H01L — Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам

Номер патента: 1597354

Опубликовано: 07.10.1990

Авторы: Гринева, Комаров, Мирошниченко, Разумовская, Сервули, Фесенко

МПК: C04B 35/472, H01L 41/187

Метки: керамический, материал, пьезоэлектрический

...следующие характеристики: Т, (302"350)"С, Е / Е 0 140-210, еВ Х (2-3)1 К/Кр 10,0 - со с 1 зз/йз 17,5 -, Ь(4,7-6,4) 10 В/, 2 табл. пьезомодуля й и отношения пьезомодулей с 1 зз ИзСоставы материала синтезируют методом твердофазных реакций (ТР). Для повышения гомогенности ТР синтез проводят в две стадии с промежуточным помолом спеков и перемешиванием, Режим последовательных обжигов: Т, = 850 С при е, = 10 ц, Т = 850 С при= 5 ц. Спекание проводят по обыцной керамической технологии в атмосФере кислорода при Т ся =. (1150 1200) С в течение (2"4) ч. Поляризацию измерительных образцов диаметром1597354 61,53-64)21 27,78-29,764,07.-5,34 2,12-2,30 0,37-0,42 0,44-1,26 0,08-0,22 0,07-0,10 РЬОТдОаСаОВ 10 зЕаОф 3ИОВ,О,25 Таблица 1 Содержание...

Номер патента: 1597970

Опубликовано: 07.10.1990

Автор: Суханов

МПК: H01L 25/03

Метки: полупроводниковый

...на 90, а одна из стяжных шпилек 20пропущена через отверстие в токоотводе.11. Кроме того, в преобразовательных блоках 2 модули 3 и индуктивный делитель 8тока имеют общую ось симметрии,Для работы шины 6 и 7 преобразователяподключаются к выводам вентильных обмоток преобразовательного трансформатора, ашины 14 - к нагрузке преобразователя. Приэтом преобразователь работает как выпрямисы 22, причем токоотвод 11 повернут относительно токоотводов 4 и 5 на 90, а одна из стяжных шпилек 20 пропущена через отверстие в токоотводе 11, Кроме того, в преобразовательных блоках 2 модули 3 и индуктивный делитель 8 тока имеют общую ось симметрии, Для работы шины 6 и 7 преобразователя подключаются к выводам вентильных обмоток преобразовательного...

Номер патента: 1597971

Опубликовано: 07.10.1990

Авторы: Инглизян, Шевченко, Шмакова

МПК: G01N 25/18, H01L 35/34

Метки: батарей, ветвей, измерений, теплофизических, термоэлектрических, термоэлементов

...измерений ТЭ Б и ветвей те рмоэлементов.Устройство состоит из опорного фланца 1, в котором имеются отверстия 2 для вывоя)5 Н 01 1 35/34,6 потока достигается тем, что в устроистве для теплофизических измерений термоэлектрических батарей и ветвей термоэлементов, содержащем опорный фланец, нагревательный элемент, тепловой экран, защитный колпак с вмонтированным в него нагревателем, теплоизоляционную засыпку, термодатчики и датчики теплового потока, на опорном фланце и под нагревательным элементом соосно с ними дополнительно установлены теплопроводные вставки с сечением в плоскости, перпендикулярной оси устройства, равным сечению испытуемого образца, и высотой, выбираемой из условия МЛ= 0,5 - 2, где т - высота тепло- проводных...

Номер патента: 1598246

Опубликовано: 07.10.1990

Автор: Деркачев

МПК: H01L 21/68, H05K 13/02

Метки: двусторонними, дисков, жестких, кассета, магнитных, плоских, преимущественно, транспортирования, фасками

...всей дуге окружности, выполненный под углом 30 (фиг,4), вертикальную цилиндрическую проточку 10, фаску 11 и занижение 12. Высота секции, образованной полками, является шагом при перемещении кассеты в рабочем состоянии, Диаметр вертикальной цилиндрической проточки должен обеспечивать свободный вход диска в кассету, т.е. быть больше диаметра диска на величинуэ 1 мм, Фаска 11, выполненная у основания полки 5 и переходящая в проточку 10 должна быть идентична фаске диска, что обеспечит расположение диска в кассете без касания рабочей поверхности о полку. Занижение полки выполнено со стороны захода диска от центра с расширением к периферии, например, под углом 3.Кассету используют следующим образом.Кассета с дисками устанавливается на...

