H01L — Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам

Номер патента: 1115631

Опубликовано: 27.02.2004

Авторы: Грехов, Костина, Куракина, Мешковский, Семчинова

МПК: H01L 21/314

Метки: защитного, кремния, поверхности, покрытия, состав

Состав для получения защитного покрытия поверхности кремния от диффузии примесей, содержащий тетраэтоксисилан, воду и концентрированную соляную кислоту, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества защиты от диффузии примесей III и V групп и защиты от диффузии щелочных металлов, он содержит пересыщенный водный раствор азотнокислого циркония при следующем соотношении компонентов, мас.%:Азотнокислый цирконий - 21-23Тетраэтоксисилан - 57-59Соляная кислота концентрированная - 1,2-1,4Вода - Остальное

Номер патента: 1760946

Опубликовано: 10.04.2004

Авторы: Гомжин, Лебедев, Черноусов

МПК: H01L 21/302, H05H 1/00

Метки: плазмохимического, пластин, полупроводниковых, травления

Способ плазмохимического травления полупроводниковых пластин, включающий напуск и откачку рабочего газа до заданной величины давления P в реакционной камере, генерацию индукционного ВЧ-разряда в кварцевой разрядной камере с помощью навитой по форме камеры катушки индуктивности, размещенной над держателем пластин и соединенной с ВЧ-генератором, и создание постоянного магнитного поля в разрядной камере с помощью источника магнитного поля, расположенного снаружи камеры, отличающийся тем, что, с целью повышения селективности и скорости травления при сохранении низкого уровня радиационных повреждений, магнитное поле создают с помощью источника магнитного поля, выполненного в виде соленоида,...

Номер патента: 1207339

Опубликовано: 10.04.2004

Авторы: Гомжин, Лебедев, Селиванов, Федоров, Юдина

МПК: H01L 21/302

Метки: плазмохимического, пластин, полупроводниковых, удаления, фоторезиста

Устройство для плазмохимического удаления фоторезиста с полупроводниковых пластин, содержащее цилиндрический реактор, в вершине которого расположена цилиндрическая разрядная камера, снабженная катушкой индуктивности, соединенной с ВЧ-генератором, систему подачи газа и подложкодержатель, установленный в основании реактора вне зоны разряда, отличающееся тем, что, с целью снижения энергозатрат при сохранении скорости и качества удаления фоторезиста, в основании разрядной камеры выполнен конусный раструб, обращенный к подложкодержателю, с радиусом, составляющим 0,8-1R радиуса обрабатываемой пластины, на расстоянии h от подложкодержателя, определяемом неравенством 0,08R

Номер патента: 1507131

Опубликовано: 10.04.2004

Авторы: Нечаев, Чернявский

МПК: H01L 21/28

Метки: затвором, полевых, транзисторов, шоттки

1. Способ изготовления полевых транзисторов с затвором Шоттки, включающий формирование на полупроводниковой подложке омических контактов истока и стока, нанесение металлизации, формирование на поверхности подложки в области затвора металлического электрода травлением металлизации через маску, последовательное нанесение первой и второй диэлектрических пленок, формирование фоторезистивной маски с окном над поверхностью металлического электрода, изотропное травление через окно в фоторезистивной маске второй диэлектрической пленки до вскрытия поверхности первой диэлектрической пленки, травление первой диэлектрической пленки до вскрытия поверхности металлического электрода, удаление...

Номер патента: 1820787

Опубликовано: 10.04.2004

Авторы: Гомжин, Лебедев, Черноусов

МПК: H01L 21/306

Метки: плазмохимического, подложки, полупроводниковой, удаления, фоторезиста

Способ плазмохимического удаления фоторезиста с полупроводниковой подложки, включающий ее размещение в рабочей камере на термостатированном подложкодержателе на расстоянии свыше 100 мм от зоны активации плазмы, активацию низкотемпературной плазмы в газовой среде, содержащей кислород, транспортирование активных радикалов из зоны активации в зону обработки и обработку подложки со слоем фоторезиста, отличающийся тем, что, с целью повышения селективности удаления фоторезиста относительно нижележащего слоя и снижения окисления нижележащих материалов при сохранении высокой скорости процесса, в газовую среду дополнительно вводят аргон, при этом содержание аргона в смеси составляет 20-95 об.%.

