Патенты с меткой «арсенида»

Номер патента: 141855

Опубликовано: 01.01.1961

Авторы: Верейкина, Самсонов

МПК: C01G 28/00

Метки: арсенида, галлия

Номер патента: 176265

Опубликовано: 01.01.1965

Авторы: Медведева, Миткина

МПК: C01B 35/00

Метки: арсенида, бора

...размером 4 Х 6 ллимел р-тип с р;=4,75 10 о ол сл 1, а р 5;= 5 =610 олсл; и=49 рвольт/град. ЛЕ=2 эв.Твердость1900 кг/слт-,борышь900 Известен способ получения арсенида а из аморфного бора и кристаллического м яка. Синтез проводят при температуре 1100-С с избытком мышьяка 1: 7). Процесс длится 90 час с выходом 22,/,.Предлагаемый способ получения арсенида бора отличается от известного тем, что применяют вибрационное перемешивание низкой частоты, Соотношение исходных компонентов В; Аз=1: 20, что позволяет проводить синтез в однотемпературных условиях (/= 760 С) и получать максимальный выход продукта. Г 1 о предложенному способу получают и мелко- кристаллический порошок и плотный спек арсенида бора, Процесс осуществляется в запаянных...

Номер патента: 190758

Опубликовано: 01.01.1967

Авторы: Всссо, Плгенг, Плесков

МПК: C25F 3/00

Метки: арсенида, галлия, невырожденного, типа, фотоэлектрохимического, фрезерования

...катодов или направленной струи электролита.Предлагаемый способ фотоэлектрохимического фрезероваиия иевырождепиого арсенида галлия п-типа отличается тем, что участки изделия, подлежащие травлению, освещаюг через шаблон. Процесс осуществляется в 10 о-ном растворе едкого натрия или калия, Плотность тока 10 в а/см 2.Для получения резкой кромки при фрезеровании используют шаблон с резкими границами между светлыми и темными участками, а для получения произвольного профиля - шаб. лои с переменной оптической плотностью.Предлагаемый способ позволяет ускорить процесс, получить высокую разрешающую ЕСКОГО ФРЕЗЕРОВАНИЯИДА ГАЛЛИЯ и-ТИПА способность и любой профиль поверхности, атакже контролировать глубину рельефа.Предмет изобретения 1....

Номер патента: 439036

Опубликовано: 05.08.1974

Авторы: Вейц, Дорская

МПК: H01L 7/50

Метки: арсенида, галлия, состав, травления

...снимаемых слоев полупроводниковых материалов,Посколыку при изготовлении полупроводниковых приборов и исследовании полупроводниковых материалов требуются очеяь тонкие пластины, от нескольких микрон до десятых долей микрона, которые, нельзя получить шлифовкой и хим иком еханической полировкой, возникла необходимость доводить пластины до требуемой толщины травлением. Применяемый правитель должен обеспечить зеркально-гладкую поверхность пластины и плоокопараллельность снимаемых слоев. Основными недостатками известных травителей являются; зависимость полирующих свойств от температуры; отсутствие ллоскопараллельности при травлении, завал тераев.Цель изобретения - получение заркальногладкой полированной поверхности, предотвращение...

Номер патента: 513117

Опубликовано: 05.05.1976

Авторы: Кершман, Максимова, Федоров

МПК: C23F 1/02

Метки: арсенида, галлия, локального, пленок, раствор, травления

...может быть осуществлено ни одним из известных травителей. Либо травитель не являетея полирующим к используемой плоскости (100), либо обладает недопустимо большой скоростью травления (1,0- - выше), либо дает Чмкмобразный профиль травления с одновременным разрушением пленки фоторезиста, либо обладает диф- М Плавиковая кислотаПерекись водородаФторид аммония 385,71,5-26 стальн условиях комнатной температуры (20 С) и ушает пленки фоторезиста. Травление эпитак ых пленок ОаА 5 проводится в объемес пе раэаль. та пленок ОаА 5 используется пр меэа-планарных транзисторов, р -ди назоне, н раствор для локал,ного травлнок арсенида галлия, содержащий плавиколоту и перекись водорода. Раствор обеспечивает получение полированноиверхности дна фигур...

