H01L — Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам

Номер патента: 1582597

Опубликовано: 20.11.1995

Авторы: Бобрышев, Кулакова, Шамраков

МПК: C08J 3/28, C09D 143/04, H01L 21/56 ...

Метки: герметизирующего, датчиков, покрытия

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ГЕРМЕТИЗИРУЮЩЕГО ПОКРЫТИЯ ДАТЧИКОВ, включающий смешение раствора полиметилфенилсилоксана в ароматическом углеводородном растворителе -аминопропилтриэтоксисилана, обработку состава ультразвуковым полем с частотой 15 25 кГц, нанесение его на датчик и отверждение покрытия, отличающийся тем, что, с целью получения покрытия холодного отверждения, имеющего высокую работоспособность в условиях циклического воздействия повышенных температур, в состав дополнительно вводят предварительно осветленный 20 25%-ный раствор полиметилсилазана в ароматическом углеводородном растворителе, взятый в количестве 5 10% от массы полиметилфенилсилоксана, доводят концентрацию состава...

Номер патента: 1192553

Опубликовано: 27.11.1995

Авторы: Лобач, Нагаев, Филиппов, Чуков

МПК: H01L 23/02

Метки: входного, окна, оптического

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ОПТИЧЕСКОГО ВХОДНОГО ОКНА, включающий изготовление стеклянного штабика и держателя линзы, установку штабика на горизонтально расположенную кольцевую поверхность уступа отверстия держателя линзы, изготовление линзы термообработкой штабика, отличающийся тем, что, с целью снижения трудоемкости и стоимости процесса изготовления входного окна, термообработку штабика проводят в течение 40 60 мин при температуре, на 220 240oС выше температуры, определяемой началом горизонтального участка дилатометрической кривой удлинения стекла, причем время нагрева и охлаждения на участке от верхней границы зоны отжига стекла и температурой термообработки выбирают меньшим половины времени выдержки термообработки.

Номер патента: 1321313

Опубликовано: 27.11.1995

Авторы: Минеева, Миронов

МПК: H01L 21/28

Метки: контактов, омических, п-типа, полупроводниковым, соединениям

1. СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ОМИЧЕСКИХ КОНТАКТОВ К ПОЛУПРОВОДНИКОВЫМ СОЕДИНЕНИЯМ A3B5 P-ТИПА, включающий химическую обработку полупроводника, его нагрев, напыление слоя ванадия и основного контактного металла, отличающийся тем, что, с целью экономии драгоценных металлов при сохранении качества омических контактов, в качестве основного контактного металла используют никель или алюминий и нагревают полупроводник от 150 до 250oС.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что в качестве основного контактного металла используют двухслойную композицию из никеля и алюминия.

Номер патента: 1679911

Опубликовано: 27.11.1995

Авторы: Кастрюлев, Розес, Сидорова, Ткачева

МПК: H01L 21/28

Метки: металлизации, полупроводниковых, приборов, создания

1. СПОСОБ СОЗДАНИЯ МЕТАЛЛИЗАЦИИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ, включающий формирование пленки барьерного металла Tiw, нанесение пленки Al Si, нанесение пленки фоторезиста, формирование рисунка межсоединений, удаление фоторезиста, ионно-химическое травление Tiw, отличающийся тем, что с целью повышения надежности полупроводниковых приборов, ионно-химическое травление пленки Tiw ведут на 2/3 толщины с дотравливанием в растворе перекиси водорода и уксусной кислоты.2.Способ по п.1, отличающийся тем, что дотравливание в растворе перекиси водорода и уксусной кислоты проводят при соотношении 1 1 и температуре 40 - 45oС.

Номер патента: 1829798

Опубликовано: 27.11.1995

Авторы: Арутюнов, Грибов, Илисавская, Сорокин

МПК: H01L 27/148

Метки: зарядовой, прибор, связью

...5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 дом 5 и присоединенными к нему структурными элементами. В ПЗС, в котором выходной электрод диффузный, С = Св+ Сш+ Сз+ +Сд, где С - емкость выходного электрода 5; Сш - емкость соединительной шинки; С - емкость затвора выходного транзистора; Сд - дополнительная емкость, образованная электродом 9 и диффузионной областью 10, В ПЗС, в котором выходной электрод 5 расположен на диэлектрическом слое, значение С представляется той нагрузочной емкостью, которая присоединена к выходному электроду 5, т,е. в этом случае С = Сш+ Сз+ + С.Коэффициент преобразования величины заряда в соответствующее напряжение к = 1/С; значит, изменяя Сд, можно регулировать величину Е, Емкость С зависит от разности напряжений между...

