H01L — Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам

Номер патента: 873827

Опубликовано: 23.11.1983

Авторы: Курбатов, Щахиджанов

МПК: H01L 31/04

Метки: зарядовой, прибор, связью

...условию, позволяет регулировать коротковолновую границу фоточувствительности ПЗС с помощью изменения напряжения на электродах, причем величина изменения этой границы такова, что ПЗС может разрешать не менее двух спектральных составляющих в пределах области фото- чувствительности.На фиг,1 представлено предложенное устройство, на фиг.2 - зонная ,диаграмма полупроводниковой пластины и расположение областей пространственного заряда (ОПЗ) и нейтральной области (НО); на фиг. 3 - спектральные характеристики предлагаемого ПЗС при различных напряжениях на электродах, а на фиг.4 - спектральные характеристики разностных сигналов.Прибор с зарядовой связью для . приема и формирования иэображения содержит фоточувствительную полупроводниковую...

Номер патента: 1056315

Опубликовано: 23.11.1983

Авторы: Есина, Зотова, Матвеев, Неуймина, Стусь, Талалакин

МПК: H01L 21/66

Метки: варизонного, параметров, полупроводника

...при указанном способе возбуждения направлено навстречу неосновным носителям, образующимся 10 при возбуждении кристалла. В результате основные носители скапливаются в небольшой области вблизи поверхности полупроводника, где Е равно Е,к ,. Поскольку спектр излучения (пик люминесценции) Формируют неосновные носители, то Е мюк "макс+ +АМ, гДе Ем- шиРина запРещенйой эоны на узкозонной поверхности полупроводника Ьмакс - энергия пика краевой люминесценции, т,е. энергия излученного кванта, при кото-ром интенсивность люминесценции имеет максимальное значение, а АЯ некоторая поправка, учитывающая положение уровня Ферми, глубину залегания примеси, через которую идет рекомбинация, а также особенности формирования пика люминесценции...

Номер патента: 1056316

Опубликовано: 23.11.1983

Авторы: Болгов, Малютенко, Пипа, Яблоновский

МПК: H01L 21/66

Метки: заряда, неосновных, носителей, подвижности

...вектора напряженности электрического поля и вектора индукции магнитного поля было перпендикулярно поверхности образца, инжекции пакета, ННЗ путем освещения .поверхности образца импульсом сильно поглощаемого свбта, регистрируют сигнал Фотолюминесценции с поверхности образца противоположной освещаемой поверхности, измеряют время задержки максимально-. го сигнала фотолюминесценции относительно максимума интенсивности импульса сильно поглощаемого света и вычисляют подвижность ННЭ по формулегдЕ 0 оси внос " поДвижности оснозныхи неосновных носите-.лей заряда соответст;венно, рВсд - толщина образца внаправлении переносапакета ННЗ, м;- напряженность электрического поля, В/м;И - индукция магнитногополя, Т;те - время задержки сигнала...

Номер патента: 1056317

Опубликовано: 23.11.1983

Авторы: Зубрилов, Кузьмин, Мнацаканов, Поморцева, Шуман

МПК: H01L 21/66

Метки: константы, непрямозонных, оже-рекомбинации, полупроводниках

...с резкими Р и Еи в в+ переходами, изготовленной набазе из исследуемого полупроводникаи вычислении по результатам измерений константы Оже-рекомбинации,измеряют стационарную вольт-амперную характеристику -й-нф структуры, у которой толщина базы Юм удовлетворяет неравенству Вв ( ЯЬ, где- диффузионная длина неравновесныхносителей заряда в базе при плотности тока, при которой падение напряжения на базе начинает линейно зависеть от тока, протекающего черезструктуру, а вычисление постояннойОже-рекомбинации С производят,используя измеренные плотность тока5 и падение напряжения О, на базепо формулеОт = 3 ( А% Й+ "фп )где К и А 1 - известные константыматериала,физическая суть предлагаемогоспособа определения константы Ожерекомбинации...