Номер патента: 1304668

Опубликовано: 23.10.1990

Авторы: Максименко, Ткаченко, Ярандин

МПК: H01L 21/308

Метки: микроструктур, полупроводниковых

...,"Опонируют ультрафиолетовым излучениемПо заданному рисунку и проявляют.Образцы помещают в ВЧ-диодный реактор и травят А 1 или Я 1.0 . Режимытрявленл и результаты исследований, полученные на растровом электронном микроскопе, приведены в таблице,Ограниченная плотность высокочастотной мощности в начальных стадиях Ятравления не вызывает чрезмерногоразогрева подложек, приводящего к текучести Фоторезиста. В то же времяпроисходит эадубливание слоя Фоторезиста с поверхности вглубь пример- З 5нр со скоростью 0,1-0,15 мкм/мин. Впоследней сгадии травления с наиболеевысоким уровнем плотности мощности итемпературы эадубленный слой Фотореэиста препятствует деформации края 40маски. Угол на краю маски сохраняет-.ся близким к 90 что соответг...

Номер патента: 1601659

Опубликовано: 23.10.1990

Авторы: Башун, Иванов, Петров

МПК: H01L 25/00

Метки: импульсный, коммутатор, полупроводниковый, сильноточный

...параллельно,Коаксиальная конструкция коммутатора и параллельное подсоединениегрупп полупроводниковых элементовобеспечивают его малую индуктивностьи примерно вчетверо меньшее реактивное сопротивление по сравнению с известной конструкцией,эквивалентная частота изменения полного тока, протекающего в столбах;магнитная проницаемость среды;внешний радиус цилиндра; внутренний радиус цилиндра; длина столба полупроводниковых элементов. Благодаря выполнению торцовых и центрального токоподводов в виде сим160метрично расходящихся лучей с подключением токоподводящих проводов к лучам центрального токоподвода обеспечивается равномерное распределение плотности тока по площади полупроводниковых элементов, а коаксиальная конструкция коммутатора...

Номер патента: 1199155

Опубликовано: 23.10.1990

Авторы: Мацкевич, Москалевский, Перова, Ярандин

МПК: H01L 21/82

Метки: мдп-микросхем, методом, пошагового, репродуцирования

...окон, формирования металлических межсоединений,о т л и ч а ю щ и й с.я тем, что,с целью повышения технологичностипроцесса изготовления МДП-микросхемс пошаговым репродуцированием и уменьшения плотности поверхностных дефектов в кремнии, после окислениякремниевой подложки осаждают пленкуБ 1 И и затем через полученную маску810 - ЗхзИ формируютзнаки совме- (щения и пассивные области микросхем.1500+100 А методом РПД. Затем формируют топологический рисунок знака совмещения в пленке фоторезиста, выполняют плазмо-химическое травление5 нитрида кремния и химическое травление окисла кремния. После удаления фоторезиста осуществляют анизотропное травление кремния в трагителе составаКОН 32 г сухого вещества 10Иэопропиловый спирт 250 млВода 375 мл...

