Способ получения эпитаксиальных структур на основе арсенида галлия

Описание

Способ получения этипаксиальных структур на основе арсенида галлия, включающий осаждение на нагретую подложку арсенида галлия буферного слоя с последующим осаждением рабочих слоев, освещение структуры в процессе осаждения буферного и рабочих слоев оптическим излучением с длиной волны = 0,6328 мкм и регистрацию временной зависимости интенсивности отраженного монохроматического излучения, отличающийся тем, что, с целью повышения качества осаждаемых рабочих слоев, осаждение буферного слоя прекращают после достижения интенсивностью регистрируемого отраженного излучения постоянного уровня в момент времени t3, выбираемый из условия t3 2t2-tэкстр, где t2 - момент времени, с которого уровень интенсивности отраженного от растущего буферного слоя излучения остается постоянным, tэкстр - момент времени регистрации последнего экстремального значения интенсивности отраженного излучения в процессе осаждения буферного слоя.

Заявка

4474851/25, 17.08.1988

Научно-исследовательский институт механики и физики при Саратовском государственном университете

Биленко Д. И, Белобровая О. Я, Пылаев С. Е, Ципоруха В. Д, Мокеров В. Г, Медведев Б. К, Слепнев Ю. В

МПК / Метки

МПК: H01L 21/205

Метки: арсенида, галлия, основе, структур, эпитаксиальных

Опубликовано: 10.07.1999

Код ссылки

<a href="https://patents.su/0-1591751-sposob-polucheniya-ehpitaksialnykh-struktur-na-osnove-arsenida-galliya.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ получения эпитаксиальных структур на основе арсенида галлия</a>

Похожие патенты