H01L — Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам

Номер патента: 1400387

Опубликовано: 30.06.1994

Авторы: Кузнецов, Нарышкин

МПК: H01L 21/324

Метки: диффузии, интегральные, кремниевые, микросхемы, полупроводниковые, приборы

СПОСОБ ДИФФУЗИИ В КРЕМНИЕВЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ И ИНТЕГРАЛЬНЫЕ МИКРОСХЕМЫ, включающий диффузию фосфора с последующим отжигом при понижении температуры до 650oС, отличающийся тем, что, с целью улучшения электрофизических параметров за счет снижения концентрации генерационно-рекомбинационных центров, отжиг проводят при понижении температуры от температуры диффузии со скоростью 2 - 4 град/мин.

Номер патента: 1519476

Опубликовано: 30.06.1994

Авторы: Акопян, Батаков, Костенко

МПК: H01L 39/16

Метки: ключ, сверхпроводящий

1. СВЕРХПРОВОДЯЩИЙ КЛЮЧ, содержащий токонесущий элемент из бифилярно уложенных слоев фольги сверхпроводника второго рода с изоляционными прокладками между слоями, отличающийся тем, что, с целью повышения токонесущей способности сверхпроводящего ключа и улучшения его стабильности, на участках перегиба токонесущего элемента по всей поверхности уложены и прижаты к нему экраны из сверхпроводящего материала.2. Ключ по п.1, отличающийся тем, что экраны из сверхпроводящего материала приклеены по всей поверхности на участках перегиба токонесущего элемента.

Номер патента: 1632298

Опубликовано: 30.06.1994

Авторы: Гвоздев, Наконечный

МПК: H01L 23/34

Метки: охладитель

ОХЛАДИТЕЛЬ, содержащий теплоотводящее основание с установленным на нем с обеспечением теплового контакта с его поверхностью набором параллельных цилиндрических спиралей из проволоки с противоположными направлениями навивки, вставленных витками одна в другую, отличающийся тем, что, с целью улучшения массогабаритных характеристик и повышения эффективности охлаждения, витки спиралей в местах их контактов с основанием срезаны по плоскости параллельно указанной выше поверхности основания, при этом высота среза витка находится в пределах 0,08 - 0,15 диаметра проволоки спирали.

Номер патента: 1526508

Опубликовано: 30.06.1994

Авторы: Горлов, Кальянов, Тетерьвов

МПК: H01L 21/00

Метки: двухкоординатный, стол

1. ДВУХКООРДИНАТНЫЙ СТОЛ, содержащий основание, продольную каретку с направляющими, закрепленными на основании, поперечную каретку с направляющими, закрепленными на продольной каретке, шаговые приводы продольной и поперечной кареток, выполненные в виде пневмо- или гидроцилиндров с подвижными в осевом направлении ползунами с установленными в них с возможностью поперечного перемещения поводковыми штырями, и шаговые рейки продольной и поперечной подач, неподвижно закрепленные на каретках, отличающийся тем, что, с целью расширения эксплуатационных возможностей, он снабжен дополнительным приводом в виде пневмо- или гидроцилиндра с ограничителями его хода, при этом шток дополнительного привода совмещен со штоком основного привода продольной...

Номер патента: 1526522

Опубликовано: 30.06.1994

Авторы: Бехтерев, Десятков, Путырина, Рассадина

МПК: H01L 27/142

Метки: фоточувствительное

ФОТОЧУВСТВИТЕЛЬНОЕ УСТРОЙСТВО, содержащее линейку МДП-фотоэлементов, расположенных на общей подложке, сдвиговый регистр с адресными шинами, линейку ячеек, каждая из которых содержит транзистор сброса, инвертор и адресный транзистор, шину смещения, шину питания, шину импульсного питания, выходную шину, причем вход инвертора каждой ячейки соединен с соответствующей адресной шиной сдвигового регистра, а выход инвертора подключен к затвору транзистора сброса, сток которого соединен с шиной смещения, а исток подключен к затвору соответствующего фотоэлемента, затвор первого адресного транзистора каждой ячейки соединен с соответствующей адресной шиной сдвигового регистра, отличающееся тем, что, с целью повышения точности путем снижения величины...

