H01L — Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам

Номер патента: 250320

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Крупко, Мистюков, Шейнов

МПК: H01L 21/00

Метки: переходов, сборки

...направляющей, механической руки 31 с групповой вакуумной присоской и накопителя 32 электродных выводов с канавками, снабженного подпружиненной,выравнивающей планкой. Механическая рука 31 установлена подвижно в горизонтальной плоскости и в вертикальном направлении.Работает устройство следующим образомМеханическая рука 31 захватывает из вибробункера 30 трубчатые выводы и укладывает их в канавки накопителя 32. Каретку ставит в,крайнее левое положение, в котором она фиксируется. Захват 2 раскрывают и поворачивают на 90 до упора в накопитель. Нажатием на подпружиненную планку вывода выравнивают и вводят, концы, между губками захвата 2. Захват закрывают и ставят в вертикальное положение. Каретку 1 перемещают на позицию стыковки, при этом...

Номер патента: 250321

Опубликовано: 01.01.1969

МПК: H01L 21/66

Метки: wви8лйотеаа, лисин, техническая

...способ отличается от известных тем, что потенциал первого зонда приводят к нулю, фиксируют этот потенциал, затем приводят потенциал второго зонда к нулю и измеряют искомый разностный потенциал.Эти особенности позволяют повысить точность измерения,Схема устройства для реализации данного способа показана на чертеже,Схема содержит генератор 1, конденсаторы 2 - 6, токовые зонды 7, потенциальные зонды 8, потенциометр 9, вольтметр 10 и переключатель 11.Устройства работает следующим образом.Питание осуществляется от генератора 1 с заземленной средней точкой с помощью делителей напряжения, одним из которых регулируют амплитуду (конденсаторами 2 или т), другим - разу (конденсатором 4). Регули. ровка должна обеспечивать настройку...

Номер патента: 250322

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Клепиков, Осенков, Симакин

МПК: H01L 21/00

Метки: нанесения, фоторезиста

...15 с помощью слабой струи инертного газа направленный поток мельчайших частиц распыленного фоторезиста подложку. Такая конструкция позволяет, кроче распыления фоторезиста, произвести трехкратную его сепара цию (отделение мелких частиц от более крупных) и создать, направленный непрерывный поток отделенных мелких частиц на подложку.1-1 а фиг. 1 показано описываемое устрой ство, общий вид; на фиг. 2 - то же, вид сверху, крышка с форсункой условно сняты.Устройство состоит из цилиндрической камеры 1, к которой крепятся три форсунки 2, д и 4. Камера имеет дно б и крышку б. Че дне Б происходит напыление фото- подаваемые транспортером 7 подираж 48 Подписи аказ 3637,1 НИИП пография, пр. Сапунова Давление создается инертным газом (аргоном),...

Номер патента: 251037

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Гор, Куценок, Ордена, Радзиковска, Самсонов, Тельников

МПК: H01L 35/16

Метки: l-(+, материал, осноз, плтентро-всьсишзная, пхничса-айбиблиотека, сульфида, термоэлектрический, церия

...Трудовото Красного Знамени институтния АН Украинской ССР В. Р ковс Заявител ериаловеделе брет разо области ,прямонергии в электр ие относится ния тепловой мальная рабочая температур1700 К. материала пре чес Высокая рабоча позволяет пспольз пень термоэлектрп ния высокого к, и. Описываемый обычным методомя температура овать его как в еского каскада личения к. еобходим ем ператур и матери кий матертермоэлектрического ть высокие значения териала и величиныИзвестный термона основе сульфида ку Х= 0,95, 10 - з1град материала хнюю стуля получеэлем рабо добр материал пзготавливалспорошковой металлургии,ерия имеет характерист при 1000 СОписывае сульфид це ван 1 - 2 ат за счет уме волило уве до величин мый материал рия состава С .,%...

