H01L — Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам

Номер патента: 357626

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Дунаев, Сидоров

МПК: H01L 23/02, H01L 23/14

Метки: крепления, полупроводпикового, прибора

...Причиной этого являет ся различие в коэффициентах объемного расширения материалов, используемых для крепления. При нагреве полупроводникового прибора под ним образуется излишек вязкого вещества, который выбивается из контактной 20 зоны и не возвращается обратно при восстановлении первоначальной температуры, в результате чего возникают полости, заполненные воздухом. Дальнейшее понижение рабочей температуры влечет за собой увеличение этих 25 воздушных полостей.Цель изобретения - расширение рабочего диапазона температур.Цель достигается тем, что по предлагаемому способу электроизолирующую перфориро ванную прокладку выполняют из упругого материала, например резины.При заполнении ячеек прокладки вязким теплопроводящим веществом...

Номер патента: 357627

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Бродзели, Гурциев, Елигулашвили, Институт, Керцман, Накашидзе

МПК: H01L 21/28

Метки: паста, электропроводящая

...с Известньребра, соддля изготоввых приборобладаютмогут бытьдов, инжекгого знака. ретения - создание электрода,щего дырки в органические полу т. е. получение выпрямляющего инжекционными своиствами состоит из следующих компонентов, %: Такой состав позволяет значительно упростить технологию нанесения инжектирующих электродов, в отличие от всех известных составов, которые либо наносятся вакуумным напылением, либо требуют создания жидких электродов.При создании активных элементов (диодов) широкозонные полупроводники (в том числе и некоторые органические вещества) играют роль искусственного запорного слоя с малой плотностью носителей, а если его проводимость увеличивать инжекцией носителей одного из электродов (другой электрод...

Номер патента: 358974

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Загородников, Лихтман

МПК: H01L 21/00

Метки: навесок, сферических

...приемной камерой с нейтральной или восстановительной средой. Камера вакуумноплотно соединена с рабочим сосудом, разделенным на две полости,Рабочий сосуд выполнен изокалиностойкой стали и собраи трубок 3, 4, помещенных одсоединенных между собой коки могут быть изготовленым атериалов.Для предотвращения диффурезьбовое соединение, образ2 и гайкой 14, расположенорабочего сосуда и охлаждаетсдой через штуцер 11.Вследствие пер авионерногоки 2 и трубки 3 в процессевесок нажимное усилие гайки3 на диск б ослабевает, и ендиском б появляется зазор, чео текает расплав. Для устранен.Чля псклн)чецця самопроизвольог) вытекяпия расплава из рабочего сосуда в црцсмпую камеру через штуцер б подается ротцода 3- 5 лепе. Гяз проходит через сопловс отверстие и...

Номер патента: 360703

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Вильф, Лысенко

МПК: H01L 49/00

Метки: полупроводниковый, прибор

...на фпг. 2 - 5,представлены четыре варианта консгрукции предлагаемото генератора,На монокристалл кремнпя 1 марки КЭ,75 несены два омических контакта: награнь - контакт диаметром 20 мк 2, на7 т Риг, 1 Составитель А. Котедактор Г. ВигдороваТекред 3, ТараненкоКорректор В. Жолудева аказ б 80/2280Тираж 406ЦНИИПИ КизобретенийСовете ММосква, Ж,Изд.1805Подписноемитета по делами открытий принистров СССРаушская иаб., д. 4/5 33другую - ,контакт диаметром 1 л.ц 3. Контакты 1 аносятся методом напыления и последующето вжигани я. Материалом малого контакта служит Оплав золота с сурьмой( содержание сурьмы 0,1%), материалом большого контакта служит никель, Далее,прибор собираепся в корпусе, Первый и второй варнанты,предусматривают создание прибора на...

