H01L — Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам

Номер патента: 1806418

Опубликовано: 30.03.1993

Авторы: Немцев, Орлова, Полякова, Тявловский, Яржембицкий

МПК: H01L 21/00

Метки: однородности, поверхности, полупроводниковых, потенциала, распределения, электрического

...нм и расстоянием между дефектами более 50 нм, На расстояния более нескольких десятков мкм поверхность является статистически однородной.П р и м е р 2, Указанная в примере 1 последовательность операций была повторена при использовании в качестве объекта измерения эпитаксиальной пленкивыращенной на кремниевой пластине с полностью удаленным нарушенным слоем, Получены следующие результаты измерения.При изменении расстояния от отсчетного электрода до поверхности от 0,37 до 1,2 мм минимальное и максимальное значения потенциала составили 268 и 276 мВ, а их полураэность 4 мВ. Микроморфология поверхности характеризовалась однороднымраспределением точечных микродефектов с регулярным пространственным распределением и средним расстоянием между...

Номер патента: 1806419

Опубликовано: 30.03.1993

Авторы: Дехтяр, Квелде, Куницын, Маркелова, Носков, Сагалович

МПК: H01L 21/66

Метки: ионного, момента, окончания, пленок, процесса, травления

...образец. тонкой пленки сплава РС-ЗОООК толщиной300 Ао, нанесенной на термически окисленную кремниевую подложку, Фотоэлектрическая работа выхода электрона с подлокки -10 эВ. Образец подвергался ионна-химическому травлению в реакторе установкиУРМ.3.279,026. Травителем являлись ионыгаза ЯГ 6, образующиеся в источнике ионовИИ - 4-0.15 при давлении 10 Па.Контроль ионно-химического травленияосуществлялся каждые 2 минуты, при этомисточник ионов отключался,Образец с пленкой освещался ультрафиолетовым светом, пропускаемым черездифракционный монохроматор и фильтрБС. Энергия бомбардирующего фотонаравнялась, т,е. расположена в диапазоне9,84,954,5 эВ (фотоэлектрическая работа выхода электрона с пленки 4,5 эВ),В процессе освещения измеряли...

Номер патента: 1806420

Опубликовано: 30.03.1993

Авторы: Ефименко, Леоненко, Прибыльский

МПК: H01L 27/04

Метки: интегральная, схема

...фиг.З иллюстрируется повышейиекоэффициента усиления В изобретения по сравнению с прототипом. 40Работает интегральная схема следующим образом,Пусть и-р-и-транзистор находится в активном режиме работы. Коллекторный ток слоя 6 с п-р-п-транзистором, базой является область эпитаксиального слоя 6 и-типа проводимости, а коллектором - подложка 5 р-типа проводимости, Когда падение напряжения на последовательном сопротивлении коллектора достигает 0,7 В, открывается рп-р-транзистор, который увеличивает суммарный коэффициент усиления, 3 ил,создает падение напряжения на последовательном сопротивлении коллектора 3, При достаточно большом токе, когда.напряжение на резисторе достигает 0,7 В. р-и-ртранзистор 11 открывается. Его ток эмиттера складывается...

Номер патента: 1806421

Опубликовано: 30.03.1993

Авторы: Полторацкий, Решетников, Рычков

МПК: H01L 27/098

Метки: арсенида, галлия, интегральная, основе, схема

...заряда 7,В предлагаемой конструкции емкостьсвязи между электродом 6 и областью 5 азатвора возникает из-за образования барьера Шоттки и, так как при концентрации вобласти 5 а,равной 2 10 см, величина пз18 3при напряжении пробоя контакта ШотткиЧпр = 1 В не более 0,04 мкм. что меньшетолщины области 5 а, то эквивалентная схема структуры металл-полупроводник будеттой, которая дана на рис,2 а с ВАХ шунтирующего диода, представленной на фиг.2 бКанальный транзистор с р-и-переходом, рассмотренным выше, имеет пороговое напрякение %, равное 03 В при Н =0.55 мкм и Чт = - 0,7 В при Н = - 0,7 мкм, т.е,в зависимости от параметра Н, транзисторявляется либо транзистором с индуцированным каналом, либо со встроенным каналом, Причем, поскольку...

