H01L — Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам

Номер патента: 288522

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Думаневич, Козлов, Ловцов, Лубнина, Рюмшин

МПК: B23K 35/26, H01L 21/60

Метки: 288522

...является использовяше твердых припоев в КОПТЯКТИОСОСД 111 С 1 ц ПИ 1(ИИЙ ТСР.ОКО.ПЕ 1- сатор - оиовапце трибсра.Известны припои для пайки термокомпсисяторов силовых полупроводниковых приборов с основанием, содержащие олово.Однако пайка цззсстиыми прпоями 1 пяпрл мер, ПСр) пр;Гводт к получсшцо напряженных спасв, вызывающих короолецие тсрмэ. компсцсятора ц растрескивяние кристалла,Для ир 1 оров с Гвсрдопаяин 1)п контактам:1 характс 1)иы 1 вышенос тсплоВое сопротивление и трудость от)ывки Остатков трявител после травлец;я, цаличе которых приводит к ) худшеццо зло(греских . Яряктеристик при боров.Прсдлагасмьш припой отличается тем, что 20 Ои содс;)жт 5 - 10 зсс.галлия. Пак ц:жпего термокомпец зтора с медным осиозаиием прибора...

Номер патента: 320229

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Глазков, Кузьмичев, Онегин, Рыдзевскик

МПК: H01L 21/00

Метки: 320229

...к контактным площадка ч кристалла.Установка включает в себя механизм 1 45 привода (фиг. 1), механизм 2 подачи ленты, микроманипулятор 3 с зажимными устройствами 4 и 5 для фиксации ленты и рабочим столиком б, газовую горелку 7 и механизм 8 ее привода, сварочную головку 9 с инструментами 50 10 и 11 для приварки проволочных выводов на кристалл, сварочную головку 12 с инструментами 13 и 14 для приварки проволочных выводов на траверсы, приспособление 15 длч отгибки проволочного вьюводавибратор 15, 55 механизм 17 и 18 для подтягивания проволоки к торцу инструментов 10 и 11 вспомогательны Вал 19 с командными кулачками 20.Микроманипулятор 3 содержит электромагнит 21 для манипуляции и пружины 22 для 60 отвода микроманипулятора в исходное...

Номер патента: 320236

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Алексеев, Стафеев, Черн

МПК: H01L 35/34

Метки: полупроводниковых, термоэлектрических, устройств, элементов

...выдавливания через фильеру предусматривается выдавливание прутка в направлении, совпадающем с продольной осью заготовки. В то же время известно, что полупроводниковые термоэлектрические сплавы (в частности, 10 сплавы системы В - Те - 5 е и В 1 - Те - 5 е) имеют резко выраженную анизотропию тепловых и электрических свойств, зависящую от ориентации структурных составляющих. Так, например, в случае использования в качестве 15 заготовок при выдавливании спрессованных из порошка брикетов необходимо учитывать тот факт, что оптимальные термоэлектрические свойства брикет имеет в направлении, перпендикулярном направлению приложения па грузки в процессе спрессовывания порошка. Поэтому после выдавливания таких заготовок неблагоприятная...

Номер патента: 320839

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Божко, Киевский, Лавриненко

МПК: H01F 38/26, H01L 41/08

Метки: 320839

...которого нанесены электроды 7электродам подсоединены тонкие пров9 и 10, выведенные наружу корпусамощью штырей 11 и 12. Возбудитель п зован перпендикулярно образующим поверхностям полого конуса,Генератор пьезоэлемента выполнен в видецилиндра, расположенного вне полости конис ческого возбудителя, и подсоединен к верхнему основанию возбудителя (генератор может быть помещен внутрь полости возбуд 1 теля), На свободный торец генератора нанесен электрод 13, к которому подсоединен про.О Водник 14, выведенный наружу корпуса с по.мощью штыря 15. Поляризовян генераторвдоль оси цилиндра.Под воздействием переменного электрического поля В возбудителе (за счет обр 1 з 5 ного пьезоэффекта) возникают упругис иСхянические волны, которые...

