H01L — Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам

Страница 96

Кассета для микросборок

Загрузка...

Номер патента: 1628242

Опубликовано: 15.02.1991

Авторы: Беглецов, Вайсберг, Марголин

МПК: H01L 21/68, H05K 13/02

Метки: кассета, микросборок

...для составления кассет вблоки при складировании и окно 22, предназначенное для захвата кассеты автоматизированным средством при транспортировании. Крепление деталей при сборке осуществляется шурупами 23.Кассету собирают в такой последовательности,В зависимости от условий использования (необходимой емкости кассеты) кассета может быть собрана из одного или нескольких унифицированных корпусов 1.При достаточности емкости одного корпуса 1 на него ставят крышку 18 и закрепляют шурупами 23.При необходимости увеличения емкости кассеты корпуса 1 устанавливают последовательно друг за друга, Затем на верхний корпус 1 ставят крышку 18 и крепят детали друг с доугом шурупами 23.После сборки кассеты нижний торец крышки 18, а при многокорпусной сборке и...

Устройство для климатических испытаний полупроводниковых приборов

Загрузка...

Номер патента: 1018550

Опубликовано: 15.02.1991

Авторы: Зубарев, Кононов

МПК: H01L 21/66

Метки: испытаний, климатических, полупроводниковых, приборов

...в спутниках малых размеровпопадают из паза 40 магазипа загрузки 17 в паз 3 барабана 2, ИС в спутниках средних размеров иэ паза 41 магазина загрузки 1 в паэ 4 барабана2; ИС в спутниках больших размеровпопадают иэ и;.за 42 магазина загрузки 17 в паз 5 барабана:2,После заполнения на позиции за.грузки одного из пазов 3-5 барабана 2 приборами определенного типоразмера происходит поворот барабанана один шаг при помощи привода шагового вращения 54, и на позицию загрузки приходят следующие свободныепазы. Таким образом, по мере поворота, барабана 2 загруженные в его пазы 3-5 приборы перемещаются в зонуконтактирования, Время с момента загрузки прибора до подачи его на пози"цию контактирования равно времени выдержки приборов в устройстве для...

Способ изготовления дифракционной решетки

Загрузка...

Номер патента: 1629930

Опубликовано: 23.02.1991

Авторы: Вишневская, Лысенко, Первеев

МПК: H01L 21/467

Метки: дифракционной, решетки

...ввода-вывода излучения идифракционных решеток.Целью изобретения является повышение качества решетки путем увеличения отношения глубины штриха к перду этой решетки,Для изготовления дифракционнойрешетки на поверхности образца из арсенида галлия методом фотолитографиипредварительно Формируют защитнуюмаску из двуокиси алюминия, послеэтого образец подвергают ионнохимическому травлению в газовой смеси,изготовления ицтегрально-оптич эл емецтов ввода-вывода и злуч ец дифракционцых решеток. Цель из ция - повышение качества решет состоящей из 95+0,5 об,Е ксеноца и5+0,5 об,Е паров воды при энергииионов 1-1,5 кэВ и плотности ионноготока 1-2 мА/см . Использование водородсодержащей газовой смеси приводитк образованию легколетучих гидридовмышьяка,...

Способ определения параметров энергетических уровней в полупроводниках и гетероструктурах

Загрузка...

Номер патента: 1629931

Опубликовано: 23.02.1991

Авторы: Ермакова, Перов, Поляков, Руковишников

МПК: H01L 21/66

Метки: гетероструктурах, параметров, полупроводниках, уровней, энергетических

...с толщиной 10 диэлектрического слоя С 300 й. Измерения проводят при амплитуде обедняющего напряжения Ф 0,1 В. Длительность приложения напряжения меняется от 10 до 10с. После переключения образца от источника напряжения к измерительной. схеме измеряют величины стекающих зарядов Чи Чпри длительности приложения обедняющегол Л напряжения соответственнои- 2 С, и находят заряд ДЧ = Ч - ЧНа чертеже приведены полученные зависимости ДЧФ; ) = Ч(2) - Ч (И) при Т = 320 К и Т = 295 К (площадь электродов составляет 2 ф 1(Г см), 25 Заряды Ч и Ч измеряют через промежуток времени10с после снятия об едняющег о напряжения, и подключения образца к измерительной схеме, При-3 временах измерения более 10 с величины зарядов Чи Ч практически не изменяются, а...