Номер патента: 251705

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Бел, Галков

МПК: H01L 21/98

Метки: полупроводниковых, сборки, триодов

...зобретения Спосоо 20 дов, отли тизации и внутре де, состо нодон, со 25 корпусов после чег собраннь руют.соорки пчающийсяи механизанние выводьящей из прединенныхили техноо гирляндуе ножки, к Известен способ сборками полупроводниковых триодов в пластмассовых корпусах, состоящий в том, что на бесконечную ленту напаивают полупроводниковые кристаллы,и внутренние выводы. После этого ленту разрезают и собранные на ней кристаллы присоединяют к отдельным ножкам, которые затем герметизируют.Предлагаемый способ отличается тем, что кристаллы и внутренние выводы присоединяют к гирлянде из проволочных наружных выводов, соединенных между собой элементами корпусов или технологическими скрепками. Затем гирлянду разрезают на отдельные собранные ножки,...

Номер патента: 253931

Опубликовано: 01.01.1969

Автор: Корпус

МПК: H01L 23/367

Метки: полупроводникового, прибора

...структурные изменения, обусловленные переменными напряжениями, что приводит к усталостному разрушению паяного соединения после определенного числа циклов.Микроскопический анализ начальной, стадии разрушения и внешний вид разрушенных контактов свидетельствуют о том, что разрушение припоя начинается на периферии шва и развивается к его центру, постепенно сокращая площадь, через которую отводится тепло. Кон такт полностью нарушается при оплавленииучастка в середине шва, когда температура внутри прибора резко возрастает, Развитие процесса термической усталости можно затормозить, снизив напряжения среза иа перифе рии паяиого соединения, что возможно, еслиувеличить здесь толщ ну припоя. С целью снижения теплового сопротивленияприбора,...

Номер патента: 253933

Опубликовано: 01.01.1969

Автор: Ткачекко

МПК: H01L 21/28

Метки: полупроводниковогоприбора

...пробцвгсые,напряжения иимпульсные свойства прибора. Согласпособу на поверхпссть германия од5 цо с оловом наносят до 10% никеляС целью создания структуры.и - г - р, на протяжении всего коллперехода ца поверхность кристалловобработанных в парах сурьмы в пр10 меди, с эмцттерной стороны наноссплава олово-ц;скель (М 1 до 10010).Технология цацесецссц пленки соет описанной выше. 15 Толщина пленки 200 -Эмцттерньш электрод дискретного хода прц 7 8 в 15 .цин в атмосфере цый сплав вплавллют прс 20 3 лггн, Существенного вл ранее структуру эта опер На чертеже цзоб раже германия после вплавлец рода. 25Прц вплавлеццц эмцттерцого электрода 1происходит экстракццн меди эмцттерцым сплавом п пленкой олова, г. е. удаляется примесь высокой...

Номер патента: 253934

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Горохова, Думаневич, Ихтенгольц, Козлов, Ловцов, Лубнина, Пина, Рюмшин

МПК: H01L 23/10

Метки: вентильных, элементов

...обнаруживается большое количество пор и лысин, умень шающих эффективную площадь спая, неравномерное распределение их приводит к локальной концентрации напряжений и растрескиванию кремния из-за того, что окисные пленки, имеющиеся на мягких припоях, не диссоции руют и не удаляются из паяного шва при температуре пайки.С целью получения качественных соединений выпрямительных структур с термокомпенсаторами, в верхнем и нижнем вольфраме 25 (%) сделаны отверстия, в которые закладывают навеску припоя (в виде таблетки), Размер отверстия зависит от плошади спая и устанавливается для каждого типа прибора экспериментально. 30 На чертеже показано выполнение соединеия. При такои конструкции паяного соединения после расплавления припоя окисная...

Номер патента: 254662

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Горлов, Ключанцев, Масленников, Новак, Оно, Симакин, Шевченко

МПК: H01L 21/00

Метки: комплексно-механизированная, линия, производства, транзисторов

...с полуавтоматом напайки, продувается азотом, а затем разгружается в скафандр полуавтомата 22. В полуавтомате напайки механизированная присоска перекладывает кристаллы из кассеты на ножки. Пайка осуществляется золотом. С полуавтомата напайки ножки с переходами в передвижном контейнере поступают на установку 23 освежения и промывку и далее - на установку 24 предварительной сушки и на установку 6 вакуумной сушки, после чего ножки, собранные через автоматический шлюз и второй герметизированный конвейер 26 (также с адресной раздачей), раздаются в кассетах на установки термокомпрессионного присоединения электродных алюминиевых выводов к кристаллу и траверсам ножки, Подача алюминиевой проволоки с заготовительных участков осуществляется в...