Номер патента: 320862

Опубликовано: 01.01.1971

Автор: Непокойчицкий

МПК: H01L 21/02, H01L 27/00

Метки: всесоюзная, г-шбтисг, мшш4х

...го токов путем установл окисла металла двух эл приложено напряжение,что, с целью получения такта любой произволь 20 электродов перемещают ла под защитным слоемпрово метал оянно ения ектро отлич элект ной ф по по жидко дящих металлилов в зоне элеК- о и переменнона поверхности дов, к которым аюи 1 ийся те М,рического коцормы, один нзверхности окиссти. Изобретение относится к области электрбтехнической промышленности и может быть применено для нанесения электродов на полупроводники, представляющие собой окислы металлов.Известен, способ нанесения токопроводящих слоев на полупроводники, заключающийся в проведении единичного электрического разряда с целью вжигания материала электрода. Этим способом можно получать только точечные электрические...

Номер патента: 321880

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Калинин, Левушкин, Лобиков, Мишуков, Мишунич, Соловьева, Фюрст

МПК: H01L 21/00

Метки: герметизации, кассета, полупроводниковыхприборов

...и герметина отрезке мой кассе- формообранены в виодновременного ис сборочных операций ов, смонтированных й ленты, в предлага обкладках кассеты, усы приборов, выпол С цельюкассеты длязации приборметаллическоте полости взующие корп Изобретение относится к технологии полупроводниковых приборов, в частности к конструкции кассеты, предназначенной для выполнения операций изготовления полупроводниковых приборов, преимущественно интегральных твердых схем, собираемьх на отрезке металлической ленты, с выполненными на нем внешними выводами приборов.Известны кассеты для герметизации полупроводниковых приборов пластмассой, содержащие две шарнирчо соединенные обкладки, предназначенные для выполнения операций сборки полупроводниковых приборов на...

Номер патента: 322094

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Пахомова, Полыц

МПК: G01T 1/24, H01L 31/00

Метки: 322094

...и продиффундирован литий, в результате чего образовался и-слой 1; в результате дрейфа ионов лития в электрическом поле,сформирована -область 2; р-область образована исходным германием 3. Кольцевые канавки 4 на цилиндрической поверхности детектора разделяют и-слой на три области кристалла 5, б и 7, образуя три тора.При включении предлагаемого детектора для работы в области средних и высокихэнергий тамма-излучения поток гамма-излучения5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 60 65 последовательно пронизывает кристаллы 5, б и 7 (фиг. 2). Схема отбирает только те события, которые соответствуют одновременному выделению сигналов в кристаллах 5 и б, при отсугствии сигнала в кристалле 7; последнее обстоятельство позволяет подавить ту часть...

Номер патента: 322814

Опубликовано: 01.01.1971

Автор: Милонов

МПК: H01L 21/22

Метки: диффузии, дозирования, источника, примеси

...число 20 долей пластины с диффузантом.Примером технического осуществления спо.соба является дозирование селена, являющегося основной донорной примесью для арсенида галлия. Подвергаемые легировапию пла стины из арсенида галлия иМеют диаметрпорядка 20 лтлк Объем диффузионной ампулы составляет 30 см. Для обеспечения легирования арсенида галлия селеном до концентрации доноров порядка 10" слг в концентрац З 0 атомов селена в объеме ампулы должна быДпорядка 10" см-. Такая концентрация селена в объеме ампулы создается навеской диффузанта 0,39 мг. Отбор столь малых количеств измельченного материала при взвешивании по известному способу связан со значительными трудностями. Получение селена, равно как и целого ряда других диффузантов, таких...

Номер патента: 322821

Опубликовано: 01.01.1971

Автор: Гарачук

МПК: F25B 21/02, H01L 35/02, H01L 35/28 ...

Метки: 322821

...керамики (например, ВсО), Для заполнения зазоров может быть использована невысыхающая кремниевая паста с высокой25 30 35 40 теплопроводностью. Электроизолированный теплопереход 3 может быть реализован прп оксидировании внутренней поверхности теплообменника (если его выполнить, например, из алюминия).При пропускании постоянного электрического тока через каскады термобатареи и организации теплоотвода с теплообменника 1 температура объекта 12 охлаждения понижается, достигая через определенное время минимума.Отвод тепла с горячих спаев через теплообменник может осуществляться любым из известных способов: жидким теплоносителем, путем испарения, обдува и т. п.Теплопритоки к объекту охлаждения, обусловленные теплопроходимостью самой камеры,...