Номер патента: 537408

Опубликовано: 30.11.1976

Авторы: Гаванин, Тарасова, Шульгина

МПК: H01J 9/12

Метки: арсенида, галлия, основе, фотокатода

...паров цезия в течение нескольких минут, затем обработку цезием и кислородом поочередно при комнатной температуре до прекращения роста фототока 11.Однако с течением времени чувствительность фотокатода уменьшается,Известен также способ изготовления фото- катода на основе арсенида галлия, включающий активировку путем, многократной обработки фотокатода цезием, затем одновременно цезием и кислородом, прогрев фотокатода и повторную активировку 2.Однако недостаточная долговечность фото- катода приводит к уменьшению его чувствительности с течением времени. проводят до снижения от максимума фототок дыдущей обработке це ведут до прекращения чения фототока, а за тельную обработку це тока на 80 в 9 и п токатода при температ 5 - 10...

Номер патента: 565954

Опубликовано: 25.07.1977

Авторы: Емельянов, Козлов, Сорокин

МПК: C25D 11/32

Метки: анодирования, арсенида, галлия, электролит

...содержащие50 об.% изобутилового спирта, 2; 5; 10;15 и 20 об.% гидроокиси аммония и этиленгликоль - до 100% в каждой смеси,оТемпература электролитов 20 С, расстояние между полупроводниковыми дискамидиаметром 25-30 мм и катодом из нержавеющей стали 1,5 см,Значения скорости анодирования, толщины получаемых пленок а также некоторые характеристики последних представлены в табл. 1,Как видно из табл. 1, при концентрации гидроокиси аммония меньше 5 об,% уменьшаютсяскорость анодирования и толщина оксидной пленки, снижается пробивное напряжение и увеличивается скорость травления, т.е. получаемые окисные слои нестабильны.При концентрации гидроокиси аммония более 1 5 об,% ухудшается качеств о окисных слоев и уменьшается скорость окисления, что...

Номер патента: 444507

Опубликовано: 05.12.1977

Авторы: Лисенкер, Марончук, Сеношенко

МПК: H01L 29/00

Метки: арсенида, галлия, мдп-структур, основе

...разложения тетраэтоксисилана,В другом известном способе слоокиси кремния Ят О выращиваетссениде галлия в результате термичразложения тетэтоксисилана притуре более 550 С.Однако границы раздела адиэлектрик, полученные извсобами, неудовлетворительныплотности поверхностных состоянийболее 10 см.Белью изобретеграницы раздела птрик с низкой плосостояний. образования промежуточногоначиная с критической толщи4445После выращивания промежуточного слоя 5 а И создающего хорошую границу раздела, выращивают слой основного диэлектрика, который обеспечивает высокие рабочие- напряжения, Основной слой диэлектрика5 получают любыми известными иизкотемперв турными способами.В газотранспортной системе, использую щейся для выращивания слоев диэлектрика,...

Номер патента: 376030

Опубликовано: 05.12.1977

Авторы: Лисенкер, Марончук, Сеношенко

МПК: H01L 29/00

Метки: арсенида, галлия, основе, прибор

...сущест"венно улучшить характеристики полевыхприборов на основе баАз, например,увеличить максимальную рабочую часто. -ту полевых транзисторов и МДП-варика 2 О пов . трук в нающих кон ройс поль рмула изобретения Прибор изолиров ю щ и й ния его дом галл ложен до Зогаллия с тли ч ю улусе . арсеннка распс" трида г;-.з арсенидодом, ос целк междиэлектрслой н на основе иным элект я тем, чт арактерист я и слоем д олнительныгаетс диэле Изобретение относится к с циям полупроводниковых уст т основе арсенида галлия, ис зу принципы эффекта поля.Известна конструкция полевого транзистора на основе арсенида галлия с использованием однослойного диэлектрика из нитрида кремния (МДП-структу ры) еИзвестные МДП- структуры не позволяют получить плотность...