Номер патента: 1329498

Опубликовано: 23.10.1990

Авторы: Базанова, Белоус, Мацкевич, Попова, Ярандин

МПК: H01L 21/312

Метки: покрытия, фоторезиста

...согласно известномуспособу (прототипу) ца установке нанесения фоторезиста линии "Лада (см,табл.1).Т а б л и ц а 1 Продолжение табл.2,гРастекание5350Сушка110 Толщина фоторезистивного покрытия ца пластинах составляла 1,2 мкм.Сформированные покрытия подвергадпсь контролю, в процессе которогоопределялись внешний вид фоторезистивного покрытия на пластине, просматриваемый прц косом подсвете отисточника с направленным световымпучком и локальная разнотолщинность(лучистость) покрытия при контролепод металлографическим микроскопомв режиме ицтерференццоцного фазовогоконтраста по Номарски.1Визуально наблюдаемая радиальная1 11лучевая разнотолщинность присущафоторезистивным покрытиям, Нанесение фотарезиста в соответствии с изобретением обеспечивает...

Номер патента: 1099776

Опубликовано: 23.10.1990

Авторы: Бугай, Ткаченко, Ярандин

МПК: H01L 21/3105

Метки: маски, плазменного, травления, формирования, фоторезистивной

...д.ттель) тьГнтес(о)ГО дик:аГОТГОе: .. Г Г.зцстивной маски; з-а цскб р Н,Г," ПРОВЕДЕНИЯ ДОНОГНИТЕЛЬН т( СПР) :;нанесения заципого слоя па Б 1 С)нанесения втсрогс ело 1:тоар(:3 с -его экипопироватптя рояв.Генц исушки, реак гивно. о ионного тра;1 сБ 102 и слоя толе:ого фоторетц.т;,11 елью изобретения явгтяегс;5 сстНИЕ ТЕХНОЛОгтНЕСКОГО 1 ИК 51;.эгт,:ния фоторезстВпойт аски спрофил"м ооковых с тонок11(.,ГЬ д 3 С Т 1РТ.бе формиров анЯ фос р=3 и гив,ОКИ ДЛЯ ЫаЗМЕННОГО ттэаВНЕПГГ ".К,щем операции Янесэ 5 фо Орес:сна ;Од 110)(к у . сушкус нонн с: Гц."Гспроявлс.ние эо бра кс:.я о-ле,эо,;пения изобракения проводят театнО,5-5 мин плсз."еп:у",. обработку;к. -.рЕЗИСта В БЧ дОдНО с 1 Сто:Е .- :ной среде прц павлецп. 0-, .1 ОС ПВтудельной мощности О...

Номер патента: 1218857

Опубликовано: 23.10.1990

Авторы: Осинов, Стратиенко

МПК: H01L 21/308

Метки: пластине, полупроводниковой, рельефа, формирования

...рельефа на полупроводниковой подложке, включающем операции нанесения фоторезиста на подложку, сутпку, экспонирование, нроянление, плазменную обработку фоторезиста н ВЧ-диодной системе н инертной среде при давлении 0,1-100 Па и температуре подложки 20-80 С и плазменное травление, плазменную обработку фоторезиста и травление проводят в одном вакуумном цикле, причем плазменную обработку фоторезиста проводят в три стадии, дпительность каждой из которых составляет 1-5 мин,. при удельной мощности 0,2+0,02;0,5+0,05 и 1,0 ф 0, 1 Вт/см .Изобретение позволяет сократить технологический процесс формирования рельефа на полупроводниковой подложке в сравнении с прототипом на время проведения высокотемпературной сушки и связа.1 ных с ней...

Номер патента: 1403919

Опубликовано: 23.10.1990

Авторы: Ваксер, Герасименко, Погребняк, Раренко, Тальянский, Халамейда

МПК: H01L 31/02

Метки: детектор, диапазонов, излучения, миллиметрового, полупроводниковый, субмиллиметрового

...магнитного поля,рическое индикаторное устройстчувствительный элемент, обладаэлектронным фототермомагнитнымтом 3, слои 4 и 5 чувствительнэлемента с различными значенияфективной массы электронов в.,Электронный фототермомагнит(ЭФТИ) эффект заключается в поэлектроцвищущей силы (ЭДС) в иводнике при наличии в нем градэлектронной температуры 0 и педикулярного к огай О магнитного(см.фиг.1). ЭДС ЭФТМ эффекта иется в направлении, ортогональмагнитному полю и градиенту элной температуры. Величина ЭДСте с ней и чувствительность рариваемого детектора, определяютпараметрами полупроводниковогориала (величинами импульсной игетической частот столкновенийречной дифференциальной термоЭэффективной массой электронов. т.д.), из которого изготовленвительный...