Номер патента: 323057

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Галков, Фейгинов

МПК: H01L 21/66

Метки: полупроводниковых, приборов

...пластину 1 с функциональными элементами на держателе. спутнике 2 (фиг. 1) легкоплавким клеем илипримораживанием, разделяют ее ца кристаллы без нарушения ориентации с помощью устройства 3 (резца скрайберцого станка, пилы или диска установки разрезки), Для этой операции может применяться и травление.Далее прц последовательном перемеще 1 ц 1 ц пластины ца шаг расположения кристаллов 4 контролируют их параметры зондами 5 (фцг. 2), Годные кристаллы поочередно, по мере измерения, отделяют от держателя-спутника 2 устройством 6, применяя местный подогрев пх до температуры плавления крепящего состава с помощью устройства 7, которое может представлять собой трубку для подачи горячего газа либо цдгретый стержень (в частцом случае устройства 6 ц 7...

Номер патента: 289462

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Радковский, Соловьев

МПК: H01L 21/60

Метки: выводов, моп, приборал1типа, присоединения

...металлического электрода, химическое взаимодействие металла с окислом, в результате которых из окисла вытягиваются ионы кислорода, и в окисле образуются кпслородныс вакансии.Образование вакансий в окисном слое приводит к смещению электрических характеристик МОП-структур, что видно из фиг, 1, на которой показаны переходная характеристика 1 МОП-транзистора до приварки выволов, переходные характеристики 2 и 3 того же транзистора после приварки выводов предложенным и известным способами.Целью изобретения является прелотвращегн 1 е смещения электрических характеристик отовых МОП-структур в процессе присоеди 1 ения выводов термокомпрессий. 11 а готовую МОП-структуру 4 со слоем бокиси кре.ния с по.с 1 ощь:о металлпческои разводки 6 и...

Номер патента: 290351

Опубликовано: 01.01.1971

Автор: Белецкий

МПК: H01L 21/02

Метки: зажимное, магнитное, немагнитных

...скрепленных между которых является магнит, что, с целью повышения п труда, один из дисков име точки с размещенными в н риками, перемещающимися ного поля,стройство для нещее из несколькихсобой, одним из отличающееся тем, роизводительности ет наклонные расих стальными шаза счет магнит. Магнитное зажимное устройство можетбыть использовано, например, для перегрузки немагнитных (графитовых) втулок из кассеты в кассету.Известны различного рода устройства дляудержания графитовых втулок. Недостаткомизвестных устройств является малая производительностьь.Отличительной особенностью предлагаемого магнитного зажимного устройства является то, что в нем магнитное поле, образуемоепостоянным магнитом или электромагнитом,воздействует на стальные...

Номер патента: 290368

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Акрамов, Кулагин, Маков

МПК: H01L 35/08

Метки: коммутации, сплав, термоэлементов

...тсрмоветвей г- и р-типов следующий: температура прессования 350 С, давление о прессования 6500 кг/с,1 г-, время выдержки3 агин.Указанный сплав рассчитан для работы втермогенераторах в рабочем интервале температур до 250 С,5 Предмет изобретения Сплав на о О моэлементов личагощийся коэффициент тационной ш состав (в весИзобретение относится к области прямого преобразования тепловой энергии в электрическую.В известном термоэлементе в качестве материала коммутационной шины применяется алюминиевый порошок с содержанием окиси алюминия до 200 г 0. Хотя указанная коммутационная шина и обладает малым удельным весом, однако для согласования коэффициентов линейного расширения с материалом термоэлементов в порошки впрессованы металлические...