Номер патента: 255386

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Баграмов, Животовский, Рогов, Скрипко, Френкель

МПК: H01L 21/304

Метки: алмазных, кругов, отрезных, положения, стабилизации

...невозможно у 1 странить натяжением обоймы.Целью настоящего изобретения является 25 создание устройства, обеспечивающего точную стабилизацию отрезных кругов в процессе работы.Для этого по окружности кругов размещают кольца с заостренными крэмками, являю- ЗО щиеся одним полюсом крута, Вторым полюсом является сам круг, который изготавливают из магнитного материала.На чертеже конструктивно изображено предлагаемое устройство.На внутренней поверхности корпуса 1 по окружности установлены кольца 2 с заостренными крэмками, являющиеся одним из полюсов электромагнита. К коопусу прикреплена крышка 3. Под кромками колец 2 в одной плоскости с ними установлены отрезные круги 4, выполненные из магнитного материала, которые являются вторым полюсом...

Номер патента: 256002

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Дудкин, Зыкова, Коломоец, Лидоренко, Мазуд, Ханин

МПК: H01L 35/32

Метки: коммутационная, шина

...Бюллетень34 ания описания 9.17.19 та опублик Авторы изобрет зУР М, А, Ханин, Н, С. Лидоренко, Л. Д. Дудкин, Н, В. Коломоец, Н. П, Зыкова с,аявит МУТАЦИОН Н ИНА бретение относится разования тепловой ооласти ергии в Изо реоб еску Наи учен оряч ям г кт распространен тоэлемента яв сование его из и, антидиффуз онные шины. ным спосо ляется сов порошков, ионные пр более я терь е прес х ветв утаци ом поместное состав- ослойки ком емента алюми. юминия С целью уменьшения веса термоэл коммутационные шины, выполняют из ния. Однако применение чистого ал практически невозможно выше 500 С,Предложенная коммутационная шина отличается тем, что при ее прессовании используется порошок из частично (на 5 - 20%) окисленного алюминия, что позволяет под нять...

Номер патента: 256083

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Магал, Смирнов

МПК: H01L 21/04

Метки: полупроводникового, прибора

...ров анных специалистов. Кроме того, изготовление диодов этим способом сопровождается дополнительными расходами вспомогательных и основных материалов (кварц, полупроводниковые материалы и др.).Предлагаемый способ позволяет значительно сократить время, число операций, коли ество сложных технологических установок, обслуживающий персонал и дорогостоящие материалы. Он отличается от известного тем, что, с целью одновременного создания р - и-перехода и металлизации, на одну из сторон пластины напыляют диффузант, а на противоположную сторону - материал контакта с последующим покрытием пластины с обеих сторон пленкой двуокиси кремния.256083 Составитель М. ЛепешкииаТехред А, А, Камышникова Корректор Л, В, Юшина Редактор В, Дибобес Заказ 661/12...

Номер патента: 256084

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Данилин, Константинов, Морозов, Черн

МПК: H01L 29/06

Метки: автоматической, регулировкой, схем, транзистор, усиления

...дает возможность получить приведенное выше отношение между концентрациями подвижных носителей и примеси в коллекторном 25 переходе, а это в свою очередь и определяетвозможность раооты транзистораАРУ.ет Кроме того, указанная структура позволя выполнять транзисторы с АРУ на базе пр стой сплавно-диффузионной технологии пр2 М 084 Составитель М. ЛепешкинаРедактор Б. Б. Федотов Техред Т, П. Курилко Корректор Р. И, Крючкова Заказ 577/3 Тираж 480 ПодписноеЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССРМосква Ж, Раушская наб., д. 4(5 Типография, пр. Сапунова, 2 условии сохранения небольших значений сопротивления базы.Обязательным условием, обеспечивающим указанную соизмеримость концентраций носителей и примеси,...