Номер патента: 1222175

Опубликовано: 10.04.2004

Авторы: Гомжин, Лебедев, Юдина

МПК: H01L 21/306, H05H 1/00

Метки: индивидуальной, плазмохимической, пластин

Устройство для плазмохимической индивидуальной обработки пластин, содержащее реакционно-разрядную камеру с плоскопараллельными электродами, один из которых соединен с ВЧ-генератором, а другой с держателем пластины заземлен, отличающееся тем, что, с целью упрощения конструкции и повышения равномерности обработки, электрод, соединенный с ВЧ-генератором, выполнен в виде плоской спиральной пружины, внешний конец которой жестко закреплен, а внутренний установлен с возможностью вращения вокруг оси, при этом ширина спиральной пружины выбрана из условиягде a - ширина спиральной пружины;D - диаметр пластины;n...

Номер патента: 1642901

Опубликовано: 10.04.2004

Авторы: Будянский, Гомжин, Лебедев, Черноусов

МПК: H01L 21/302, H05H 1/30

Метки: плазмохимического, пластин, полупроводниковых, удаления, фоторезиста

Устройство для плазмохимического удаления фоторезиста с полупроводниковых пластин, содержащее ВЧ-генератор, активационную камеру в виде трубы из диэлектрического материала с системой возбуждения газового разряда, в вершине которой расположен патрубок напуска рабочего газа, и реакционную камеру с термостабилизированным подложкодержателем, установленным в основании камеры вне зоны газового разряда, отличающееся тем, что, с целью повышения скорости удаления фоторезиста и качества обработки пластин, активационная камера снабжена по крайней мере одной дополнительной трубой равного диаметра, система возбуждения выполнена в виде двух плоскопараллельных электродов с отверстиями, в которых...

Номер патента: 1362358

Опубликовано: 10.04.2004

Авторы: Гомжин, Пуховицкий

МПК: H01L 21/302

Метки: плазмохимического, удаления, фоторезиста

Устройство для плазмохимического удаления фоторезистора, содержащее расположенный вертикально цилиндрический реактор из диэлектрика, в верхней части которого расположен патрубок напуска газа, индукционную катушку, охватывающую реактор и соединенную с ВЧ-генератором, подложкодержатель для размещения обрабатываемых пластин, установленный под открытым нижним торцом реактора перпендикулярно его оси, отличающееся тем, что, с целью обеспечения обработки подложек различного типоразмера без переналадки устройства при его использовании в гибком автоматизированном производстве, оно снабжено установленным на нижнем торце реактора параллельно подложкодержателю фланцем из диэлектрика, диаметр которого...

Номер патента: 1436793

Опубликовано: 10.08.2004

Авторы: Горячева, Далецкий, Летин, Тюркин

МПК: H01L 31/04

Метки: батарея, диодами, солнечная, шунтирующими

1. Солнечная батарея с шунтирующими диодами, содержащая каркас с несущей подложкой, модули скоммутированных солнечных элементов и шунтирующие диоды, отличающаяся тем, что, с целью увеличения надежности и ресурса батареи, перпендикулярно тыльной стороне подложки расположены полосы из диэлектрика, одна сторона которых содержит металлизированные участки, на которых расположены шунтирующие диоды.2. Солнечная батарея по п.1, отличающаяся тем, что каждая полоса из диэлектрика на стороне, не содержащей металлизированные участки, имеет покрытие из теплорегулирующего материала.