Номер патента: 1228720

Опубликовано: 27.11.1995

Авторы: Козин, Хасков, Чистякова

МПК: H01L 21/306

Метки: кремниевых, рельефных, структур

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ РЕЛЬЕФНЫХ КРЕМНИЕВЫХ СТРУКТУР, включающий создание на кремниевой пластине защитной пленки окисла кремния, полное удаление пленки и локальное уменьшение ее толщины в областях структур, в которых травление пластины проводится на максимальную глубину и на глубину заданного рельефа, и обработку пластины в травителях, отличающийся тем, что, с целью повышения точности рельефа структур, защитную пленку окисла кремния наносят толщинойв областях структур, в которых травление пластины проводится на глубины заданного рельефа, пленку окисла кремния уменьшают до толщин, определяемых из соотношения

Номер патента: 1695781

Опубликовано: 27.11.1995

Авторы: Новотный, Орлов, Савинов

МПК: H01L 21/68, H05K 13/02

Метки: выводами, выводной, интегральных, кассета, корпусов, микросхем, планарными, плоских, преимущественно, рамкой

КАССЕТА ПРЕИМУЩЕСТВЕННО ДЛЯ ПЛОСКИХ КОРПУСОВ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ С ПЛАНАРНЫМИ ВЫВОДАМИ И С ВЫВОДНОЙ РАМКОЙ, выполненная в виде ленты из термостойкого пружинящего материала с кадровой перфорацией вдоль ленты с окнами для корпусов микросхем и средствами фиксации выводов, отличающаяся тем, что, с целью расширения эксплуатационных возможностей, средства фиксации выводов интегральных микросхем выполнены в виде сквозных пазов, расположенных по бокам окон для корпусов микросхем вдоль ленты на расстоянии от окон, выбранном из соотношения C (0,2 0,5) a, где a ширина паза для выводов, мм.

Номер патента: 1533593

Опубликовано: 27.11.1995

Авторы: Безрук, Шарыгин

МПК: H01L 41/12, H02N 2/00

Метки: перемещений, прецизионных

УСТРОЙСТВО ДЛЯ ПРЕЦИЗИОННЫХ ПЕРЕМЕЩЕНИЙ по авт. св. N 1464884, отличающееся тем, что, с целью повышения точности за счет исключения неконтролируемых перемещений под действием изменяющейся температуры окружающей среды, начальный наружный стержень, жестко связанный с корпусом, выполнен составным из двух частей, изготовленных из материалов с различными температурными коэффициентами линейного расширения, соединенных между собой муфтой, выполненной с возможностью перемещения одновременно вдоль обеих частей стержня и фиксации на них.

Номер патента: 1752139

Опубликовано: 10.12.1995

Авторы: Асеев, Гаганов

МПК: H01L 21/18, H01L 21/44

Метки: мдп-конденсаторов

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МДП-КОНДЕНСАТОРОВ, включающий формирование диэлектрических и металлических слоев на поверхности полупроводниковой пластины, формирование топологии верхних металлических обкладок с площадью обкладки S0 групповым способом, причем толщины диэлектрических слоев и площади обкладок выбирают из условия соответствия их требуемой величине C0 емкости конденсаторов, измерение значений емкостей конденсаторов и разделение по классам точности, отличающийся тем, что, с целью воспроизводимости получения конденсаторов заданного класса точности, металлические обкладки формируют группами, отличающимися по площади в группе, при этом число n обкладок в каждой группе определяют согласно выражению

Номер патента: 1440296

Опубликовано: 10.12.1995

Автор: Минеева

МПК: H01L 21/28

Метки: арсениду, галлия, контактов, омических, проводимости, типа

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ОМИЧЕСКИХ КОНТАКТОВ К АРСЕНИДУ ГАЛЛИЯ n-ТИПА ПРОВОДИМОСТИ, включающий химическую очистку пластины, нанесение германия и палладия, нагрев в инертной среде, отличающийся тем, что, с целью повышения качества и надежности контактов путем снижения переходного сопротивления, на пластину после химической очистки наносят химическим путем палладий, толщиной нагревают структуру до 200 300oС, германий наносят толщиной после чего наносят никель или алюминий, толщиной

Номер патента: 1454169

Опубликовано: 10.12.1995

Авторы: Евтеев, Козлов, Колычев, Логоватовский, Снесаревский, Татаринов, Хозиков, Чернов, Эгнер, Яковлев