Номер патента: 256085

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Благовещенска, Грибелюк, Кузнецова, Ополовенков, Смирнова

МПК: H01L 21/47

Метки: защитное, покрытие

...Оно представляет собой композицию из пластифицированной пол ивинилацетатной О эмульсии и мыльноглицериновой пасты, вводимой в количестве 15 - 20 вес, ч. на 100 вес, ч.эмульсии и придающеи ей антиадгезионныс свойства, обеспечивающие возможность лег.кого удаления защитной пленки.5 Приготовление и нанесение защитного по.крытия иллюстрируется следующим примером,П р и м е р. К 100 вес. ч. пластифицированной поливинилацетатной эмульсии (ВТУМХП М- 56) добавляется 15 вес. ч.мыльноглицериновой пасты, содержащей 20% глицерина (ГОСТ 6824 - 54), 25% стружки хозяйственного мыла (ВТУ 216 - 63) и 55% воды. Смесь загружается в аппарат с мешалкои и нагревается при температуре 65 - 80 С в течение 15 - 30 лик до получения однородной массы молочного...

Номер патента: 256086

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Белебашев, Думаневич, Ловцов, Рюмшин, Смол, Файншмидт, Шмелев

МПК: H01L 29/74

Метки: 256086

...3 - базовый р-слой тиристора; 4 - эмиттерный р - и-переход тиристо ра; б - коллекторный р - и-переход тиристора; б - локальный металлический шунт; 7 - катодная клемма; 8 - анодная клемма; 9 - базовый и-слой тиристора. Устройство работает следующим образом.При подаче положительного смещения на тиристор (+ на клемму 8 и-на клемму 7) к переходу 4 прикладывается прямое смещение, которое должно вызвать инжекцию электронов в базовый слой 3. Так как переход 4 зашунтирован шунтом б с малым сопротивлением, его смещения в прямом направлении не происходит, и инжекция электронов из слоя 2 в слой 3 отсутствует. В то же время в базовый слой 3 поставляется дырочная составляющая обратного тока центрального р - и-перехода 5 и часть дырочного тока...

Номер патента: 256091

Опубликовано: 01.01.1969

МПК: H01L 27/00

Метки: 256091

...этих приборов.По основному авт. св.133531 известна паркетная сетка для электронных и ионных приборов, но эта сетка при малых междуэлектродных расстояниях и больших площадях поверхности катода не обеспечивает эффективного управления электронным потоком.Предложенная сетка отличается тем, что в каждую ячейку вводят одну или несколько перемычек, расположенных параллельно большей,стороне ячейки, причем сечение перемычек меньше сечения прутков, образующих ячейку.Такая конструкция сетки обеспечивает эффективное управление электронным потоком и увеличивает однородность структуры в,плоскости, параллельной катоду. В каждую ячейку 1 сетки вка 2 параллельно большей с 5 причем сечение перемычкипрутков 4, образующих ячейк 10 Плоская сетка для...

Номер патента: 258409

Опубликовано: 01.01.1970

Автор: Манас

МПК: H01L 35/30

Метки: термоэлектрическая

...тем, что, с целью повышения к.п.д, установки за сч т цспользования отработанного тепла, она выполпена с регецератцвным контуром по холодной стороне термоэлектрогенератора.2. Установка по п. 1, отлггчагогцалстг тем, что устройство, перекачивающее теплоцосцтель (например, водяной насос), рабочим агентом которого служит теплоносцтель регенератцвного контура, соединено с турбиной. ГЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСрР Ф1р. /1 .е.гщФВ известных термоэлектрических установках отработанное тепло теряется, и для насоса, перекачивающего теплоноситель, тоебуется дополнительный источник энергии.С целью повышения к,п.д. установки за счет 5 использования отработанного тепла. она выполнена с регенеративным контуром по холод- ной стороне...