Номер патента: 1395055

Опубликовано: 10.08.2004

Авторы: Виноградов, Гаценко, Гибадулин, Иванов, Калмыкова, Кузнецов, Летин

МПК: H01L 31/04

Метки: батарея, солнечная

Солнечная батарея, содержащая несущую панель с тканевой или сеточной основой, фотопреобразователи и модули из них с держателями в виде сборных узлов, каждый из которых состоит из стержня, пропущенного через основу и загнутого с тыльной стороны панели, площадки на другом конце стержня, закрепленной на дополнительной, примыкающей к фотопреобразователю стеклянной пластине через прокладку из материала, обладающего адгезией к площадке и пластине, отличающаяся тем, что, с целью повышения технологичности и надежности конструкции, площадка стержня расположена между фотопреобразователем и стеклянной пластиной с отверстием, через которое пропущен стержень.

Номер патента: 884521

Опубликовано: 10.03.2005

Авторы: Белашев, Горделий, Сороко

МПК: H01L 39/22

Метки: мультиплексный, сквид

Мультиплексный сверхпроводящий квантовый интерференционный датчик - сквид, содержащий два цилиндрических блока с цилиндрическими отверстиями, представляющими собой половины контуров квантования и имеющими прорези вдоль общей образующей отверстий и блоков, слой изолятора между ними, два винта, создающих джозефсоновский контакт, полоски из сверхпроводящего материала, замыкающие контуры квантования, отличающийся тем, что, с целью повышения чувствительности при измерении пространственных вариаций магнитного поля, число отверстий в каждом блоке нечетное, а полоски, замыкающие контуры квантования, расположены в соответствии с псевдослучайной последовательностью двоичных чисел.

Номер патента: 1299408

Опубликовано: 27.04.2005

Авторы: Иванов, Козьянский, Мурадов

МПК: H01L 23/40, H05K 7/06

Метки: крепления, полупроводниковых, приборов

Устройство для крепления полупроводниковых приборов, содержащее цилиндрический корпус с расположенными на его наружной поверхности опорными площадками для установки полупроводниковых приборов, прижимной узел в виде гибкого звена со средством его натяжения и упоры, каждый из которых установлен с возможностью взаимодействия его рабочей поверхности с гибким звеном прижимного узла, отличающееся тем, что, с целью расширения эксплуатационных возможностей, повышения технологичности конструкции и уменьшения массогабаритных характеристик, каждый из упоров выполнен регулируемым, опорные площадки корпуса равномерно расположены по окружности, а рабочие поверхности упоров расположены на разных...

Номер патента: 1759191

Опубликовано: 10.08.2005

Авторы: Гончаров, Кораблев

МПК: H01L 21/68

Метки: бескорпусных, выводов, ленточных, микросхем, формовки

Устройство для формовки ленточных выводов бескорпусных микросхем, содержащее державку с ножкой, отличающееся тем, что, с целью повышения производительности и качества в работе, оно снабжено дополнительной ножкой, закрепленной в державке, при этом рабочие части ножей отогнуты на угол =120-150° относительно продольной оси державки, а дополнительная ножка в месте выхода из державки отогнута на угол =10-30° относительно продольной оси державки.

Номер патента: 1566912

Опубликовано: 10.08.2005

Авторы: Демещук, Перожок

МПК: G01P 21/00, H01L 21/00

Метки: акселерометра, кремниевого, сборки

Способ сборки кремниевого акселерометра, заключающийся в последовательном сопряжении друг с другом элементов акселерометра и взаимной их фиксации, отличающийся тем, что, с целью повышения производительности сборки и снижения себестоимости производства, последовательное сопряжение друг с другом элементов акселерометра и взаимную их фиксацию проводят в деионизированной воде, а после взаимной фиксации элементов удаляют из акселерометра остатки жидкости просушиванием при повышенной температуре.

Номер патента: 1526521

Опубликовано: 10.10.2005

Авторы: Барладян, Мякишев, Ожерельева

МПК: H01L 27/02

Метки: интегральная, свч, схема

Интегральная схема СВЧ, содержащая макрокристалл арсенида галлия с металлизированной нижней поверхностью, на верхней поверхности которого содержатся активные и пассивные элементы, элементы с субмикронными размерами, полевые транзисторы с электродами затвора и стока, соединенными с отрезками микрополосковых линий, и с электродами истока, соединенными с нижней поверхностью через сквозное отверстие, отличающаяся тем, что, с целью увеличения степени интеграции и уменьшения теплового сопротивления, элементы с субмикронными размерами выполнены по крайней мере на одном отдельном микрокристалле, при этом полевые транзисторы на микрокристалле имеют на всех электродах выступы, расположенные в...