Номер патента: 360800

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Иностранна, Иностранцы, Шиничи, Юкио

МПК: H01L 29/36

Метки: полупроводниковый, прибор

...не 1 К 10" структурои - полупроцелью полу- высоких чаиспользован в диапазоор соонтактчто, ссверхдинкаримеси жит полупроводник тве базы, металлич Зависимый от патентаИзобретение относится к полупроводниковым приборам.Известны полупроводструктурой металл -такт - полупроводник, Оне может использоватьстора колебаний сверхвыДля возбуждения колсверхвысоких частот врой металл - выпрямлялупроводник предлагаетиспользовать германиевуцентрацией примеси,в дК 10 те 1/смв.Эта концентрация примобеспечивает такую толщобразованного на перехои полупроводником, кототепловой пробой прибора.На чертеже показан предлагаемый прибор 2 в разрезе.Прибор содер о юпд ложку 1 в качес е ников ые прибор о выпрямляющий нднако ни один и х 5 я в качестве ге расоких...

Номер патента: 383118

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Гилев, Мурин

МПК: H01L 21/48

Метки: микрополости, образования, твердом, теле

...селективного удаления основного материала в местах, незащищенных контактной маской. 25Предлагаемый способ позволяет упростить технологию, повысить производительность процесса, повысить точность геометрических размеров и повысить чистоту поверхности микро- полости. Для этого контактную маску наносят 30 На подложку 1 (см. чертеж) наносят то- кую пленку материала маски 2. Методом фотолитографии или любым другим способом, имеющим необходимое разрешение, вырезают окна 3 в материале маски. Подложку с маской нагревают в вакууме до температуры, при которой имеет место сублимация материала подложки, и выдерживают при этой температуре для испарения необходимой толщины материала подложки. После удаления материала маски химическим травлением...

Номер патента: 383119

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Конради, Салюк, Союзная

МПК: H01L 23/36

Метки: радиатор

...отливкой в ко киль. Радиатор обтекается воздухом более эффективно благодаря нагреванию его в межреберных канавках и каналах, сообщающих купол с канавками, и постоянному притоку по этим отверстиям воздуха из полости купола в т 5 межреберные канавки.На чертеже изображен предлагаемый радиатор, который может быть использован, например, для мощных управляемых диодов,Радиатор содержит корпус (цоколь) 1, кон центрические клиновидные ребра охлаждения2, зажимное кольцо т, полупроводниковый прибор (например, управляемый диод) 4, отверстия 5, сообщающие полость купола 6 цоколя с межреберными канавками, крепежные 25 отверстия 7 и гнездо 8 под полупроводниковыйприбор.Радиатор с закрепленным в его гнезде полупроводниковым прибором крепится посредством...

Номер патента: 383124

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Астафьев, Думаневич, Крылов, Минаев, Ничуразов, Сутько, Учайкин

МПК: H01L 21/00

Метки: групповой, полупроводниковых, элементов

...полупроводниковыеэлементы 2. Очищающий реагент, напримервысокоомная депоннзованная вода, подается вкамеру 3, Из камеры 3 очищающий реагентнаправляется через отверстия 4 в полость 5 кассеты, а затем через направленные под углом кольцевые щели 6 непосредствеццо к полупроводниковому элементу 2.Над каждым полупроводниковым элеме;пом 5 благодаря внешнему экрану 7 в рабочей полости ячейки создается одинаковый уровень очищающего реагецта для всех ячеек. Таким образом, о 11 ннаю 1 ций реагент, попадая в камеру 3, ранимерно распределяется по поло сти 5 кассеты н цз нее равномерно подаетсяк полупроводниковых элементам, обеспечивая непрерывное и практически равномерное растворение примесей н нх унос одновременно и непосредственно от...