Охладитель для полупроводниковых приборов

Загрузка...

Номер патента: 1629932

Опубликовано: 23.02.1991

Авторы: Головко, Пименов

МПК: H01L 23/34

Метки: охладитель, полупроводниковых, приборов

...охлаждающим устройством тепла, выделенного полупроводниковым прибором, последний плоской поверхностью прижимается к токопро водной пластине 7 с усилием Р, необходимым для сжатия прибора. Тепловой поток от рабочей поверхности прибора к охлаждающей жидкости проходит через токопроводящую пластину 7 и токоизо лирующую подвижную стенку 5. Для улучшения теплопередачи граничный переход между поверхностями пластины 7 и стенки 5 выполнен из тонкого слоя теплопроводного припоя типа 30 ПОС. Давление на охлаждающее устройство от усилия Р воспринимается частично сжимающей пружиной 10 через подвижную стенку 5, а остальная часть давления - опорной кольцевой поверх 35 ностью корпуса 1. При этом давление на подвижную стенку 5 не зависит от внешней...

Полупроводниковый блок

Загрузка...

Номер патента: 1629933

Опубликовано: 23.02.1991

Авторы: Прохорчева, Ставицкий

МПК: H01L 25/03

Метки: блок, полупроводниковый

...и позволяет до минимумасвести длины связей, что имеет большое значение на высоких частотах и сократить количество крепежа.Силовые панели имеют сложную форму. Для формирования зазоров между радиаторами, соизмеримыми с межреберными расстояниями, с соблюдением требуемых расстояний от поверхности панели имеют выступающие бу. тики Б,которые одновременно используются для формирования направляющих Г, Кроме того, в панелях выполнены отверстия В для вентилей 3-5, шин и токо- отводов 12Боковые панели 18 имеют овальные прорези А для стыковки с силовыми панелями и .отверстия для крепления элементов КС-цепей и электрическим разъемом обычньии средствами крепежа, но выходя на внутреннюю плоскостьпанели.Радиаторы 8 входного выпрямителя,...

Статический преобразователь с испарительным охлаждением

Загрузка...

Номер патента: 1630001

Опубликовано: 23.02.1991

Автор: Каликанов

МПК: H01L 23/34, H05K 7/20

Метки: испарительным, охлаждением, статический

...патрубков 12, 13: свободные части 15, 17 - патрубком 2, а заполненные части 16, 18 - патрубком 13. Нагреватель 14 размещен на внешней поверхности емкости 10, на ее части 16, заполненной жидким теплоносителем 1, а датчик 7 давления соединен со свободной частью 17 внутреннего объема герметичного корпуса 1, при этом полость датчика 7 давления в виде силь- фона сообщена со свободной частью 17 внутреннего объема герметичного корпуса 1.Статический преобразователь с испарительным охлаждением работает следующим образом.При выключении преобразователя остаточные пары фреонаконденсируются за счет охлаждения герметичного корпуса 1 окружающим воздухом. Вследствие этого в свободной части 17 внутреннего объема герметичного корпусаначинает...

Радиоэлектронный блок

Загрузка...

Номер патента: 1630003

Опубликовано: 23.02.1991

Авторы: Водовозов, Грудень, Кряж, Разбегаев, Чивилев

МПК: H01L 23/34, H05K 7/20

Метки: блок, радиоэлектронный

...5, восстанавливая зазоры 13. Затем, отвернув винты 9, извлечь блок.Введение в корпус, в местах размещения теплообменников, окон, которые закрыты закрепленными на корпусе крышками, прн этом крышки выполнены в виде упругодеформируемых рамок с жестко закрепленными по внутреннему контуру теплообменниками, а прижимные элементы выполнены, например, в виде поджимных винтов, установленных в резьбовых отверстиях кронштейнов, закрепленных на корпусе с возможностью обеспечения взаимодействия поджимных винтов с теплообменниками и поджатия теплообменников . к теплостокам блока, позволило повысить эффективность охлаждения и упростить конструкцию шкафа.формула и з обретения1, Радиоэлектронный блок, содержащий корпус с внешними...