Номер патента: 822708

Опубликовано: 20.11.2005

Авторы: Бакулин, Бурмистрова, Захаров, Петухов, Сайгак, Скориков, Сычев, Усталов

МПК: H01L 27/146

Метки: изображения

Преобразователь изображения, содержащий фоточувствительные элементы со структурой металл-диэлектрик-полупроводник и электронную систему считывания, отличающийся тем, что, с целью расширения диапазона чувствительности в инфракрасной области спектра, преобразователь снабжен светоделительным элементом, анализатором и формирователем изображения, выполненным в виде структуры прозрачный электрод-изолятор-кристалл с электрооптическим эффектом - интерференционный фильтр - фоточувствительный в инфракрасном диапазоне полупроводник - изолятор-полупрозрачный электрод, причем фоточувствительные элементы через анализатор и светоделительный элемент оптически связаны с формирователем изображения.

Номер патента: 1461319

Опубликовано: 20.11.2005

Авторы: Гогин, Кирменский, Матвеев

МПК: C30B 19/00, H01L 21/68

Метки: держатель, жидкофазной, подложки, полупроводниковых, преимущественно, проведения, эпитаксии

Держатель подложки, преимущественно для проведения жидкофазной эпитаксии полупроводниковых материалов, содержащий втулку, опорный диск и стержни с установленными на них фиксаторами подложки, отличающийся тем, что, с целью улучшения эксплуатационных возможностей, он снабжен проволочной обвязкой, втулка закреплен на опорном диске, стержни выполнены в виде консольно закрепленных на опорном диске упругих пластин, а фиксаторы подложки размещены в геометрической плоскости, наклонной к геометрической оси втулки и опорного диска, причем на концах упругих пластин выполнены загибы в форме крючка с возможностью размещения на них проволочной обвязки.

Номер патента: 830984

Опубликовано: 20.11.2005

Автор: Климов

МПК: H01L 23/34

Метки: охлаждения, полупроводниковых, приборов, теплоотвод

Теплоотвод для охлаждения полупроводниковых приборов, содержащий металлическое основание, в плоской центральной части которого несимметрично относительно его торцевых поверхностей расположены элементы крепления полупроводникового прибора, а боковые части основания образуют каналы цилиндрической формы, отличающийся тем, что, с целью повышения эффективности теплоотвода, основание выполнено в виде пакета листов трапецеидальной формы, образующих винтообразные выступы в каналах цилиндрической формы.

Номер патента: 1584670

Опубликовано: 20.11.2005

Автор: Фарченков

МПК: H01L 23/02

Метки: корпусов, металлокерамических

Способ изготовления металлокерамических корпусов, включающий нанесение на керамическую подложку проводникового и изоляционного слоев, формирование контактных площадок и внутренней коммутации, отличающийся тем, что, с целью обеспечения надежности герметизации и ремонтопригодности сборок, на изоляционный слой по всему периметру платы наносят слой металла, на слой металла накладывают металлическую рамку U-образного сечения полостью к плате с заложенным припоем внутрь полости рамки и проводят пайку, затем соединяют две платы путем расплавления припоя на внешних поверхностях рамки обеих плат.

Номер патента: 921388

Опубликовано: 20.11.2005

Авторы: Бакулин, Бурмистрова, Захаров, Петухов, Скориков, Сычев, Усталов

МПК: H01L 27/146

Метки: изображения

Преобразователь изображения, содержащий фоточувствительные МДП-элементы и электронную систему считывания зарядовых пакетов, отличающийся тем, что, с целью повышения чувствительности в ультрафиолетовой части спектра и увеличения разрешающей способности, в него введены светоделительный элемент, структура, включающая полупрозрачный проводник - изолятор - электрооптический фоточувствительный материал - изолятор - полупрозрачный проводник и анализатор, последовательно оптически соединенные между собой и с фоточувствительными МДП-элементами.