Номер патента: 383125

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Гуткин, Дмитриев, Наследов

МПК: H01L 31/0224

Метки: полупроводниковый, прибор, фоточувствительный

...определяется обоими выпрямляющими контактами, поскольку коэффициент поглощения мал, и излучение проникает во всю толщу полупроводника, Так как электрические поля запорных слоев в таком поверхностно-барьерном диоде направлены противоположно, то фототоки (или фотоэ. д. с.), обусловленные обоими запорными слоями, вычитаются. В области основной полосы поглощения, где коэффициент оптического поглощения К=104 - 106 см -и эффективная глубина проникновения излучения 1/К= = 10 4 - 10 6 см,фоточувствительность определяется лишь выпрямляющим контактом у освещаемой стороны. Для осуществления электронного переключения предлагаемого прибора на режим избирательной чувствительности при ЕЕи ЛЕ=А со сменой знака фотосигнала достаточно приложить к...

Номер патента: 383140

Опубликовано: 01.01.1973

Автор: Динабург

МПК: H01L 39/00

Метки: istv, i••, lli•-••б, vibjgt, охлажденияг1»тг4туп, т5шг, циркуляционная

...Газообразный гелий, с)катый в компрессоре и предварительно охлажденный в азотной ванне и теплообменниках ожижителя 1, поступает в дроссель-э)кектор 2, где дросселируется до давления 1,5 - 2 ата и попадает в сборни с жидкости высокого давления 3, В сборнике 3 газообразный гелий уходит в обратный потокожижителя 1, а жидкий гелий (имеющи 1 температуру 4,7 - 5 К), часть которого можетбыть выведена из сбор шка 3 и использована,5 например, для охлаждения токовводов илидругих элементов сверхпроводяпцх устройств,направляется сначала в теплообмснник 4, азатем В переохладитель жид.Ости 5, Где переохлаждается до температуры 3 - 3,5"К, осО таваясь при давлении 1,5 - 2 ата,После переохладителя 5 жидки гелий подаетя ь змееьчк охлаждаемогО Объекта...

Номер патента: 384145

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Вайткус, Жиндули, Коненков

МПК: H01L 31/08

Метки: прецизионный, фотопотенциометр

...темновых сопротивлений фотослоя.Целью изобретения является уменьшение влияния изменения темнового сопротивления фотослоя на выходное напряжение.Указанная цель достигается тем, что на ди= электрическую подложку нанесена дополни- тЕЛЬНаЯ РЕЗИСтИВНаЯ ПЛЕНКа, КОНтаКтИРУошанл одновременно с резистором и коллектором по всей их длине,Сущность изобретения поясняется чертежом, где1 - диэлектрическая подложка; 2 - резистор; 8 - фотослор; 4 - коллектор; 5 - дополнительная резиспьпая высокоомная пленка.Расчеты локазывают, что пр изменениитем новых сопротивлений фотослоя Рф (при отсутствпи высокоомного шунта) на, 20% выходное напряжение поте циометра изменяется0,1 % .При наличии шунта уже изменение эквива.тентното еопротпатенпн Яа= - натнШтнф...

Номер патента: 384160

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Алейников, Лепетило, Янович

МПК: H01L 21/306

Метки: выводов, контактных

...толщине контактщх выводов, формируют выводы, а после механической обработки травят заготовку с противоположной стороны до разделения контактных выводов. 25слеИзобретение относится к ооласти производства полупроводниковых приборов, а именно, к способам получения выводов.Известен способ получения контактных выводов из металлическои заготовки, включаю щий операции фотолитографической обработки, траВлени 51 меукконтактных перемычек до разделения выводов, срормирования выводов и механическую Обработку.Однако известный способ не позволяет фор мировать конта,тные ВЫВОДЫ на заготов 1 е с целью пр 1 Дани 51 им неооходимой геометрической формы до операции травления, а при формировании и механической обработке контактных выводов теряется точность...