Номер патента: 1806422

Опубликовано: 30.03.1993

Авторы: Гусинский, Киптилый

МПК: H01L 27/14, H01L 31/02

Метки: видимого, излучений, инфракрасного, преобразования, ток, электрический, энергии

...основания выбрана лавсановая лента толщиной 1 мкм и шириной 100 мм. Дгина ленты не ограничена, Никелевые антенны в виде стержней диаметром 0,02 мкм расположены внутри основания иимеют длину от 1 до 1,5 мкм, На 1 м можетг быть образовано до 10 антенн,аНа рабочую поверхность ленты нанесен слой алюминия толщиной 0,1 мкм, прозрачный для видимого и инфракрасного излучения. На эту поверхность выходит один из торцов каждой антенны и электрически соединен с ней, Для уменьшения омических потерь вдоль ленты расположены токоведущие шины шириной 0,5 мм, расстояние между которыми 9,5 мм (не показаны)Противоположные торцы стержней, на которых расположена пленка окиси никеля толщиной 1 нм, соединены с другой поверхностью основания, при этом...

Номер патента: 1806423

Опубликовано: 30.03.1993

Авторы: Долгий, Евтихиев, Есепкина, Королев-Коротков, Лавров, Шестак

МПК: H01L 31/04

Метки: оптоэлектронное

...шайбы 2 меньше размера чувствительных элементов матричного ПЗС-фотоприемника, то свето- волоконная шайба достаточно точно передает распределение излучения светодиодов в пространстве и во времени на матричный ПЗС-фотоприемник.При равенстве поперечного размера полосок светодиодов размеру элементов матричного ПЗС-фотоприемника, и шага полосковых светодиодов шагу элементов матричного ПЗС-фотоприемника, диаметр световолокон должен быть меньше размера чувствительных элементов матричного ПЗС-фотоприемника по крайней мере в три раза. Если поперечный размер полосок светодиодов кратен (т.е, в и раз больше) размеру элементов матричного ПЗС-фотоприемника, а шаг полосковых светодиодов кратен шагу элементов матричного ПЗС-фотоприемника,...

Номер патента: 1806424

Опубликовано: 30.03.1993

Авторы: Губа, Походенко

МПК: H01L 31/04

Метки: преобразования, света, твердотельный, фотогальванический, электрическую, элемент, энергии, энергию

...ацетонитрилом и сушат на воздухе. Эту операциюпроводят три разй. В результате допирования полимера пентахлоридом сурьмы бесцветная пленка ПЭПК приобретает зеленуюокраску, а в спектре поглощения появляетсяполоса с максимумом 800 нм, принадлежащая катион-радикальному карбазольномухромофору,3.Спектр поглощения допированногоПЭПК снимают на спектрофотометре"БресогО ОЧЧ Г, при этом пленку полимерананосят на кварцевую оптически прозрачную пластину и допируют описанным вышепутем. Толщину пленки допированногоПЭПК на теллуриде кадмия определяют спомощью интерферометра Майкельсона иоона составляет порядка 200 А. а ее удельную электропроводность, равную 6,10 см, - стандартной методикой с использованием 4-х точечного зонда, На поверхность пленки...

Номер патента: 1806425

Опубликовано: 30.03.1993

Авторы: Васильев, Волков, Теруков

МПК: H01L 31/101

Метки: полупроводниковый, фотоприемник

...Это приводит к.тому, что при прочих равных условиях фотоносители в аморфном полупроводнике рождаются значительно ближе к поверхности раздела металл-полупроводник и долкны уходить в металл, Это обстоятельство и является прйчиной падения квантовой эффективности в фотоприемниках из кристаллических полупроводников и а - 5:Н в Уф-области,Благодаря предложенной совокупности признаков мы впервые выявили свойство, состоящее в том, что этот неблагоприятный фактор полностью и с избытком компенсируется крайне малыми длинами свободного пробега фотоносителей в сплавах а - %1-хСх.Н из-за чего, рождаясь даже очень близко к поверхности раздела, они не могут ее достичь и выйти в металл, а также рекомбинировать на поверхности, Для...

Номер патента: 1806426

Опубликовано: 30.03.1993

Авторы: Барщевский, Бургардт

МПК: H01L 39/06

Метки: коаксиальный, криогенный, токоввод

...цилиндр расположен между ними. при этом полость внутреннеготоконесущего элемента образует дополнительный канал охлаждения. Положительный эффект уменьшение расхода хладагента за счет увеличения поверхности охлаждения и эффективности теплообмена, а также повышение йадежности, обусловленное увеличением электрической прочности. 1 ил. ны и прямолинеиные участки. и дву дров из изоляционных материаловразующих коаксиальную сис у каналами охлаждения 5, 6, 7, 8.При работе токоввода испаряющийся газообразный гелий поступает в четыре канала охлаждения, В каналах с переменным сечением происходит частое изменение скорости потока хладагента и его турбулизация, что интенсифицирует теплоотдачу от токонесущих труб к хладагенту.Изготовление таких...