Светодиод

Загрузка...

Номер патента: 867249

Опубликовано: 28.02.1991

Авторы: Абагян, Бондарь, Брагин, Коган, Коташевский, Минаждинов, Невский, Патрашин

МПК: H01L 33/00

Метки: светодиод

...крайней мереодин дополнительный слой, замкнутыйсо слоем того же типа проводимостии Образующий р-и-переход со слоем,на котором он расположен. В этом случае образуется р-и-р(п-р-п)-структура, в которой слои р-типа (и-типа) электрически замкнуты между собой, а ток пропускается обычным образом. Тогда, при сохранении суммарного тока питания, ток, протекающийчерез каждый р-п-переход, равен половине тока питания, а выводимыйсветовой поток равен сумме потоков,выводимых от каждого р-и-перехода ипревышает световой поток, выводимый35 из обычного светодиода при такомже токе питания. При этом площадьзаявляемого светодиода равна площадиобычного светодиодаРабота светодиода осуществляетсяследующим образом,Замыкаются контактыи б. Затемк светодиоду...

Способ регистрации излучения фотодиодом

Загрузка...

Номер патента: 1454178

Опубликовано: 28.02.1991

Автор: Чернов

МПК: H01L 31/06

Метки: излучения, регистрации, фотодиодом

...в способе - прототипе с длительность максимальна, и потоком излучения фм, равны. Применение способа повышает быстродействие более чем на 307 2 ил. С: чскс д ф мн (фиг. 1)Из фиг. 2 видно, что имеется значение ф при котором длительность переходного процесса максимальна (, ). Можно определить такое значение фнпри котором длительности переходных процессов при изменении от ф до Фи от фн до Фбудут равны. Тогда заряд емкости ФД перед измерением напряжения на нем до начального напряжения 0 , соответствующего Фн, дает дополнительный выигрыш в быстродействии.Переходной процесс на ФД после заряда его емкости и освещения описывается дифференциальным уравнениемС(0 Ц/дТ) + 1 ехр(Ч 11/1 Т) - 1 3= я Ф, где С - емкость ФД;14541 ц= (1 сТ/с 1)1 п 1 ю...

Способ разделения пластин на кристаллы

Загрузка...

Номер патента: 1630907

Опубликовано: 28.02.1991

Автор: Беккер

МПК: B28D 5/00, H01L 21/70

Метки: кристаллы, пластин, разделения

...чтобы надрезпри скрайбировании алмазным резцом былсвежий. Скрайбирование пластины производят при коматной температуре. Проскрайбированную пластину, надрезы которой наполнены расклинивающей жидкостью, помещают в ванну, содержащую такую же жидкость - раствор гексана в нитробензоле. Затем включают ультразвуковойвибратор и возбуждают в жидкости ультразвуковые колебания,Для расчета собственных частот колебаний кристаллов следует пользоватьсяформулой для пластины с опорой по контуру-- (Гц),2 л 7 па 2где 1. = 9,87(1+ - ):раи Ь - соответственно длинная и короткая стороны кристалла;0= - жесткость кристалла на12 (1 - о )изгиб; .Е - модуль упругости;й - толщина кристалла;а- коэффициент Пуассона;а - масса, отнесенная к единице площади поверхности...

Устройство для получения охлаждаемого точечного контакта между металлическими электродами

Загрузка...