Номер патента: 258458

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Ещин, Игнаткина, Медведев, Меськин

МПК: H01L 33/00

Метки: индикатор, оптический

...и увеличение контрастности границы светящейся области,Это достигается тем, что в предлагаемомоптическом индикаторе одна из областей (рцлц и-) которого имеет форму вытянутого параллелепипеда по крайней мере с двумя контактами ц постоянным сопротивлением ца единицу длины вдоль р - гг-перехода, сопротивление втопой ооластц между ее контактом и любой точкой р - гг-перехода уменьшается, например, по параболе.На фиг. 1 изображен оптический индикаторс оценкой напряжения по длине светящейся линии; на фцг. 2 - то же с оценкой напряжения по длине двух светящихся линий, расположенных под углом одна к другой, (Этот индикатор может быть выполнен в виде двух симметричных индикаторов, представленных на фиг. 1).р-Область пндцкатора (фиг. 1) имеет...

Номер патента: 258459

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Лифл, Онегин, Салей

МПК: H01L 21/00

Метки: выводов, проволочных, сварки

...в вертикальной плоскости, в результате чего при сварке инструмент располагается под одним и тем же углом относительно свариваемых элементов независимо от вертикального положения контактных площадок.На фиг. 1 изображено предлагаемое устройство в общем виде; на фиг. 2 - то же, вид в плане.Устройство для сварки проволочных выводов содержит смонтированные на общем основании микроманипуляторы 1 и 2 горизонтальных перемещений и кронштейн 3. На микроманипуляторе 1 установлен кронштейн 4 с кареткой 5 вертикального хода, несущей сварочную головку 6. Микроманипулятор 2 несет закрепленный на плите 7 рабочий столик 8 для раз- мещения свариваемых объектов. На кронштейне 3 установлена перемещающаяся вертикально на шариковых направляющих каретка...

Номер патента: 258464

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Глазков, Жин, Карачун, Масленков

МПК: H01L 21/00

Метки: привод, шаговый

...И. Жинь и В, ф, Масленко жиненный:палец, утопленный в углублении паза и взаимодействующий с ведущей полу- муфтой,На фиг. 1 изображена кинематическая схема шагового привода; на фиг. 2 - муфта в общем виде и разрез по А - А.Универсальный шаговый привод содержит электродвитатель 1, шестерни 2 - 5 редуктора программного устройства, кулачок 6, рычаг 7, приводимый в действие пружиной 8, муфту 9, установленную между электродвигателем 1 и ходовым винтом 10, гайку 11 и рабочий стол 12. Муфта 9 состоит из ведущей полу- муфты 13, на которой,выполнены у 1 поры 14, и ведомой полухтуфты 15, имеющей вьгступы 16, образующие паз 17. В углублении паза расположен подпружиненный палец 18.Движение от электродвигателя 1 через шестерни 2 - 5 редуктора...

Номер патента: 258465

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Равин, Семенов, Тэвит

МПК: H01L 21/66

Метки: выводов, полупроводниковыхприборов, рихтовки

...протягивают ез две рихтующие пластины, одна из ко тх неподвижна, а другая вибрирует.Способ поясняется чертежом.Вьсводы 1 транзистора, помещают в щечи, образованные неподвижной 2 и подвижной 3 гребенками. Гребенка 8,:приводимая в движение, например, от электромагнита, вибрируетпостояино меняя сечение щелей и сжимая выводы. Шток 4 перемещает гнездо 5 с прибором в направлении рихтовки от места заделки выводов.к их концам,Для предотвращения натиров:на выводах приборов гнездо 5 в котором установлен корпус прибора, связано с тянущим штоком 4 через пружину, с помощью которой во время контактирования гребенок с выводами гнездо останавливается, а шток продолжает 5 равномерно двигаться.Скорость движения штока и толщина гребенок рассчитываются...