Номер патента: 1235421

Опубликовано: 30.06.1994

Авторы: Карташев, Корнилов, Кузнецов, Куликов, Хатунцев

МПК: H01L 27/148

Метки: зарядовой, многоэлементная, связью, схема, фоточувствительная

МНОГОЭЛЕМЕНТНАЯ ФОТОЧУВСТВИТЕЛЬНАЯ СХЕМА С ЗАРЯДОВОЙ СВЯЗЬЮ, содержащая полупроводниковую подложку с электродами управления и фоточувствительными элементами, отличающаяся тем, что, с целью повышения надежности, над электродами управления и фоточувствительными элементами последовательно размещены изолированные от них слоем диэлектрика прозрачный электропроводящий слой, электролюминесцентная пленка, изолированные друг от друга электроды и слой фотосопротивления, прозрачный электропроводящий слой, пространство между электродами заполнено изолятором, причем электроды и изолятор непрозрачны в области спектральной чувствительности схемы.

Номер патента: 1238701

Опубликовано: 30.06.1994

Авторы: Алфеев, Гуськов, Гуторов, Карасев, Колотков, Ларионов, Оборотов

МПК: H01L 27/10, H04N 5/335

Метки: зарядовой, оптико-электрический, приборе, связью

ОПТИКО-ЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ НА ПРИБОРЕ С ЗАРЯДОВОЙ СВЯЗЬЮ, содержащий параллельные столбцы переноса заряда, в разрывах которых расположены переключающие электроды, отличающийся тем, что, с целью повышения разрешающей способности, переключающие электроды в каждом столбце разделены на две части, изолированные областью стоп-диффузии, при этом первый и вторые части переключающих электродов соединены соответственно первой и второй управляющими шинами , а область стоп-диффузии смещена в поперечном направлении на половину расстояния между столбцами переноса заряда.

Номер патента: 1478924

Опубликовано: 30.06.1994

Авторы: Акопян, Батаков, Костенко

МПК: H01L 39/16

Метки: ключ, сверхпроводящий

СВЕРХПРОВОДЯЩИЙ КЛЮЧ, содержащий токонесущий элемент из бифилярно уложенных слоев фольги сверхпроводника второго рода с изоляционными прокладками между слоями, отличающийся тем, что, с целью повышения удельной разрывной мощности и надежности, слои токонесущего элемента выполнены переменной ширины, причем места перегиба слоев имеют большую ширину по сравнению со средней частью слоя.

Номер патента: 1752142

Опубликовано: 15.07.1994

Авторы: Барабанов, Матвеев, Мещеряков

МПК: H01L 21/82

Метки: p-канальных, бис, мдп

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ P-КАНАЛЬНЫХ МДП БИС, включающий нанесение на кремниевую подложку слоя нитрида кремния, вскрытие в нем окон, противоинверсионное легирование кремния, формирование фоторезистивной маски для получения активных областей, легирование активных областей, формирование полевого и подзатворного оксида кремния, создание контактной металлизации и межсоединений, отличающийся тем, что, с целью изготовления интегральных схем с повышенным уровнем напряжения питания за счет повышения пробивных напряжений активных областей и пороговых напряжений паразитных транзисторов, окна в слое нитрида кремния вскрывают только над полевыми областями, проводят противоинверсионное легирование только на участках полевых областей, выращивают полевой...

Номер патента: 743502

Опубликовано: 15.07.1994

Авторы: Докучаев, Кузнецов, Пресс

МПК: H01L 27/148

Метки: зарядовой, матрица, приборов, связью, фоточувствительная

ФОТОЧУВСТВИТЕЛЬНАЯ МАТРИЦА ПРИБОРОВ С ЗАРЯДОВОЙ СВЯЗЬЮ, содержащая подложку, фоточувствительные элементы, p-n-переходы с контактными площадками, отличающаяся тем, что, с целью уменьшения части площади фоточувствительной матрицы, не участвующей в формировании изображения, контактные площадки размещены на неосвещаемой стороне подложки, а p-n-переходы под ними выполнены V-образной формы.

