H01L — Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам

Номер патента: 902108

Опубликовано: 30.01.1982

Авторы: Ващук, Друнк, Масленников, Портянников

МПК: H01L 21/00

Метки: пластин, плоских, полупроводниковых, преимущественно

...привод содержит шкив 3 со скосом4, посаженный на валу 2 и взаимодейст Эвующий с кулачком 5, Поджим деталейпривода осуществляется посредством пружины 6, опирающейся на подпятник 7,вращающийся с помощью шариков 8 вопоре 9. С двух сторон пары цилиндри- Заческих щеток перпендикулярно к их продольным осям установлены направляющие10 и 11. Кроме того, устройство содержит толкатель 12, установленный с возможностью возвратно-поступательногоперемещения по направляющей 10 в пазу 13,Для регулирования зазора между паройцилиндрических щеток 1 вал 2 взаимодействует. со стойкой 14, установленнойна оси 15 с возможностью поворота припомощи пружины 16 и винта 17.Все детали закреплены на основании18. Направление ворсе на цилиндрическихщетках 1...

Номер патента: 902109

Опубликовано: 30.01.1982

Авторы: Кургин, Межерицкий, Рабинович, Терентьев

МПК: H01L 21/66

Метки: параметров, полупроводниковых, приборов

...торцовые контакты,установлены в плате, жестко связанной с прижимной платой, и соосны отверстиям контакта-радиатора и прижимной платы. 10На.фиг. 1 изображено устройство для контроля параметров полупроводниковых приборов, исходное положение; на фиг. 2- то же, рабочее положение.Устройство цля контроля параметров 1 полупроводниковых приборов содержит основание 1 с запрессованными в него направляющими 2, проходящими через прижим 3, с нижней металлической прижимной платой 4 и жестко связанной с щ ней верхней изоляционной платой 5. В отверстиях прижимной платы установлены компенсационные втулки 6, а в отверстиях верхней - торцовые подпружиненные контакты 7, опирающиеся своими головками на пружины 8. Платы 4 и 5 жестко соединены при помощи...

Номер патента: 902110

Опубликовано: 30.01.1982

Авторы: Антонов, Белавин, Гоголев, Грин, Рассохин

МПК: H01L 21/66

Метки: полупроводниковых, приборов, сортировки

...с блоком 15 памяти. Подвижные контакты 12 связаны электричес:-.ки с измерительным блоком 16. Механизм 17 отделения группового держателяприборов 5 выполнен в виде горизонтально расположенных ножниц и содержитподвижный 18 и неподвижный 19 ножи,связанные через систему рычагов 20 сэлектромагнитом 21, который электрически подключен к блоку 15 памяти,Механизм 22 рассортировки по группам содержит лотки 23, перекрываемые заслонками 24, связанными с электро 45 магнитом 25, который электрически подключен к блоку 15 памяти. Для рассортировкн приборов 5 имеются ящики 26. Загрузочный транспортер 2 расположен над направляющим каналом 27 с отверстием 28.0Предлагаемое устройство работает следующим образом.Кассеты 3 с полупроводниковыми...

Номер патента: 902111

Опубликовано: 30.01.1982

Автор: Фатюнин

МПК: H01L 21/77

Метки: кассета, микросхем, подложек, преимущественно, химической

...продольное сечение,902111 тельные движения, обеспечивающие интенсивное перемешиваиие и взаимодействие реактива с их плоскостями, а слецова тельно, равномерную обработку этих плоскостей.Предлагаемоя кассета позволяет производить химическую обработку подложек различных размеров и формы равномерно по всей площади их плоскостей, а также качественную обработку в одном цикле как однотипных по форме и размерам, так и разнотипных подложек. Кассета для химической обработкипреимущественно подложек микросхем,содержащая корпус с гнездами, выполненными в виде фигурных пазов, и установленные между ними перегородки, о т л ич а ю щ а я с я тем, что, с целью повышения качества обработки и расширения функциональных возможностей кассеты, расстояние между...