Номер патента: 1631626

Опубликовано: 28.02.1991

Авторы: Бобров, Рыбальченко, Хоткевич, Чубов, Янсон

МПК: H01L 21/28

Метки: контакта, между, металлическими, охлаждаемого, точечного, электродами

...в криостате 4. В первом цикле получения контакта вначале при вращении через редуктор 22 приводного вала 18 резь- бовой палец 17 ввинчивается в поршень- винт 9 (фиг, 3) и надавливает на коромысло 14, которое поворачивается на оси-капилляре 15 вместе с упругим элементом 13 и электродом 2 до соприкосновения поверхностей электродов 1 и 2 в пределах упругой деформации, которое индицируется измерением электрического сопротивления между электродами 1 и 2. Затем при вращении через редуктор 23 приводного вала 19 дифференциальный винт 11 ввинчивается по резьбовой поверхности узла 12 продольного транспортного перемещения электрода 2 и по резьбовой части поршня-винта 9, который при этом плавно перемещается внутри10 15 20 25 30 35 40 45 50 55...

Мощный полупроводниковый модуль

Загрузка...

Номер патента: 1631627

Опубликовано: 28.02.1991

Авторы: Богачев, Горохов, Гридин, Фалин

МПК: H01L 25/00

Метки: модуль, мощный, полупроводниковый

...силовой вывод 9,На верхней поверхности полупроводниковых структур расположены верхние токосъемы 10 с опорными шайбами 11, тарельчатыми пружинами 12 и прижимнымипланками 13. Верхний токосъем изолированот прижимной системы изолирующей втулкой 14,Изолирующие ограничители (фиг. 4)представляют собой фторопластовые прямоугольники с двумя отверстиями для крепления, одна сторона которых проточена поокружности под диаметр полупроводникового элемента и изолирующей пластины.Высота определяется сборочными элементами 1,2,3, 6, 11, 12.Опорные шайбы 11, тарельчатые пружины 12 и прижимные планки 13 образуютприжимную систему для каждой полупроводниковой структуры. С их помощью осуществляется торированный прижим с усилием 1200 кг для диаметра структуры...

Способ получения сверхпроводящего тонкого слоя

Загрузка...

Номер патента: 1632382

Опубликовано: 28.02.1991

Авторы: Вильхельмус, Корнелис, Хенрикус

МПК: H01L 39/00

Метки: сверхпроводящего, слоя, тонкого

...свойств, Взаимодействие УВаСцО- пленок с материалом подложки (МРО, 81),приводит к ухудшению сверхпроводящих свойств. Для исключения этого взаимодействия предложено перед нанесением планки УВаСцэО т наносить на подложку слоЯ У ВаСцО. Способ позволяет наносить пленки УВагСц 0 т-ЙТс" 90 К Нанлучщне результаты были получены при использовании подложек, поверхность которых состоит из У ВаСцО, .На фиг. прдставпена диаграмма фазового состояния У О - ВаО - СцО, на которой показаны как УВа СцзОт 6а так н ТВаСцО - соединения, находящиеся на линии раздела Фаз; на фиг.2 результат измерения электрического сопротивления сверхпроводящего тонкого слоя на подложке иэ У ВаСцО в зависимости от температуры.Свврхпрлводящий тонкий слой ТВаСцЗОт ,...

Устройство для измерения контактной разности потенциалов

Загрузка...

Номер патента: 1362363

Опубликовано: 07.03.1991

Авторы: Воронцов, Седов

МПК: H01L 21/66

Метки: контактной, потенциалов, разности

...поступает опорный (зталонцый) сигнал с выхода регулируемого источника 14 опорного напряжения. Величина опорного сигнала обратно пропорциональна расстоянию между зондом 4 и пластиной б. В компараторе 13 осуществляется сравнение указанных сигналов. При равенстве их сигнал на выходе компаратора 13, а следовательно, и навыходе усилителя 15 постоянного тока равен нулю. При отклонении расстояния меж-ду измерительным зондом 4 и поверхностью исследуемой пластины 6 от заданного значения происходит изменениевеличины высокочастотного сигнала, проходящего с выхода генератора 2 высокой частоть 1 через емкость зонд - пластина, в результате чего на выходе компаратора 13 появляется разностный сигнал (сигнал Разбаланса). Усиленный посредством...

Двухзахватная головка манипулятора

Загрузка...

Номер патента: 1634491

Опубликовано: 15.03.1991

Автор: Колпаков

МПК: B25J 15/00, B25J 9/08, H01L 21/68 ...