Номер патента: 500714

Опубликовано: 25.12.1977

Авторы: Гудзь, Лисенкер, Марончук

МПК: H01L 21/205

Метки: арсенида, галлия, слоев

...реакторов,2цепь изобретения - разработка способа снижения уровня неконтролируемого пегирования растущих слоев бааз кремнием.Это достигается тем, что в зону роста эпитвксиапьных слоев Ьо А 6 при температуре роста подаются пары гидразина (ипи вм ми вка) .Гидразих (ипи аммиак) при взаимодействии с хпоридвми кремния обрвзуют комплексы типа ЬЙ Я (нвпримеп,Ы Я), которые при встраивании их в решетку растущего слоябаАьявпяются, в отличие от 3 ь, электрически неактивными.Сущность предпвгаемого способа звкпючается в следующем.Хпориды кремния, образующиеся в зоне роста, связываются гидразином ипи аммиаком с образованием нитрида кремния, что уменьшает концентрацию эпектрически активного кремния в растущем слое Ьо Аь П р и м е р. Устройство...

Номер патента: 475917

Опубликовано: 07.07.1984

Авторы: Александрова, Вязанкина, Лымарь, Сарнацкий, Скворцов, Уэльский

МПК: H01L 21/02

Метки: арсенида, галлия, полуизолирующих, слоев, эпитаксиальных

...соединение, разлагаетсяца свету и сильно гидролизуется., Кроме того, для получения эффекталегирования требуется введение очень больших количеств хлористого хромила, что приводит к заметному снижению скорости роста и эррозии поверхности.Целью изобретения является создание простого технологичного способа .изготовления полуизолирующих эпитаксиальных слоев арсецида галлия судельным сопротивлением в зависимости от типа легирующей примеси 10о"30-40 л/ч Сущность предлагаемого способа заключается в легировании эпитаксиальных слоев арсенида галлия из карбоцилов соответствующих металлов, Карбонилы Сг, У, Мо, Ге, Со, И 1 известны, получены и очищены, имеют достаточно высокие упругости паров и распадаются с выделением металла 5917 2прц...

Номер патента: 1248971

Опубликовано: 07.08.1986

Авторы: Авраменко, Мазо, Халилев

МПК: C03C 3/145

Метки: арсенида, галлия, защиты, основе, полупроводниковых, приборов, стекло

...СЙО,.Н ЯОэ, А 1 Г , РЬР и ВГ , Варку стекол проводят в корундовых тиглях нри 1000 о1050 С в течение 20-25 мин, Готовое стекло вырабатывают на металлическую плиту, затем его растирают и из полученного порошка приготавливают суспензию на тетраэтоксисилане, которую заливают в Ч-образные канавки на мезаструктурах арсенида галлия. Затем проводят оплавление в течение 20 - 30 мин при 580-570 С и инерциальное охлаждение. После оплавления стекло ровным тонким слоем покрывает поверхность 7-образных канавок.Оптимапьное количество вводимого в состав стекла фторида висмута нахо 8971 2дится в пределах 14,5-5,0 мас.Е, таккак при введении МГ в количестве,меньшем 5,0 мас.7 не наблюдается хорошего растекания стекла по поверхности СаАз, а введение В 1...

Номер патента: 1187650

Опубликовано: 23.08.1989

Авторы: Братишко, Огурцова, Филиппов

МПК: H01L 21/66

Метки: арсенида, галлия, параметров, слоев, электрофизических

...параметров А, К, Чг, входящих в (2), определяют экспериментально при анодировании в электролите, состоящем из этиленгликоля и ЗХ- ного водного раствора лимонной кислоты, смешанных в соотношении 2:1.Этот электролит обеспечивает хорошую воспроизводимость параметров А и К, слабо растворяет анодный оксид арсенида галлия.При анодировании О рассчитыва-. ют по формуле (1), а Й,определяют 4 п по измеренной на микроинтерферометре МИИвысоте ступеньки, покрытой отражающим слоем алюминия. На каждой ступеньке производится по 20 измерений. Дисперсия результатов не превышает 2,2 ф 10"мкм. Путем обработки экспериментальных данных методом наименьших квадратов было получено значение А= (20 + 1) К/В, 50Толщину йс, также определяют на ИИИпо высоте...