Номер патента: 784635

Опубликовано: 30.01.1982

Авторы: Дмитриева, Луфт, Свердлин, Хусид

МПК: H01L 21/306

Метки: антимонидов, галлия, индия, полирования, травитель, химического

...зеркально гладкой поверхности антимонидов индия и галлия без окисной пленки,Поставленная цель достигается тем, что травитель для химического полирования антимснидов индия и галлия, содери(ащцй плавиковую кислоту, перекись водорода и воду, дополнительно содержит молочную кислоту при следующем соотношении компонентов (вес. ): НГ1.120,МолочнаялотаВода 2 - 10 кис 30 - И Остальное.При использовании составов травптеля вне указанных пределов содержания компонентов качество обрабатываемой поверхности значительно ухудшается. Введение в состав травителя молочной кислоты, которая такие, как и плавиковая кислота, образует с сурьмой в кислых растворах растворимые комплексные соединения, обеспечивает получение зеркально гладкой поверхности...

Номер патента: 803759

Опубликовано: 07.02.1982

Авторы: Крутоголов, Лебедева, Соколов, Стрельченко

МПК: H01L 21/66

Метки: диффузионной, длины, заряда, неосновных, носителей, полупроводниках

...излучением со стороны, дротнвоположнои переходу электролит - полундроводник, изменяя длину волны излучения, измеряют спектральную зависимость фото- тока 1 (Л) через переход. В спектральном диапазоне, где выполняются условия аТ 1 и а 1.)1 (т. е, аТ 10, а 1, 10), фототок 1, (Л) описывается выражением; где= О/5 есть отношение коэффициента диффузии 0 .неосновных носителей заряда к скорости их рекомзо бинации 5,на освещаемой поверхности полупроводника;В - коэффициент:пропорциональности,Построив график зависимости 1,(Л) от 35 1/а (Л) в указанном спектральном диапазоне,и продлив получившуюся прямую до дересечения с осью абсцисс, на которой отложены значения 1/а (это соответствует случаю, когда левая часть уравнения (2) обра...

Номер патента: 705938

Опубликовано: 07.02.1982

Автор: Амелин

МПК: H01L 39/16

Метки: выпрямительный, сверхпроводящий, элемент

...выпрямляющей обмотки 1, либо усилива3ется вплоть до критической йапряясенности магнитного поля материала обмотки.Наружный слой может быть выполнен из сверхпроводящего материала как первого, так и второго рода, но в первом случае толщина слоя не должна превышать знамение глубины проникновения магнит- ното поля,При рассмотрении работы устройства мы пренебрегаем эффектами, связанными с диамагнетизмом сверхпроводников, поскольку для топщих слоев они будут вносить только количественный вклад в картину магнитных полей устройства, не меняя качественно. При работе устройства с памощью истачнока пюстоянного "пока иуправляющей обмотки 2 создается постоянное матнитное поле, воздействующее на выпрямляющую обмотку .1, причем напряженность его...

Номер патента: 791114

Опубликовано: 07.02.1982

Авторы: Гапонов, Лускин, Салащенко

МПК: H01L 21/205

Метки: пленочных, структур, эпитаксиальных

...выбор той или иной установки опгеделяется требованиями, прельявляемыми к толщине пленок и их электрофизическим свойствам.Установка содержит два лазера, один из которых работает в режиме свободной генерации, а другой в режиме модулированной добротности с интенсивностью излучения на поверхности испаряемого материала не менеее 109 Вт/см. Второй лазер используется в качестве источника высокоэнергетичных частиц. Монокристаллическая подложка, на которую наносят компоненты гетероструктуры, и вращающийся столик, на котором размещены образцы напыляемых материалов, установлены в вакуумной камере. Режим работы установки задается блоком управления.Подложка представляет собой моно- кристалл или любую многослойную структуру, поверхность которой...

Номер патента: 820560

Опубликовано: 15.02.1982

Авторы: Бугаев, Захарченя, Пыжов, Стильбанс, Чудновский, Шер

МПК: H01L 35/30

Метки: термоэлектрический, усилитель

...подаютвходной сигнал Е,. При этом термоэлементповышает температуру терморезистора, ипроисходит фазовый переход его материала,Сопротивление терморезистора падает нанесколько порядков, что приводит к соответствующему изменению падения напряженияЛУ на сопротивлении нагрузки й, При изменении знака входного сигнала Е; происходит охлаждение сная термоэлемента, аследовательно, и терморезистора, что приводит к противоположному по знаку изменению падения напряжения ЛУ,Предлагаемое устройство дает такжевозможность управлять световым пучком,падающим на терморезистор, так как коэффициент отражения материала терморезистора при фазовом переходе меняется в десятки раз, При этом входная мощность, затрачиваемая на указанное управление...