Номер патента: 384161

Опубликовано: 01.01.1973

Автор: Ксенофонтов

МПК: H01L 21/40

Метки: кремния, приплавления, сплав, термокомпенсирующему, электроду

...в сплав н,. примесью легируюв количеств. Предмет изобрет 1. Сплав для приплавленя к мокомпенсирующему электроду 15 ребра и свнца с примесью лег ментов, от,яаюпшася тем, что,шения характеристик полупр приоора и снижения температур в него введен никель. 20 2. Сплав по п, 1, от,нчаонц содержание никеля составляет 0ремни на ос 1 рло нове сещпх эле.о лчпковог( авления цел оводспл ся2 - 5 м, чтоес. д. 1Изобретение относится к полупроводникой элвктронике и может бьвть использовано и изготовлении:полуправоднковых прибо- в При изготавлении полуправоднковьх приборов из кремния в качестве омического контакта првменяют сплав, в аооторый вхадят Ао, РЬ, ЬЬ. Кремний прнплавляют этим сплавом к термаковпенсирующему электроду (из вольфрама или...

Номер патента: 384162

Опубликовано: 01.01.1973

МПК: H01L 21/314

Метки: германия, диэлектрического, защитного, поверхности, покрытия

...прпменсп для защиты интегральных схем типа Р-2. Прп этом удалось увел чпть максималысе Ооратное напряжене перехода оа за - кслле 1,тор с 10 - 12 8 дс 25 - 30 О, а так же уменыппть и стаоплпзи ровать обратныетоки этого перехода в условиях повышенной влажнос 1 и и теспературы. Споес Изобретение относится к области ф зик и техники полупроводников и может быть 11 спользовано при разрабопке и ысследсван 1 полупроводниковых приборов и интегральных схем на основе Бермания.Известны спосооы получения зацпт 1,х диэлектрических покрытий на,поверхности гврмания путем обработкп его в расплавленных солях сульфидов или в безводном сероводороде. При этом на поверхности германия образуется плотная пленка сульфида германия. Однако в силу плохой...

Номер патента: 385353

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Паршина, Смирнов

МПК: H01L 21/306

Метки: полупроводников, травитель

...также газооб травления идет с образ стого кремния и углеро 11 али гие углеродной фазы на поверхности травящегося крлсталла увеличивает время травления, затрудцяет процесс травления, требует проведения дополнительных операций по удалению слоя углерода с поверхности. При наличии углеродцой фазы на поверхности невозможно точно контролировать процесс травления, что, в свою очередь, не позволяет снимать тонкие диффузионные слоя.Цель изобретения - обеспечение селективного травления и точного контроля процесса, возможности применения травителя ца различных стадиях изготовления приборов, а также сокращение технологических операций при травлении с улучшением качества обрабатываемой поверхности.Поставленная цель достигается тем, что в...

Номер патента: 385354

Опубликовано: 01.01.1973

Автор: Беспутина

МПК: H01L 21/027

Метки: фотолитографии

...защищается вторым пассивирующим слоем (напрнмер, двуокисью кремния). Печать ызоб ражений на фоторезист, последовательно нанесенный на всю пластину, осуществляется с помощью шаблона, размеры рисунка которого превышает ширину линий активных элементов, Окна в фоторезисте, образованные при 25 проявлении, открывают зону, расположеннуюна границе двух пассивирующих слоев и равную ширине элемента прибора. В результате травления этой зоны (закрытой, например, нитридом кремния) в избирательном травителе (например, фосфорной кислоте) получают окна385354 ры с высокой разрешающей способностью, ни сложные механизмы совмещения, так как элемент практически образуется ограничивающей зону нитрида кремния пленкой двуокиси кремния,Способ фотолитографии,...

Номер патента: 385359

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Барсуков, Дасо, Зинченко

МПК: B22C 3/00, H01L 35/20

Метки: внутренней, поверхности, покрытия, суспензия

...срока сохранности и упрощения эксплуатации кокилей в качестве поверхностно- активной добавки применен дубитель БНФ, представляющий собой продукт конденсации кристаллического фенола и 6 - нафтолсульфокислоты с формалином, вводимый в количестве 0,47 - 1,33%.Суспензия готовится из 50 - 100 г пробковой муки, 5 - 15 г силиката натрия удельного веса 1,35 г/см, 5 - 15 г дубителя БНФ и 1 л воды. В горячую воду загружают необходимые компоненты, и вода доводится до кипения,Готовую суспепзию наносят на внутреннююповерхность кокилей и производят отливку решеток.С уменьшением количества силиката натрия 5 уменьшается количество кремнекислого натрияи минеральных солей на поверхности кокиля в процессе работы, уменьшается также их прочность, что...