МПК: H01L 23/00

Метки: корпуса, основание, полупроводникового, прибора

ОСНОВАНИЕ КОРПУСА ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ПРИБОРА, содержащее подложку для монтажа кристалла и вывода с нанесенными на его металлические части покрытием на основе никеля бора, отличающееся тем, что, с целью снижения стоимости приборов за счет исключения применения золота при увеличении их надежности, в зону пайки кристаллов на подложку нанесено дополнительное покрытие из сплава цинк алюминий германий с содержанием алюминия 1 30 мас. германия 1 6 мас. остальное цинк, причем суммарное содержание алюминия и германия 7 31 мас.

Номер патента: 1828337

Опубликовано: 10.12.1995

Авторы: Гладков, Махаев

МПК: H01L 21/68

Метки: накопитель

...образом, благодаря тому, что внакопителе, содержащем привод, винтовуюнаправляющую, размещенную внутри30 транспортирующего ротора с толкателями,выполненными в виде фигурных лотков, открытая сторона которых обращена к винтовой направляющей и имеющих отверстиязагрузки и выгрузки, а отверстия выгрузки35 на фигурных лотках смещены по шагу параллельно оси накопителя, появилась возможность повысить производительность за счетувеличения коэффициента использованияузлов и систем, входящих в состав оборудо 40 вэния. Формула изобретения НАКОПИТЕЛЬ, содержащий транспортирующий ротор с толкателями, соединенный с приводом, размещеннуювнутри транспортирующего ротора винтовую направляющую, причем толкатели ротора выполнены в виде фигурных лотков,...

Номер патента: 1589927

Опубликовано: 10.12.1995

Авторы: Абгарян, Авакян, Есаян, Мкртчян

МПК: H01L 21/28

Метки: золото-алюминиевых, контактных, микросварных, соединений

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ЗОЛОТО-АЛЮМИНИЕВЫХ МИКРОСВАРНЫХ КОНТАКТНЫХ СОЕДИНЕНИЙ, включающий напыление алюминиевой контактной площадки, формирование промежуточного слоя и термокомпрессорное присоединение золотой проволоки, отличающийся тем, что, с целью повышения качества и надежности соединений путем исключения образования интерметаллических соединений, после напыления алюминия, не нарушая вакуума, формируют промежуточный слой путем напыления никеля толщиной 3000 и проводят термообработку при температуре 530oС в течение 30 мин.

Номер патента: 1478913

Опубликовано: 10.12.1995

Авторы: Белозубов, Михайлов, Ульянов

МПК: H01L 21/78

Метки: кремниевых, тензопреобразователей, чувствительных, элементов

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ЧУВСТВИТЕЛЬНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ КРЕМНИЕВЫХ ТЕНЗОПРЕОБРАЗОВАТЕЛЕЙ по авт. св. N 1144667, отличающийся тем, что, с целью повышения точности и прочности чувствительных элементов, окна для травления профиля в маскирующем слое на пластинах формируют с размерами, определяемыми соотношением:где ak размер входного отверстия углубления в k-й пластине;A0 рабочий размер мембраны чувствительного элемента;Hi толщина i-й пластины;t0 толщина мембраны чувствительного элемента; -показатель анизотропии, угол между боковой гранью...

Номер патента: 1799196

Опубликовано: 20.12.1995

Автор: Переверзев

МПК: H01L 21/00

Метки: пластин, полупроводниковых, термообработки

...фоторезистомустанавливается на подложкодержатель 2,нагреваемый с помощью резистивного нагревателя 1 до верхней (конечной) температуры Тк и охлаждаемый с помощьюхолодильника 3 до базовой (начальной) температуры Тн, причем контроль за температурой осуществляется посредством блока 9 управления через термопару 10, являющуюся датчиком температуры. По завершении 5 обработки при температуре Тк полупроводниковая пластина 11 снимается с подложкодержателя 2. Цикл нагрева в процессе обработки завершен и начинается цикл охлаждения, который служит подготовкой к 10 приему следующего изделия, По сигналу иэблока 9 управления открываются клапаны 6, 7 для подачи воды и воздуха соответственно, в результате чего в холодильник 3 по спиралевидному...