Номер патента: 1289336

Опубликовано: 23.10.1990

Авторы: Адамович, Иванов, Костромицкий, Менде, Пишиц, Рыбалка, Тюкова, Чаркин

МПК: G01V 7/02, H01L 39/16

Метки: гравиметр, сверхпроводящий

...частоты автогецератора 25 (т.е. выход усилителя29 промежуточной частоты) чодключецк демпфирующей катушке 7 посредствомцепи управления, состоящей из последовательно соединенных фазового детектора 30, фаэокорректирующей цепи 31,усилителя 32.постоянного тока и развязывающего трансформатора 33. Приэтом СВЧ автогенератор. 25 подключен. 40в систему фазовой автоподстройки частоты СВЧ генератора 26, т,е, выходсоединенного с опорным кварцевым генератором 34 фазового детектора 30подключей через фильтр 35 нижних частот к электроду управления частотой(не показан) СВЧ генератора 26.Сверхпроводящий гравиметр работает следующим образом, 50В момент охлаждения системы гравиметра до гелиевых температур шар 2лежит на опоре 16, После...

Номер патента: 928953

Опубликовано: 23.10.1990

Авторы: Кудина, Лосев, Москалевский, Ярандин

МПК: H01L 21/8232

Метки: мдп-интегральных, схем

...силу нестабильного стехиометриеского состава такая пленка практически не удаляется кислотами илисмесями на основе НЮ, НБО, НС 1,ОН, Н ОУдаление пленки кипячением в НРО,Г(по аналогии с удалением ЯзГ 1,Г)также 25вляется невоспроизводимым, а кромегого, она взаимодействует с оголенным кремнием в активных областях ИС,что повышает фиксированный заряд идефектность в выращенном впоследствиина активных областях подзатворномокисле. Наличие кислорода в образовавшейся тонкой пленке на кремнии позволяет стравливать ее в составах,содержащих фтористоводородную кисло 35ту, В этом случаеподтравливается всяповерхность окисного слоя и происходит последовательный отрыв образовавшейся пленки от окисного "клюва и ее полное удаление, причем...

Номер патента: 1297665

Опубликовано: 23.10.1990

Авторы: Осинов, Стратиенко

МПК: H01L 21/3065

Метки: кремния, нитрида, селективного, травления

...относится к микроэлектронике и может быть использовано в технологии изготовления полу проводниковых приборов.Целью изобретения является исключение подтрава нитрида кремния на обратной стороне пластины за счет снижения рабочего давления,П р и м е р. Селективное травление нитрида кремния проводят на тестовых пластинах в условиях серийного производства, На кремниевые пластинье КДБО с ориентацией 100 вреакторе пониженного давления осажодают нитрид кремния толщиной 50 ОА,затем при помощи Фотолитографии Формируеот рисунок из Фоторезиста, после Данный способ позволяет получатьв заявляемом диапазоне состава реа".гентов скорость травления нитридакремния от 350 А/миндо 650 А/мин,при этом селективность соответственно равна 9:1 и 6-.1.При...