Номер патента: 1056318

Опубликовано: 23.11.1983

Автор: Кононов

МПК: H01L 21/70

Метки: вакууме

...которого равномерно расположены гнезда для держателей 9 изделий,выполненные в виде направляющих 14,причем направляющие выполнены с ребрами 15, расположенными симметричноотносительно оси направляющих 14,Для ориентированного перемещенияизделий в канале 2 предназначенынаправляющие 16 и 17 для изделий.Направляющие 16 и 17 для иэделийвыполнены в виде рамок, в которыхвыполнены пазы 18 для держателей изделий, ширина которых несколько больше толщины держателей 9, и установлены в канале 2 с возможностью перемещения,Направляющие 16 и 17 для изделийопираются на дно канала 2 бочкообразными роликами 19, которые соединеныс направляющими 16 и 17 для изделийсерьгами 20 подпружиненными пружиной 21, и установлены в канале 2подвижно посредством...

Номер патента: 1057887

Опубликовано: 30.11.1983

Авторы: Панасюк, Смирнов

МПК: H01L 21/66

Метки: параметров, полупроводников, электрофизических

...повышения разрешения начального участка зависимости тока генерации от времени измеряют зависимость емкости С от длительности воздействия основного импульса 1, т;е. от длительности протекания генерационных токов. Поскольку длительность основного импульсаР, не ограничена снизу длительностью измерения емкостиТщ, то она может быть уменьшена. Новое ограничение снизу на длительность основного импульса 1 связано с конкретными условиями измерения и определяется временем образования неравновесной области пространственного заряда То которое, в частности, может быть наличием последовательного сопротивления тела полупроводника МДП-структуры Ч и неидеальностью используемого источника напряжения, т,е.Тъ"- ь = Ск ц+ ИЦлибо экспериментально...

Номер патента: 1058008

Опубликовано: 30.11.1983

Авторы: Василенко, Ройзин

МПК: H01L 21/66

Метки: зонд, измерительный, ртутный

...тем, что измерительный ртутный зонд снабжен дополнительным капилляром, заполненным газом, электродом с диэлектрическим покрытием и измерителем емкос" ти с регулятором тока нагревателя, причем электрод расположен внутри дополнительного капилляра, один конец которого сообщается с емкостью, 40 заполненной ртутью, а другой герметизирован, при этом электрод соединен с измерителем емкости, другой вход которого соединен с ртутью, а выход измерителя емкости соединен с 45 регулятором тока нагревателя.На чертеже схематично изображен измерительный ртутный зонд, разрез.Измерительный ртутный зонд содержит намагниченную иглу 1, магнит 2, 5 О на котором закреплена замкнутая емкость Ь механизма перемещения ртути, включающего полость 4,...

Номер патента: 1058009

Опубликовано: 30.11.1983

Авторы: Глазков, Ивашков, Назаров, Пейков, Рубан

МПК: H01L 21/70, H05K 13/00

Метки: контактов, рихтовки

...конусом 6, сидящим свободно на валу колеса 2 и отжимаемом вверх пружиной 7. Прукина 8 обеспечивает контакт призм 4 с конусом 6, Перемещение конуса б вниз для зажатия детали 5 приз" мами 4 осуществляется рычагом 9 (механизм привода рычага на чертеже не показан ), Рихтовочные элеглентьг содержат рычаги 10, бойки 11. Рычаги 10 и бойки 11 соответственно снабжены пружинами 12 и 13. Бойки 11 выполнены со скосом.В исходном положении (механизм загрузки на чертеже не показан )рихтовочвые элементы находятся. в раскры" том .состоянии за счет наличия пружины 13. В основании 14 с помощью осей 15 закреплены рихтовочные элементы, а.также расположены толкатели 16, с помощью которых рихтовочиые элементы приводятся в движение. Устройство также содержит...

Номер патента: 772462

Опубликовано: 07.12.1983

Авторы: Абдуллаев, Азимов, Гусейнова

МПК: H01L 27/02

Метки: переключатель, полупроводниковый

...небольшое число переключений"застреванием" ионов меди в дефектах структуры диэлектриков окисиалюминия или кремния.Цель изобретения - увеличение числа переключений и повышение стабильности параметров.Поставленная цель достигается тем,что диэлектрик представляет собойтвердый раствор закиси и окиси меди,На фиг. 1 изображена схема полупроводникового переключателя; нафиг, 2 - вольтамперная характеристика полупроводникового переключателя.Полупроводниковый переключательсостоит из пленок халькогенида меди1 и диэлектрика 2 , заключенных 40между двумя пленками металлическихэлектродов 3 и 4. Переключатель работает следующим образом.Иэ пленки халькогенида меди, которая имеет некоторую долю ионной проводимости 0,1-0,31, инжектируются ионы меди в...