Номер патента: 258660

Опубликовано: 01.01.1970

МПК: H01L 35/02

Метки: 258660

...трансформатор 1, двухполупериодный выпрямитель 2, полупроводниковую термобатарею 3. Отрицательный вывод этой батареи соединен со средней точкой вторичной обмотки трансформатора, а положительный вывод - с двухпозиционным переключателем 4 режимов, НеподвижЕРСИВНОЕ УСТРОЙСТВв НАГРЕ ные контакты последнего соединены соответственно с плюсовой шиной выпрямителя и сдополнительным выводом вторичной обмоткитрансформатора.Устройство работает следующим образом.Переключение гермобатареи 3 цз режимаохлаждения в режим нагрева осуществляетсяпереключателем режимов 4, Термобатарея врежиме нагрева питается переменным током10 от вторичной обмотки трансформатора, В р- жиме охлаждения батарея питается выпрямленным током.Благодаря тому, что батарея прц...

Номер патента: 259213

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Бутырский, Ковальский

МПК: H01L 21/66

Метки: добротности

...МАТЕРИАЛАТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКОГО УСТРОЙСТВА 1Изобретение относится к области преобразования тепловой энергии в электрическую.Известны способы измерения добротности термоэлектрических устройств, которые по изменению перепада температур при постоянном тепловом потоке в режиме холостого хода и короткого замыкания требуют заделки термопар в спаи термобатарей, что снижает надежность и точность способа измерения.Описываемый способ отличается от известных тем, что в качестве параметра, характеризующего Л, выбрано отношение э.д.с. в указанных режимах.В описываемом способе замеряется э,д.с. термоэлектрического устройства, по отношению которой определяется его добротность. сутствие необходимости заделки термопар ви термобатарей увеличивает...

Номер патента: 259283

Опубликовано: 01.01.1970

Автор: Гасанов

МПК: H01L 29/786

Метки: полевой, тонкопленочный, триод

...ц дырочной проводимости.На фцг. 1 изображен предлагаемый тонко пленочный триод, разрез; ца фцг, 2 - зависимость цнд;ццрованноЙ поверхностцоЙ проводимости от внешнего электрического поля,Предложенцый триод состоит цз полупроводниковой пленки 1, слоев 2 изолятора, ме 1 б таллцческцх электродов затворов 3, элекприс;.кцх коцтактОВ 4 ц а ц цзолцрующеЙ подложки 6.Для Включецця тоцкоплс очного полевоготриода закорачцвают полеаыс электроды 3 ц 2 С подсоединяпот цх через батарею смещения кконтактам 4. Контакты 4 ц а через нагрузочцое сопротивление соединяют с источником постоянного напряукснця. Подавая сигнал перецапряжс 1:ця между истоког 25 затвором на цагрузочцое сопротцвлеш 1 е получают необходимый полезный сигнал.Прц толщине пленки...

Номер патента: 260702

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Бейлин, Бутырский, Лебедев, Семин, Ханин, Яхац

МПК: H01L 35/02

Метки: термобатарея

...перепад на теплопереходе.Предложенная термобатарея отличается тем, что с целью исключения изоляционного теплопсрехода между термобатареей и тсплообменнпком герметизирующий чехол термобатареи выполнен из электроизоляционной пленки.Нд чертеже представлена предложенная тсрмобатарея.В качестве материала для теплоперехода и чехла 1 применяют терафталдтную пленку цлц пленку пз полиэтилена толщиной 5 - 20 лгк с покрытием из меди цлп серебра, нанесенным вакуумным напылением. Одна сторона пленки полностью покрывается тонким слоем 2 металла, другая сторона - только в тех места.с, где коммутационными шицдмц 3 прина;шшот тср моэлсмецты 4, Для здчехлецпя термобдтарсикрая пленки должны выступать за периметр батареи, чтобы затем эти края по...

Номер патента: 261583

Опубликовано: 01.01.1970

Автор: Михайлов

МПК: H01L 41/12, H02N 2/12

Метки: магнитострикционный, малых, перемещений, привод

...магнитострикцнонното стержня,На чертеже изображен описьгваемый маг нитостриктор малых перемещений.Привод состоит из магнитострикционногостержня 1, помещенного в наыагничивающую катушку 2. Для замыкания магнитного потока служит стакан 8, выполненный из магни О томягкого материала, Одинак конец мапнитострикционного стержня свободен и проходит через отверстие в дне стакана. Второй конец стержня закреплен в стакане при помощи фланца 4, выполненнопо из немагнитного ма териала, по которому мапнитный поток непроходит, На внутренней пстверхности стакана закреплена обойма 5 имеющая пазы.В обойму вставлен ротор б, также снабженный пазами. Ротор может поворачиваться от О носительно неподвижной обоймы при помощичервячной передачи, состоящей из...