Номер патента: 1603453

Опубликовано: 30.10.1990

Авторы: Гришаков, Дорошенко, Дубов, Кошманов, Лозовой, Орлов, Попов, Рябцев

МПК: H01L 27/118

Метки: базового, бис, кристалла, матричная, матричного, основе

...и 3 и Конденсаторе 4, снижая его добротность до уровня ниже критического, Таким образом, паразитные высокочастотные колебания на элементах 8 схемы (фиг.1) возникнуть не могут,Величина антипаразитного резистора 5 еыбирается с учетом двухстороннего ограничения: с одной стороны, резистор должен предотвращать самовозбуждение, что требует уменьшения номинала резистора, с другой - обеспечить необходимый запас помехоустойчивости путем уменьшения амплитуды импульсов помех, что требует увеличения номинала резистора.Величина антипаразитного резистора Зависит от многих факторов: конфигурации й взаимного расположения систем земляНых шин, величин их паразитных емкостных вязей, числа эмиттерных повторителей в группе и их нагрузочных импедансов,...

Номер патента: 1603513

Опубликовано: 30.10.1990

Авторы: Андреев, Вдовин

МПК: H01L 41/09, H02N 2/12

Метки: привод, пьезоэлектрический

...пове 1 хности второго ротора 5, установлеЦных соосно на валу 6, с которымжестко связаны первый ротор 4 и подвижный элемент 7 механизма связи.Второй ротор 5 и подвижный элемент8 механизма связи непосредственносвязаны между собой и вращаются наподшипниках 9 относительно вала 6. 25В качестве элементов 7 и 8 связиисПользуются, например, электромуфты 7 и 8; цестерня 10 установлена свовможностью свободного вращения относительно вала 6 и жестко связана сдисками 11 механизмов связи.Для обеспечения встречного вращения первого и второго роторов 4 и 5соответствуюшие половины пластин 3установлены под равными углами к рабочим поверхностям соответствующихроторов 4 и 5, но в противоположныхнаправлениях,Пьезоэлектрический привод работаетследующим...

Номер патента: 1308118

Опубликовано: 30.10.1990

Авторы: Арутюнов, Сорокин

МПК: H01L 27/10

Метки: выходное, зарядовой, прибора, связью

...него установочного напряжения на выходной электрод 1. Сбросовый транзистор Тс работает в ключевом режиме. Во время считывания заряда Я сбросовый транзистор Тс заперт. Поэтому в вто время выходной электрод 1 и соединенные с ним шина 3, затвор 4 и исток 5 находятся в "плавающем" состоянии. Заряд ( индуцирует на этих "плавающих элементах импульс выходного напряжения Ьо - Я/Сээ где С,э = Сз э С + С, а Сэ, С 4, С - соответственно емкости относительно подложки 7 соединительной шины 3, затвора 4 н истока 5Б данном устройстве исток расположен под соединительной шиной, пов торяет форму соединительной шины иэлектрически соединен с ней. Поэтому удельная емкость соединительной шины 3 относительно полупроводниковой подложки 7 равна удельной...

Номер патента: 1039413

Опубликовано: 30.10.1990

Авторы: Афонин, Мазель, Стесин

МПК: H01L 29/72

Метки: биполярный, высоковольтный, транзистор

...При этом в двух образовавшихся зазорах будет падать напряжение примерно по 500 В, а на поверхности, расположенной за второй кольцевой областью, пространственный заряд будет расширяться, но поверхностного пробоя не наступит, так как до этого произойдет объемный пробой при напряжении порядка 1200 3. При снижении поверхностного удельного сопротивления в 5 раз, т.е. до 10 Ом, ширина пространственного заряда,при которой произойдет паверхностньй пробой, снизится до,примерно, 30 мкм,. а напряжение поверхностного пробоя :упадет до 400 В. В соответствии с этим для обеспечения поверхностного пробивного напряжения свьппе объемно" го, т.е. свьппе 1200 В, необходимо вокруг основного перехода создавать не менее 3 кольцевых областей на расстоянии не...