Номер патента: 1061064

Опубликовано: 15.12.1983

Авторы: Аладинский, Бобровников, Орлов, Попов, Сушкевич

МПК: H01L 21/66

Метки: коэффициента, нелинейности, электропроводности

...компенсации, измерение падения на Ряженнапряжения от рабочего тока н точках няжения, измеряют амплит уду постоянного напряжения, а также амплитуизмерения, вспомогательный ток выби- перег дупеременного напряжения при выключенрают постоянным, измеряют постоянное ной комкомпенсации цепи. Кэффициентпадение напряжения в точках измерения нелинейнопри включенной компенсационной цепи 5 деляют аелине ности электропроводности оп еРеляют как отношение амплитуды поси переменное падение напряжения при тоянногнного напряжения к амплитуде певыключенной компенсационной цепи, ременного не ного напряжения на приемныхизмерение проводят дважды с использо ванием вспомогательного тока двух прямоуголдах. сли переменный ток имеетнаправлений,...

Номер патента: 1061196

Опубликовано: 15.12.1983

Авторы: Данилов, Королев, Первушин, Синицын

МПК: H01L 21/68

Метки: держатель, подложек

...вакуумного отсоса, и опорную поверхность из эластичного материала с углублениями 2 3.Однако в известном держателе под- .25 ложек фиксация подложек недостаточно надежна, так как отсутствуют средства регулировки усилия прижима и средства, предотвращающие попадание загрязняющих элементов в канал ваку" умной системы.Цель изобретения ; повышение надежности фиксации подложек.Цель достигается тем, что держатель для подложек, содержащий стол с полостью, соединенной с каналом вакуумного отсоса, и опорную поверхность из эластичного материала с углублениями, снабжен размещенной над полостью стола эластичной пленкой с элементами регулировки ее натяжения 40 а углубления на опорной поверхности выполнены в виде концентрических кольцевых канавок,.в...

Номер патента: 997581

Опубликовано: 23.12.1983

Авторы: Попов, Прохожева, Свердлова

МПК: H01L 29/76, H01L 29/94

Метки: полупроводниковый, прибор

...взаимосвязь конструктивных параметрон использованных материалов,например работы выхода , 1 1На 1 более блиэкик по технической сущности к изобретению являет я ,2.: полупроводниковый прибор на основе МДП в структу, содержащей слои полу - проводника, диэлектрика и еталла В качестве гизлектрического слоя в полупроводниковом приборе используется А 1,О Однако такой прибор облщает недостаточным коэФфициентом ныпрям Внешняя контактная разность потенциалон, распределяясь между контактирующими материалак"г., приводит ж образованию областей пространственного заряда (ОПЗ), искривлению зок в полупроводнике и диэлектрике, Так как удельное сопротивление диэлектрика много бог.ьше удельногс сопротивления металла и больше удель нога согрстквления...

Номер патента: 1062807

Опубликовано: 23.12.1983

Автор: Панкратов

МПК: H01L 41/09, H02N 2/14

Метки: вибродвигателя, питания, шагового

...ПУСКа,. 1, т с и О В К И,. Ч Т О С Ч И Ж с. С с ад Е К Л Г Г ;О С . а В Л;:1 Н 11 , с1, С; , т Ч 11 13ТЕМ, Что В 11"ОЛИ:тО ВОГСГаМЯТ 1 Ва ДЛ 11 ИЗЕ;Ь 111 Х,-3;:1 ъх ген ег 3 ат 1113 а 11 с ем в 1 ил сел а 1 .яс: ц 1 .схема 4 . Ве схс).ь 1,114-. Кс)и - , 1-л,сВхопь б)713 ка 1 ам. Ос 1 кетс, . -1-тно с - .Хо;,ом и ьхлдсз иве) тс:)В.й В 1) 1) Г " 1 С-МС 1СС)Е ;.1 Е 1,Входо 1 пеэВОй схс)г 1 11- 1 ГсГ 13 втс) )ойвъход ч 1 ерез схему : - с Входом псрьс -го доголнитель ного ут:рав)яемого гакератора переменнс 1 л напряжения, а и - "вертирующие в ходь блока памяти черезсхемь г-е - с входом ВТ 17 рого до-.полнительного угравляемогс) генерат:)рагеременцого апряжения, вьхс 1 Д) котлрьх заздель но .7 одключнь к гре ть е уи четвертому влда:", триг...