Номер патента: 1595272

Опубликовано: 20.11.2005

Авторы: Зеленцов, Козин, Лазаренко, Циганкова

МПК: H01L 21/18

Метки: магнитодиодов

Способ изготовления магнитодиодов, включающий формирование на лицевой стороне высокоомной полупроводниковой подложки первого типа проводимости инжекционных областей магнитодиодов второго типа проводимости, формирование приконтактных областей первого типа проводимости с повышенной концентрацией примеси и подготовку параметров магнитодиодов по чувствительности путем механической шлифовки обратной стороны подложки, отличающийся тем, что, с целью увеличения выхода годных за счет повышения точности подгонки параметров магнитодиодов по чувствительности, перед подгонкой на обратной стороне подложки между инжекционными и приконтактными областями поперек продольных осей магнитодиодов локальным...

Номер патента: 1503597

Опубликовано: 20.12.2005

Авторы: Высоцкий, Майстренко, Пипченко, Свиридов

МПК: H01L 21/268

Метки: градиентом, зонной, плавки, температуры

Устройство для зонной плавки с градиентом температуры, включающее корпус, систему параллельных ИК-ламп накаливания и кассету с полупроводниковыми подложками, установленную с возможностью возвратно-поступательного движения относительно ИК-ламп и соединенную с приводом, отличающееся тем, что, с целью повышения качества устройства за счет повышения однородности температуры в плоскости подложек, оно дополнительно содержит второй привод и пластину, установленную с возможностью возвратно-поступательного движения относительно корпуса и связанную с вторым приводом, причем первый привод закреплен на пластине, а второй - на корпусе, а амплитуды движения кассеты и пластины различаются на полуцелое...

Номер патента: 1263140

Опубликовано: 20.12.2005

Авторы: Майстренко, Свиридов

МПК: H01L 21/28

Метки: алюминиевого, большой, контакта, площади

Способ изготовления алюминиевого контакта большой площади на кремниевой пластине, включающий подготовку поверхности пластины шлифовкой, нанесение слоя алюминия на пластину, нагрев и охлаждение пластины, отличающийся тем, что, с целью повышения качества контакта за счет улучшения адгезии алюминия к пластине, снижения переходного сопротивления и снижения разброса по толщине, кремниевую пластину шлифуют до шероховатости Ra не более 3,2·10-7 м, затем окисляют до образования слоя двуокиси кремния толщиной от 8·10-8 до 10-7м, а слой алюминия наносят контактированием расплава алюминия с кремниевой пластиной, нагретой до температуры от 923 до 1023 K, в...

Номер патента: 1266401

Опубликовано: 20.12.2005

Авторы: Викерев, Кафтанатьев, Нестеров, Скворцов, Удальцов

МПК: H01L 21/306

Метки: кремниевых, мембран

Способ изготовления кремниевых мембран, включающий шлифование, полирование и анизотропное травление подложек, отличающийся тем, что, с целью повышения точности изготовления и выхода годных, после двустороннего шлифования и полирования нерабочей стороны подложек на этой стороне производят анизотропное травление углублений до получения толщины мембран, превышающей требуемую толщину на 1,2-1,35 глубины нарушенного слоя, образующегося после шлифования, а затем производят химико-механическое полирование рабочей стороны подложек до достижения требуемой толщины мембран, причем давление на мембраны в процессе полирования рабочей стороны изменяют в соответствии с выражениемР = k...

Номер патента: 1213907

Опубликовано: 20.12.2005

Авторы: Жалнин, Кафтанатьев, Нестеров, Скворцов

МПК: B24B 51/00, H01L 21/304

Метки: монокристаллов, шлифования

Устройство для шлифования монокристаллов, содержащее шлифовальный круг, стол для закрепления обрабатываемого изделия и фотоприемники инфракрасного излучения, отличающееся тем, что, с целью повышения выхода годных, стол для закрепления обрабатываемого изделия выполнен с окном, прозрачным для инфракрасного излучения, а фотоприемники инфракрасного излучения размещены с возможностью оптической связи с окном стола.

