H01L — Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам

Номер патента: 453539

Опубликовано: 15.12.1974

Авторы: Буткевич, Васильев, Кдзандед, Полищук

МПК: F25D 3/10, H01L 23/34

Метки: криостат, лучистой, охлаждаемого, приемника, энергии

...50 - 200 мкм, ц надежно охлаждап чувствительный элемент. 25На чертеже показан описываемый криостат.Чувствительный элемент 1 приемника лучистой энергии защищен окном 2 и укреплен на дне 3 наружной оболочки сосуда Дьюара. Упругий холодопровод 4 обеспечивает тепло вои контакт наружнои оболочки с дном 5 внутренней оболочки и размещен внутри вакуумной полости 6. Снаружи криостат окружен защитным корпусом 7, через стенки которого пропущены токовводы 8. Источник холода находится в полости 9.При работе криостата дно 5 внутренней оболочки охлаждается источником холода, размещенным в полости 9. По холодопроводу 4 через окно 2 тепловое возмущение проникает к чувствительному элементу 1, охлаждая последний. Так как чувствцтельныц элемент...

Номер патента: 453640

Опубликовано: 15.12.1974

Авторы: Бадинтер, Гелль, Кишиневский, Любчак, Старуш

МПК: G01R 19/03, H01L 35/00

Метки: бесконтактный, термопреобразователь

...оттоком тепла по проводам термопары.Это достигается тем, что в предлагаемом термопреобразователе на прилегающих к термопаре участках нагревателя стеклянная изоляция заменена покрытием из металла с высокой теплопроводностью, например серебра, на поверхность которого нанесено второе покрытие из диэлектрического материала,На чертеже показан описываемый термопреобразователь.На резистивную жилутеля нанесено покрытиекой теплопроводностью,Проводящий матер иатермопары 4 и 5 не имее такта с покрытием 2, Стеклянная изоляция 6 нанесена на резистивную жилу в месте сная термопары. Защитный слой диэлектрического материала 7 нанесен на покрытие 2.5 При прохождении электрического тока через нагреватель термопреобразователя в месте сная термопары...

Номер патента: 453764

Опубликовано: 15.12.1974

Автор: Нов

МПК: F17C 3/02, H01L 39/00, H02G 1/00 ...

Метки: охлаждаемый, токоввод

...Это достигается тем, что корпус токоввода снабжен приводом для сообщения ему вращательного движения, а завихрители выполнены в виде плоских лопаток и закреплены на корпусе.Турбулизация охлаждающего газового потока лопатками при вращении корпуса увеличивает теплоотвод от поверхности токонесущего элемента.На фнг. 1 показан предлагаена фиг. 2 - то же, разрез поТоковвод содержит корпус 1,го размещен токонесущии элевки 3, завихряющие поток газа,крепленный на корпусе. Уплотни5 и б предотвращают утечку газкриогенного устройства 7 с устанем опорой вращения 8. Электрдается к токовводу через шинучерез шину 10.Корпус 1 токоввода приводитс10 ние при помощи шкива 4. Упузел 5, одновременно являющийсдает возможность корпусу вращтельно неподвижного...

Номер патента: 454624

Опубликовано: 25.12.1974

Авторы: Алексеев, Веденов, Мельникова

МПК: H01F 6/00, H01L 39/12

Метки: коммутирующее, сверхпроводящее

...для размыкателя использованы керметы на основе сверхпроводящего металла и высокоогнеупорного диэлектрика, например на основе МЬ и А 1,0 з, Как показали проведенные исследования, такие керметы обладают сверхпроводящими свойствами и большим удельным сопротивлением перед сверхпроводящим переходом. Это позволяет значительно снизить расход дорогостоящей металлической проволоки из сверхпроводящего металла при изготовлении сверхпроводящего размыкателя, а также значительно упростить переход размыкателя из сверхпроводящего состояния в нормальное вследствие уменьшения размеров размыкателя. Сверхпроводящие свойства керметов на основе сверхпроводящего металла и высокоогнеупорного диэлектрика, например на основе Ю и АгОз приведены в таблице.454624...