Номер патента: 905885

Опубликовано: 15.02.1982

Авторы: Мартяшин, Мельников, Рыжов, Светлов, Цыпин, Чайковский

МПК: H01L 21/66

Метки: мдп, параметров, структур, электрофизических

...регулируемое сопротивление 15, первый, второй и третий дополнительные ключи 16 - 18, дополнительный запоминающий блок 19, ключ 20, вычитатель напряжений 21, блок измерения постоянной времени 22, схема деления напряжений 23, коммутатор 24, самописец 25.Устройство работает следующим образом. В начальный момент времени д по команде блока управления 1 размыкаются ключи 8, 10 и 18, сбрасывается в исходное состояние запоминающий блок 11, источником 2 опорного напряжения вырабатывается прямоугольное напряжение амплитуды Бчастоты повторения йои скважности, равной двум, к исследуемому объекту 4 прикладывается через первый сумматор 3 сумма прямоугольного напряжения П от источника 2 и линейно изменяюцегося напряжения смещения от программируемого...

Номер патента: 830977

Опубликовано: 15.02.1982

Авторы: Булатов, Воробьева

МПК: H01L 21/66

Метки: диэлектрических, качества, оценки, пленок

...к растравливанию вглубь микропор, главным образом потенциальных, т. е. всех структурных нарушений, куда проникли молекулы воды, Растравливаться могут поры, размеры которых соизмеримы с размером молекулы воды. Средний размер большинства пор составляет 10 А. Тот факт, что не увеличение количества пор, а глубина проникновения скрытых дефектов играют главную роль в изменении Уо, подтверждается тем, что после обработки значения токов утечки остаются, как правило, на прежнем уровне, а значения пороговых напряжений изменяются.Обработка диэлектрика в водном растворе с низким рН приводит к разбуханию слоя геля и закупорке потенциальных дефектов структуры диэлектрика, что приводит к увеличению порогового напряжения.Оценку качества диэлектрика...

Номер патента: 907640

Опубликовано: 23.02.1982

Автор: Павленко

МПК: H01L 21/463

Метки: выпрямления, полупроводниковых, структур

...напряжений в структуре в основном определяется дефектностью и толщиной моно"слоя и устанавливается опытным путем. После полного выпрямления структуры величина прилагаемого давленияможет возрастать до предела прочности на снятие прокладки, котораяспособствует равномерному распределению нагрузки по всей площади, Приснятии структуры с оправки рсль замедлителя изменения напряжения вструктуре играет медленно разогреваемый воск, которым приклеиваетсяструктура,Способ позволяет учесть динамику 35прила гаемо го у силия, котора я от рицательно влияет на процесс,П р и м е р . На подложку монокристаллического кремния с разделительными канавками диаметром 40 мм 40и толщиной 400 мкм из кремния маркиКЭ 4 Л,5 - 3 А наносят слой...

Номер патента: 518079

Опубликовано: 28.02.1982

Автор: Амелин

МПК: H01F 6/00, H01L 39/10

Метки: выключатель, сверхпроводящий

...токов в этой схеме,Управляющая электромагнитная обмотка 1 соединена последовательно с отключающей безындуктивной обмоткой 2 и зашунтирована полупроводниковым диодом 3.Между электромагнитной и безындуктивнойобмотками расположен магнитный экран,выполненный из сверхпроводящего материала.Выключатель работает следующим образом,Г 1 ри токе выключателя ниже определенного значения Г, магнитный экран находится в сверхпроводящем состоянии. При этомотключающая безыдуктивная обмотка экранирована от магнитного потока управляющей электромагнитной обмоткой и находится в сверхпроводящем состоянии. Принарастании тока выключателя и достиженииим в момент времени 1 значения 10 магнитный экран переходят в нормальное состояние, Магнитный поток...

Номер патента: 909728

Опубликовано: 28.02.1982

Авторы: Давыдов, Дернов, Ярыш

МПК: H01L 25/00

Метки: блок, преобразовательный

...6 анодной стороной 8 установлентиристор 2, а катодная вставка-ох" 728 4ладитель 7 соединена с катоднойстороной 9 тиристора 2 при помощигибкой шины-теплоотвода 10, котораяпокрыта теплоиэоляционной оболочкой 11.На внутренних контактирующих с охлаждающей жидкостью поверхностях вставок-охладителей 6 и 7выполнены углубления 12. Междуопорной поверхностью прижимного ме 10 ханизма ч и контактной частью гибкой шины-теплоотвода 1 О расположена изолирующая шайба 13, обеспечивающая электрическую изоляцию междуанодной и катодной сторонами тиристора 2.На входе и выходе канала 1 охлаждения к элементам 3 канала герметичноприсоединены Фланцы 1 ч.К контактнойчасти. гибкой шины-теплоотвода 10присоединена токоотводящая катоднаяшина 15. Анодная...