Номер патента: 291530

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Иностранец, Иностранна, Федеративна

МПК: H01L 23/482

Метки: полупроводниковое

...например транзисторы, со вплавленными р - и- переходами. Направляющие этих устройств позволяют при маленьких поверхностях электродов иметь большие контактные поверхности. Но увеличение контактных поверхностей направляющих, расположенных одна над другой, через изоляционные слои вызывает появление паразитных емкостей, которые снижают рабочие частоты устройства.Предлагаемое устройство отличается от известных тем, что между направляющими и те. лом полупроводника располоткен металлический экран. Экраном может служить направляющая, размеры которой превышают размеры других направляющих.На чертеже изображен транзистор с направляющими и металлическим экраном,Транзистор содержит тело полупроводника 1 с изоляционным слоем 2. На изоляционное пятно...

Номер патента: 291531

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Джозеф, Иностранна, Иностранцы, Раймонд

МПК: H01L 25/03, H02K 19/36

Метки: выпрямитель, двухполупериодный

...в дорожных машинах 25 выпрямленного выходного тока из переменного тока и при подаче вью выходного тока на сигнальную ее работы. Для этого используют астины 1, 2 и 3, соединенные с фа замп генератора переменного тока и контактные пластины 4, 5 и б, которые обеспечивают требуемый выходной ток. Выпрямленце тока осуществляется тремя диодами, каждый из которых имеет вывод ц соединен с пластиной 4 тремя другими диодами, у каждого цз которых есть вывод для соединения с пластиной б, а цх остальные выводы соединены соответственно с Фазовыми пластинами ц последними тремя диодами, каждый цз которых имеет вывод для соединения с пластиной б, а цх остальные выводы соединены соответственно с фазовыми пластинами.Каждый диод (см. фцг, 2)...

Номер патента: 291626

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Габсал, Токарев

МПК: H01L 29/786

Метки: всесоюзная, пдтекгко-1хшгка1библиотека

...термически осажденную пленку теллура, в сочетании с окисью алюминия в качестве диэлектрика с концентрацией свободныхионов не более 10"смпри тангенсе угла потерь не более 0,01.10 Предлагаемое изобретение поясняется чертежом, где 1 - подложка из изолирующегоматериала (ситалл, стекло, органическая пленка и т, д.); 2 - электроды исток - сток, обычно из золота; 8 - затвор из алюминия; 4 -15 слой окиси алюминия, полученный анодированием затвора в плазме тлеющего разряда вкислороде; 5 - слой узкозонного полупровод.ника (в наших образцах - теллура). Толщинао20окиси алюминия составляет 400 - 500 А, тол.щина слоя теллура 200 - 350 А. Относительная нестабильность негерметизированных полевых транзисторов предлагаемой конструкции не превышает 0,02 -...

Номер патента: 292327

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Иностранна, Мацушита, Пностранец

МПК: H01L 23/52, H01L 29/76

Метки: затворами, изолированными, канальный, транзистор

...1, но без экранирующего электрода 7 с затвором 8, заземленным на псрсмсццьш ток, тоемкостное сопротивление между первым затвором 6 и стоком 4, т, е. емкостное сопротивление обратной связи, резко уменьшается, Если в транзиторе, имеющем более двух затворов, на первый и второй затворы поступают отдельные сигналы, то второй загвор нельзя заземлять, поскольку возникают осложнения из-за статической емкости между затворами.В описываемом транзисторе для понижения емкостной связи между псрвым и вторым затворами установлен экранирующий электрод 7, заземленный или соединенный с истоком 1.Изображенный на фиг. 3 транзистор типа МОЯ содержит экранирующий электрод 7, два изолированных затвора 6 и 8, электрод 2 истока и электрод 5 стока. В том случае...

Номер патента: 292328

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Акира, Томисабуро, Тосио

МПК: H01L 29/76

Метки: затворами, изолированными, канальный, транзистор

...затвору, Аналогично создается р в а- переход в обратном направлении в канальном транзисторе р-типа с изолированными затворами,Область, образующая р - г-переход с полупроводниковой подложкой, располагается в непосредственной близости от истока. Следовательно, когда разность потенциалов между истоком и управляющим затвором становится достаточно большой, непрерывно образуются области высокой электропроводности в той части подложки, которая размещена между р - и-переходом и истоком, в результате так называемого прокола базы, вызывающего большой по величине ток через область перехода, Это означает, что транзистор с пробоем базы включен между управляющим затвором и истоком полевого транзистора с изолированными затворами.В канальном...