Номер патента: 741717

Опубликовано: 30.10.1990

Авторы: Глиник, Гостищев, Хазов

МПК: H01L 39/24

Метки: выявления, криорезистивных, проводниках, размерного, эффекта

...или проконтролировать практически невозможно), наличия и характера примесей, методические измерительные погрешностей, связанные с неправильным выбором материала, размера и места установки на образцах токовых и потенциальных проводов, то становится понятной сложность выявления "размерного эффекта" таким путем.Положение неизмеримо усложняется, если рассматривать проводники сложного, например, прямоугольного, сечения, наиболее подходящие для изготов-. ления высокоэФФективных обмоток (изза воэможности обеспечения высоких коэффициентов заполнения по проводниковому металлу и простоты силового бандажирования, без чего использование высокочистых металлов, имеющих невысокую механическую прочность,невозможно), и принять во внимание,что в...

Номер патента: 1384131

Опубликовано: 30.10.1990

Авторы: Арутюнов, Сорокин

МПК: H01L 27/10

Метки: выходное, зарядов, переносом

...переме-.щаются под плавающий электрод 5, Потенциал на электроде 5 устанавливаютпосле каждого цикла считывания, подавая отпирающие импульсы на затвортранзистора сброса 10, присоединенный стоком к внешнему источнику постоянного напряжения, На дополнительные электроды 6 и 7 подают напряжения от внешнего источника, установкой которого производят регулировкукоэффициента преобразования. Затворсброса 8 и сток 9 служат для сбросасчитанных зарядов, Этот сброс происходит при подаче на шину 3 и электроды 6 и 7 такого же напряжения,как и на электроде 5, при большемнапряжении на стоке 9,При запертом транзисторе сброса 1 Оэлектрод 5 остается под плавающимпотенциалом. Передаваемый заряд распределяется по потенциальным ямамэлектродов 5, 6 и 7....

Номер патента: 1344162

Опубликовано: 30.10.1990

Авторы: Гостищев, Хазов

МПК: H01L 39/00

Метки: гиперпроводящая, катушка

...радиусом г 1 и наружным г, где градиент поля максимален),Обмотка выполнена из проводника ленточного (прямоугольного поперечного сечения) типа с намоткой его ца широкую сторону, чем обеспечивается простота гибки и снижается деформация, а ".оответствецно и деформационцый прирост сопротивления проводника, послойно и последовательно с переходом по слоям изнутри наружу. Наиболее подходящим проводником является электроизолированная (методом оксидированич) шина из алюминия особой чистОты ЦАО 1-76 ТУМИ 426-77 сечением Ох 1Замоноличцвание обмотки может быть осуществлено либо за счет использования жидких связующих (например, на эпоксидной основе), либо, что технологичнее, твердопленочных клеев с последующей термофиксацией. Намоткой "враэбежку" в...

Номер патента: 782639

Опубликовано: 30.10.1990

Авторы: Бачурин, Бычков, Гаврилюк

МПК: H01L 29/76

Метки: мдп-транзистор

...степень компоновки Чобразных канавок под электродомзатвора и в результате этогоуменьшается емкостная составляющаобая,15 о условленная площадью перекрытия областей истока электродом затвора, а . также увеличи-вается величина выходной мощностимаксимального тока стока и крутизнына единицу площади структуры активной области прибора,обеспечивается более равномерноераспределение тока по структуре прибора и таким образом уменьшаетсяомическое сопротивление канала, или,что то же самое, остаточное напряжение стока во включенном состоянии иповышается надежность прибора. ЗО На фиг. 1 и 2 дан вид сверху и поперечное сечение структуры активной области МДП-транзистора, где элект род затвора 1, Ч-образные канавки 2, . проекция которых 3 на рабочую...