Номер патента: 456203

Опубликовано: 05.01.1975

Авторы: Лауринавичюс, Пожела

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: концентрации, носителей, полупроводниках

...15 резонанса и помещенного между полюсами 14,15 электромагнита.При измерении концентрации носителей тока с помощью электромагнита в исследуемом образце 1 создают магнитное поле, а через су женный коленец прямоугольного волновода 5возбуждают геликонную волну в определенном месте образца 1. Изменяя напряженность магнитного поля, добиваются возникновения геликонного резонапса в образце 1, что прояв ляется в уменьшении сигнала, отраженного отобразца, до минимального значения. Отраженный сигнал через ответвитель 7 поступает к детектору 10, где детектируется и подается па вход усилителя 11. С выхода усилителя 30 сигнал поступает на У-вход двухкоординатно456203 го самописца 12, На Х-вход самописца пода- рядок геликонного резонанса; вт,...

Номер патента: 457941

Опубликовано: 25.01.1975

Авторы: Левитас, Рагаускас

МПК: H01L 21/66

Метки: кривой, поверхности, полупроводников, поля, электромагнитного, эффекта

...последовательно с выходом генератора сигнала и полевым электродом.На чертеже изображена функциональнаясхема устройства.5 Предлагаемое устройство состоит из полевого электрода 1, расположенного вблизи поверхности полупроводникового образца 2, который подключен к источнику постоянного тока 3 и одному входу двухмерного выходного О прибора 4, и генератора сигнала 5, соединенного последовательно с отрицательной емкостью б и полевым электродом 1, а также со вторым входом выходного прибора 4.Предлагаемое устройство действует следу ющим образом.При подаче сигнала генератора 5 на полевой электрод 1 через поверхность образца 2 протекает ток сигнала, Падения напряжения на отрицательной емкости б и на емкости за зора между полевым...

Номер патента: 458062

Опубликовано: 25.01.1975

Авторы: Морозов, Петров

МПК: G01R 1/067, G01R 31/26, H01L 21/66 ...

Метки: диэлектрических, емкостных, зонд, полупроводниковых, структур, характеристик

...лемент 3, с 2. аботает сл я емкостных харак х и полупроводник полусферу 1, втулк оединяющий полусф м образом,Изобретение относится к электронике и может использоваться для исследования полупроводниковых и диэлектрических структур.В настоящее время С(Р) -характеристики снимаются при помощи контактных металлических пленок, напыленных или осажденных на поверхность структуры полупроводник-диэлектрик.Однако использование известных контактных пленок не обеспечивает контроля пара метров образца до напыления в процессе обработки и невозможность снятия С-характеристик в любой точке образца. Помимо этого, сам процесс напыления пленочного контакта может изменять свойства структуры, что 1 затрудняет процесс исследования.Целью...

Номер патента: 458904

Опубликовано: 30.01.1975

Авторы: Васина, Колмакова, Раснецова

МПК: H01L 21/465

Метки: кварца, матирования, поверхности, раствор

...кварца с повышенным классом чистоты (10 - 12), увеличение выхода годных изделий по фотоэлектрическим т 1 араметрам, 30 Предлагаемыи раствор, не о я разрушительным действием на фоторе р, позволяет получить штрихи до 0,03 м беспечивает высокую однородность мат р иной поверхности.Раствор для матирования приготовляют дующим образом.Концентрированную (35 - 377 о-ную) соляную кислоту разбавляют водой в два раза и заливают в два сосуда (фторопластовые стаканы) по 100 - 120 мл. Небольшими порциями при помешивании в один сосуд добавляют 90 - 100 г фтористого калия и в другой 180 - 200 г фтористого аммония, далее содержимое обоих сосудов сливают, получая насыщенный раствор фторидов с большим количеством извести, равномерно распределенной по...

Номер патента: 459817

Опубликовано: 05.02.1975

Авторы: Воинов, Иванов, Сухотерин

МПК: H01L 21/782

Метки: многослойных, пластин, разделения

...структур) защищают химически стойким по крытием 4 и подвергают травлению в травителе, содержащем плавиковую, азотную и уксусную кислоты, до появления на обратной стороне (на поверхности поликристаллического слоя) рисок 5,20 Установлено, что риски расположены строгопод дорожками на лицевой стороне, по которым проводят скрайбирование известным способом.Появление рисок в результате травления 25 можно предположительно объяснить различной плотностью поликристаллической подложки, Как известно, при изготовлении интегральных схем на поверхности исходной монокристаллической пластины изготавливают систему 30 разделительных каналов, а затем после окисления рельефа производят наращивание поликристаллического слоя. Поскольку осаждение происходит...