Номер патента: 1634054

Опубликовано: 15.07.1994

Авторы: Зайдлин, Зайцев, Кононов, Красников, Нестеров

МПК: H01L 21/316

Метки: кремниевых, окисления, подложек

...для ввода окислителя, щелью 4, отверстиями 5 и 6 для ввода и вывода парогазовых смесей, подвижной заслонки 7, подложкодержателя (кварц) 8, кремниевых подложек 9, заглушки 10 реактора (кварц).Устройство работает следующим образом. В исходном состоянии подвижная заслонка 7 входит в щель 4 в реакторе и разделяет его на,две части, Щель в реакторе выполнена шириной 12 мм на 3/4 его диаметра. Реактор свободен от заглушки 10. Кремниевые подложки 9, помещенные на подложкодержатель 8, загружают в переднюю часть реактора 2 перед заслонкой 7 и крышку реактора закрывают, Затем в отверстие 5 вводят парогазовую смесь (например, смесь паров соляной кислоты с азотом), которая, очищая кремниевые подложки, выходит через отверстие 6 и зазор между...

Номер патента: 1690513

Опубликовано: 15.07.1994

Авторы: Быстрицкий, Цыбин

МПК: H01L 27/118

Метки: базовое, матричное

1. БАЗОВОЕ МАТРИЧНОЕ УСТРОЙСТВО, включающее базовый матричный кристалл с блоками ячеек матрицы и расположенные по периметру кристалла блоки ячеек выходных буферных каскадов, отличающееся тем, что, с целью повышения надежности и снижения рассеиваемой мощности, оно дополнительно содержит блоки ячеек устройства управления выходными буферными каскадами, расположенные между блоками ячеек буфера и блоками ячеек матрицы.2. Устройство по п.1, отличающееся тем, что ячейки устройства управления содержат четыре последовательные цепи МДП-транзисторов, первые две из которых выполнены на транзисторах с каналом одного типа проводимости, а вторые - на транзисторах с каналом второго типа проводимости.

Номер патента: 1743315

Опубликовано: 15.07.1994

Авторы: Дмитриев, Сухоруков

МПК: H01L 21/82

Метки: бис, кмдп, структур

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СТРУКТУР КМДП БИС, включающий формирование на кремниевой подложке первого типа проводимости областей карманов второго типа проводимости, нанесение слоя нитрида кремния, формирование фоторезистивной маски, создание маски из нитрида кремния на активных областях, легирование примесью второго типа охранных областей транзисторов первого типа, создание изолирующего слоя оксида кремния, легирование примесью первого типа охранных областей транзисторов второго типа, удаление маски из нитрида кремния в активных областях и формирование транзисторных структур, отличающийся тем, что, с целью повышения быстродействия за счет снижения паразитной емкости боковой стенки переходов транзисторов поликремниевой разводки, маску из нитрида...

Номер патента: 1360496

Опубликовано: 15.07.1994

Авторы: Гостищев, Однорог, Плющ, Федько

МПК: H01L 25/00

Метки: полупроводниковый

1. ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ, содержащий групповые охладители, полупроводниковые приборы, расположенные между охладителями, блоки импульсных устройств, токопроводящие шины, шины выпрямленного тока, образующие анодную и катодную группы электрических мостов, отличающийся тем, что, с целью повышения эффективности охлаждения и уменьшения площади основания преобразователя, каждая группа скомпонована в единый блок, состоящий из группового охладителя с установленными на нем полупроводниковыми приборами и индивидуальными охладителями с блоками импульсных устройств, при этом групповые охладители расположены вертикально один над другим с зазором L, находящимся в зависимостиL=

Номер патента: 1364142

Опубликовано: 15.07.1994

Авторы: Енишерлова-Вельяшева, Иноземцев, Русак

МПК: H01L 21/306

Метки: iii», выявления, кремния, микродефектов, ориентацией

СПОСОБ ВЫЯВЛЕНИЯ МИКРОДЕФЕКТОВ КРЕМНИЯ С ОРИЕНТАЦИЕЙ (III), включающий травление в кипящем травителе, содержащем фтористый водород, хромовый ангидрид и воду, отличающийся тем, что, с целью расширения технологических возможностей способа в части выявления микродефектов типа кластеров точечных дефектов, преципитатов, деслокационных петель в приповерхностных слоях кремниевых пластин глубиной до 10 мкм и эпитаксиальных структур с ориентацией (III), травление проводят при следующем количественном соотношении компонентов травителя, мас.%:Фтористый водород 1 - 2Хромовый ангидрид 1 - 10Вода 88 - 98причем время травления составляет от 2 до 5 мин.