Номер патента: 1627007

Опубликовано: 20.12.2005

Авторы: Сеник, Ситников

МПК: H01L 21/66

Метки: диффузионной, длины, заряда, легированных, неравновесных, носителей, однородно, полупроводниковых, приповерхностных, слоях, структур

1. Способ определения диффузионной длины неравновесных носителей заряда в приповерхностных однородно легированных слоях полупроводниковых структур с p-n-переходом, включающий формирование малоуглового линейного скоса структуры со стороны исследуемого слоя, измерение наведенного тока, протекающего во внешней цепи структуры при зондировании ее на фиксированную глубину постоянным по току лучом растрового электронного микроскопа в точках скоса с различающейся глубиной залегания p-n-перехода, и расчет диффузионной длины из уравнения, связывающего величину наведенного тока с глубиной залегания p-n-перехода, отличающийся тем, что, с целью повышения точности измерений, на поверхность скоса...

Номер патента: 1400386

Опубликовано: 20.12.2005

Авторы: Козерчук, Першин

МПК: H01L 21/324

Метки: изготовлении, кремниевых, легированных, областей, полупроводниковых, приборов, формирования

Способ формирования легированных областей при изготовлении кремниевых полупроводниковых приборов, включающий выращивание окисла на кремниевой подложке, формирование рисунка в окисле, загонку легирующей примеси, химическую очистку, диффузионную разгонку в окислительной атмосфере, отличающийся тем, что, с целью повышения процента выхода годных приборов за счет улучшения очистки поверхности полупроводника, диффузионную разгонку проводят с добавлением в окислительную атмосферу паров йодосодержащих компонентов в количестве 0,5-1,5 об.%.

Номер патента: 1743095

Опубликовано: 20.12.2005

Авторы: Михайлов, Шпилёв

МПК: B23K 26/00, H01L 21/20

Метки: металлополупроводниковых, узлов

Способ изготовления металлополупроводниковых узлов, при котором металлические детали устанавливают на полупроводниковой пластине и приваривают к ней, отличающийся тем, что, с целью повышения точности и упрощения технологии, в металлических деталях предварительно выполняют сквозные отверстия, оси которых располагают на расстоянии большем диаметра отверстий, а сварку осуществляют лазерным лучом, который вводят в каждое из упомянутых отверстий, оплавляя пластину, стенку отверстия и соответствующую деталь.

Номер патента: 1649971

Опубликовано: 20.12.2005

Авторы: Водопьянов, Журавлева, Нешов, Пузанов, Пяткова, Стахеев, Чекунков

МПК: H01L 21/82

Метки: кмоп-интегральных, схем

Способ изготовления КМОП-интегральных схем, включающий формирование в подложке из кремния первого типа проводимости областей кармана второго типа проводимости, имплантацию ионов кислорода и проведение термообработок для формирования внутреннего нарушенного слоя, формирование комплементарных МОП-транзисторов, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности КМОП-интегральных схем за счет увеличения устойчивости к эффекту "защелкивания", перед имплантацией ионов кислорода на подложке формируют маску между комплементарными МОП-транзисторами, причем ее толщину выбирают из условия получения после проведения имплантации ионов кислорода и термообработок внутреннего нарушенного...

Номер патента: 1748505

Опубликовано: 20.12.2005

Авторы: Герасимов, Козин, Подлепецкий, Сафронкин, Фоменко, Чувашов

МПК: G01N 27/12, H01L 21/306

Метки: полупроводниковых, приборов

Способ изготовления полупроводниковых приборов, включающий формирование на планарной стороне кремниевой пластины слоя окисла, создание диффузионных областей, металлизации и контактных площадок активного элемента прибора, нанесение двухслойного металлического покрытия на поверхность пластины, формирование фоторезистивной маски с окнами, соответствующими выводам прибора от контактных площадок, гальваническое наращивание металла в окнах фоторезистивной маски, удаление фоторезистивной маски и двухслойного металлического покрытия вне областей выводов, нанесение защитного покрытия на планарную сторону пластины, травление пластины с непланарной стороны до требуемой толщины активного элемента,...