Номер патента: 465602

Опубликовано: 30.03.1975

Авторы: Евстропов, Именков, Попов, Царенков

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: величины, заряда, объемного, перехода

...изоб ения Способ определения велич 10 заряда р - п-перехода путем экспериментальной зависимос кающего в прямом направле переход, от времени в интер ном моментом включения ток 15 реход и моментом окончания ной емкости, о т л и ч а ю щ и " целью снижения трудоемкос тегрирования, регистрируют ния зарядки барьерной емко 20 во времени током по момент минесцентного излучения р -Изобретение относится к способам определения величины объемного заряда.Известен способ определения величины объемного заряда р - п-перехода путем интегрирования зависимости тока от времени при изменении напряжения на р - и-переходе.Недостатком известного способа является невозможность фиксации момента равенства нулю объемного заряда по моменту начала уменьшения...

Номер патента: 468198

Опубликовано: 25.04.1975

Авторы: Алиев, Амурбеков, Крылов, Митрофанов

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: неоднородности, полупроводников

...попадает на третью ПТК 12,При наложении на образец импульсного магнитного поля с частотой 50 гц в каждой точке исследуемого полупроводника происходит поворот плоскости поляризации 15 проходящего излучения. Угол поворота плоскости поляризации пропорционален локальным концентрациям свободных носителей в зондируемом объеме. В результате на третью ПТК 12 попадает излучение, моду- р) лированное в плоскости, перпендикулярной оптической оси, по интенсивности, несущее информацию о координатном распределении свободных носителей в образце. На первую ПТК 7 попадает излучение, несущее информацию об отражении, а на вторую ПТК 8- о поглощении в исследуемом образце.При включении трехконтактнцио включателя 18 сигналы с выходов ПТК подаются на...

Номер патента: 468351

Опубликовано: 25.04.1975

Авторы: Бондаренко, Иванов, Плужников, Стецюк

МПК: H01L 41/047, H03F 7/00

Метки: параметрический, усилитель

...анизотропиу схожести, необходимаи дли точного ВиполнеФйи условкй синхронизма (1), моФет бить вжучена путем изменении поляризации звуйопровода в области взаимодей-Щ ствия. Коэффициент ускиении при етом мак ИМалеп. В предложенном усилителе изменение поыЛЩИЗании ДОСТИГ 86 тСИ ПРИ ПОМОЩИ ДВУХ Домеполнительных систем параллел.ьнйх короткоз а мину тьхж эл ектр О дОВу между котор ым и на"одитси Область взаимодействии ахустических поверхностных Волн сигнала и накачки.Постоанное напряжение, подаваемое на еле%трод, создает требуемую при заданном угле между акустической поверхностной Ва,ной накачки и сигнала анизотропию скорости, Если период системы электродов д удов;летвориет условию БратаЫ 609 АМгде 3 длина водны накачки,угол падении водны,6...

Номер патента: 473132

Опубликовано: 05.06.1975

Авторы: Касперович, Пыж

МПК: H01L 21/66

Метки: измерителю, параметров, подключения, приборов, электронных

...соединены с логическим устройством.Схема предложенного устройства пр а 5 на чертеже.Исследуемый прибор (ИП) устанавливается в узел подключения 1. 11 ри этом электроды 2 и 3 прибора замыкают рабочий контакт 4 с контрольным контактом 5, а рабочий кон такт б - с контрольным контактом 7. Логическое устройство 8 подает запускающий сигнал на вход первого усилителя-формирователя 9, С выхода усилителя-формирователя 9 сигнал через импульсный трансформатор 10, 15 разделительные диоды 11, 12, контакты 4, 5 иэлектрод 2 поступает на вход второго усилителя-формирователя 13. Прохождение этого сигнала возможно только при наличии электрического контакта между электродом при бора и рабочим контактом. Так же осуществляется связь между вторым 13 и третьим...

Номер патента: 474519

Опубликовано: 25.06.1975

Авторы: Алешин, Гавриляченко, Данцигер, Девликанова, Дудкина, Клевцов, Лаврикова, Панич, Разумовская, Рогач, Фесенко, Чепцов

МПК: C04B 35/491, C04B 35/499, H01L 41/187 ...