Номер патента: 1042531

Опубликовано: 23.08.1989

Авторы: Братишко, Филиппов

МПК: H01L 21/66

Метки: n-типа, анодном, арсенида, галлия, окислении, пробоя, проводимости

...галлия и-и -типа с концентрацией носи% 6 телей тока в а-слое 2 10, 1,5 10 5 ,10425лелепипеда, В ячейке установлены ка"тод 4 и образец 5, являющийся анодом, Ячейка снабжена фторопластовойкрышкой 6, стальными зажимами 7,8 изаполнена электролитом. Внешняя электрическая цепь состоит из источника9 белого света, источника тока 10"прибора 11 для регистрации напряже"ния на электродах электрохимической 10ячейки, Устройство содержит также,массивное основание 12, линзу 13,источник 14 стабилизированного напряжения, ключ 15, магнитную мешалку 16. 15На фиг,2 приведена зависимость напряжения пробоя от времени предвари"тельного (темнового) анодирования,где кривая 17 соответствует условиям:Н= 610, плотность тока 1=3 мА/см, 20время выхода на насыщение...

Номер патента: 1730217

Опубликовано: 30.04.1992

Авторы: Алешин, Антонов, Булеков, Савельев

МПК: C30B 15/00, C30B 29/42

Метки: арсенида, выращивания, галлия, малодислокационных, монокристаллов

...со скоростью 0,5 - 2 атм/ч, скорость извлечения кристалла из-под флюса составляет 10 - 20 мм/ч и скоростьохлаждения кристалла до комнатной температуры - 25 - 50 С/ч.П р и м е р 1, В тепловую системукамеры установки Астра устанавливают тигель из высокочистого пиролитического нитрида бора диаметром 100 мм, в которыйзагружают 1500 г высокочистого поликристаллического арсенида галлия, 0,45 г оксида ванадия (Ч 205) и 400 г обезвоженногоборного ангидрида (флюса). Тигель помещают в повторяющую его форму графитовуюподставку, установленную через переходник на нижнем штоке камеры установки. На 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 верхнем штоке укрепляют держатель с монокристаллической затравкой ориентации /100/ размером 4 х 4 х 50 мм....

Номер патента: 1742903

Опубликовано: 23.06.1992

Авторы: Бляшко, Кедяркин, Пекерская

МПК: H01L 21/477

Метки: арсенида, галлия, подложке, проводящих, участков, формирования

...коэффициентытермического расширения алюмосиликатного стекла и арсенида галлия близки (5 10 и 5,9 10 собтветственно), то минимизируются механические напряжения на границе раздела, что приводит к уменьшению механических повреждений пленки алюмосиликатного стекла и повышению качества маскирования, Кроме того, слой алюмосиликатного стекла наносят прикомнатной температуре и, следовательно,повышенные температуры не воздействуютна незащищенную поверхность арсенидагаллия. Интервалы температур и временидеструкции обуславливаются условиями,необходимыми и достаточными для сформирования защитного слоя. При температуредеструкции меньше 250 С и времени меньше 3 мин не полностью завершаются реакции разложения промежуточных продуктовгидролиза и...

Номер патента: 1785048

Опубликовано: 30.12.1992

Авторы: Литвак, Моисеев, Чарыков, Яковлев

МПК: H01L 21/208

Метки: арсенида, гетероэпитаксиального, индия-алюминия, наращивания, основе, раствора, слоев, твердого

...А 1-ЗЬ, Использование эвтектики позволяет перейти от гомогенного расплава к безградиентной твердой фазе и, таким образом, получить, далее, беэградиентный четырехкомпонентный расплав ойределенного состава, Отсутствие Однородности именно в твердой фазе не позволяло ранее получать гетероэпитаксиальные слои твердого раствора п-А 1-Аз-ЗЬ, Только используя эвтектический сплав А 1+ ЗЬ, авторамвпервые в миреудалось получить их,Нагрефй интервале 900 С Т1000 С позволяет получить полнестью гомогенный расплав. При Т900 С затруднено равноМерное перемешивание компонентов в жидкой фазе йз-за диффузионных ограничений, Повышение температуры увеличивает скорость перемешивания, но при Т1000 С резко возрастает давление пара ЗЬ над расплавом, что ведет...