Номер патента: 730206

Опубликовано: 30.07.1994

Автор: Наконечный

МПК: H01L 23/34

Метки: радиатор

РАДИАТОР, выполненный в виде набора проволочных спиралей, соединенных между собой, отличающийся тем, что, с целью повышения эффективности охлаждения при одновременном упрощении конструкции, спирали выполнены с разным направлением навивки и вставлены одна в другую до соприкосновения спиралей с одинаковым направлением навивки так, что отношение лага витка спирали к толщине проволоки витка составляет 2 : 1.

Номер патента: 736810

Опубликовано: 30.07.1994

Авторы: Алексеюнас, Бондаренко, Гечяускас, Дульцева, Ежова, Кочнева, Миллер, Переляев, Суворов, Швейкин

МПК: H01L 45/00

Метки: материал, памяти, полупроводниковый, элементов

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ МАТЕРИАЛ ДЛЯ ЭЛЕМЕНТОВ ПАМЯТИ на основе поликристаллического диоксида ванадия, отличающийся тем, что, с целью увеличения объема записываемой информации, он дополнительно содержит связующее при следующем соотношении компонентов, мас.%:Поликристаллический диоксид ванадия 93 - 97Связующее 3 - 7при этом связующее состоит из эпоксидной диановой смолы и титаноорганического сложного полиэфира дикарбоновой кислоты и алкиленгликоля при следующем соотношении компонентов, мас.%:Эпоксидная диановая смола 40 - 92Титаноорганический сложный полиэфир дикарбоновой кислоты и алкиленгликоля Остальное

Номер патента: 740085

Опубликовано: 30.07.1994

Авторы: Вето, Кузнецов, Левин, Пресс, Скрылев, Хатунцев

МПК: H01L 27/10, H01L 29/796

Метки: изображения, линейный, сигналов, формирователь

ЛИНЕЙНЫЙ ФОРМИРОВАТЕЛЬ СИГНАЛОВ ИЗОБРАЖЕНИЯ на приборах с зарядовой связью, содержащий приемники изображения, затвор переноса, сдвиговый регистр и выходное устройство, отличающийся тем, что, с целью устранения разброса параметров приемников изображения, введен второй сдвиговый регистр, расположенный параллельно первому, имеющий собственное входное устройство, последовательно соединенное с выходным устройством первого сдвигового регистра, и собственное выходное устройство, а также дифференциальный усилитель, соединенный с выходными устройствами.

Номер патента: 1448969

Опубликовано: 30.07.1994

Авторы: Манагаров, Марков, Перфилов, Фролов, Хатунцев

МПК: H01L 27/148

Метки: восстановитель, выходном, зарядовой, потенциала, прибора, связью, устройстве

ВОССТАНОВИТЕЛЬ ПОТЕНЦИАЛА В ВЫХОДНОМ УСТРОЙСТВЕ ПРИБОРА С ЗАРЯДОВОЙ СВЯЗЬЮ, выполненной на полупроводниковой подложке и содержащей выходной электрод, экранирующий электрод, управляющий электрод, область стока заряда и подводящие шины, отличающийся тем, что, с целью расширения динамического диапазона путем подавления когерентных наводок в выходном сигнале при одновременном упрощении конструкции и повышении надежности, подводящая шина экранирующего электрода размещена над управляющим электродом и областью строка заряда, с которой электрически связана.

Номер патента: 695398

Опубликовано: 30.07.1994

Автор: Наконечный

МПК: H01L 23/34, H01L 25/03

Метки: модуль, полупроводниковый, преобразовательный

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬНЫЙ МОДУЛЬ, содержащий корпус, выполненный из скрепленных между собой боковыми стойками концевых опор, между которыми расположены индивидуально охлаждаемые полупроводниковые приборы, собранные поочередно с радиаторами и сжатые общим прижимным устройством, и распределительный коллектор, отличающийся тем, что, с целью улучшения равномерности распределения охлаждающего потока по радиаторам при одновременном упрощении и унификации конструкции, распределительный коллектор расположен в корпусе и образован перегородками, установленными между боковыми стойками и радиаторами, которые снабжены пазами для установки в них указанных перегородок.

