Патенты с меткой «m-параметра»
Способ измерения m-параметра p-n-перехода в полупроводниках
Номер патента: 1715141
Опубликовано: 20.07.1999
Автор: Мусонов
МПК: G01R 31/26, H01L 21/66
Метки: m-параметра, p-n-перехода, полупроводниках
1. Способ измерения m-параметра p-n-перехода в полупроводниках, включающий измерение амплитуды переменного напряжения Um1, обусловленного протекания через p-n-переход переменной составляющей тока Im1 с частотой 1 и постоянной составляющей I0, соотношение между которыми A1 = (Im1/I0) поддерживают постоянным, и определение m-параметра расчетным путем по величине амплитуды измеренного напряжения, отличающийся тем, что, с целью повышения точности и расширения диапазона определения m-параметра полупроводниковых приборов по постоянному току, повторяют...