Метки: материал, пьезокерамический

...пъезоэлектри)ескиЙ матсриал на основе твердык растворов, содержащих РЬТ)Оз, РЬУгО, и РЬЮ), В)гО-.де В - или Мд, или %, цли Хп.Однако известный материал характеризуется 1)едостаточцо зысокими пьезоэлектрическими параметрами.Целью изобретения является позы пение коэффициента электромеханической связи и пьезомодуля материала.Для этого в материал дополнительно вводят РЬЯЬ)ЮЬ), О, прц следугющем соотно 15 ц)енин компонентов, мол. Оо. РЬТ) О. 40,0 - 50,0 РЬХгОз 38,32 - 48,13РЬЖ) Х)1),0., 4,56 - 1",71 РЬЯ) );.ХЬ), О, 158 - 421 а также в следующем составе:РЬТ 1 О, 37,О - 50,0 РЬХгО. 37,33 - 47.09 РЬ)Хп) О, 5,55 - 15.54РЬ 5 Ь ХЬ,:.(1, 1.57 - 4,13Синтез составов прозодптся )то обычной керамической технологии в защитной атмосфере РЬО....

Номер патента: 475691

Опубликовано: 30.06.1975

Автор: Коротков

МПК: H01B 5/14, H01L 23/02

Метки: диода, патрон, туннельного

...генерации достигается выполнением контактных элементов в виде колпачков с винтовой нарезкой, установленных ца металлических вкладышах, между которыми размещена токопроводящая шайба, отделенная от одного из вкладышей диэлектрической прокладкой.На чертеже изображен описываемый патдиода в схему, вып3 с винтовой нарезкталлических вкладыудерживаются в обоконтакт между вклада обеспечивается вшами размещена швкладыша 4 диэлекОбкладками кондедиод, служат шайбаАналогично можедля диода, которыйной генерации шунтсопротивлением. тзоб ет Предметр енияПатрон для туннельного диода, выполненный в виде цилиндрической обоймы, с противоположных сторон которого размещены коц- О тактные элементы, служащие для включениядиода, о т л и ч а ю щ и й с я...

Номер патента: 476713

Опубликовано: 05.07.1975

Авторы: Ильин, Куров, Салохин, Цветаев

МПК: H01L 41/047, H04R 17/00

Метки: пьезоэлектрический

...полупроводник, изолятор и палевой электрод, подвержены электрическим наводкам и имеют недостаточную чувствительность.Цель изобретения -величение стабиль О ности и чувствительности преобразователя. Это достигается тем, что преобразователь содер;кит металлический экраннр) ОнИЙ электрод, нанесенный на пьезодиэлектрический слой,Г11 я чертеже изобрд)кен цреаарязовя Гель.Г 1 реабразаватель содержит диэлектр 1 иеск 1 О над.10)кк 1, элесктрад затвора 2, слой нзо,151- тора 3, электрод истока 4, электрод стока 5, слой полупроводника 6, диэлектрический слой )О 7, экрянирующий электрод 8, источник управляющего потенциала 9, источник напряжения 10 и нагрузачное сопротивление 11,Преобразователь работает следующим ооразом. Когда между затвором 2...

Номер патента: 480029

Опубликовано: 05.08.1975

Авторы: Иванов, Манаенков, Седов, Урывский

МПК: H01L 21/66

Метки: концентрации, пластине, полупроводниковой, примесей

...фаз поперечной компоненты отраженной и падающей волны;6- разность фаз параллельной компонентыРаспределение концентрации примеси по толщине полупроводниковой пластины определяют следующим ооразом. Образец с неизвестным распределением примеси помещаюв приставку НПВО и, посылая на образец излучение меняющейся длины волны от мо. нохроматора, регистрируют изменение относительной разности фаз отраженной и падающей волн. Изменение фаз компонент отраженной и падающей волн определяют по форму- лам 25)з 1 п" О, - ии-созе - (2)2 я и 30 б созОпзд 1 яп 6 пд и2 зг иГлубину проникновения излучения можно определить как расстояние от границы раздела двух сред до того уровня, на котором амплитуда электрического поля уменьшается в 1 раз Лггр - (4)2...