Номер патента: 1064247

Опубликовано: 30.12.1983

Авторы: Абросимов, Лукичева, Мартяшин, Светлов, Соловьев, Цыпин

МПК: H01L 21/66

Метки: времени, жизни, зарядов, неосновных, носителей, полупроводниках

...точностью контролявремени жизни н.нз., что обусловлено необходимостью визуального апре"деления изменения амплитуды тестового,импульса при различных значенияхвремени задержки,Кель изобретения - повышение точ 50ности контроля,Поставленная цель достигаетсятем, что в устройство контроля времени жизни неосновных носителей зарядов в полупроводниках, содержащеегенератор импульсов, резистор и клеммы для подключения исследуемой структуры, дополнительно введены блокформирования инжектирующих импуль-сов, блок формирования опорного напряжения,второй резистор, конденсатор, масштабирующий преобразователь,операционный усилитель, два блокавыборки и хранения и блок сравнения,при этом первый выход генератора 65 импульсов соединен с входом блока...

Номер патента: 1064352

Опубликовано: 30.12.1983

Авторы: Кривутенко, Папченко

МПК: H01L 21/312

Метки: шаблона

...следующем соотношении, об.ч.;Плавиковая кислота 90Фтористый аммоний , 300Вода дистиллированная 600Нанося на полученную заготовкузащитноепокрытие из фотореэиста,формируют широкое окно с обратнойстороны подложки путем травлениясапфира в травителе, в качестве ко"торого используется, подогретая до130 ОС, ортофосфорная кислота.Время травления около 60 мин,При этом сапфировая подложка протравливается до слоя монокремния.Полученный таким образом шаблон имЕет пленку мембрану ) из монокристаллического кремния С 100) толщиной0,7 мкм со сформированными в нейпоглощающими шинами иэ палладия толщиной 50 нм, Расстояние между шинами около 2 мкм,П р и м е р 3. На стекляннуюподложку, например, марки ЛКнаносят прозрачный проводящий слой 3 о...

Номер патента: 1064353

Опубликовано: 30.12.1983

Авторы: Золотарев, Кононов, Махаев, Рябых

МПК: H01L 21/98

Метки: интегральных, корпусами, крышек, носителей, сборки, спутников, схем

...на свободном плече рычага,.один конец кото рой подпружинен, причем свободное плечо рычага снабжено упором с возможностью взаимодействия с другим концом серьги.На фиг, 1 изображено устройство для сборки крышек .с корпусами спутников-носителей интегральных микросхем, общий вид, на фиг. 2 - то же,разрез на фиг. 3 - схема установкикрышки в корпус спутника-носителя,Устройство для сборки крышек скорпусами спутников-носителей интегральных микросхем состоит из механизма подачи корпусов на.позициюсборки, механизма подачи крышек исобственно механизма установки крышки в корпус спутника"носителя сукладывающим элементом.Механизм установки крышек в корпус спутника состоит иэ подпружиненного рычага 1,с подвижно закреп-.ленным на .оси 2 одним плечом и...

Номер патента: 1064354

Опубликовано: 30.12.1983

Авторы: Альтман, Борг, Головнин, Гордон, Ежкова, Церфас

МПК: H01L 23/28

Метки: герметизации, кассета, полупроводниковых, приборов, эластичная

...Реэульеэ льтате данной. чистки о разуетсккомпаундов с положительным коэффициентом объемного расширения при т еском к исталлической структурыприбора,Анализ причины эатекания компаПоставленная цель достигаетсятем что в.эластичной каСсете для унда на металлический теплоотвод.герметизации полупроводниковыхпрйбо показал, что процесс затвердеванияи с ячейкой , компаунда в объеме ячейки происхоров, содержащей основание с ячейкодля размещения арматуры полупроводии- дит неравномерно,твердевает открытая поверхностькового прибора и герметиэирующегокомпаунда, ячейка. выполнена в виде 40 компаунда, в результате чего ол тате. чего образудвух соединенных между собой полос- ется .замкнутая о ласть, в квозникает гадростатическое давление,тей,...