Номер патента: 292880

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Всесоюзный, Фаллер

МПК: H01L 41/08

Метки: грузов, конвейер, овый, перемещения, штучных

...описзшя 2 О.Ъ 11.1971 Автор изобретеня А. Н, Фаллер ВсесоозныЙ Иачно-исслецовательскиЙ (ститут деревообрбатываои,его маиИиостроени 535 1 и 3 ( г 3 ШНЕКОВЫЙ КОНВЕЙЕР ДЛЯ ПЕРЕ.",5 ЕЩЕНИЯ ШТУЧНЫХ ГРУЗОВИзвестный конвейер для переме цения штуч- ИЫХ ГРУЗОВ, СССТ 051 ЦИИ ИЗ ССКЦИ 11 С "ОПЗСТ 5 МИ.мсег (.,Чож иу 10 к(струк пиО.Цел:о лаи:ого изобретения является упрощгч(ие конструкции и обеспечение поштучного разбор(1 иука Орсвси. До тигястся .-то гс:.;, что секции конвейера жестко содиисиы между собой и кзгкдая пмесг ОТЛИИЫЙ 0 Г СМС 5 КНОГО И 13 Г НЯВИВКИ ЛОПЗСТИ.па фиГ, 1 изООрзакси шисков 1 эи коивсиср В плзис, ия фиг. 2 - узел А фпг, 1. Еоивсер сост(ит пз шксковык секций 1, жсст(0 (.ОсдПсины,; ъскдм собо з итифтз 5КЗ 5 З 51 сскц 5...

Номер патента: 293278

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Голубицкий, Зайденберг

МПК: G08G 5/02, H01L 31/08

Метки: 293278

...содержит рабочий фотоириемиик 1 Например, фотодиод, фототриод или фотосоцротивлеиие), резистор 2, дроссель д, источиик дели гель) 4 опорного цИряжеш 1 л и вситильиый элемент 5. Г 1 араллельио резистору может быть цодключец термокомпсцсирующий фотоирцемиик 6.Фотодатчик работает следующим образом.Резистор имеет вели 1 ицу, обеспечивающую начальное зцачсицс выходиого Напряжения мциималь 110 м тосе фотоп 1 зисмццк (миИИ М ЯЛЬЦОМ СВС Гдпд М ПОТОКЕ И МИН ц М 1 Л Ь 1 011 тсмпсратуре). Зто же Начальное зцачешс сццмастся с делителя опорцоо цацрлжения, поэтому при минимальном фототоке через вецтиль и дроссель ток не протекает, Чедлсииые цзмсиеция фототокя комиеиспруются иолвлеиием тока через всигиль и дросссль; ток через...

Номер патента: 293280

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Артемов, Волков, Ильин, Петькин, Савельев, Салохин

МПК: H01L 41/113, H04R 17/02

Метки: всесоюзная, патетно-техкп1дь

...распределена статически. Предварительная электростатическая поляризация слоя, сцепленного с поверхностью неподвижного электрода, создает разность потенциалов остаточной поляризации между основным неподвижным электродом и верхней поверхностью слоя, 1-1 апример, для титаната бария эта разность потенциалов приблизительно равна 5000 - 10000 в/с,я на единицу толщины слоя, в то время как для типичных электретных материалов - 900 в/сл. Следовательно, даже тонкие слои поляризованного пьезоэлектрика дают высокое поляризующее напряжение, которое не зависит от времени и атмосферных условий. Поскольку чувствительность преобразователя пропорциональна поляризующему напряжению, то такая конструкция преобразователя обеспечивает повышенную...