Номер патента: 387469

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Василевский, Курбатов, Рафаевич, Шестаков, Юдашкин

МПК: H01L 25/03, H02K 19/36

Метки: 387469

...и дополнительноговыпрямителя цепи питания обмотки возбуждения, причем дополнительный выпрямительвыполнен в виде приставки,Однако известные выпрямительные блоки отличаются сложностью, что затрудняет их обслуживание,Целью изобретения является упрощениеконструкции и, тем самым, обслуживания выпрямительцого блока в эксплуатации.1Для этого приставка с дополнительным выпрямителем выполнена на печатной плате поформе, повторяющей форму каркаса силовоговыпрямителя.На фиг. 1 приведен общий вид приставки 2выпрямительного блока; на фиг. 2 - поперечный разрез приставки выпрямительцого блока. Приставка выпрямительного блока содержит плату 1, на которой установлены трн кристаллодержателя 2 с укрепленными в цих кремниевыми р - п-переходами 3, выводы...

Номер патента: 389363

Опубликовано: 01.01.1973

Автор: Косоротов

МПК: H01L 23/34, H01L 23/367

Метки: охлаждения, тепловыделяющей

Номер патента: 389578

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Баховкин, Куршев, Масленников, Степанов

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: изобретения, пгсга, рпи

...повышена благодаря бжено дополнительной зончетырьмя щупами (количеетствует количеству вывороена в поворотный рычаг оединена с блоком ориенниковых приборов по полоизмерения электрическихустройством. 1-1 икняя зондовая головка 5 вмонтирована в поворотный рычаг кронштейна 7 манипулятора д.Предложенное устройство работает следующим образом. 5Из вибробункера 1 транзисторы 8 подаются в гнездо 9 нижней зондовой головки 5 и фиксируются по упорам (см. фпг. 4).Затем вибробункер отключается, и кронштейн 7 переносит транзистор к верхней зондовой 10 головке 4 (см. фиг. 2). Кронштейн перемещается с помощью двух кулачков, укрепленных на распределительном валу (на фиг. 2 не показаны), и соединенных с рычагами 10 и 11, один из которых поворачивает крон...

Номер патента: 389579

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Васильев, Головнер, Ландсман

МПК: H01L 31/05

Метки: фотоэлектрический

...сетка на тыльной по верхностиНеобходимый микрорельеф а тыльнойповерхности может быть создан, например, шлифовкой на микропорошке. Эта операция применяется при промышленном производст ве кремниевых фотопреобразователей. Средой, соответствующей предъявляемым требованиям, может быть слой диэлектрика, например слой окиси кремния для кремниевых и герм аниевых фотопреобразователей 15 (показатель преломления 1,45, коэффициентпоглощения равен нулю в области длин волн вблизи края поглощения кремния и германия), В одном из случаев оптимальной средой, с которой должен осуществляться 20 оптический контакт тыльной поверхности,является воздух, так как в нем полное внутреннее отражение выполняется для наибольшего диапазона углов падения света90...