Номер патента: 1064355

Опубликовано: 30.12.1983

Авторы: Климачев, Пономарев

МПК: H01L 23/34

Метки: охлаждения, полупроводниковых, приборов

...тепла, хорошей теплопроводностью, например.выделяемого полупроводниковым при- из меди, алюминия.бором, происходит изменение потока. В третьем варианте исполнениятепла, проходящего через оболочку. Фиг. 3 и 4 ) нижний стакан выполняЙ как площадь рассеивания и объем ют из материала с хорошей теплопро.ак40и вижныйоболочки не изменяется, то изменение водностью, а верхний подвижнызывает на шение,стакан - из материала с плохой .теплового потока вызывает нарушениетеплового равновесия, что пр диво ит теплопроводнрстью.к изменению температуры самого пообразом,ие н - 45 и и изменении количествтн . выдетемпературной стабилизации.окружающей среды происходит изменес е жа ем герме- ние количества паров хладагента 1Указанная цель достигается...

Номер патента: 1064356

Опубликовано: 30.12.1983

Авторы: Абрамович, Либер, Сакович

МПК: H01L 25/00

Метки: модуль, полупроводниковый

...7 и 8Корпус имеет резервуар 9, заполненный диэлектрической теплоотводящей жидкостью 10, например фреоном, и изолятор 11, 15 заполненный диэлектрической дугогасящей средой 12 например песком или фреоном, изолирующей каждый плавкий элемент. Каждый стержень токоподвода изолирован изоляцией.13 и 14, Плавкие элементы фиксируются, проходя черезотверстия пластин, 15 и 16.Модуль на фиг. 2 имеет полупроводниковую структуру 1 и многостержневой токоподвод 2. Стержни токоподвода одними концами контактируют с полупроводниковой структурой на отдельных участках, а другими - с группой плавких элементов 4, причем каждый стержень контактирует с одним плавким элементом, имеющим места б сужения. Противоположные концы плавких элементов соединены с...

Номер патента: 980574

Опубликовано: 30.12.1983

Авторы: Абдурахимов, Руд

МПК: H01L 31/04

Метки: излучения, линейно-поляризованного, фотоанализатор

...ориентации оптическая ась с лежит в плоскости пластины. Фотоанализатор выполнен из полупроводника с нелинейной люкс-амперной характеристикой. для сильнопоглощаемого излучения Ес люкс-амперная характеристика суперлинейная, а для слабопоглощаемого Е 1 с - сублинейная.55 При освещении фотоанализатора пучком линейно-поляризованного излучения по нормали к плоскости (100) с ростом концентрации генерированных 0 носителей заряда И возникающий в результате поглощения сильнопоглощаемого излучения Е с фототок Фц заявляемого устройства увеличивается суперлинейно, в то время как при поглошении слабопоглощаемого излучения 5 1 с фототок 1, заявляемого устройства увеличивается сублинейно, т.е. более медленно. Для известного же фотоанализатора в областях...

Номер патента: 1028204

Опубликовано: 30.12.1983

Авторы: Алмазов, Малютенко, Федоренко

МПК: H01L 21/66

Метки: биполярной, диффузии, заряда, коэффициента, неравновесных, носителей, полупроводниках

...зондируютщего инфракрасного излучения, прошедшего и отраженного от пластины в момент достижения максимального значения интенсивности света, вызывающего генерацию электронно-дыроч.ных пар при двух или более значениях его интенсивности, а коэффициент биполярной диффузии неравновесных носи телей заряда вычисляют по формуле 47 47 И 4 ат - +К, аг где в ; в- относительные коэффициенты пропускания и отражения при боль . шей интенсивности 5 света, вызывающего генерацию электронно дд дырочных пар - то же при меньшей интенсивности света 30 вызывающего генерацию электронно-дырочных парф(5) лярной диффузии благодаря контрОлю интенсивности возбуждающего и зондирующего излучений в каждом импульсе возбуждающего света. Это позволяет устранить влияние...