Номер патента: 1804249

Опубликовано: 20.12.1995

Авторы: Галушка, Мостяев, Ровицкий

МПК: H01L 23/00

Метки: герметизации, корпусов, металлокерамических, металлостеклянных, техники, электронной

...превышение толщины в 80 мкм приводит к излишнему количеству припоя, нетоварному внешнему виду изделия,возможности попадания припоя внутрь из 10 делия на активные элементы и их поврежде- .нию,Наименьшая толщина смещения соединяемой поверхности крышки ниже уровнясоединяемой поверхности основания в 1015 мкм обусловлена тем, что при меньшей величине погрешности изготовления деталейкорпуса и приспособления для герметизации не обеспечивают высокого процентавыхода герметичных изделий,20 Наибольшая величина смещения соединяемой поверхности крышки ниже уровнясоединяемой поверхности основания в 40мкмобъясняется тем, что при большей величине может происходить отслаивание, от-25 рыв наносимого предварительного слояприпоя от подслоя...

Номер патента: 1829863

Опубликовано: 20.12.1995

Авторы: Бойков, Быстров, Смирнов, Чежин

МПК: H01L 41/09, H02N 2/00

Метки: двигатель, пьезоэлектрический

ПЬЕЗОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ДВИГАТЕЛЬ, содержащий полый цилиндрический пьезоэлемент, размещенный в корпусе между опорными элементами с конической поверхностью, и элемент стыковки с объектом перемещения, отличающийся тем, что, с целью упрощения конструкции, повышения точности, надежности и температурной стабильности, пьезоэлемент выполнен монолитным с радиальной поляризацией, а опорные элементы изготовлены полыми с конической внутренней поверхностью и выполнены из материала, температурный коэффициент расширения которого удовлетворяет соотношению:где п и

Номер патента: 1577617

Опубликовано: 20.12.1995

Авторы: Барсукова, Кастрюлев, Розес, Ткачева

МПК: H01L 21/28

Метки: больших, изоляции, интегральных, межсоединений, межуровневой, создания, схем

СПОСОБ СОЗДАНИЯ МЕЖУРОВНЕВОЙ ИЗОЛЯЦИИ МЕЖСОЕДИНЕНИЙ БОЛЬШИХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ, включающий формирование первого уровня межсоединений, нанесение пленки полиимида, создание межуровневых контактов и межсоединений второго уровня, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности межуровневой изоляции межсоединений, перед нанесением полимида в него вводят бензимидазол в количестве 0,2-0,4% и проводят термообработку при 80-100oС.

Номер патента: 1589932

Опубликовано: 20.12.1995

Авторы: Боднар, Кастрюлев, Корольков

МПК: H01L 21/306

Метки: барьера, высоту, диодами, имеющими, интегральных, микросхем, потенциального, различную, создания, шоттки

1. СПОСОБ СОЗДАНИЯ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ С ДИОДАМИ ШОТТКИ, ИМЕЮЩИМИ РАЗЛИЧНУЮ ВЫСОТУ ПОТЕНЦИАЛЬНОГО БАРЬЕРА, включающий формирование пассивных элементов и активных структур в монокремниевый подложке n-типа, нанесение диэлектрического покрытия, вскрытие в диэлектрическом покрытии контактных окон к эмиттерным областям и формирование эмиттерных структур, вскрытие контактных окон в диэлектрическом покрытии к базовым областям и областям формирования высокобарьерных диодов Шоттки, нанесения слоя платины и формирование силицида в открытых контактных областях, вскрытие контактных окон к областям формирования незкобарьерных диодов Шоттки, последовательное нанесение барьерного и токопроводящего слоев и формирование контактных электродов и...

Номер патента: 1356901

Опубликовано: 20.12.1995

Авторы: Амальская, Гамарц, Ганичев, Стафеев

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: параметров, полупроводниковых, рекомбинационных

1. СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ РЕКОМБИНАЦИОННЫХ ПАРАМЕТРОВ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МАТЕРИАЛОВ, включающий облучение образца модулированным по интенсивности возбуждающим излучением с длиной волны из области межзонного поглощения исследуемого материала, облучение возбужденной области полупроводника зондирующим излучением с длиной волны из области поглощения свободными носителями заряда, измерение относительного изменения интенсивности прошедшего через образец зондирующего излучения и определение эффективного времени жизни * расчетным путем, отличающийся тем, что, с целью обеспечения возможности раздельного определения объемного времени жизни to и скорости поверхностной...