Номер патента: 390422

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Амазасп, Афанасьева, Григор

МПК: G01N 21/95, H01L 21/66

Метки: выявления, дефектов, кристалла, поверхности, полупроводниковых, приборов

...изображения с усиленным или ослабленным контрастом.20 Длч получения видимого изображения используется световой сигнал, отраженный от поверхности объекта при сканировании светового зонда и регистрируемый фотоэлектронным умножителем.25 На чертеже изображена блок-схема устройства, где обозначены: 1 - телевизионная проекционная трубка; 2 в объектив; 3 - полупро водниковый прибор; 4 - видеоусилитель фотоответа; 5 в световод; б - фотоэлектронный 30 умнояитель (ФЭУ); 7 - видеоусилитель ФЭУ;390422 Составитель В. Громоедактор Б. Нанкина Техред Е. Борисова ейзерман Царькова рректоры: Ми аказ 30686ЦНИИПИ Изд.1734 Тираж 755 осударственного комитета Совета Минист по делам изобретений и открытий Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5одписное Типография,...

Номер патента: 390599

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Вител, Купеев, Шестаков

МПК: H01L 23/32

Метки: блок, выпрямительный, электрической

...моноблоков с установленными в них вентилями.Предлагаемый блок отличается от известных тем, что моноблоки выполнены полыми, а их боковые стенки снабжены сквозными прорезями, предназначенными для циркуляции охлаждающего воздуха.Такое выполнение блока позволяет позы о сить эффективность охлаждения.Полупроводниковые вентили установлены под углом друг к другу.На чертеже показан описываемый выпрямительный блок, общий вид и разрез по А - А, 15Выпрямительный блок состоит из отдельных моноблоков 1 коробчатой формы, в которые запрессованы под углом со смещением относительно оси симметрии разнополярные вентили 2. В боковых стенках моноблоков вы полнены пазы а для прохожден лаждающего воздуха.Воздушный поток, создаваем ным вентилятором электричес...

Номер патента: 390600

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Андреев, Вител, Жил, Казаринов

МПК: H01L 29/00

...Для получения многослойной гетероструктуры,источники расплавляют и подложку, вращением от механизма вращения попеременно приводят в контакт с расплавом каждого состава,Недостаток этого устроиства состоитчто в течение процесса при перемещениложки имеет место частичный переноплава из одной секции тигля в другуюВ результате составы расплавов в:иках постепенно выравниваются и нарупериодичность состава,в получаемойслойной структуре.С целью устранения этого недостатлучения структур с заданным закононения состава и уменьшения дефектопредложено механизм вращения уствать на держателе подложки. аци,и источники вра об/сек. При этомый контакт подлож- ААз и баАз и идет вующего слоя.на перемещения исять распределением й структуре и полуым...

Номер патента: 390601

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Закревский, Заплатников

МПК: H01L 21/00

Метки: автомат, полупроводниковых, разбраковки

...уплотнение 61 золотника 48. Бесконечное резиновое уплотнение 62 крут. лого сечения надето на четыре шкива 63, оси которых закреплены неподвижно, и служит для герметизации выходного отверстия иглы в нерабочем положении. На одном из шкивов неподвижно закреплено храповое колесо 64. Пластинчатая собачка 65 неподвижно закреплена на кронштейне 47 и предотвращает обратный проворот храпового колеса. Упор бб, закрепленный на отсекателе, служит для предварительного выравнивания выводов триода и обеспечивает прохождение последнего по лотку к узлу выравнивания.При работе автомата вращение от электродвигателя - редуктора 3 через муфту 4 передается на вал 5. Вал 5, вращаясь, сообщает движение рабочим органам автомата посредством кулачков б, 7, 8, 9...

Номер патента: 391503

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Бальзовский, Кричевский

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: теплового

...быть использовано для измерения параметров полупроводниковых приборов как па этапах разработки, так и в процессе производства. 5В известном устройстве для измерения теплового сопротивления полупроводниковых диодав, содержащем источники греющего и измерительного тока с параллельным ключом и разделительным диодом между источником гре ющего тока и измерительной схемой, измерспии теплового сопротвления диодов с относительно большим временем жизни неосновных носителей заряда, особенно в импульсном режиме, имеет место большая погрешность за 15 счет рассасывания заряда, накапливаемого в базе диода при прохождении греющего тока. В результате момент измерения отстоит от момента окончания греющего тока на время рассасывания накопленного...