Номер патента: 911382

Опубликовано: 07.03.1982

Авторы: Захаров, Пиорунский, Поляков

МПК: H01L 21/66

Метки: качества, конструкции, неразрушающего, соединений, техники, электронной, элементов

...судят о качестве соединений.30Предлагаемый способ основан наиспользовании эффекта возникновенияупругой деформации корпуса при резком нагреве одного из элементов конструкции, например кристалла полупроводникового устройства транзистора35или интегральной схемы), величинакоторой достигает величины порядкадесятых долей микронаДеформация в корпусе конструкции40вызывается резким изменением размеровнагреваемого элемента в случае жесткой механической связи между ним иостальной конструкцией. Если имеет .место случай простого касания элемен 45та (например кристалла интегральноисхемы) с остальной частью конструкции, то упругая деформация оказыва ется резко ослабленной, что и свидетельствует об отсутствии жесткой механической связи. При этом...

Номер патента: 911653

Опубликовано: 07.03.1982

Автор: Устинов

МПК: H01L 21/00

Метки: микролитографии, разрешающей, способности, структура, тестовая

...проводимости, проводники 3 первого слоя - диффузионные области и"типа проводимости, проводники 4 второго слоя из поликристалического кремния, межслойные контакты 5 .проводников второго слоя к проводникам первого слоя ВК, ЙК, ВК ВкЪ, области,тонкого окисла 6, отверстия 7 для снятия с поверхности тонкого окисла в 25. зоне, общая диффузионная область 8 +и-типа проводимости - область истоков МДП-транзисторов, подзатворные: области 9 " рабочие каналы МДП-транзисторов.На поверхности слоя окисла 1 (фиг.1) кремниевой пластины 2 р-типа проводимосги выполнена тестовая структура, содержащая проводники 3 первого слоя в виде диффузионных областей З 5 д "типа проводимости, проводники 4 второго слоя из поликристаллического кремния, образующие при...

Номер патента: 911654

Опубликовано: 07.03.1982

Авторы: Горобец, Нехамкин, Сальников, Яхимович

МПК: H01L 21/50

Метки: полупроводниковых, приборов

...ограничения ,перемещения ползуна 5. Над транспор 3тирующим ротором 2 расположен дополнительный механизм загрузки в виде закрепленного к основанию 19 лотка 25 фиг.1). Он наклонен к горизонтали и в плане располагается перпендику40 лярно радиусу транспортирующего ротора 2. К лотку 25 присоединен лоток26, который соединяется с лотком 25 с помощью оси 27. Роток 27 снабжен накладками 28, удерживающими крышки4529 изделий, собираемые с корпусами 7, от выпадения с лотка 26. На конце лотка 26 имеются две пружинные пластины 30 Гфиг.5). 20 50Над позицией сборки находится механизм сборки в виде фасонного ролика 31, который посредством подшипника 32 установлен на оси 33, закрепленной на кронштейне 34. Кронштейн 31 укреплен на балке 35, которая...

Номер патента: 911655

Опубликовано: 07.03.1982

Авторы: Брикман, Евграфов, Мигиренко, Песоцкий

МПК: H01L 21/66

Метки: испытаний, механических, полупроводниковых, приборов, разбраковки

...спиралямподнимаясь по ним вверх и ориентируясь в горизонтальной плоскости.7 91165 Затем транзисторы 7 падают в вертикально установлены накопители, которые имеют ориентирующие ножки транзисторов 7 продольные пары, а в нижней части переход в горизонтальную 5 плоскость. Перемещаясь в накопителях, транзисторы попадают в магазин 13 укладчиков приборов по три штуки. Включается механизм 14 возвратно- поступательного движения (фиг.2), 10 толкатель 11 делает .ход внутрь кор-. пуса 8. При входе толкателя 11 в корпус 8 гребенки захваты 12 захлопываются, захватывая головку прибора, а гребенки 10 под. воздействием толка-теля 11 смыкаются у основания гибких ножек транзисторов 7. Так как гребенки 12 размещены на толкателях 11, то при движении...

