Способ получения эпитаксиальных структур на основе арсенида галлия
Описание | Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Описание


Заявка
4474851/25, 17.08.1988
Научно-исследовательский институт механики и физики при Саратовском государственном университете
Биленко Д. И, Белобровая О. Я, Пылаев С. Е, Ципоруха В. Д, Мокеров В. Г, Медведев Б. К, Слепнев Ю. В
МПК / Метки
МПК: H01L 21/205
Метки: арсенида, галлия, основе, структур, эпитаксиальных
Опубликовано: 10.07.1999
Код ссылки
<a href="https://patents.su/0-1591751-sposob-polucheniya-ehpitaksialnykh-struktur-na-osnove-arsenida-galliya.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ получения эпитаксиальных структур на основе арсенида галлия</a>
Предыдущий патент: Электролизер фильтропресного типа для электролиза гетерогенных электролитов
Следующий патент: Мембранный аппарат
Случайный патент: Рабочее колесо осевого вентилятора