Номер патента: 1806421

Опубликовано: 30.03.1993

Авторы: Полторацкий, Решетников, Рычков

МПК: H01L 27/098

Метки: арсенида, галлия, интегральная, основе, схема

...заряда 7,В предлагаемой конструкции емкостьсвязи между электродом 6 и областью 5 азатвора возникает из-за образования барьера Шоттки и, так как при концентрации вобласти 5 а,равной 2 10 см, величина пз18 3при напряжении пробоя контакта ШотткиЧпр = 1 В не более 0,04 мкм. что меньшетолщины области 5 а, то эквивалентная схема структуры металл-полупроводник будеттой, которая дана на рис,2 а с ВАХ шунтирующего диода, представленной на фиг.2 бКанальный транзистор с р-и-переходом, рассмотренным выше, имеет пороговое напрякение %, равное 03 В при Н =0.55 мкм и Чт = - 0,7 В при Н = - 0,7 мкм, т.е,в зависимости от параметра Н, транзисторявляется либо транзистором с индуцированным каналом, либо со встроенным каналом, Причем, поскольку...

Номер патента: 1807533

Опубликовано: 07.04.1993

Авторы: Терентьев, Яфаров

МПК: H01L 21/306

Метки: арсенида, галлия, окисным, плазменного, слоем, собственным, травления

...бездефектную обработку поверхности баде, В реалзных случаях знертии ионов е условиях деФицита ) а химического реагента при низких давлениях недостаточно для травления, так как поверхность покрыта слоем собственного окисла, Для его удаления необходимо или увеличивать энергию ионов для физического распыления окисла, или вводить в рабочий газ восстановитель.Состав газа для травления бэАз и егоокисла различается. Скорость травлениябаАз коррелирует с содержанием в плазмеатомарного хлора, тода кэк удаление собственного окисла зависит от содержания вос 5становителя, например, в виде углерода,Восстановление окисного слоя углеродомуменьшает порог энергетичного травлениябаАз, однако скорость травления может снизиться при неправильном...

Номер патента: 1809847

Опубликовано: 15.04.1993

Авторы: Антонов, Булеков, Косушкин, Савельев

МПК: C30B 15/00, C30B 29/40

Метки: арсенида, галлия, кристаллического

...кристаллизацией.При скорости охлаждения менее 300град/ч эффективность очистки ниже, чем в предлагаемом оптимальном диапазоне, скорость охлаждения более 320 град/ч труднодостижима технически и не повышает эффективность ояистки по таким примесям как кремний и марганец,Охлаждение расплава с целью кристаллйзации со скоростью менее 70 град/ч снижает чистоту арсенида галлия и производительность процесса, а охлаждение со скоростью выше 100 град/ч приводит к мелкокристаллической структуре слитков и большей вероятности спонтанной кристаллизации со снижением степени чистоты арсенида галлия.Полнота окисления примесей влагой определяется концентрацией остаточной воды в оксиде бора и его массой, температурой расплава, временем контакта расплава...

Номер патента: 1810400

Опубликовано: 23.04.1993

Авторы: Кизяев, Кожемякин, Косушкин, Курочкин

МПК: C30B 15/00, C30B 29/42

Метки: арсенида, галлия, монокристаллов

...1 атм, Загруженные в тигель арсенид галлия и флюс оасплавляют, опувювЪ скают в расплав затравку, проводят затравливание, включают ультразвуковой генератор с частотой 5 10 кГц и вытягива.зют на затравку монокристалл при постоян ной скорости вытягивания при увеличении частоты ультразвуковых колебаний в предеказ 1422 Тираж Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям113035, Москва, Ж, Раушская наб., 4/5 КНТ Производственно-издательский комбинат "Патент", г, Ужгород, ул.Гагарина, 10 лах 8 - 10 кГц на 1 см длины выращиваемого монокристалла. После исчерпания расплава в тигле монокристалл охлаждают и после остывания извлекают из камеры установки,Выращивали монокристаллы арсенида галлия полуизолирующего по технологии...