Номер патента: 1793811

Опубликовано: 20.12.1995

Авторы: Гасумянц, Казьмин, Кайданов

МПК: H01B 12/00, H01L 39/24

Метки: yba2cu3o7, керамики, критической, перехода, сверхпроводящего, температуры

...что, во-первых, достаточно сложно и трудоемко, а во-вторых, частично разрушает образец.Целью изобретения является упрощение и повышение точности за счет локальных измерений,Сущность способа заключается в том, что для определения величины Тс керамик ЧВа 2 Соз 07-д предлагается пользоваться установленной корреляционной зависимостью между значением Тс и а(Т = 300 К) для этих керамик и, измерив значение при комнатной температуре любым известным способом определять величину Тс по этой зависимости. Этот способ значительно проще и быстрее в исполнении (для проведения 25 измерений требуется наличие лишь нагревательного элемента, термопары и микро- вольтметра для регистрации величины сигналов, а сам процесс проведения измерений занимает 1 - 2...

Номер патента: 1795827

Опубликовано: 20.12.1995

Авторы: Баранов, Грачев, Гройсман, Загрядский

МПК: H01L 21/316

Метки: окисления, пирогенного, пластин, полупроводниковых

...движения продуктов сгорания водорода в кислороде вдоль реакто ра.Сущность изобретения заключается втом, что реактор разделен на камеру окисления, расположенную в рабочей зоне нагревателя, и камеру сгорания, в которой З 0 происходит взаимодействие Н 2 с 02, Камерасгорания расположена относительно нагревателя таким образом, что та ее часть, которая снабжена трубками для подачи водорода и кислорода находится внутри наЭ 5 гревателя с температурой не менее температуры самовоспламенения водорода, а остальная - за пределами нагревателя и снабжена воздушной рубашкой охлаждения, Обе камеры, окисления и сгорания, соф 0 единены переходной трубкой, ось которойнаправлена под углом к продольной оси реактора, Наличие воздушной рубашки охлаждения...

Номер патента: 1484202

Опубликовано: 27.12.1995

Авторы: Белозубов, Гордиенко, Жучков, Косогоров, Малкина

МПК: H01L 21/58

Метки: диффузионного, диэлектриками, полупроводников, соединения

1. УСТРОЙСТВО ДЛЯ ДИФФУЗИОННОГО СОЕДИНЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВ С ДИЭЛЕКТРИКАМИ, содержащее основание с стойками, верхнюю плиту, прижимные элементы, отличающееся тем, что, с целью повышения производительности, оно дополнительно снабжено нижней кассетой, выполненной в виде плиты с отверстиями для фиксации диэлектрических заготовок, и верхней кассетой с отверстиями для прижимных элементов и заготовок, обе кассеты зафиксированы на стойках, при этом отверстия обеих кассет расположены соосно, а прижимные элементы выполнены в виде грузов.2. Устройство по п.1, отличающееся тем, что, с целью обеспечения возможности электростатического соединения полупроводников с диэлектриками, прижимные элементы и основание выполнены электропроводящими, а стойки...

Номер патента: 1316488

Опубликовано: 27.12.1995

Авторы: Авдеев, Гантман, Колмакова, Матвеев, Пащенко

МПК: H01L 21/26

Метки: локальных, структур, эпитаксиальных

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ЛОКАЛЬНЫХ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СТРУКТУР в хлоридном газотранспортном процессе, включающий заращивание углублений в подложке от боковых граней при подаче входного давления треххлористого мышьяка, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества локальных эпитаксиальных структур GaAs за счет уменьшения толщины переходного слоя, перед заращиванием углублений подложки облучают протонами дозой 6 12 мКл/см2 и проводят заращивание при входном давлении треххлористого мышьяка 20 66 Па.

Номер патента: 1671066

Опубликовано: 27.12.1995

Авторы: Козин, Чистякова

МПК: H01L 21/02, H01L 29/84

Метки: величин, емкостного, механических, преобразователя

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ЕМКОСТНОГО ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЯ МЕХАНИЧЕСКИХ ВЕЛИЧИН, включающий изготовление верхних и нижних плит из стекла с металлизированными обкладками, формирование центральной платы, содержащей рамку и прикрепленную к ней на утоньшенных перемычках подвижную обкладку, нанесение маскирующих покрытий на исходную пластину кремния, двухэтапное травление пластины кремния в щелочных травителях последовательно в области обкладки для создания рабочего зазора и затем между рамкой и обкладкой до формирования перемычек и сквозных щелей, легирование примесью поверхностей обкладки, соединение плат между собой и присоединение внешних выводов, отличающийся тем, что, с целью повышения чувствительности преобразователя и увеличения выхода годных,...