Номер патента: 1065930

Опубликовано: 07.01.1984

Автор: Смолин

МПК: H01L 21/66

Метки: контактное

...жестко одним концом в центральной части плоского магнита 3, причем конец зонда проходит по основанию магнита 3 и контактирует с основанием 1.Устройство работает следующим образом,Подложку 4 с микросхемой устанавливают на основание, каждая из изолированных частей которого соединена с измерительным 35 40 45 50 55 прибором. Перемещают контактные элементы по основанию 1, при этом свободный конец каждого зонда находится в верхнем положении, подводят их к контролируемым точкам микросхемы и нажатием на переднюю часть магнита производят контактирование зонда с контролируемой точкой, Положение зондов фиксируется притяжением магнита к основанию. При перемещении к следующей контролируемой точке зонд поднимают нажатием на заднюю часть...

Номер патента: 1065931

Опубликовано: 07.01.1984

Авторы: Кондратьев, Куришко

МПК: H01L 21/98

Метки: навесных, присоединения, элементов

...его обдува горячим газом, а также за счет топлоподачи через захват, который находится в потоке горячего газа. Кроме того, невозможен обзор зоны пайки сверху, что снижает точность присоединения и качество изделий. 11 ель изобретения повышение качества изделий.Указанная цель достигается тем. что устройство для присоединения навесных элементов, содержащее расположенные в корпусе захват для присоединяемых элементов, нагреватель газа, токоприводы, штуцер подвода газа н сопло истечения газа, снабжено механизмом изменения конфигурации сопла, выполненным в видподвижных кареток, установленных на корпусе вокруг сопла, а сопло выполнено в виде набора отдельных щелевых секций, каждая из которых закреплена на одной из каретокмеханизма изменения...

Номер патента: 1025291

Опубликовано: 07.01.1984

Авторы: Авдеева, Перов, Поляков

МПК: H01L 21/66

Метки: гетеропереходах, границе, параметров, поверхностных, полупроводниковых, раздела, состояний

...на границе раздела в полупроводниковых гетеропереходах, содержащее источник питания, измеритель стекающего заряда, первый электронный ключ для подсоединения исследуемой структуры к источнику питания, второй электронный ключ для подсоединения исследуемой структуры к измерителю стекающего заряда, регистрирующий прибор и блок управления электронными ключами, обеспечивающий синхронное переключение структуры от источника питания к измерителю стекающего заряда введены отражатель тока,включенный между выходом источникайитания и первым электронным ключом амплитудный детектор, подключаемый вторым электронным ключом между исследуемой структурой и входом регистрирующего прибора, и система им" пульсного освещения гетероперехода.На чертеже...

Номер патента: 805781

Опубликовано: 15.01.1984

Автор: Сергеев

МПК: H01L 21/66

Метки: легирующей, полупроводниковых, примеси, профиля, структурах

...управляемый источник второй гармоники, коммутатор и фильтр, выделяющий вторую. гармонику, прячем коммутатор соединен с регулируемым выходом управляемого. генератора гармонических колебаний, с выходом источника обратного смещения, селективным вольтметром второй гармоники и выходом управляемого источника второй гармоники, сигнальный вход которого соединен с нерегулируемым выходом генератора, а регулирующий вход через фильтр, выделяющий вторую гармонику, подключен к колебательному контуру.На чертеже приведена функциональ-ная схема предлагаемого устройства.805781 3Устройствосодержит управляемый генератор 1 гармонических колебаний частоты ш образец 2, параллельный колебательный контур 3, настроенный на частоту 2, источник 4 обратного...

Номер патента: 1068847

Опубликовано: 23.01.1984

Авторы: Гулидов, Овчаренко, Панасюк, Смирнов

МПК: G01R 31/26, G01R 31/28, H01L 21/66 ...

Метки: области, параметров, полупроводникового, слоя

...области измерений, а такжевременная зависимость 13 толщины неравновесной области пространственного заряда.МДП-структура включает также скрытый слой 14, контактное окно 15 дляподключения вольтметра, контактнуюплощадку 16 - МДП-структура на внешней области полупроводникового слоя,контактную площадку 17 - МДП-струк-,тура на контролируемой области полупроводникового слоя,Электрическую изоляцию контролируемой области от остальной частислоя структуры на. время измеренияосуществляют не с помощью разрушающих структуру технологических операций, а путем йодачи на ограничивающую размеры контролируемой области по поверхности слоя замкнутуюМДП-структуру импульса напряжениятакой полярности, при которой происходит обеднение слоя полупроводника...