Номер патента: 1825234

Опубликовано: 27.03.1995

Авторы: Воронин, Губа, Плахотная

МПК: H01L 21/18

Метки: арсенида, галлия, интегральных, основе, полевых, структур, схем, транзисторов, шоттки

...Е 12 п 1=10 г см г и пг=104 см ш. Суммарная35 40 45 50 55 5 10 15 20 25 30 заданная толщина буферного слоя равна 1 мкм, толщина каждой области (подслоя) порядка 0,14 мкм, В эпитаксиальную установку С 2877 подают водород, включают печь и выводят ее в рабочий температурный режим (температура источника 780 С, зоны роста 690 С), Через шлюзовое устройство на пьедестале устанавливают подложку ОаАз марки АГПЧ-12-18 (100), затем пьедестал помещают в зону роста. По достижении подложками температуры 690 С с помощью программы производят пуск ростовой (Нг+АзСз) и регулирующей (Нг+Аз 4) парогазовой смеси и проводят наращивание эпитаксиальных структур, управляя концентрацией глубоких уровней Е 12. Для получения в подслое концентрации глубоких...

Номер патента: 1800856

Опубликовано: 19.06.1995

Авторы: Захаров, Нестерова, Пащенко, Шубин

МПК: C30B 25/02, C30B 29/40

Метки: арсенида, галлия, подложках, структур, эпитаксиальных

...удельной мощности в такой системе нетпоэтому. целесообразно привести и геометрические характеристики используемой авторами установки. Высота пирамиды-подложкодержателя 220 мм, максимальный размер (диаметр) верхнего торца пирамиды 120 мм, нижнего торца 150 мм, Боковая поверхность пирамиды, как сумма площадей ее восьми граней, составляет 924 см, Наружный диаметр кварцевой трубы2реактора 190 мм. Высота катушки индукто5 10 15 20 30 35 40 45 50 ра-излучателя 250 мм, средний диаметр 220 мм. Диаметр медной трубки, из которой навит индуктор, 12 мм, число витков катушки индуктора-излучателя 11. Этих сведений достаточно для оценки энергетики получаемой плазмы и воспроизведения способа не только,в увстановке описанной конструкции, но ив других...

Номер патента: 1771335

Опубликовано: 19.06.1995

Авторы: Захаров, Лымарь, Нестерова, Шубин

МПК: H01L 21/205

Метки: арсенида, галлия, основе, структур, эпитаксиальных

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СТРУКТУР НА ОСНОВЕ АРСЕНИДА ГАЛЛИЯ, включающий наращивание на полуизолирующих арсенидогаллиевых подложках методом пиролиза металлоорганических соединений элементов III группы в среде водорода при пониженном давлении в присутствии избытка гидридных или металлоорганических соединений мышьяка буферного слоя полуизолирующего арсенида галлия и последующее наращивание легированных низкоомных слоев, отличающийся тем, что, с целью повышения качества структур за счет улучшения изолирующих свойств буферного слоя и повышения воспроизводимости его параметров, наращивание буферного слоя проводят при давлении 12 30 Торр в среде водородной плазмы высококачественного тлеющего разряда при температуре подложек 530...

Номер патента: 1824956

Опубликовано: 19.06.1995

Авторы: Косушкин, Савельев

МПК: C30B 15/00, C30B 29/42

Метки: арсенида, галлия, монокристаллов

...продувают газообразный азот, содержащий 0,5-0,8 об. 7 ь влаги в объеме 0,8 + 1,2 л/кг загруженного арсенида галлия.После продувки трубку для ввода азота удаляют из расплава, в расплав вводят в затравку, проводят затравление и вытягивание монокристалла на затравку,По окончании процесса роста и охлаждения установки монокристалл извлекается из камеры и передается на обработку.П р и м е р. Выращивали монокристаллы полуизолирующего арсенида галлия диа 5 10 15 20 25 30 35 40 45 метром 76-80 мм на установках "Астра". В тигель диаметром 152 мм загружали 3 кг предварительно синтезированного поликристаллического арсенида галлия и флюс - оксид бора (600 г). Флюс предварительно отжигали в вакууме при температуре 1300 С в течение 48 ч, что...