Номер патента: 262861

Опубликовано: 01.01.1970

МПК: H01L 21/324

Метки: 262861

...в5 качестве полупроводника используют кремнийп-типа, а в качестве металла-растворителядля зон - алюминий.Пластины кремния нориентированные по10 плоскости (111), полирхимически,Мегодом термического распыления алюминия в аакууме через специальный трафаретили на всю пластину с последующей фотоли 15 тографией получают заданное число параллельных линейных зон,необходимой ширины(ЗО - 200 мк) и толщины (не менее 1 О мк).Напыление алюминия сочетается с одновременным сплавлением с кремнием, для чего20 температура,подложки поддерживается в интервале 577 - 660 С,Ширину зоны в зависимости от температуры определяют по формуле262861 Пр едм ет изобретения Составитель Г, Корнилова Редактор Т. 3. Орловская Техред Л. В. Куклина Корректор С, А....

Номер патента: 263044

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Константинов, Шапиро

МПК: H01L 29/88

Метки: высокочастотный, диод, туннельный

...например, типа 1 И 102 КК 3.362.048 ТУ, у которых концентрация в р-сбла.ти р-и-перехода значительно презышает концентрацию носителей в и-области. Недостатком приборов такого типа является высокий коэффициент шума.Цель настоящего изобретения - создание СВс 1-туннельного диода с уменьшенным коэффициентом шума.Сущность изобретения заключается в том, что при фиксированном значении приведенной/п 1 р т 2концентрации), гдеПр )и - концентрация донсрной примеси;р - концентрация акцепторной примеси, определяющей величину предельной частоты прибора, соотношение концентраций и и р изменяют таким образом, чтобы величина отрицательного сопротивления, а следовательно, и шумы диода уменьшались.Форма вольтамперной характеристики, а следовательно, и...

Номер патента: 263045

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Васина, Колмакова, Раснецова

МПК: H01L 21/465

Метки: кварца, матирования, поверхности

...при помощи плавиковой кислоты и щелочно-фтористых солей.Однако растворы, рекомендуемые для матирования стекла, непригодны для матирования кварца, ввиду неравномерности, точечности матирования и наличия большого числа непроматированных участков.Целью изобретения является получение стабильной равномерно матированной по всему полю поверхности с определенным классом чистоты, исключение образования микротрещин на матированной поверхности кварца, устрансние микрошумов и повышение порога чувствительности пленочных фот еских лучеприемников, увеличение д ных изделий,Сущность изобретения заключается в обработке подлежащей матированию поверхности кварца в смеси двух насыщенных растворов следующих составов:1-й раствор фторид аммония 120 г...

Номер патента: 263046

Опубликовано: 01.01.1970

Автор: Павленко

МПК: H01L 21/00

Метки: автомат, ножки, полупроводниковыхприборов, сборки

...к узлу сборки 8, выбирает зазор а, при этом под действием копиров, вы полненных на этом ползуне, отжимает вниззахват 6 и фиксирует расположенную в электроде 21 ножку базирующим элементом 4, ось которого смонтирована на электрододержателе 3. Далее ползун 2 своим вырезом через 30 фланец оси 31 увлекает электрододержатель3, отводит в старону выбрасыватель 32 и прижимает фланеп ножки с кристаллодержателем к электродам 9,Электроды, подпружиненные пружинами 33, усилия котарых регулируют, передают движение упорам 12, которые через ролики 34 освобождают от юбок кристаллодержатель, прижимаемый электродами. Кристаллодержатель приваривается двумя последовательными импульсами тока.Кулак 20 через рычажный механизм 19 подает загрузочное...