Номер патента: 1605289

Опубликовано: 07.11.1990

Авторы: Беневоленский, Кубрин, Лисов, Тянгинский

МПК: H01L 23/34

Метки: диэлектрических, подложек, полупроводниковых, термической

...зону ее контакта спринудительно охлаждаемым подложкодержателем. Для этого во время обработки подложки, когда она изгибаетсяпод действием на нее теплового потока,с помощью интерферрометрического контроля измеряют прогиб подложки, находят область ее максимального прогиЬа и изгибают подложкодержатель таким,оЬразом, чтобы ликвидировать этот зазор. 25На подложкодержатель 1 помещают. подложку 2 (фиг.2), во время воздействия на нее теплового потока освещают подложку когерентным монохроматическим излучением, в качестве источника которого используют лазер 3.Луц лазера сканирует по всей подложке и по интерференции в зазоре междуподложкой и подложкодержателем определяют .оЬласть максимального прогиба,интерференция регистрируется с помо-щью...

Номер патента: 1493034

Опубликовано: 23.11.1990

Авторы: Аршинов, Векшина, Стафеев

МПК: H01L 33/00

Метки: инжекционный, полупроводниковый, прибор, светоизлучающий

...подвижных носителей для инверсногоф55 канала, примыкающего к ним,устройство работает следующийобразом. При прямом см.шенин, подаваемом напереход между подобластями 4 н 5,неоснояные носители ннжектируются имв область инверсного канала, гдерекомбинируют с основными носителями.Рекомбинация электронно-дырочных парсопровождается излучением квантовсвета, энергия которых зависит отширины запрещенной зоны уэкоэонногополупроводника с прямой структуройэнергетчческих эон. Непрокомбинированные неосновные носители выбрасываются встроенным полем пространственного заряда перехода поцобласть4 - слой 2 из активной области инверсного канала в примыкающую к ней область слоя 2 и уходят во внешнююцепь. Ускоренный вывод непрокомбинировавших неосновных...

Номер патента: 1608539

Опубликовано: 23.11.1990

Авторы: Варшава, Георгиев, Курило, Мычуда

МПК: G01N 25/18, H01L 35/02

Метки: кристаллов, нитевидных, термоэдс

...токовыводов подкл 1 очены соответственно через первый 7 и второй 8 диоды к общей шине, В состав управляемого дели.теля 2 входят сопротивления 14 и 15.1008539 ставитель И,Атмановх ред М.Моргентал Корректор Л.Бес Редактор И. Горна 05 Подписноеитета по изобретениям и откоытиямва, Ж, Раушская наб., 4/5 аказ 3611 ВНИИПИ Гос Тиражвенного ко113035, Мо ГКНТ ССС оизводственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул, Гагари Фазорасщепитель 3 выполнен, например, на операционном усилителе 16, транзисторе 17 и резисторах 18 и 19, а источники тока по компенсационной схеме - на операционных усилителях 20 и 21, транзисторах 22 и 23 и резисторах 24 и 25,.Устройство работает следующим образом.Выходное напряжение источника 1 делится управляемым...

Номер патента: 1608757

Опубликовано: 23.11.1990

Авторы: Грибов, Исаев, Родионов, Романов, Селин, Шевырев

МПК: H01L 21/312, H05K 13/02

Метки: нанесения, пластины, покрытия

...вертикального перемещения. Центрифуга снабжена механизмом 18 фиксации держателя 3 относительно механизма загрузки пластин на держатель.Устройство работает следующим образом.Обрабатываемые пластины (стеклянные заготовки фотошаблонов) располагают в кассете 1 над позицией загрузки. Каретка 6 перемешается под кассету 1, после чего кассета 1 опускается на один шаг размещения пластин, укладывая нижнюю пластину в гнездо каретки 6 на наклонные грани 14 упоров 11. При обратном ходе каретки 6 пластина извлекается из кассеты 1 вертикальной гранью 13 упора 11 и перемещается на позицию перегрузки в каретку 8. При этом пластина размещается между упорами 11 каретки 8. Упоры 11 каретки 8 сближаются и пластина скользит по скосам на клонных...