Номер патента: 293533

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Белановсклй, Данилин, Клюев, Филатов, Чери

МПК: H01L 21/24

Метки: германиевых, планарных, рр, транзисторов

...5 град(лшн.Последовательность операций следующая.На пластш 1 у германия наносят слой зац 1 цтной пленки с двух сторон. В выгравировашгое отверстие проводят диффузию для гоздацц,1(1)11 П 1 ОВ 1 ТСТВ ПО ЛОГ 3)1 НЗСОСТО:111:1 ОТН)В 11 Н 0 Н СОВСТС .(1 НН.1 С Г)ОВ (сб.). т 11. 1(ост)О)(сеОГО С 11)1)В 1 с)1 нн )1)датс.1 ьстВ, ОО)1 )11(1)нн и 1(1111)1(1 Г)Г( тО)1 Овлн базового слоя. Пластину вторично защищаот слоем пленки н гравируют отверстие для базового электрода. Проводят вторично диффузи)о с целью создания в базовом окне области с проводимостью, близкой к металлической.Проведение дополнительной диффузии вызвано необходимостью снизить посгоянцу(о времени го С. в части уменьшения сопротивления пассивной работы базы и, которое составляет...

Номер патента: 294199

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Быков, Гаркавик, Чигринский, Шейход

МПК: H01L 21/00

Метки: 1отг, бьл», вакуумный, пинцетпатгнтш

...к заборнику бункера, отрывается от иглы и через заборник поступает в бункер.20 Вакуумный тпшцет, содержащт конечник для захвата деталей,5 куумной полостью, бункер для с отличатошийся тем, что, с целью производительности и увеличения захвата, наконечник и бункер с куумной полостью незавпсимымп 0 золотником для последовательног ния вакуума с наконечника на бй полый насорпус с вабора деталей,повышениянадежностивязаны с ваканалами со переключснкер,1Пинцет предназначен для использования при производстве полупроводниковых приборов, может быть применен и в других областях техники, например в приборостроении,Известны различные вакуумные пинцеты для захвата и переноса полупроводниковых кристаллов при сборке полупроводниковых приборов, а также при...

Номер патента: 294205

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Макаров, Наумов, Черкасский

МПК: H01L 35/02, H02K 44/02

Метки: ловушка, термоэлектрическая

...проводимости, рабочую полость и ситему охлаждения с хладагснтом. Она отличается тем, что термоэлементы р- и и-типов накоротко замкнуты через раоочуго полост 1., заполненную жидкометаллическим теплоносителем, размещенную в зазоре магнитной системы, Это позволяет повысить степень очистки жидкого металла контура.На чертеже показана схема устройства ло в ш.иуКидкометаллический теплоноснтель 1, например свинец - висмутовый сплав течет по рабочей полости 2, находящейся в воздушном зазоре постоянного магнита 3. На боковых стен 15 ках полости размещены термоэлементы г и 5р- и гг-типов, электрически замкнутые через яидкии металл коммутационной шинон 6, которая охлаждается хладагентом 7, например ьодой, Слой тепловой изоляции 8, например20...

Номер патента: 294231

Опубликовано: 01.01.1971

Автор: Еремеев

МПК: H01L 41/00, H03H 9/135

Метки: магнитострикционный

...кольцевой магнит и закрывают катушку с торцов ферритовыми шайбами и шайбами из немагнитного металла, одна из которых имеет в центре конусообразный выступ.На чертеже изображен предлагаемый преобразователь.Катушка 1 возбуждения намотана на профилированном вкладыше 2, изготовленном из немагнитного металла, например из меди. Снаружи катушка 1 окружена кольцевым постоянным магнитом т. С торцов катушки закрыт инженеров гражданской авиации та ферритовымп шайбами 4 и 5 и шайбами б и 7 из немагнитного металла. Шайба б снабжена в центре конусообразным выступом 8.Возбуждаемый звукопровод 9 проходит через 5 центральное отверстие 10 преобразователя,Совместное использование мапштного иэлектромагнитного экранпрования увеличивает коэффициент...

Номер патента: 295160

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Иванов, Огнев

МПК: H01L 21/04

Метки: микроминиатюрных, ориентации

...о25 штуцером 3, по которому внутрь камеры подается сжатый воздух,Камера 1 установлена на упругих подвесках 1, благодаря чем она может колебаться и направлешш продольной осн. По лоткуЗО 5 детали 6 посгупают на крышку герметпч 2951605 10 15 20 25 30 35 ной камеры, выполненную из микропористого материала, поры которого образуют систему микроскопел. Через эти сопла проходит сжатый воздух, образуя равномерно распределенную воздушную прослойку между крышкой и контактной поверхностью деталей,Давление воздуха, подаваемого в камеру 1, подбирают таким, чтобы детали, обращенные к крышке 2 большей поверхностью, оказались во взвешенном состоянии, а детали, обращенные к крышке 2 меньшей контактной плоскостью, оставались на ее поверхности.Затем камере...