Номер патента: 1807427

Опубликовано: 07.04.1993

Авторы: Адамов, Ангелова

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: металлизации, напряжений, структура, тестовая, электрических, электрооптического

...щуюгальванйческуюсвязьсметаллической рр.1083-1084.шиной, на котором измеряется напряжение, . (54) ТЕСТОВАЯ СТРУКТУРА ДЛЯ ЭЛЕКТРО- и йокрытую слоями диэлектрика и металла,3 ОПТИЧЕСКОГО КОНТРОЛЯ ЗЛЕКТРИЧЕ-. образующими оптическое зеркало для ла- СКИХ НАПРЯЖЕНИЙ НА МЕТАЛЛИЗАЦИЙ зерноголуча, зондирующего указанйый эле- ВИС мент. контроля через подложку. В основе (57) Изобретение относится к электроопти- метода измерений лежит электрооптичеческим измерениям и предназначено для ский эффект, Измерение электрических сиг- ." проведения внутрисхемных .бесконтакт- валов осуществляется в рабочем режиме ных измерений электрических напряже- ИМСбесконтактнымспособомпутемэондиний в интегральных микросхемах(ИМС) на . рования лазерным лучом и анализа...

Номер патента: 1807530

Опубликовано: 07.04.1993

Автор: Козин

МПК: H01L 21/02

Метки: величин, емкостного, механических, преобразователя

...пз, уменьшеннойна толщину соединительного шва междумембраной и основанием пс,шНа фиг, 4 изображена пластина послестравливания защитной маски в областяхсоединения мембран и оснований, 50На фиг. 5 изображена пластина послевыявления легированного "стоп" - слоямембраны 8 и получения упоров 9 заданнойТОЛЩИНЫ (Пз - Пс.ш.).На фиг, 6 изображено основание 10 с 55пьедесталами 11 высотой (Ьисх 2), превышающей толщину пластины, для обеспеченияпосадки мембран через упоры на основание. В основании проведено легирование+бора для создания проводящего р слоя 12 и на их поверхности создан дизлекгриче ский слой 13, изолирующий при сборке мем брану от основания, На вершине пьедестала сформированы адгезионные области 14 для соединения мембран и...

Номер патента: 1807531

Опубликовано: 07.04.1993

Авторы: Магомедов, Медведкин, Руд

МПК: H01L 21/203

Метки: пленок

...45однородностипо площади и низкого качества, т,е. нет воспроизводимости в свойствахпленки. Все это справедливо при Тл = 300430 С, а если установить Тл300 С, илиТл400 С, то опять-таки наблюдается образование в плбнках нескольких фаз и величина проводимости плбнок становится невоспроизводимой величиной;Для получения пленок вещества и-типапроводимости необходимо поддержание 55значения Ти =980-1130 С при Т=300-400 Сво время испарения, Действительно, еслиТи1130 С при Тл = 300-400 С, то мы начинаем получать пленку р-типа и, следовательно, цель не достигается, В случае Ти980 С и Т = 300 - 400"С, процесс образования пленки и-типа нарушается, так как она.становится неоднофаэной и неоднородной, Что касается значений Тл300 С и Тп400 С при Ти =...

Номер патента: 1807532

Опубликовано: 07.04.1993

Авторы: Нестеров, Павленко

МПК: H01L 21/302

Метки: одностороннего, пластин, травления

...уплотнигеля, один из которых имеет отверстие. Эластичный уплотнительный элемент имеет форму лоткообразного кольца с утолщенными кромками, держатель выполнен в виде кольца с торцевыми канавками и отверстиями, соединяющими торцевые канавки с внут. ренней поверхностью кольца, при этом утолщенные кромки эластичного уплотнительного элемента прижаты двумя уплотнителями к держателю, а держатель зафиксирован в уплотнителе с отверстием, 3 ил. После того, как пластина 10 уложена настолик уплотнителя 3 в горизонтальном положении, в отверстие 7 вставляется медицинская игла (не показана), прокалывается СА утолщенная часть уплотнителя и в камеру напускается сжатый воздух, который приводит устроистео е рабочее состояние 1 фиг. 2). Ф йоСле чего...