Номер патента: 1335056

Опубликовано: 27.12.1995

Авторы: Авдеев, Зотов, Колмакова, Матвеев

МПК: H01L 21/28

Метки: барьером, индия, полупроводниковых, приборов, фосфиде, шоттки

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ С БАРЬЕРОМ ШОТТКИ НА ФОСФИДЕ ИНДИЯ, включающий химическую обработку поверхности пластин фосфида индия, включающий химическую обработку поверхности пластин фосфида индия, включающий химическую обработку поверхности пластин фосфида индия, включающий химическую обработку поверхности пластин фосфида индия, напыление в вакууме неактивного металла и формирование контактов, отличающийся тем, что, с целью увеличения пробивных напряжений за счет увеличения высоты барьера Шоттки, химическую обработку пластин фосфида индия осуществляют в плавиковой кислоте при температуре от 80 до 106oС в течение не менее 5 мин, а испытание неактивного металла производят через время, не превышающее 60 мин на...

Номер патента: 1403914

Опубликовано: 27.12.1995

Автор: Варданян

МПК: H01L 21/66

Метки: заряда, неосновных, носителей, подвижности

СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ПОДВИЖНОСТИ НЕОСНОВНЫХ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА, основанный на помещении полупроводникового образца в магнитное поле и инжекции неосновных носителей заряда путем освещения поверхности образца, отличающийся тем, что, с целью упрощения и обеспечения определения подвижности в образцах большей толщины, создают выпрямляющий контакт на поверхности образца, вектор индукции магнитного поля направляют перпендикулярно поверхности образца, измеряют значения фототоков при отсутствии, а также при наличии магнитного поля и вычисляют подвижность неосновных носителей заряда по формулегде B индукция магнитного поля;Iф фототоки через выпрямляющий...

Номер патента: 1225423

Опубликовано: 27.12.1995

Автор: Скорняков

МПК: H01L 21/328

Метки: полупроводниковых, слоистых, структур

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СЛОИСТЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУР, включающий сплавление кремниевых пластин в присутствии алюминия методом зонной перекристаллизации с градиентом температуры и диффузию легирующей примеси, отличающийся тем, что, с целью повышения качества и воспроизводимости электрических параметров p n-перехода слоистых полупроводниковых структур, сильнолегированную кремниевую пластину p-типа проводимости с концентрацией акцепторной примеси более или равной 1019 см-3 сплавляют с второй кремниевой пластиной p-типа проводимости, легированной до концентрации акцепторной примеси менее 1019 см-3, p-слой полученной p+ p-структуры уменьшают до...

Номер патента: 1783934

Опубликовано: 27.12.1995

Авторы: Бирюков, Гатько, Сорокин

МПК: H01L 21/66

Метки: анодного, выращивания, качества, окисла, оценки, процессе

СПОСОБ ОЦЕНКИ КАЧЕСТВА АНОДНОГО ОКИСЛА В ПРОЦЕССЕ ЕГО ВЫРАЩИВАНИЯ, заключающийся в измерении характеристик токовых шумов системы образец-окисел-электролит и оценке качества окисла по измеренным характеристикам, отличающийся тем, что, с целью повышения экспрессности измерений, в качестве характеристики токовых шумов измеряют их автокорреляционную функцию, причем измерения проводят при подаче на систему полупроводник-окисел-электролит постоянного напряжения, а о качестве окисла судят по наличию на измеренной характеристике участка с отрицательным значением измеряемой величины.

Номер патента: 1118242

Опубликовано: 27.12.1995

Авторы: Вальд-Перлов, Сибирцев

МПК: H01L 23/367

Метки: многоэлементный, полупроводниковый, свч-прибор

МНОГОЭЛЕМЕНТНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ СВЧ-ПРИБОР, состоящий из по крайней мере трех одинаковых диодных структур на основе широкозонного материала, преимущественно арсенида галлия, непосредственно контактирующих по плоскости перехода с металлическим теплоотводом и соединенных межэлементными соединениями, отличающийся тем, что, с целью увеличения процента выхода годных и повышения надежности работы прибора, диодные структуры расположены в углублениях в теле теплоотвода в форме цилиндра или усеченного конуса, боковые поверхности диодных структур непосредственно контактируют с теплоотводом, переходы изолированы по периферии от теплоотвода полуизолирующими слоями из того же широкозонного материала, а поверхность теплоотвода покрыта слоем...