Номер патента: 480144

Опубликовано: 05.08.1975

Авторы: Орлов, Пергунов, Симакин, Ушаков

МПК: H01L 21/66

Метки: лентоносителе, параметров, полупроводниковых, приборов, электрических

...головки неподвижно установлен профильный кулачок 6. Предметный столик 7 выполнен с вырубным штампом 8. В столике 7 имеется паз 9 для прохода контролируемого прибора, а перпендикулярно ему в п 10, в котором по шаровым опорам 11 перемещается П-образный упор 12 (фиг. 2), соединенный с рычагом 13 через толкатель 14, взаимодействующий с профильным кулачком 6. Рычаг 13 подпружинен к корпусу посредством пружины 15 (фиг, 3).Для зажима и фиксации лентоносителя в определенном положении на позиции измерения полупроводникового прибора в устройстве используются два механизма зажима.Устройство работает следующим образом.При включении привода перемещения лентоносителя - шагового механизма (на чертежах не показан) полупроводниковый прибор с...

Номер патента: 481863

Опубликовано: 25.08.1975

Автор: Каплан

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: времени, измерителя, постоянной, проверки, транзисторов, эталон

...Однако ему свойственна низкая точость измерений после проверки из-за еэквивалентности К и С параметрамэт эт ния - повышение точноодиапазона измерений. то тем, что конденсатор1 клеммами коллектора и между клеммами эмиттетного устройства.едена схема эталона, а подключения его к изр ЯЭталон содержтт конденсатор 1, резисто ,2 и контактное устройство 3 (ЕСВ).Контактное устройство 4 измерителя содержит паразитную индуктивность 5,паразитную емкость 6, разъем 7 дляподключения высокочастотного генератора,разъем 8 для подключения вольтметра,контактные гнезда 9 для подключения эталона,Для проверки измерителя эталон подключается к контактному устройству 4.На разъем 7 подается сигнал от генератора. Вольтметром через разъем 8 измеряютсигнал помехи....

Номер патента: 482423

Опубликовано: 30.08.1975

Авторы: Дидковская, Климов, Савенкова

МПК: C04B 35/01, C04B 35/499, H01L 41/18 ...

Метки: материал, пьезокерамический

...имеет сравнительно низкую температуру Кюри (98 - 135 С), что ограничивает область рабочих температур.Целью изобретения является, повышение температуры Кюри, увеличение пьезомодуля А 1 и коэффициента электромеханической связи.Для этого дополнительно вводят ХгОг и, по крайней мере, один окисел трехвалентного эле мента из группы В, А 1, Ста, ЬЬ, В 1, 1.а, Мп, Сг, Со, % при следующем соотношении указанных компонентов, мол, %:РЬО П р и м е р. Для получения 100 г пьезокера ического материала состава РЬО 55,25; ГегО ЬгО, 6,63; Т 10 г 13,81; ХгОг1.40 2,76 готовят шихту сосщих компонентов, г; РЬСОз 82,1 ГегОз 4, МгОв 9, Т 10 г 6,1482423 Предмет изобретения Составитель А. Букуемский Редактор Т, Пилипенко Техред Т. Курилко Корректор Н....

Номер патента: 482837

Опубликовано: 30.08.1975

Авторы: Думаневич, Челноков

МПК: H01L 21/761

Метки: тиристор

...тем, что структура тиристора изготовлена па кремнии с почти собственной проводимостью. Прилегаюгцпе к широкой базовой области р - и-переходы обладают повышенной скоростью рекомбинации, а следовательно, коэффициенты передачи тока у соответствующих триодов малы. При примыкании области объемного заряда к р - тг-переходу увеличение тока через структуру не происходит, так как имеет место большой ток утечки в р - и-переходе ПзРаспределение напряженности электрического поля в области р - 1 т-перехода, изготовл=нного,на кремнии с собственной проводимостью, почти линейно без четко выраженного максимума (у существующих тиристоров максимум обязательно имеется) .Критическое значение напряженности электрического поля Е,р, при котором наступает...