Номер патента: 391613

Опубликовано: 01.01.1973

МПК: H01L 21/465

Метки: пленок, снятия, титана, травитель

...титана, содержащие сильные кислоты, либо смеси сильных кислот (серной, азотной, соляной; плавиковой и азотной), непригодны для такого стравливания, так как при этом траленку фоторезистора и слой, тем саазрушая полупроводниковые струкжатся следующие компоненты: ХН 10 - 15 г; ХН 4 Р - 1 - 1,5 г; НС 1 - 0,2 - О, л; Н,О - 90 - 100 мл; ТС - б 5 - 70.Травитель состава: аммоний хлористый - 5 10 г; аммоний фтористый - 1 г; соляная кислота - 0,2 мл; вода - 90 мл был опробован на приборах ГТ 328. Стравливали участки пленки титана толщиной 0,2 - 0,27 мкм при б 0 С+ 5 С в течение 1,5 - 2 мияПри трав ленни титана пленка фоторезиста не разрушалась и титан под резистом не подтравливался. Поверхность слоя окисла в местах травления титана чистая, без...

Номер патента: 391651

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Вител, Лейкин, Петров, Шестаков

МПК: H01L 25/03, H02K 19/36

Метки: выпрямительное

...выпрямитеОднако такие выпрямительные устройссложны по конструкции, а эффективноохлаждения выпрямительных элементов нстаточна.Цель изобретения - упрощениеции, увеличение электрического иконтактов.Это достигастся тем, что на внутрповерхностях разъема сскторов корпусполцены гнезда под вентили.На фиг. 1 показано выпрямительноеройство в сборе, общий вид; на фиг. 2 -ноблок выпрямителя.На секторной изоляционной панелимонтажными кронштейнами 2 и разнополными шинамп 3, которые могут выполнят ится к выпрямительныменераторов персменногавтотракторпым генера печатным способом, размещены моноблоки 4. Каждый моноблок содержит два оребренных сектора 5 и 6 с ссрийпыми вентилями 7 цилиндр ичсской формы, Для улучшения электрического и теплового...

Номер патента: 391652

Опубликовано: 01.01.1973

МПК: H01L 21/48

Метки: 391652

...и произв и обеспечения автоматиза воды группы микросхем сторон лентой, например, ной по длине посередине. при окраске механически,пью повышения одительности т ции процесса обжимают с из фольги, сломик- отликауда вывух жен 25 Изобретение относится к технологии изготовления радиодеталей и может быть использовано при изготовлении микросхем,Известен способ защиты выводов при окраске микросхем, осуществляемый механически.Цель изобретения повышение качества защиты выводов и производительности труда и обеспечение автоматизации процесса окраски.Для этого выводы группы микросхем обжимают с двух сторон лентой, например, из фольги, сложенной по длине посередине,Предложенный способ поясняется фиг. 1 - 3.Группу микросхем 1 располагают в один ряд...

Номер патента: 391653

Опубликовано: 01.01.1973

МПК: H01L 23/26

Метки: влагопоглотитель

...состоянии);80 вес. ч. 6 Э 18 Н - 60 - 0,5 и 103 вес. ч. спирто-ацетоновой смеси, Процесс приготовления и нанесения состава на внутреннюю поверх ность баллонов можег быть следующим:391653 Предмет изобретения Составитель М. Сорокина Техред 3. ТараненкоРедактор А. Морозова Корректор Е. Сапунова Заказ 3114/11 Изд, Мц 854 Тираж 780 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий Москва, Ж, Раушская наб., д, 4/5Типография, пр. Сапунова, 2 виброизмельченные кристаллы цеолита ХаА в гидратированном состоянии перемешиваются до однородной суспензии с раствором блоксополимера. Подготовленная суспензия наносится каплями из шприца, кистью или из 5 пульверизатора на внутреннюю поверхность баллона...