Метки: головка, двухзахватная, манипулятора

...а вершины 7 шарнирно связаны со штоком 8, имеющим привод от соленоида 9 и возвратной пружины 10. На других вершинах параллелограммов закреплены губки 11. Корпус 1 установлен на поворотной оси 12 манипулятора, содержащего основание 13, координатный стол 14, на котором установлен спутник 15, на клейкой поверхности диафрагмы 16 которого закреплены кристаллы 17, второй координатный стол 18 с кассетой для укладки выбранных кристаллов, механизм 19 подкола с опорными пальцами 20 и центральным пальцем 21. Двухзахватная головка манипулятора работает следующим образом.Схваты 2 и 3 для отработки заданной программы выводятся с помощью поворотной оси 12 манипулятора на требуемые позиции. Механизм 19 подкола освобождает один из кристаллов 17 от...

Пьезоэлектрический керамический материал

Загрузка...

Номер патента: 1634655

Опубликовано: 15.03.1991

Авторы: Гринева, Зворыкина, Комаров, Мирошниченко, Разумовская, Сервули, Фесенко

МПК: C04B 35/46, H01L 41/18

Метки: керамический, материал, пьезоэлектрический

...СаТ 10 РЬ(И 1 Со)О РЬ(И, /п 1/)Оэ РЬИпО э РЬ(ВО) 1 82,96 1,4 1,28 2 79,41 4,11 4,01 3 81,22 4,09 3,99 4 83,87 2,75 2,63 5 77,52 4,19 4,15 6 77,93 4,21 4,03 1,48 1,48 0,74 0,74 1,48 0,99 О, 12 0,11 0,11 0,1 1 0,06 0,172,7510,889,859,9012,6012,67 1150 С при2-5 ч. Спекание проводят по обычной керамйческой технологии в атмосфере кислорода при Т я,11501200 С в течение 2-4 ч. Поляризацию образцов диаметром 10 мм и толщиной 1 мм проводят в ПОлиэтЮСил оксановой жидкости маркй ПЭСпри Т 1 ООСф п (5-6)1 Оь В/м, Сп10-15 мин. Измерение основных злек- О трофизических параметров проводят через 24 ч после поляризации. Определение малых К( ( 0,15) проводят с учетом поправки к измеренному резонансному промежутку. Значения К оп ределяют путем измерения...

Способ контактирования контролируемого изделия и контрольного устройства

Загрузка...

Номер патента: 1635145

Опубликовано: 15.03.1991

Авторы: Бугайцов, Криворучко

МПК: H01L 21/66

Метки: изделия, контактирования, контролируемого, контрольного, устройства

...и разъединение полупроводникового диода с балочными выводами с проводниками печатной схемы осуществляют следующим образом. На печатные проводники 3 измерительной схемы на расстоянии 2 - 5 мм от места предполагаемого монтажа диода наносят две капельки (ф 60- 80 мкм) жидкого сплава металлов - индий- галлия. После этого в зазор 4 измерительной схемы устанавливают полупроводниковый диод с балочными выводами (фиг, 1). Затем с помощью иглы или волосяной кисточки смачивают капли жидкого сплава металлов зтиловым спиртом, Капли сворачиваются в шарики, которые накатывают на балочные выводы диода (фиг, 2). После испарения спирта капли жидкого сплава металлов теряют форму шариков, растекаясь,они смачивают балочнье в,во 1 ды прибора и...

Способ соединения кристалла с выводом полупроводникового прибора

Загрузка...

Номер патента: 1636879

Опубликовано: 23.03.1991

Авторы: Гарбер, Квурт, Наибов, Файнбойм

МПК: H01L 21/50

Метки: выводом, кристалла, полупроводникового, прибора, соединения

...на металлическом облуженном выводе и на полупроводниковый кристалл подают серию импульсов от генераторов измерительного и разогревающего токов. Первый импульс измерительного тока фиксирует в амплитудном детекторе с памятью величину прямого падения напряжения на разогретом кристалле. Измеритель амплитуды огибащей импульсов измерительного тока (детектор) отслеживает изменение прямого падения напряжения на кристалле при протекании через него импульсов от генера 5 10 15 20 25 ЗО 35 40 45 50 тора измерительного тока. Вычитающее устройство вычисляет разность между напряжением с детектора с памятью и напряжением с измерителя амплитуды огибающей. Эта разность является изменением падения напряжения на кристалле в процессе разогрева. Она...