Номер патента: 911656

Опубликовано: 07.03.1982

Авторы: Алерс, Аллпох, Вальдман, Диппман, Краусс, Раух, Ульбрихт, Шобер

МПК: H01L 29/82

Метки: магнитным, переключатель, полем, пороговый, управляемый

...электродов с магнитострикционными свойствами и охватывают аморфный полупроводниковый матер иал. Для улучшения переклюцательныхсвойств в изоляционном слое расположен металлический, магнитный или немагнитный промежуточный слойКроме того, переключательныйэлемент состоит из последовательного соединения отдельных пороговыхпереключателей,На фиг,1 изображена вольт-амперная характеристика переключателя;на фиг,2 - один из вариантов порогового переключателя, поперечное сечение; на фиг.3 - специальная структура изолирующего слоя, поперечное се.чение,Изготовленный известными технологическими средствами пороговый переключатель расположен, например, наметаллической или стеклянной подложке 1, На подложке 1 в качестве первого слоя находится...

Номер патента: 911657

Опубликовано: 07.03.1982

Авторы: Бондарь, Глосковская, Лыскович

МПК: H01L 31/08

Метки: анализатор, фотоэлектрический

...Су имеетструктуру, образованную тройнымислоями-сендвичами З-И-Л,5которые периодически повторяются.Внутри слоя действует ионно-ковалентные силы, а между слоями - силыВандер-Ваальса, Это создает слоистуюструктуру с базистой плоскостью ф(плоскостье скола) вдоль сендвичей,Ось С кристалла ориентирована перпендикулярно к базистой плоскости.Максимум спектральной чувствитель. ноСти кристаллов типа Дф В" нахо- фдится в ультрафиолетовой областиспектра: для СЮ" это область 300400 нм, а для СЙВг - область 260350 нм. Кристаллы СсЦ 2 и ЯВгфоточувствительны также и в инфракрас- Звной области спектра 500-1300 нм.При определенной ориентации кристалла, а именно когда направлениевозбуждающего света перпендикулярно оси С кристалла, величина фотото- ззка...

Номер патента: 911658

Опубликовано: 07.03.1982

Авторы: Кульвец, Маркаускайте, Рагульскис

МПК: H01L 41/09, H02N 2/16

Метки: вибродвигатель, волновой

...напряжения,.введе". ны волновые отражатели, выполненные в виде пьезокерамических пластин, установленных по радиусу между держателями и кольцевыми преобразователями и жестко прикрепленных к ним, причем влина пьезокерамнческих пластин кратна длине возбуждаемой беГущей волны.илиал ППП "Патент", г.ужгород, ул,Проектна На фиг.1 изображен волновой вибродвигатель на фиг.2 - разрез А-А наФиг.1,В корпусе 1 помещены ротор 2фрикционно связанный кольцевыми пьезокерамическими преобразователями 3,с разделенными на сектора электродами,подключенными к источнику многофазного напряжения (не показан), Преобразователи 3 жестко соединены с держателями 4, закрепленными на корпусе 1 10посредством радиально расположенныхволновых отражателей 5, выполненныхв виде...

Номер патента: 911659

Опубликовано: 07.03.1982

Авторы: Ефимов, Соловьев

МПК: H01L 41/12

Метки: двигатель, магнитострикционный

...компенсатор в виде стержня 9 с положитель- ным коэффициентом магнитострикции. Компенсатор 9 снабжен компенсационной обмоткой 10, которая включена последовательно с обмоткой 8 возбуждения. Длина основного стержня 7 и дополнительного стержня 9, а также количество витков в обмотках возбуждения и компенсации подбирают в каж дом конкретном случае в зависимости от производственных условий таким образом, что изменение длины стержня 7 в два раза больше изменения. дпины дополнительного стержня 9, 25В исхоцном состоянии подается ток в обмотку 5 зажима 3, последний притягивается к статору 1 и удерживается на нем таким образом, происходит фиксирование левого конца двигателя, 30 зажим 4 отпущен. При пропускании тока по обмотке 8 возбуждения...