Номер патента: 1715133

Опубликовано: 20.08.1995

Авторы: Башевская, Заказнова, Колмакова, Рогов, Тюнькова

МПК: H01L 21/302

Метки: арсенида, галлия, пластин, полирования, химико-механического

СПОСОБ ХИМИКО-МЕХАНИЧЕСКОГО ПОЛИРОВАНИЯ ПЛАСТИН АРСЕНИДА ГАЛЛИЯ, включающий обработку пластины вращающимся полировальником и полирующим составом, содержащим абразив, сульфаминовую кислоту, пероксид водорода, поверхностно активное вещество и воду, отличающийся тем, что, с целью улучщения плоскостности пластин при сохранении качества поверхности, химико - механическое полирование проводят в два этапа на одном полировальнике, причем на первом этапе удаляют 80 95% припуска полирующим составом, содержащим в качестве абразива натриевый цеолит, а на втором этапе удаляют 5 20% припуска полирующим составом, содержащим в качестве абразива силиказоль, а в качестве поверхностно активного вещества используют сульфанол при следующем содержании...

Номер патента: 1820783

Опубликовано: 27.10.1995

Авторы: Захаров, Лымарь, Пашенко, Шубин

МПК: H01L 21/205

Метки: арсенида, галлия, слоев, эпитаксиальных

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СЛОЕВ АРСЕНИДА ГАЛЛИЯ p типа проводимости, включающий наращивание искомых слоев на нагретых подложках методом пиролиза металлоорганических соединений галлия в среде водорода при пониженном давлении в присутствии избытка арсина, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества слоев за счет повышения концентрации носителей и повышения воспроизводимости их параметров, наращивание проводят при температуре подложек 530 690oС, давлении 2 10 торр, при этом расход металлоорганических соединений галлия и арсина задают таким, чтобы соотношение образовавшихся в процессе их термического распада мышьяка и галлия в газовой фазе составляло (5-35) 1.

Номер патента: 1567030

Опубликовано: 27.01.1996

Авторы: Богушевич, Николенков, Самохин, Сутырин, Хриткин

МПК: H01L 21/312

Метки: арсенида, галлия, литографии, метка, подложке, совмещения, электронной

МЕТКА СОВМЕЩЕНИЯ НА ПОДЛОЖКЕ ИЗ АРСЕНИДА ГАЛЛИЯ ДЛЯ ЭЛЕКТРОННОЙ ЛИТОГРАФИИ, выполненная в виде углубления в подложке, имеющего плоское дно, и выступов, расположенных на дне углубления, отличающаяся тем, что, с целью повышения точности совмещения, поперечное сечение выступов имеет треугольную форму.

Номер патента: 1542332

Опубликовано: 20.02.1996

Авторы: Авдеев, Колмакова, Матвеев, Мкртчан

МПК: H01L 21/306

Метки: арсенида, галлия, поверхности, полупроводниковых, структур

СПОСОБ ОБРАБОТКИ ПОВЕРХНОСТИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУР АРСЕНИДА ГАЛЛИЯ, включающий обработку в травителе на основе перекиси водорода и удаление кислородсодержащих примесей с поверхности химической обработкой, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества полупроводниковых структур арсенида галлия за счет снижения уровня загрязнения поверхности углеродом и сохранения геометрических размеров структур, в качестве травителя на основе перекиси водорода используют концентрированный водный раствор перекиси водорода и обработку в нем проводят в течение 5 - 10 мин, затем промывают структуры деионизованной водой в течение 10 - 15 мин, а кислородсодержащие примеси удаляют химической обработкой в концентрированном водном растворе аммиака в...

Номер патента: 1589918

Опубликовано: 27.11.1996

Авторы: Абрамов, Дерягин, Долганов, Мизеров, Селиверстов, Третьяков

МПК: H01L 21/208

Метки: арсенида, галлия, гетероэпитаксиальных, слоев

Способ получения гетероэпитаксиальных слоев арсенида галлия, включающий перемещение насыщенного раствора-расплава с температурой Tр по поверхности подложки с температурой Tп, где 100oC Tр Tп 800oC, отличающийся тем, что, с целью получения слоев арсенида галлия на подложках кремния и повышения их качества за счет улучшения планарности, используют насыщенный при Tп раствор-расплав арсенида галлия в олове с добавкой 2 10 ат. германия, а температуру расплава устанавливают в пределах 500 700oC.