-переход переменной составляющей тока Im1 с частотой 1 и постоянной составляющей I0, соотношение между которыми A1 = (Im1/I0) поддерживают постоянным, и определение m-параметра расчетным путем по величине амплитуды измеренного напряжения, отличающийся тем, что, с целью повышения точности и расширения диапазона определения m-параметра полупроводниковых приборов по постоянному току, повторяют...

Номер патента: 1347830

Опубликовано: 27.12.1999

Авторы: Абросимова, Бородько, Салитра, Старков, Шамаев

МПК: H01L 31/18

Метки: p-n-перехода, активного, внутреннего, основе, фотоанодов

Способ изготовления фотоанодов на основе внутреннего активного p-n-перехода, включающий осаждение на пластину кремния n-типа проводимости источника диффузанта, содержащего оксид бора, термообработку, формирование защитного слоя с лицевой стороны и омического контакта с обратной стороны пластины, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных фотоанодов за счет улучшения однородности диффузионной области, легированной бором, удешевления процесса, источник диффузанта дополнительно содержит оксид одного из редкоземельных элементов и диоксид кремния при следующем соотношении компонентов, мас.%:Оксид бора - 1-30Оксид редкоземельного элемента - 5-50Диоксид кремния -...

Номер патента: 464243

Опубликовано: 20.11.2002

Автор: Король

МПК: H01L 21/265

Метки: p-n-перехода, кремнии

Способ изготовления p-n-перехода в кремнии p-типа путем внедрения в кристалл кремния ускоренных ионов щелочных металлов, например Na, при дозе 10-200 мкК/см2, отжига, например, при 480-550oС и нанесения электродов, отличающийся тем, что, с целью повышения напряжения пробоя перехода, после нанесения электродов со стороны p-n-перехода дополнительно внедряют ионы щелочных металлов при дозе 0,1-0,5 мкК/см2.