Номер патента: 911660

Опубликовано: 07.03.1982

Авторы: Ермакова, Морозов

МПК: H01L 41/22

Метки: поляризации, сегнетоэлектриков

...с по тивление пленки Я выбирается такимложительным пирокоэффициентом) об- образом, чтобы обеспечить развязкуразца, приводит к более эффективной между управляющими электродами пополяризации, чем это было бы в слу- управляющему напряжению, т.е.чае использования внешнего источни" 20ка, напряжения, поскольку возникающая11ЭЧ:СЭ ВСпри нагреве пиро-ЭДС автоматическиобеспечивает поляризацию в направ- где Я - . площадь поперечного сечелении униполярности, присущей дан- ния пленки,ному образцу 1 аким образом, предла-, 25 1 - Расстовние е ДУ Дгаемый способ устраняет необходи- ми управляющими электро"мость определения направления уни- дами;полярности сегнетоэлектрического С - емкость кристалла;кристалла и позволяет достичь наибо- Г -...

Номер патента: 912065

Опубликовано: 07.03.1982

Авторы: Зигфрид, Хорст

МПК: H01L 21/8222

Метки: интегральных, полупроводниковых, схем

...маскирующем покрытии.1 я П р и м е р, На кремниевой подложке 1(фиг, 1) с эпитаксиальной пленкой 2 наносятпервое диэлектричесКое покрытие 3, напримериз двуокиси кремния толщиной 0,5 мкм,Затем проводят вскрытие всех окон 4 яц (фиг, 2) методом фотолитографии дпя созда.ния областей базы, областей управления базойи областей подключения базовых областей, т.е.инжекторы, вторичные инжекторы. Далее про.водят легирование примесью р-типа, например 2 Ь бором 5 .(фиг. 3) методом диффузии или1 Н 1 И 111 :Мкад 1 379/54 Гираж 758 одпигное 1 фичнаи 11 ПЦ "1 Ьфсни", г. Ужгород, ул. Проектная,з 9120ионного легирования, создавая области Р 1, Р 2и РЗ, оследующим окислением выращиваютокиссл 6 в окнах толщиной порядка 0,1 мкм,вновь наносят изолирующее...

Номер патента: 704396

Опубликовано: 15.03.1982

Авторы: Ганин, Коломиец, Любин, Федоров

МПК: H01L 31/18

Метки: основе, пленок, полупроводниковых

...НОГИЕЭ,ГЕС(РОи:ЗИ)СеСГе Ц Г ЦЧССКЦС СОЙСТДслосц Оц рсдсл 5110 с 5 Пс ТОл 0 еосд О 3(ио,)Гс 1 с)100 ХСП, НО и состсоы стГсмрои пленки, тдк степень уцязкц полцмсрцоГО КДРКаСс 1 СЛОСВ СУЦСС 1 СППО ЕЗЫШС Цос 1)авнс 110 сО е.1051)(ц, НРПГ 010,спи)11обычными методами. Подобцос обстс)ятсльстВО также Определяет р 5 д -)лсктрофГзц)ГСских ц оптических свойств.Предложенный способ эссисри)ГСГт;(г 1 по ировсрсе. В качссевс исходого зспСсВдвыбран ЛзЯ., а качестве дополиитслыого магсриала Гп, ГтсклообразЕый ЛВ 5,;рдзмсль)ался ц иомсщдлс 51 13 цсиарЕГТС;,ь.Доносительный материал 1(аходилсядцспсрсной форме, иозволяюисй достатоэффсстцеЗПО ироникаь парам еспарясМОГО ВСЦССТсГ, Ц ИОМС 1(Д;С 51 С(сГРЦТС:ЕСповерх исходного всщсста. Испарпельнагрсвался в...

Номер патента: 917141

Опубликовано: 30.03.1982

Авторы: Веревкин, Ершов, Луценко, Щевцов

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: выпрямительных, полупроводниковых, элементов

...Уровни опорных постоянных напряжений формируются блоком 5 опорных сигналов, а значения опорных напряжений, тока и динамического сопротивления выбраны, исходя из требований технологии производства данного типа полупроводниковых приборов, и могут меняться при контроле качества выпрямительных элементов различных типов. При линейном нарастании напряжения на испытуемом выпрямительном элементе напряжение на выходе датчика 4 напряжения также растет линейно. При этом оно по очереди превышает значения опорных сигналов, поступающих на вторые входы компараторов 7 - 9 по напряжению.Пока сигнал на первом входе каждого компаратора 7 - 9 по напряжению меньше опорного, на выходе сигнал отсутствует, Как только сигнал от датчика 4 напряжения становится...