Номер патента: 1807533

Опубликовано: 07.04.1993

Авторы: Терентьев, Яфаров

МПК: H01L 21/306

Метки: арсенида, галлия, окисным, плазменного, слоем, собственным, травления

...бездефектную обработку поверхности баде, В реалзных случаях знертии ионов е условиях деФицита ) а химического реагента при низких давлениях недостаточно для травления, так как поверхность покрыта слоем собственного окисла, Для его удаления необходимо или увеличивать энергию ионов для физического распыления окисла, или вводить в рабочий газ восстановитель.Состав газа для травления бэАз и егоокисла различается. Скорость травлениябаАз коррелирует с содержанием в плазмеатомарного хлора, тода кэк удаление собственного окисла зависит от содержания вос 5становителя, например, в виде углерода,Восстановление окисного слоя углеродомуменьшает порог энергетичного травлениябаАз, однако скорость травления может снизиться при неправильном...

Номер патента: 1807534

Опубликовано: 07.04.1993

Авторы: Касаткин, Муравьев

МПК: H01L 43/08

Метки: датчик, магниторезистивный

...датчике постоянного электрического тока, протекающего через контакты 9, 11, намагниченность в магниторезистивных элементах 1 - 16 устанавливается в двухслойных магнитных пленках вдоль оси легкого намагничивания (ОЛН) и антипараллельно.друг другу. При подаче постоянного электрического тока в. датчи к воздействием воз н икающих магнитных полей от токов в различных магнитных пленках на намагниченность датчика можно пренебречь, . т,к, эти поля много меньше поля анизотропии, Пусть внешнее магнитное поле подается в плоскости датчика под углом а к ОЛН, В идеальном случае. когда толщины магнитных, пленок одинаковы, размагничивающих полей нет, и перемагничивание происходит когерентным вращением. Под действием внешнего магнитного поля...

Номер патента: 1807548

Опубликовано: 07.04.1993

Авторы: Коваль, Лавриненко

МПК: H01L 41/09, H02N 2/00

Метки: двигатель, пьезоэлектрический

...равна от - до4 - длины толкателя. Зазор между пьеэоэле6ментом и толкателями необходим для свободного изгиба толкателя при установке ротора .В случае, если ротор охватывает пьезоэлемент, то есть для двигателя с внешним ротором, пластина толкателя выполняется без расширения, при этом пазы для толкателейвыполняются снаружи фиксирующего кольца, как показано на фигуре 3. Диаметр фиксирующего кольца 6 выбирается равным диаметру пьезоэлемента б,В рассмотренной конструкции пьезоэлектрического двигателя использованы три пьезоэлемента. Количество пьезоэлементов принципиально не изменяет работу двигателя. Очевидно, что чем больше пьезоэлементов, тем больше мощность на валу двигателя.В показанной на фиг. 1 конструкции двигателя запорная шайба...

Номер патента: 1808147

Опубликовано: 07.04.1993

Авторы: Виноградов, Жуков, Зеленова

МПК: H01L 21/82

Метки: интегральных, монолитных, схем

...получаются загонкой бора при температуре 1000 С в течение 30 мин и последующей разгонкой при температуре 1200"С в течение 1,5 часов, Поверхностное сопротивление слоя 30 - 40 Ом/Д.Слой и-типа (7) получается эпитаксиальным осаждением кремния, легированного фосфором, на подложку (3) с диффузионными слоями (1,2,3,4.5,6), Удельное сопротивление слоя (7) 0,7-1,0 Ом см, толщина 6-8 мкм,В эпитаксиальном слое (7) над областями (1), (4) и. (5) создаются области р-типа (8), (9) и (10), а также область (11) ионным легированием бором с дозой 0.5-1,0 мкК /см и2 энергией 100 кэВ, Затем проводится отжиг при температуре 1200 С в течение 2 часов в сухом кислороде, В процессе отжига происходит встречная диффузия бора из погруженных р областей (1), (4), (5)...