Номер патента: 778374

Опубликовано: 30.07.1994

Авторы: Миллер, Переляев, Швейкин

МПК: C30B 29/22, H01L 45/00

Метки: материал, переключающих, полупроводниковый, элементов

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ МАТЕРИАЛ ДЛЯ ПЕРЕКЛЮЧАЮЩИХ ЭЛЕМЕНТОВ, включающий монокристаллический диоксид ванадия, отличающийся тем, что, с целью повышения его устойчивости и надежности в работе, материал дополнительно содержит пятиокись ванадия в количестве 0 - 95 мас.% в виде поликристаллической матрицы, в которой размещены монокристаллы диоксида ванадия, ориентированные параллельно друг другу.

Номер патента: 1695777

Опубликовано: 30.07.1994

Авторы: Загороднев, Кузнецов, Сулимин, Фатькин, Фишель, Шишко

МПК: H01L 21/28

Метки: интегральных, межсоединений, схем

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МЕЖСОЕДИНЕНИЙ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ, включающий формирование на подложке с активными и пассивными элементами проводников, формирование межуровневой изоляции путем нанесения первого диэлектрического слоя, сглаживания рельефа и нанесения второго диэлектрического слоя, формирование межуровневых окон и проводников верхнего уровня, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности и выхода годных изделий, первый диэлектрический слой наносят толщиной 0,6 - 0,8 толщины межуровневой изоляции, а сглаживание рельефа осуществляют методом магнетронного ВЧ-распыления части первого диэлектрического слоя в среде аргона или удельной мощности на подложке 0,7 - 3 Вт/см2, давлении 1 - 4

Номер патента: 1477175

Опубликовано: 30.07.1994

Авторы: Алексеев, Валеев, Гущин, Сулимин, Шишко

МПК: H01L 21/28

Метки: интегральных, металлизации, создания, схем

1. СПОСОБ СОЗДАНИЯ МЕТАЛЛИЗАЦИИ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ, включающий формирование на полупроводниковой подложке с активными и пассивными элементами проводников различной ширины, нанесение диэлектрической пленки, нанесение пленки резиста, локальное удаление пленки резиста с использованием литографического процесса, формирование органической пленки из жидкой фазы, одновременное травление органической и диэлектрической пленок до вскрытия проводников, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности и процента выхода годных схем за счет улучшения планаризации рельефа проводников, локальное удаление пленки резиста проводят над центральной частью поверхности проводников так, что оставшаяся часть пленки резиста покрывает пространство между...

Номер патента: 1251749

Опубликовано: 15.08.1994

Авторы: Алексахин, Бодунова, Маркман, Панин

МПК: H01L 21/02

Метки: выводами, объемными, полупроводниковых, приборов

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ С ОБЪЕМНЫМИ ВЫВОДАМИ, включающий нанесение на планарную поверхность полупроводниковых пластин с p - n-переходами защитного диэлектрического слоя, выращивание объемных выводов, резку пластин на кристаллы и монтаж, отличающийся тем, что, с целью повышения качества монтажа приборов и их надежности, после выращивания выводов в качестве защитного диэлектрического слоя наносят полимерный лак, толщина которого находится в пределах от 8 мкм до 2/3 высоты объемных выводов, а оптимальная толщина слоя равна высоте медного основания объемного вывода, а затем режут пластины на кристаллы.

Номер патента: 1766214

Опубликовано: 15.08.1994

Авторы: Валеев, Железнов, Красников, Кузнецов, Лезгян, Наливайко

МПК: H01L 21/306

Метки: интегральных, рельефа, сглаженного, создания, схемах

1. СПОСОБ СОЗДАНИЯ СГЛАЖЕННОГО РЕЛЬЕФА В ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМАХ, включающий формирование на полупроводниковой подложке с активным и пассивным элементами проводников различной ширины, нанесение диэлектрической пленки, формирование фоторезистивной маски с окнами над центральной частью проводников, травление диэлектрической пленки, удаление фоторезиста и формирование переходных контактных окон, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных за счет упрощения и повышения воспроизводимости процесса сглаживания диэлектрика, наносят диэлектрическую пленку толщиной h 2,5 d, где d - толщина проводников, травление диэлектрической пленки проводят жидкостным методом на глубину,...