Номер патента: 270080

Опубликовано: 15.10.1975

Автор: Водаков

МПК: H01L 21/306

Метки: высокотемпературном, защиты, карбида, кремния, поверхности, травлении

...Метод вакуумного напыления позволяет получать слои любой толщи 15 ны и на большом числе монокристаллов заодин технологический цикл. Кроме того, используя маски, можно непосредственно принапылении получать слои нужной конфигурации.20 Если необходимо получить очень точный рисунок с резкоочерченными краями (с микронной точностью), его вытравляют фотолитографическим способом. Наиболее прочно скрепленные с поверхностью и плотные слои алю 25 миния (толщиной 1 р и выше) получают привакууме не уже 10 - 4 тор и температуре кристаллов карбида кремния 5700 - 6100 С, причем алюминий в виде гусариков подвешиваютна вольфрамовой спирали, нагреваемой при270080 Предмет изобретения 15 Составитель М, Сорокина текоед Т. Мп;:онова Редактор Б, федотов...

Номер патента: 489049

Опубликовано: 25.10.1975

Авторы: Жебрюнайте, Левитас, Пожела, Сталерайтис

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: носителей, поверхностной, полупроводников, рекомбинации, скорости

...поле; .ае 4 гостоянные,Способ измерения скорости поверхности й рекомбинации заключается в следуюшем,Под воздействием силы Лоренц, процор 25 циональной величине силы ток е 7 и и,., ТИ МВГНИ ТНОГО ПОЛЯ .Г И НВПРВВ,.);1 ендйкул)ярно К ГраНЯМ 1 скороСТЬ-"ной рекомбинации на ОднОЙ из ,;ется) а на противополоиной соз);)Вст с болу цюй с: о о)т ю реком ) 5у этих граней происходит о кло:- . ;Ины кс пснтрации носи. елей отНОЙ. 1.".) Е;ПГ 1 ИЕ В ОТК ЛОНЕ Ь.5 и, М 8%С КРатг)Д ЭКСПОЕЬЦИЬНО ): МЕНбидот, апой диффузии,,.и О)В).с;с.Г)рот;:ь),поло;кн)ыми Гэ)ая:;м)р н;" ,.ревышаюшем длину биполярной диф:, ."рость пдве)эхностнОЙ рекскоинВцииГРВН-.Й, ОПРЕДЕЛЯЮИ в ;и ВМЕСТЕ:,)и гарамеграми полупроводника "ной силы Лоренца величину от".онцентрации от...

Номер патента: 489050

Опубликовано: 25.10.1975

Авторы: Кириллов, Шатило

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: времени, рассасывания, транзисторов

...лабоио.раториях при разработке импульсных схемна транзисторах.1 В известном устройств. при иэм времени рассасывания транзисторов мер, поря;,ка 10 нсек и меньше,фо Р ние подаваемого в базу транзистор да тока с очень малой длительност него фронта сложно. Например, для ния 1 с погрешностью не рвс, напри рмн рова пегепвю передиэмере 10% хуже диего фронта пере нсек. Однако о репвдов базового то ими параметраминьц кв иевозм Цель изобретения - упростить устройст-во для измерения времени рассасываниятрвнзис горов, повысить точность измеренийи уменьшить его габариты и стоимость,Это достигается тем, что б."ок формирования испытательного сигнала выполнен в рЕ виде кольпевого генератора, состоящего изоднотипных логических схем, И-ИЛИ-НЕ,...

Номер патента: 490047

Опубликовано: 30.10.1975

Авторы: Денисюк, Копыл

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: полупроводниковых, потенциально-нестабильных, приборов

...полупроводниковых диодов и транзисторов путем измерения интенсивности шумов. В известном способе измеряется интенсивность шумов в эксплуатационном режиме и при приложении к прибору обратного напряжения, По отношению результатов измерения судят о потенциальной стабильности приборов.Недостатком известного способа является невозможность обнаружения объемных дефектов, например микротрещин, неоднородностей материала и ограниченность применения только для испытаний транзисторов и диодов.Целью изобретения является повышение достоверности и расширение функциональных возможностей измерений.Цель изобретения достигается тем, что после измерения интенсивности шумов в эксплуатационном режиме пропускают через испытуемый прибор импульс тока, в 1,5 - 5...