Номер патента: 1808148

Опубликовано: 07.04.1993

Автор: Пырченков

МПК: H01L 27/12

Метки: гибридная, интегральная, схема

...кристаллами 3. На выводной рамке 8 находятся планарные контакты 9, сверху устройство закрыто крышкой 10,АЯ ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА изобретения: кристаллы схеы в застывшем расплаве эвсостава, Многослойная анесена над кристаллами по нологии, Металлическая подя шиной питания. 1 ил,В предлагаемои конструкции гибридной интегральной схемы полупроводниковые кристаллы 3, установленные в металлической подложке 2 таким образом, что их лицевая поверхность 5 находится на одном уровне с металлической подложкой 2, образуя монолитную структуру с безрельефной поверхностью, позволяют уменьшить количество планарных операций по созданию многослойной коммутации. что увеличивает надежность устройства. Кроме того, металлическая подложка 2, в которой...

Номер патента: 1635830

Опубликовано: 15.04.1993

Авторы: Агрич, Иванковский, Сульжиц

МПК: H01L 21/336

Метки: моп, поликремниевыми, резисторами

...ТРЯНЗИСЧ ОРД ПРИ 1111111 К 1 аЛа (юацРИЦа затвора) пг) топологии 2 ики рдгцг) 7 ВУ а при Ркислеиии в режиме 860 С, 150 миц вла)аый кислород 2 В.Таким образом, сильное окисление 1 О Необходимо для улучпеция параметров поликремииевых резисторов, однако оцо ухудюает 1 ардистры И 011-транзисторов,Изобретецюе рдзреюГает данное противорепе езозгОжносгью получеюил сильноокислеццых резисторов и сгабокюслеццых илц цсокислецюпгх затворов 11011- транзисторов. Это позопяет гримецять трдцзисторы с дгццоц пиала 3 мки без ухудгпецця падежости схемы и резисто рд с улучеицыгщ зцдгеГилл ТКС, ТКО с термРвреиециой стдбеьцостью и точностью соглдсовдцил соиротивлеций . в делителях.П р ц 1 е р 1. 11 зготовление ште ГРДЭЦЦХ СХЕИ, СОММЕР)гаИХ ПОЛЮКРЕМНИЕ-...

Номер патента: 1637599

Опубликовано: 15.04.1993

Авторы: Двуреченский, Манжосов, Романов

МПК: H01L 21/265

Метки: изоляторе, кремний, структур

...растворением в водном растворе плавиковой кислоты НЕ,Формирует пленку аморфного Я 1 толщиной 0,1 мкм методом молекулярно-лучевого осаждения при 200 С,Формируют монокристаллическую пленку кремния импульсным отжигам с использованием рубинового лазера с длиной волны А = 0,69 мкм, длительностью, им1637599 Составитель Е.ЛюбушкинТехред М.Моргентал Корректор А,Обручао Редактор О,Стенина Заказ 1967 Тираж Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Раушская наб., 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул.Гагарина, 101 пульса т =30 нс при плотности энергии 1,0 Дж/см 2,Окисление ПК через окна, вскрытые в монокристаллической пленке, осуществляют в следующем...

Номер патента: 1639363

Опубликовано: 15.04.1993

Авторы: Литвиненко, Могилко, Павлюк, Пирогов, Семиноженко

МПК: H01L 39/24

Метки: величины, внутри, заданной, магнитного, поля, экрана

...тока в соленоиде.При охлаждении экрана до 77,4 К (температура жидкого азота) в неэкранированном пространстве в экране захватывается магнитное поле Земли с продольной составляющей 0,46 Э. При изменении внешнего магнитного поля Нвнеш создаваемого соленоидом, от 0 до - 11,0 Э поле внутри экрана остается неизменным и равным 0,46 Э,ГОСУДАРСТВЕННОЕ ПАТЕНТВЕДОМСТВО СССР1639363 Из таблицы следует, ч ния поля наЬ Н= 0,1 экрана уменьшается и чере ся равным чувствительност го датчика - 2,2 10 2 Э, С по показаниям феррозонд тается на уровне его чувст о после измене- Э поле внутри 8 мин становит- и феррозондововременем поле вого датчика осительности в теоставитель А,Семеновехред М.Моргентал Корректор С.Юск Н.Кол Реда аказ 1968 Тираж...

Номер патента: 1810931

Опубликовано: 23.04.1993

Авторы: Вотченников, Осорин, Шкрадюк

МПК: H01L 29/88

Метки: датчик, температуры

...1 и аг - коэффициенты теплового расширения кристалла вдоль и поперек главной кристаллографической оси соответственно (для одноосного кристалла),при нагревании и охлаждении датчика будут отсутствовать термические напряжения, связанные с разностью коэффициентов теплового расширения.Датчик малочувствителен к действию проникающего излучения.При использовании кристалла СаСОз об ласть рабочих температур датчика составляет - 4,2 - 800 К.Датчик может быть выполнен средствами технологии микроэлектроники, при этом кристалл выращивается эпитаксиально, паэ вытравливается ионно-лучевым тра влени 1810931ем, затем распылением наносятся электроды. Датчик может быть выполнен в корпусе интегральной микросхемы, в том числе не-...