Номер патента: 1505362

Опубликовано: 15.08.1994

Авторы: Кузнецов, Манагаров, Пригожин

МПК: H01L 27/148

Метки: зарядовой, прибор, связью

ПРИБОР С ЗАРЯДОВОЙ СВЯЗЬЮ, содержащий вертикальные регистры переноса, каждая ячейка которых содержит участок узкого канала, стоп-каналы, разделяющие вертикальные регистры переноса, горизонтально расположенные электроды переноса, границы между которыми совпадают с участками узких каналов, и выходной горизонтальный регистр, отличающийся тем, что, с целью повышения степени интеграции путем уменьшения предельных размеров ячеек по горизонтали, в него введен дополнительный выходной горизонтальный регистр, стоп-каналы выполнены в виде пилообразных линий, содержащих горизонтальные и наклонные участки, образующие зубцы, которые для соседних стоп-каналов направлены навстречу друг другу, причем горизонтальные участки зубцов совпадают с границами...

Номер патента: 1264783

Опубликовано: 15.08.1994

Авторы: Григоришин, Ефремов, Кривоусова, Муравьев

МПК: H01L 21/70

Метки: микросхем, сборки

1. Способ сборки микросхем, включающий нагрев мест пайки диэлектрических подложек и металлических выводов путем пропускания тока через вывод, пайку подложек с выводами твердыми припоями, охлаждение спаяного узла, отличающийся тем, что, с целью повышения процента выхода годных изделий за счет улучшения распределения температуры в зоне пайки, подложку перед пайкой предварительно подогревают до 500 - 700oС и выдерживают при этой температуре до начала локального разогрева мест пайки, а после снижения температуры в местах пайки до температуры подогретой подложки проводят охлаждение спаяного узла.2. Устройство для сборки микросхем, содержащее соединители с отверстиями в контактах, подвижные пластины с упругими элементами, гнездо...

Номер патента: 1771351

Опубликовано: 15.08.1994

Авторы: Веренчикова, Санкин

МПК: H01L 31/062

Метки: фотоприемник

ФОТОПРИЕМНИК, содержащий монокристаллическую подложку из карбида кремния, расположенный на ней эпитаксиальный слой с потенциальным барьером и металлические контакты, отличающийся тем, что, с целью повышения чувствительности к излучению в УФ-диапазоне на длинах волн меньше 250 нм, на поверхности эпитаксиального слоя размещен изолирующий слой с окном, а потенциальный барьер выполнен в виде барьера Шоттки, содержащего между слоем металла и эпитаксиальным слоем дополнительный слой собственного окисла толщиной 20 - 70 , и расположен в окне изолирующего слоя.

Номер патента: 1575829

Опубликовано: 15.08.1994

Авторы: Алейникова, Сутырин, Хриткин

МПК: H01L 21/26

Метки: диэлектрических, линейных, пластинах, полупроводниковых, структур, субмикронных, формирования

СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ ЛИНЕЙНЫХ СУБМИКРОННЫХ СТРУКТУР В ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ И ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПЛАСТИНАХ, включающий нанесение маскирующего покрытия на поверхность пластины, создание окон в маске литографией и травление ленточным пучком ионов, большая ось поперечного сечения которого расположена перпендикулярно направлению перемещения пластин, отличающийся тем, что, с целью повышения точности изготовления структур за счет уменьшения бокового растравливания, пластины в процессе травления ориентируют так, чтобы линейные субмикронные структуры были расположены перпендикулярно большой оси поперечного сечения пучка.

Номер патента: 1222147

Опубликовано: 15.08.1994

Авторы: Енишерлова-Вельяшева, Русак

МПК: H01L 21/66

Метки: глубины, монокристаллах, нарушенного, полупроводниковых, слоя

1. СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ ГЛУБИНЫ НАРУШЕННОГО СЛОЯ НА ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МОНОКРИСТАЛЛАХ преимущественно кремния, германия и арсенида галлия после грубой механической обработки, включающий избирательное травление, изготовление шлифов и оценку глубины нарушений, отличающийся тем, что, с целью повышения точности способа, избирательное травление проводят в травителе, содержащем 0,5 - молярный водный раствор хромового ангидрида и плавиковую кислоту в весовом соотношении от 3 : 1 до 1 : 3, в течение 60 - 300 с, а оценку глубины H нарушенного слоя производят по формулеH= Z2-Z ,где Z1 и...