Радиатор для охлаждения полупроводниковых приборов

Загрузка...

Номер патента: 1637046

Опубликовано: 23.03.1991

Автор: Буткевич

МПК: H01L 23/34, H05K 7/20

Метки: охлаждения, полупроводниковых, приборов, радиатор

...цилиндрической формы, секции 1 и 2 соединены одна с другой путем вдвижения их цилиндрических выступов 10 в пазы 13 цилиндрической формы на полную длину. В результате этого образовано установочное основание радиатора, у которого высота внешних продольных ребер равна А + В (фиг. 2), внешние продольные ребра 4 и 7 секций 1 и 2 совмещены, а канал 16 охлаждения между обращенными одна к другой поверхностями прямоугольных профилей 3 обеих секций 1 и 2 выполнен в виде открытого с противоположных сторон четырехугольного короба, а также образован внутренними боковыми поверхностями продольных ребер 10,Полупроводниковый прибор 17 может быть закреплен на установочной площадке 18 с помощью винта 19 (фиг, 2), для чего в секциях 1 и 2 выполнены...

Охладитель для силовых полупроводниковых приборов

Загрузка...

Номер патента: 1637049

Опубликовано: 23.03.1991

Авторы: Вексин, Желтухина, Шестоперов

МПК: H01L 23/34, H05K 7/20

Метки: охладитель, полупроводниковых, приборов, силовых

...охлаждающего воз 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 духа и имеют углы раскрытия равные углам наклона а 1 и а 2 горизонтальных полок 7 П- образных скоб дефлекторов 3 и 4 соответственно.Охладитель работает следующим обра зом,Для обеспечения допустимой степени нагрева полупроводникового прибора 12 от нагнетателя подается поток теплоносителя, как показано стрелками на фиг. 2, Дефлекторы 3 и 4 отклоняют все возрастающую часть теплоносителя от прямолинейного движения и направляют поток к основанию 1 охладителя, что способствует интенсификации теплообмена.Дефлектор 3 отсекает и направляет поток охлаждающего теплоносителя - воздуха для охлаждения. ограниченной его П-образной скобой части охладителя, дефлектор 4 обеспечивает забор новой...

Шихта пьезокерамического материала

Загрузка...

Номер патента: 1638134

Опубликовано: 30.03.1991

Авторы: Вусевкер, Гордиенко, Корзунова, Кудинов, Шпитальник

МПК: C04B 35/46, H01L 41/18

Метки: пьезокерамического, шихта

...материала содержит дополнительно Кго при следующем соотношении компонентов, мас.Х: Вд О 75,78-75,83; Тдог 12,23-12,25; Моо 11,01-11,03 и К О 0,90-0,96. Полученный по обычной керамической технологии из предлагаемой шихты материал имеет следующие характер тики: б/Ь 90-110, С 8 Х 0,005- 0,009; йзэ/25-27/к 10-1 г Кл/Н Тс 670 С, обратимые изменения й воинтервале от 20 до 500 С (15-17)Х.2 табл. це в среде изопропилового спирта шликер высушивают и прессуют в диски диаметром 12 мм, толщиной 2 мм, используя в качестве связки 3%-ный раствор поливинилового спирта в воде. Спекание проводят при 890-950 С с выдержкой 1 ч . На сошпифованные до толщины в 1 мм диски наносят напы лением в вакууме алюминиевые электроды. Поляризация образцов...

Теплоотвод для полупроводниковых приборов и способ его изготовления

Загрузка...