Номер патента: 1810932

Опубликовано: 23.04.1993

Авторы: Игуменов, Крутоголов, Лункина, Плосконосов

МПК: H01L 31/0352

Метки: ик-излучения, приемника, структура

...Ферми, Е, - дно зоны проводимости, Еч - потолок валентной зоны.Структура содержит подложку 1 из уэкоэонного полупроводникового материала и -типа проводимости, на которую последовательно нанесены дополнительный слой 2 р -типа проводимости, слой 3 р-типа проводимости,Рассмотрим работу заявляемой структуры в фотоприемнике ИК-излучения, где излучение принимается со стороны подложки (хотя структура может работать и при освещении со стороны п-слоя).Воэможность работы структуры в фотоприемнике с засветкой со с 1 ороны подложки обеспечивается тем, что за счет сильного легирования материала подложки примесью п-типа регистрируемое излучение проникает через подложку 1, а за счет того, что толщина дополнительного слоя 0,1-1 мкм - через...

Номер патента: 1810933

Опубликовано: 23.04.1993

Авторы: Гольдберг, Мелебаев, Тилевов

МПК: H01L 31/108

Метки: поверхностно-барьерный, фотоприемник

...структуры на воздухе при тембольшую энергию, до 5 эВ. Иэ-за наличия 20 пературе 60 С в течение щ 20 мин. Его тонкого диэлектрического слоя (3 - 5 нм) ко- толщина определялась методом эллипсоличество горячих электронов, переходящих метрии и -оставляла дд3,5 нм. Ширина в металл, невелико, поэтому коротковолно- запрещенной зоны окисла была определевая (УФ) фоточувствительность достаточно на оптическими измерениями и составляла высокая, В.то же время слой объемного за 5 эВ, что соответствует ширине эапрещенрАда на краях барьерного контакта растянут ной зоны естественного окисла арсенида галза счет выемки, что уменьшает влияние кра- лия.евого эффекта, приводя к значительному . Полупрозрачный барьерный контактсоснижению уровня темнового тока и...

Номер патента: 1811044

Опубликовано: 23.04.1993

Авторы: Заславский, Фирцак, Шахайда

МПК: H01L 23/36, H05K 7/20

Метки: охлаждения, полупроводниковых, приборов, радиатор

...Переменный шаг гофр 7 обоснован соображениями переменной интенсивности теплового поля, уменьшающейся внаправлении от источника тепла. Наличиедополнительных воздушных каналов 5 обосновано соображениями усиления активности воздушных потоков, Для радиаторов, 45работающих без принудительного обдува, вусловиях естественной конвекции, данныевоздушные потоки могут без дополнительных затрат усилить эффект охлаждения тепловыделяющих полупроводниковых 50приборов,Технико-экономическая целесообразность применения заявляемого способаобусловлена простотой и технологичностьюизготовления радиаторов из штампованных 55 гофрированных элементов, имеющих низкую металлоемкость, а также возможность получения компактных радиаторов для работы с приборами...

Номер патента: 1811637

Опубликовано: 23.04.1993

Авторы: Викулин, Глауберман, Козел, Чалая, Шахов

МПК: H01L 21/263

Метки: кремниевых, магниточувствительных, транзисторов

...дефектов и наличие ионизации, Таким образом, облучение электронами позволяет повысить магниточувствительность, Кроме того, облучение электронами не требует дорогостоящего оборудования, непродолжительно по времени и технологически несложно,Образцы магниточувствительных транзисторов изготавливались из кремния и-типа с исходным удельным сопротивлением 1 Ом м по стандартной планарной технологии, Глубина залегания эмиттера и коллектора 2,5 мкм, Концентрация основной примеси в эмиттере 10 см, После сборки кристаллов магниточувствительных транзисторов в корпуса измерялась зависимость тока коллектора от прилагаемого магнитного поля и определялась магниточувствительность, Облучение образцов проводилось на линейном ускорителе "Электроника". После...