Номер патента: 1068848

Опубликовано: 23.01.1984

Авторы: Барышев, Петров, Столяров

МПК: G01R 31/26, G01R 31/28, H01L 21/66 ...

Метки: мдп, параметров, структур

...регистрации, дополнительно введены два блока памяти, блок формирования опорного напряжения, компаратор и дифференциатор, при этом второй выход генератора развертывающего напряжения соединен с первым входом первого блока памяти, второй вход которого подключен к выходу детектора и к входу диф- Ф.ренциатора, выход которого соединен с первым входом компаратора, второй вход которого подключен к выходу блока Формирования опорного напряжения, вход которого подключен к выходу первого блока памяти, а вход блока регистрации соединен с выходом второго блока памяти, управляющий вход которого соединен с выходом компаратора.На Фиг. 1 приведена функциональная схема, поясняющая работу устройства; на Фиг, 2 - полные временные диаграммы,работы...

Номер патента: 1069034

Опубликовано: 23.01.1984

Авторы: Божевольнов, Горлин, Николаев, Романов, Соколов

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: границы, межфазной, параметров, электролит-полупроводник, электрофизических

...(К ), 19 - сопротивление межфазной границы (й,), 20 - емкость межфазной границы (С 1). 45 50 Для сохранения линейной зависимости между приращением 3 напряжения и величиной измеряемой емкости 20 длительность импульса тока должна быть не более 10 мкс пульса 1 на границе остается приращение 4 напряжения, которое измеряется в течение времени 5, между основным 1 и дополнитель.ным 2 импульсами. Если суммарный заряд, внесенный основным и дополнительными импульсами тока, не равен нулю, возникает ошибка измерения 6.Образец полупроводника (д г. 2) помешается в электрохимическую ячейку 7, основным электродом 8 которой является образец полупроводникового материала, и которая содержит электрод 9 сравнения, электрод 10 внешней поляризации,...

Номер патента: 322115

Опубликовано: 30.01.1984

Авторы: Жигач, Лапидус, Сирятская, Скворцов

МПК: H01L 21/205

Метки: слоев, эпитаксиальных

...недостатков. Метод жидкостноголегирования связан с использованиемвзрывоопасного трибромида бора иочень летучего трихлорида бораКроме того, получение заранее заданного номинала удельного сопротивления затруднено обменной реакциейтрибромида бора и тетрахлорида 25кремния.Цель изобретения - создание способа получения из газовой фазы легированных бором полупроводниковыхматериалов, обладающего высокой воспроизводимостью, щироким диапазономлегирования, простотой техническогооформления, надежностью и стабильностью при эксплутации.Предлагаемый способ отличаетсяот известных тем, что в качестве35легирующего соединения бора используют карборановые соединения, в частности изопропилкарборан,Низкая упругость насыщенного паракарборана...

Номер патента: 1070628

Опубликовано: 30.01.1984

Авторы: Бойченко, Вишневский, Карташев, Коваль, Лавриненко

МПК: H01L 41/09, H02N 2/14

Метки: двигатель, пьезоэлектрический

...выполняется), то при укорочении пьезоэлемента волна изгиба поднимает конец пластины 8 над поверхностью кольца 7, позволяя пьезоэлементу возвратиться.в исходное состояние. Таким образом, на конце пластины 8 взаимодействуют два типа акустических колебаний - продольные и изгибные, и при работе двигателя с высокими КПД конец пластины 8 движется по эллипсу.Изменение скорости вращения в двигателе осуществляется с помощью включения одного или сразу же двух пьезоэлементов. Если включен пьезоэлемент 3, то кольцо 7 заторможено посредством пьезоэлемента 6, закре- пленного на корпусе двигателя, а пьезоэлемент 3 вращает ротор относительно заторможенного кольца 7, а 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 следовательно, и корпуса с одинаковой скоростью. Если...