Номер патента: 295288

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Брайэн, Джозеф, Иностранна, Иностранцы

МПК: H01L 25/03, H02K 19/36

Метки: выпрямитель, двухполупериодный

...катоды этих диодов электрически связаны с соответствующими пластинами. Как показано на фиг. 3, эти диоды установлены внутри пазов, сделанных в пластине, и защищены прокладкой 22 из силиконовой резины. Противо- поло)кцая сторона ка 5 кдого диода связана с проводом, идущим от диода в осевом направлении.Три диода, установленные на пластине 13, должны быть соединены с пластинами 16 - 18 соответственно. Оци установлены на пластине 13 под углом к пластинам 16 - 18 и в месте соединения, В необходимых местах на пластинах 14, 15 сделаны отверстия, через которые могут проходить провода от диодов на пластине 13 по направлению к пластинам 16 - 18 и, как показано на фиг. 3, названные три сегмента каждой из этих пластин в месте, где они должны...

Номер патента: 295289

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Даниэл, Иностранна, Поль, Соединенные, Эмери

МПК: H01L 21/02

Метки: пдтейтно-техшнеска

...методы или конструкции для устранения трудностей, связанных с нестабильностью прибора.Установлено, что нестабильность может быть значительно уменьшена за счет выполнения проводящей стеклообразной массы с нитями небольшого поперечного сечешя так, чтобы происходило полное насыщение при приложении коммутационного напряжения. Это удовлетворяет в определенных пределах, однако трудно изготовить различные приборы с одними и теми же рабочими характеристиками для коммутационных печатных схем и т, п.Другая попытка устранения недостатков прибора предыдущего типа заключается в создании активационной схемь, которая подает импульсную энергию для срабатывания приборов. После приложения актива 1 понного импульса чувствительный прибор обеспечивает...

Номер патента: 296179

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Загребнева, Петров, Сухариер, Сучилин, Трусаков

МПК: H01L 29/68

Метки: активный, схем, электронных, элемент

...схем, предназначенньш для преобразования электрических сигналов, содержащий эмиттер электронов на основе тонких структурно- дискретных металлических пленок.Недостаток известного элемента состоит в том, что из-за наличия тока в цепях всех электродов его применение для усиления слабых электрических сигналов ограничено.Целью изобретения является обеспечение усиления слабых электрических сигналов.Это достигается тем, что активный элемент снабжен одним или несколькими дополнительными управляющими электродами, усиленными слоями диэлектрика, прилегающими к структу ре со стороны, противоположной эмиттеру,В связи с тем, что эмптгеримесную структуру, электрическое поледов 6 способно проникнуть сквозьпространство между эмиттером иб ром 4 и...

Номер патента: 296180

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Гладченко, Кочкарев, Крачковский, Леваков, Лейбович, Петраковский, Ратнек, Сидоренко, Черный

МПК: H01L 21/66

Метки: классификатор, полупроводниковых, приборов

...контакты 47 припаяны к лепесткам 48, установленным на диске 49 из изоляционного материала. Контакты 47 так же,как и ящики 7, равно расположены по окруж.ности, а их количество (двенадцать) соответствует количеству ящиков. Каждый изконтактов подключен по схеме совпадения ссоответствующим выходом логического устройства к системе управления электроприводом. Диск 49 установлен на кронштейне 43при помощи колонок 50. Контакты 47 управляются постоянным магнитом 51, расположенным в гнезде поводка 38, выполненногоиз немагнитного материала. Магнит 51 удерживается в гнезде прижимным винтом 52,таким образом, высота закрепления магнита(его удаление от контактов 47) регулируется.С целью сужения сектора воздействия магнитного поля магнита на контакты...