Номер патента: 1638818

Опубликовано: 30.03.1991

Авторы: Белик, Коноваленко, Огонькова, Серов

МПК: H01L 23/34, H05K 7/20

Метки: полупроводниковых, приборов, теплоотвод

...раздельноеобезжиривание порошка и основания 1в органическом растворителе, высушивают порошок и основание 1. Наносят порошок на основание 1- будущего теплоотвода и воздействуют на него магнитной системой, обеспечивающей перпендикулярность силовых линии основанию 1, В качестве магнитной системы используют набор постоянных магнитов 9, которые устанавливают со стороны основания 1, предусмотренной для подвода тепла. Пос" тоянные магниты 9 устанавливают так, что они образуют сплошную поверхность.В качестве постоянных магнитов 9 используют магниты, линия соединения полюсов которых перпендикулярна од" . ной из плоскостей магнита. Этой плоскостью магнитная плита 8 устанавливается на основание 1, в сечении эта плоскость представляет собой...

Способ определения распределения плотности состояний в запрещенной зоне аморфных полупроводников

Загрузка...

Номер патента: 1127488

Опубликовано: 30.03.1991

Авторы: Андреев, Коньков, Теруков

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: аморфных, запрещенной, зоне, плотности, полупроводников, распределения, состояний

...К Егде е - заряд электрона,Ч 1 - функция распределения плотности состояний в запрещенной зоне полупроводника,смэВэнергия, эВ;Ц(х) - профиль потенциала в ОПЗ,В.При приложении к структуре внешнего напряжения "-" на электроде 1,"+" на электроде 4 (см.фиг.1), происходит изменение профиля потенциала в полупроводнике, что иллюстрируется Фиг.З.При таком профиле потенциала плотность заряда в ОПЗ определяется выражением 25 Г.щ(х)На фиг. представлена исследуемая структура; на фиг.2 - профиль распределения потенциала в структуре с барьером Шоттки в отсутствии внешнего напряжения; на Фиг.З - профиль распределения потенциала при приложении к структуре внешнего напряжения; на Фиг. 4,5,6 - представлена временная диаграмма, разъясняющая порядок...

Кассета для транспортирования микросхем

Загрузка...

Номер патента: 1250164

Опубликовано: 15.04.1991

Авторы: Подобед, Пригожинский, Рычаго, Хомич

МПК: H01L 21/98, H05K 13/02

Метки: кассета, микросхем, транспортирования

...функциональных возможностей путем обеспечения осушки корпусов микросхем.На фиг 1 изображена кассета,общий вид; на фиг. 2 - поперечныйразрез А-А на фиг, 1; .на фиг. 3 вид Б на пазы кассеты со стороны заходных фасок ее пазов,Кассета содержит полый корпус 1,в котором размещена загерметизирован- "ная магнитная плита 2, состоящая иэпластин постоянных магнитов 3 и магнитопроводов 4 для удержания микро"схем 5 на кассете, На корпусе 1 выполнены параллельные пазы Й с отверстиями о в данкой части пазов 4 , иотверстие о для подачи сжатого воз"духа в полость Б корпуса 1сообща, 1 ощуюся с отверстиями 6 ; Крышка 6скреплена с корпусом 1 через герметизйрующую прокладку 7, На крьпщке 6иммеются базовые отверстиядля фиксации кассеты на технологичесвих...

Способ отжига имплантированных слоев кремния

Загрузка...

Номер патента: 1584649

Опубликовано: 15.04.1991

Авторы: Баязитов, Галяутдинов, Туриянский

МПК: H01L 21/268

Метки: имплантированных, кремния, отжига, слоев

...пласти. ны с толщиной 400 мкм р 10 Ом.П р и м е р .4. То же,. что,в при" меах 1-3, но в качестве источника 10 изучения для проведения антнпланариоо отжига на длине волны М0,9 мкм ийользуют лазер на кристалле ЫР (с Р-ентрами)., накачиваемый рубиновым лайнером наносекундного диапазона. 15,П р и м е р 5. То же, что в при-, мерах 1-4, но в качестве источника излучения для проведения антипланариого отжига на длине волны М 1,2 мкм исттользук 1 т на кристалле ИР (с Р"цент"20 рами , накачиваемой лазером УАСМ+Предлагаемое изобретение позволяет значительно повысить эффективность отжига имплантированных слоев кремния при облучении полупроводниковойпластины импульсом света наносекундного диапазона с антипланарной стороны, Отжиг может быть...