Номер патента: 917241

Опубликовано: 30.03.1982

Авторы: Кущенко, Мысин, Сливканич, Шатохин

МПК: H01L 21/00, H01L 21/98

Метки: бусой, вывода, полупроводникового, прибора, сборки

...диаметра бусы, Загрузчик бус состоит из коробчатого основания 4 и размещенного в нем подпружиненного шибера 5, в кото рых выполнены отверстия для прохода бус 6. В одной из углов основания 4 имеется окно 7 для удаления нижних бус 6 из загрузчика. Кассета состоит из трех плит 8-10, в которых выпол нены отверстия для размещения выводов 2, расположенные в соответствии с расположением отверстий трафарета 3 и загрузчика бус. Плита 8 снабжена колонками 11 и пазом для размещения 15 планки 12, а плита 9 - отверстиями для сопряжения с колонками 11 плиты 8, отверстия для размещения выводов 2 в ней выполнены ступенчатыми с образованием гнезд для размещения бус 6, Дополнительная плита 10 снабжена элементами сопряжения с кассетой, выполненными в виде...

Номер патента: 774464

Опубликовано: 30.03.1982

Авторы: Грехов, Делимова

МПК: H01L 21/26

Метки: быстродействия, кремниевых, мощных, повышения, полупроводниковых, приборов

...бинапия .носителей заряда идут через различные радиационные центры: Е,. - 0,5 эВ и Е, - 0,17 эВ соответственко, Это обстоятельство делает возможным независимое влияние на такие ка)рактеристкии приборов, как генерационный ток и время жизни не,равновесных носителей заряда. В 1 процессе предлагаемой термической обработки РЦ с уровнем Е, - 0,5 1 эВ отжигаются, что проводит к уменьшению генерационных токов, а рекомбинационные РЦ с уровнем Е, - 0,17 эВ сохраняются.На фиг, 1 изображены,завидимости генерационного тока (иривая 1) и времени жизни неравновесных 1 носителей заряда (кривая 2) от температуры при изохронном отжиге длительностью 3 ч; на фиг, 2 - зависимости тех же параметров от длительности отжвга при изотермичесыом отжипе при 260 С....

Номер патента: 722452

Опубликовано: 30.03.1982

Автор: Бронников

МПК: H01L 41/00

Метки: керамических, поляризации, пьезоэлектриков, степени

...процесса генерации высших гармоникполяризации при помещении пьезоэлектриков в переменное электрическое поле. Поляризация неполяризованных пьезоэлектриков, помещенных в синусоидальное поле, в зависимости от времени описываетсявыражением:Рф =Р,яп(вЕ -,- о,)+ Р,яп(3 со 8+ о.,) 1-++ Рл(лл 1где Р - поляризация,- время,а - угловая частота,- угол сдвига фазы.Поляризация заполяризованных пьезоэлектриков имеет вид;Ж) = Ро + Р,яп(а 1 + о,) + Р,яп(2 о 1+ о 2) +Р(ио+р ).Возникновение четных гармоник поляризации обусловлено появлением заполяризованности пьезокерамики. При этом значения амплитуд гармоник не связаны сгеометрией пьезоэлектриков, а отражаютлишь степень переориентации доменовпьезоэлектрика. Степень поляризации оценивается по отношению...

Номер патента: 843642

Опубликовано: 30.03.1982

Авторы: Орлов, Принц

МПК: H01L 21/66

Метки: глубоких, полупроводниках, уровней

...10 4 с;1245 10 -с;127 10 -с; 40 что соответствует фильтрации релаксацийс постоянными времени т = - - - , -- рав 10 1 2ными соответственно 9,8 10 - , 2 10 - ,3,05 10 "с. По температурному положе 45 нию максимумов на записи найдены температуры, при которых постоянная времени теплового выброса с уровней составляет величину 9,8 10- 2 10- 3,05.10 - с,50Знание температуры и постоянной времени теплового выброса определяет место/ 03положение точек на зависимости)д-).т)55 На фиг. 2 показаны полученные в результате этих операций точки в коордиоа(031тах 1 р. По наклону прямых, вводяпоправку на Т 2, определяют энергию акти 60 вации уровней 0,44 и 0,60 эВ, Затем проводят измерения по предлагаемому способу. Измерения выполняют на макете...