Номер патента: 494708

Опубликовано: 05.12.1975

Авторы: Лебеденко, Лубяный

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: автомат, варикапов, комплекты, подбора

...устойчивое 5состояние, Если емкость контролируемого варикапа превышает емкость эталонного, в первьш полупериод контроля срабатывает первый триггер 9, во второй полупериод - второй триггер 9; если же емкость эталонного варикапа превышает емкость контролируемого,в первый полупериод контроля срабатываеттретий триггер 9, во второй полупернод -четвертый триггер 9.К прямым и инверсным выходам триггеров 159 подключена группа логических схем И 10и ИЛИ 11 так, что в случае более гысокойемкости контролируемого варикапа сравнительно с емкостью эталонного в первый полупериод или в первьш и второй полупериоды 20возникает сигнал на одном из выходов, к которому подключено одно из исполнительныхустройств 12. Исполнительное устройство направляет этот...

Номер патента: 496515

Опубликовано: 25.12.1975

Автор: Наливайко

МПК: H01L 21/66

Метки: времени, высокоомных, жизни, носителей, полупроводниковых, свободных, сопротивления, удельного

...резонансная частота резонатораО(рабочая частота при проведении измерений).В известном устройстве точность измерения снижаетея из за наличия неконтролируемых зазоров между штырем резонатора и исследуемым образцом, которые уменьшают коэффициент включения образца в резонатор.Целью изобретения является повышение точности измерений, Она дос 1 игается тел 1, что торец емкостного штыря в измерительном резонаторе выполнен сферическим,На чертеже изображен измерительный резонатор описываемого устройства с номешенным в него исследуемым образцом,Резонатор образован отрезком волновода 1, емкостным штырем 2, введенным в волновод 1 через его широкую стенку, и снабжен элементами 3 и 4 связи, служашило 1 для ввода и вывода энергии СВЧ колебаний. Торец 5...

Номер патента: 497267

Опубликовано: 30.12.1975

Авторы: Вусевкер, Гурвич, Епремян, Крамаров, Морданов, Файнридер

МПК: C04B 35/462, H01L 41/187

Метки: керамический, материал

...и пьезоэлектрических характеристик. Обратимые и необратимые изменения пьезочувствительности при воздействии одноосного механического сжатия, приложенного вдоль оси поляризапии, становятся очень большими и материал полностью теряет пьезоактивность.Цель изобретения - повышение стабильности значений пьезоэлектрического коэффициента Й, при повышенных температурах и механических нагрузках,(53) УДК 666,655(088,8)100 11 11 0,029 0,022 0,025 0,250,450,7 20 Предмет изобретения Составитель Н. Соболева Техред 3. ТараненкоРедактор А. Купрвкова Корректор М. Лейзерман Заказ 62 1, 8 Изд.1077 Тираж 648 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д,...

Номер патента: 497633

Опубликовано: 30.12.1975

Авторы: Аугустинайтис, Рагульскис, Славенас, Улозас

МПК: H01L 41/09, H02N 2/12

Метки: электропривод

...и соприкасаются с валом 1.Электропривод работает следующим образом,5 Разомкнутые пьезокерамические кольца 2,3 и 4 питаются переменным напряжением,Благодаря обратному пьезоэлектрическомуэффекту свободные концы разомкнутых пьезокерамических колец 2, 3 н 4 колеблются и10 вместе с подвижным узлом в виде вала 1 совершают движения, направленные к касательной окружности подвижного узла в видевала 1 (показать стрелками а, в и с). Во время одного полупериода напряжения получает 15 ся одновременное движение точек, касания А,В и С по направлению, указанному стрелкамиа, в и с, вследствие чего разомкнутые пьезокерамические кольца 2, 3 и 4 свободнымиконцами прижимаются к подвижному узлу20 в виде вала 1 и поворачивают его по направлению,...

Номер патента: 498576

Опубликовано: 05.01.1976

Автор: Браташевский

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: легированном, массы, микроволнового, носителей, полупроводнике, эффективной

...- упрощение и повышение точности измерения.Цель изобретения достигается благодаря тому, что исследуемый полупроводник помещают в электрическое циркулярно поляризованное микроволновое поле и направленное перпендикулярно плоскости поляризации постоянное магнитное поле, изменяют напряженцость постоянного магнитного поля до тех пор, пока включение и выключецце модуляции концентрации носителей тока не будет вызывать изменения действительной части диэлектрической постоянной полупроводника, и прц данной величине напряженности определяют эффективную массу.Заказ 229/698 Изд.201 Тираж 1029 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытийТип. Харьк. фпл. пред. сПатент После подстановки выражения...