Номер патента: 1651704

Опубликовано: 23.04.1993

Авторы: Котелянский, Кравченко, Лузанов, Соболев

МПК: H01L 39/24

Метки: высокотемпературных, пленок, сверхпроводников

...высокотемператур, ного отжига пленка может быть охлаждена до более низкой температуры (от 500 С до комнатной) в инертной атмосфере, затем вновь нагрета до 830- 950 С и охлаждена уже в кислородсодержащей атмосфере.20П р и м е р 1. На подложку НГО/ /7 Оз (фианит) с ориентацией (111) с помощью магнетрона напыляют пленку УВаСцОтолщиной 0,8 мм. Структуру пленка - подложка нагревают винертной атмосФере до 950 Г, выдерживают при этой температуре 5 мин, заменяют азот на кислород и охлаждают структуру со сГсоростью 200 О/ч, Плен" ка имеет четко выраженную текстуру ЭО с осью перпендикулярно подложке (сильные отражения типа ООЕ), температуру перехода в сверхпроводящее состояние83 К и величину Л при 77 К 5 "х 10 з А/см. 35П р и м е р 2, На...

Номер патента: 1545860

Опубликовано: 30.04.1993

Авторы: Абдуллин, Аубакиров

МПК: H01L 21/316

Метки: покрытий, электроизоляционных

...параиетры пото ка плазмн 1 и сарактеристик 11 покрытий иэ Л 101 и 81.0 ца плоскопара 11 лельиых топе Ркц О ст Ях из ситалла е к Ремциц и 15 стали марки 20 Х 13 и профилегроваииой гговерхе;ости Свогегутая с радиусом кривцзцы 150 мм) иэ стали марки 20 Х 13, получеццых предлагаемым и иэпестиым способами. Пеобяодгемые режимы для по лучецнл положительцого эфФекта выбраны эксперимецтальцо.Покрытия с помощью известного спо", соба гтолучецы беэ добавки в аргоцовую плазму кислорода при давлеци 11 в каме" 25 ре 90-100 Па, Нацесец 1 ге покрытий предлагаемым способог 1 осущЕствляют при вводе в цецтральцую часть аргоцопогоразряда 3,5-5 мас,Х кислорода, давце вци в камере 200-250 Па, скорости плазмеццого потока 8-10 ифс"1 и коицецтрации злектроцов у...

Номер патента: 1812578

Опубликовано: 30.04.1993

Авторы: Александров, Ильюк, Молчанов, Пенцак, Сарапин

МПК: H01L 21/60

Метки: интегральной, коммутационный, проводник, схемы

...дорожек 1, разме- рядка(1.2) 10 Н м . Поэтому предлагается щенных между защитным покрытием 2 и для компенсации этих напряжений пере- изолирующей пленкой 3, расположенной на мычки располагать попеременно с каждой полупроводниковой подложке 4, Соседние стороны токопроводящей дорожки, т.е, в дорожки соединены токопроводящими пе-шахматном порядке,ремычками 5, При количестве дорожек 1 бо- . Предложенную конструкцию прбводнилее двух перемычки 5 расположены в ка целесообразно использовать для комму- шахматном порядке, Токопроводящие дотации наиболее нагруженных элементов рожки 1 соединяюткоммутируемыеэлемен- интегральной схемы. При этом перемычки ты А и В (фиг,2). при наличии дефектных повышают надежность проводника, кото- областей С...

Номер патента: 1812579

Опубликовано: 30.04.1993

Авторы: Гудков, Кошель

МПК: H01L 21/66

Метки: зондовое

...работает следую- схем микрообъектов, поскольку благородщим образом. При измерениях зондовое ус-:нцй металл 5 обеспечивает "мягкость" электройство с несколькими зондами опускают : тропроводящего зонда и стойкость кна контактную площадку полупроводнйко-коррозионным изменениям. 1 .,;,: 2(21) 4859174/21 содержащеедйэлектрический корпус, элек- (22) 13.08.90 .: - ; : . :-:, тропроводящие зонды срабочей заострен- (46) 30.04.93, Бюл, М 16 . ; нойконтактирующей зоной. Цель (71) Научно-исследовательский. институт.ав-изобретения - повцшенйе износостойкости томатики и приборостроения .:. ,- . при снижениипереходного сопротивления. (72) А.В,Гудков, Д.А.Кошель, ; Рабочая и заостренная контйктйрующая зо-(56) Патент СШАМ 361 023, кл,324-72;5,1971,...