Номер патента: 1610521

Опубликовано: 30.11.1990

Авторы: Буфан, Виноградов, Иванов, Морозов, Нечаев, Новиков, Яковлева

МПК: G03F 7/20, H01L 21/268

Метки: лазерное, печатных, плат, растрового, типа, фотошаблонов

...13. Поворотное зеркало 7направляет луч, прошедший фокусирующую систему 6, на вращающуюся зеркальную призму 8, которая обеспечивает его горизонтальную развертку каждой гранью, Развернутый луч направляется поворотным зеркалом 10 накадровое отклоняющее зеркало 11, обеспечивающее кадровую развертку лучана кассете с фотоматериалом 13. Вклю 40чение и выключение луча осуществляктоптическим затвором 4.В качестве технологического лазера в устройстве можно использоватьаргоновый лазер непрерывного действия(длина волны излучения 0,48 мкм,45 мощность 50 мВт), Оптическая система 3 представляет собой трубку Галилея, оптический затвор 4 выполнен на основе промышленного акустооптического модулятора МЛ, фокусирующая си "тема 6 включает в себя...

Номер патента: 1199151

Опубликовано: 30.11.1990

Авторы: Долгополов, Иванов, Кохан, Рогачев, Сологуб, Хайнацкий

МПК: H01L 21/302

Метки: плазмохимической, пластин, полупроводниковых, процессом

...с преобразователя 1.(кри-: вая А на фиг.2) модулируется модуля-, тором 3 частотой 1 кГц и также подается на тракт усилителя,Если постоянная составляющая выходного напряжения усилителя 6 отличается, от 11 , то интегратор 11 изменяет коэффициент усиления усилителя п 6 (при уменьшении выходного нанряже= ния увеличивает коэффициент усиления и наоборот). Например, если напряже 4. ние с преобразователя 10 уменьшается на 12%, то коэффициент усиления увеличивается примерно на 12%.Сигнал с преобразователя 1 прохо" дит тот же тракт усиления. Кроме того, влияние флуктуаций давления и мощности на его выходной сигнал таков же, как на преобразователь 10, поэто,1 му уменьшение выходного напряжения преобразователя 1 на 12% будет ском".пенсировано...

Номер патента: 1163776

Опубликовано: 30.11.1990

Авторы: Гончаров, Томашпольский

МПК: H01L 31/02

Метки: интегральная, облучением, перепрограммируемая, схема, ультрафиолетовым

...усадка полимерного компаунда при.формировании изнего пропускающего ультрафиолетовыелучи защитного слоя, а также термомеханические воздействия на интеграль. ную схему при ее изготовлении вызывают вследствие разности коэффициентов термического расширения (КТР)защитного слоя и полупроводниковогокристалла разрушение соединений коммутационных проводников с полупроводниковым кристаллом. Это приводитк сниженюо выхода годных интегральньцс. схем; разность КТР защитного слоя иполупроводникового кристалла вызыва",ет на границе защитного слоя, адге зионно связанного.с поверхностью:;кристалла, внутренние напряжения,приводящие к йзменению структуры защитного слоя, что является причинойснижения им пропускной способностиультрафиолетовых лучей, а...

Номер патента: 1175312

Опубликовано: 30.11.1990

Авторы: Бовин, Кирсанов, Пустовалов, Шаповалов

МПК: G21H 1/10, H01L 35/02

Метки: генератор, радиоизотопный, термоэлектрический

...поверхность источника тепла1 упирается в боковую коническую поверхность тепловой изоляции (на чертеже указано стрелкой с индексом А)за счет упругости мембраны 8 и еедеформации в осевом направлении. Тепловое расширение сборки - источниктепла 1 - термобатарея 2 также компенснруется мембраной 8. При воздействии внешних механических нагрузокинерционные нагрузки от источникатепла в тангенциальном направлениина термобатарею не передаются, поскольку они воспринимаются тепловойизоляцией, которая закреплена с натягом в корпусе. Электрическая энергияпередается от термобатареи 2 черезгермовывод 7 потребителю,Преимуществом предлагаемой конструкпии является то, что в ней отсутствуют связи источника тепла с корпусом, а следовательно, уменьшены...