Устройство для контроля зарядовой стабильности полупроводниковых структур

Загрузка...

Номер патента: 1499631

Опубликовано: 23.04.1991

Авторы: Борунова, Резников, Рыскин

МПК: H01L 21/66

Метки: зарядовой, полупроводниковых, стабильности, структур

...заряда. При этомряда,на пластине оценивСоставитель К.БеленоТехред А.Кравчук едакт Корректор Н.Борисова монин Подписи Заказ 1900 ж 377 и ГКНТ СССР открытиям д. 4/5ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям 113035, Москва, Ж, Раушская ннно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул. Гагарина,оизво 3 149963 чине падения напряжения на токосъемном резисторе 6, затем по сигналу "измерение", подаваемому с управляющего выхода измерителя электрических параметров на управляющие входы переключателя 5 и элемента 7 памяти, переключатель 5 переходит в положение, при котором основание 3 соединяется со вторым входом измерителя 4 10 электрических параметров, а элемент памяти 7 запоминает величину напряжения на токосъемном резисторе б,...

Полупроводниковый прибор

Загрузка...

Номер патента: 1644258

Опубликовано: 23.04.1991

Авторы: Исхаков, Мальцев

МПК: H01L 23/34, H01L 23/48

Метки: полупроводниковый, прибор

...3 происходит постепенное осаждение порошка 5, большая часть которого опять осядет на крышку 2 или на поверхность монослоя 7. В результате уменьшается внутреннее тепловое сопротивление, а следовательно, и перегрев кристалла 3.Экспериментальная проверка предлагаемого прибора проводилась с применением микросхемы типа 198 НТ 1 В в металло-керамическом корпусе. ИС 198 НТВ представ 5 10 15 20 25 30 35 ляет собой матрицу п-р-п-транзисторов, расположенных в одном кристалле. Один из транзисторов использовался в качестве датчика температуры и подключался к вольтметру В 7-27 А, в котором предусмотрен режим измерения температуры. Другие транзисторы ИС использовались как нагревательные элементы. В качестве заполняющей диэлектрической жидкости...

Способ регистрации ик-излучения

Загрузка...

Номер патента: 1478918

Опубликовано: 23.04.1991

Авторы: Ашмонтас, Градаускас, Мармур, Оксман

МПК: H01L 31/10

Метки: ик-излучения, регистрации

...в цепи затвора на инерционность фотоответа,ра ведет к изменению сечения и проводимости канала и соответственнок изменению протекающего в цепи исток-сток тока. Заявляемый способприменим в широком температурном интервале, Высокое быстродействиеобеспечивается тем, что разогревэлектронной подсистемы отличаетсямалой инерционностью (время релак 42,сации носителей по энергии1 О с).Затвор должен быть закорочен с истоком, так как сечение канала и егопроводимость управляются не напряжением на затворе, а разогревом носителей излучением,П р и и е р, Проверка способа была проведена на кремниевых полевыхтранзисторах КП 902, КП 903, КП 302,КП 103, у которых были удалены корпу1478918 свободных носителей и отсутствуетвлияние сопротивления...

Способ получения термоэлектрического материала

Загрузка...

Номер патента: 882361

Опубликовано: 30.04.1991

Авторы: Орлов, Хвостанцев

МПК: H01L 35/16

Метки: термоэлектрического

...является малая величина дав 5ления, воздействующего на образецтеллурида висмута р-типа, и незначительное при этом увеличение добротности, которое не позволяет увеличитьк.п.д. пары ВдЯЬ и - типа и В 1 Те 3р - типа вьше 12-157Целью изобретения является увеличение добротности теллурида висмутар - типа,Поставленная цель достигается тем, 15что монокристалл теллурида висмутар - типа с концентрацией носителейзаряда 5 10 см- - 2 10 см-" под 8 16вергают воздействию гидростатическогодавления в диапазоне 15 - 65 кбар.,Термоэлектрические характеристикителлурида висмута изменяются под дей,ствием давления таким образом, чтодобротность материала возрастает поддавлением,25П р и м е .р 1. Образец теллуридависмута р-типа с концентрацией носителей и =...