H01L — Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам

Номер патента: 1178263

Опубликовано: 10.04.1995

Авторы: Билинец, Голович, Матвеев, Стусь, Талалакин, Федак

МПК: H01L 21/208

Метки: полупроводниковых, структур

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУРInAs InAs1-x-ySbxPyметодом жидкофазной эпитаксии, включающий приготовление раствора-расплава, содержащего индий, мышьяк, сурьму и фосфор, приведение его в контакт с буферной пластиной арсенида индия при температуре начала эпитаксиального наращивания, изотермическую выдержку в течение 30 45 мин, приведение раствора-расплава в контакт с подложкой арсенида индия и последующее наращивание согласованных на границе с подложкой слоев твердого раствора путем принудительного охлаждения системы, отличающийся тем, что, с целью улучщения качества структур за счет снижения плотности дислокаций в эпитаксиальном слое,...

Номер патента: 1306407

Опубликовано: 20.04.1995

Авторы: Бородовский, Булдыгин, Принц

МПК: H01L 29/20, H01L 31/0352

Метки: полупроводниковый, прибор

1. ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРИБОР на основе соединений А3В5, представляющий собой полупроводниковую пленку с двумя омическими контактами, выполненную на полуизолирующей подложке, отличающийся тем, что, с целью расширения функциональных возможностей за счет обеспечения управляемого переключения прибора из низкоомного в одно из более высокоомных состояний, обеспечения возможности записи и сохранения информации о величине и полярности напряжения, прилагаемого к прибору при записи, обеспечения непрерывной регистрации поглощенного прибором излучения, полуизолирующая подложка выполнена из материала, легированного компенсирующей примесью с глубоким уровнем с концентрацией в интервале 5

Номер патента: 1274558

Опубликовано: 20.04.1995

Авторы: Воробьев, Склизнев, Смирнов, Юрченко

МПК: H01L 21/66

Метки: диодных, параметров, полупроводниковых, структур

СПОСОБ КОНТРОЛЯ ПАРАМЕТРОВ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДНЫХ СТРУКТУР, включающий пропускание тока через диодную структуру, измерение спектральной плотности низкочастотного шумового напряжения и отбраковку структур, отличающийся тем, что, с целью увеличения точности контроля уровня частотно-модулированных шумов диодных структур, измерение спектральной плотности низкочастотного шумового напряжения проводят при температуре диодных структур от 243 до 248 К, а отбраковку структур проводят при условии, что спектральная плотность низкочастотного шумового напряжения не превышает значения, вычисленного по формулегде S спектральная плотность низкочастотного шумового напряжения,...

Номер патента: 1807817

Опубликовано: 30.04.1995

Авторы: Ильин, Сурков

МПК: H01L 21/68

Метки: крепления, плоских, полупроводниковых, преимущественно, приборов, электрорадиоэлементов

...регулировочные винты 19, предназначенные для регулировки угла раскрытия прижимов 9.Устройство работает следующим образом,Для. закрепления изделия 6 устройствонаходится в первой рабочей позиции, изображенной на фиг.1. В этой позиции прижимы 9 удерживаются в вертикальномположении за счет прижатия к регулировочным винтам 19 пружиной 13, а пластина 3находится в крайнем верхнем положении иудерживается зацепами 10, Изделия 6 располагают на пластине 3 так, чтобы конусныерами 2 и может быть легко снято.При высокой точности изготовления по лупроводниковых приборов, интегральныхмикросхем, электроимпульсных трансформаторов всякое нарушение плоскостности изделия в процессе работы с ним приводит к деформации и браку.45 Заявляемое устройство...

Номер патента: 1813303

Опубликовано: 30.04.1995

Авторы: Астафурова, Сухов, Хаханова, Чагина, Штыров

МПК: H01L 21/265

Метки: полупроводниковых, структур

1. СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУР, включающий формирование на поверхности кремниевой подложки первого типа проводимости каналоограничительных областей путем локального окисления, получение подзатворного окисла, осаждение слоя поликремния, формирование рисунка плавающего затвора, имплантацию примеси второго типа проводимости, окисление плавающего затвора, формирование управляющего затвора, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных полупроводниковых структур за счет улучшения качества диэлектрической изоляции плавающего затвора, перед окислением плавающего затвора проводят дополнительную обработку структуры в водном растворе фтористоводородной кислоты состава 1:100-1:10.2. Способ по п.1, отличающийся тем,...

Номер патента: 1671071

Опубликовано: 30.04.1995

Авторы: Козейкин, Перинский, Школьников

МПК: H01L 21/265

Метки: металлизации, формирования

СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ МЕТАЛЛИЗАЦИИ, включающий формирование фоторезистивной маски поверх металлизированной разводки из меди или медных сплавов, имплантацию ионов электрически неактивных примесей, удаление фоторезистивной маски и формирование топологии металлических контактов, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных за счет исключения растрава металлизации и повышения технологичности за счет снижения металлоемкости процесса, имплантацию проводят в участки поверхности металлизированной разводки вне областей контактов дозой Ф 6,0 1014 см-2 с энергией 40 90 кэВ, а топологию контактов формируют гальваническим осаждением...

Номер патента: 1824024

Опубликовано: 30.04.1995

Авторы: Бланк, Сумароков, Ткаченко, Шевцов

МПК: C04B 35/50, H01L 39/24

Метки: cu3o7-x, высокотемпературных, оксидных, сверхпроводников

1. СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНЫХ ОКСИДНЫХ СВЕРХПРОВОДНИКОВ R BA2Cu3O7-x, где R металл, выбранный из группы Y, La, Nd, Eu, Gd, при котором смешивают порошки оксидов металлов, входящих в состав соединения, взятых в стехиометрическом соотношении, и полученную смесь термообрабатывают в кислородсодержащей атмосфере с последующим охлаждением и размолом полученного продукта, отличающийся тем, что, с целью увеличения плотности критического тока и уменьшения ширины сверхпроводящего перехода изготавливаемых из него изделий, полученный после размола продукт обрабатывают водным или органическим раствором кислоты общей формулы...

Номер патента: 1630565

Опубликовано: 30.04.1995

Авторы: Коляденко, Романов

МПК: H01L 21/265

Метки: кремний-на-изоляторе, структур

...40 мин.Кроме того, уплотняющий отжим проводятпри температурах 200 С в течение 1,5 ч и500 С - 20 мин,З.Ионно-стимулированный рост монокристаллической пленки от границы с ПКосуществляют облучением ионами через маску в виде решетки из полосок тантала шириной 0,3 мм с зазорами 0,3 мм - 1 мм при+следующих условиях: ион Хе, энергия140 кэВ, доза 10 6 см 2, температура 500 С.П р и м е р 2. Структуру, полученнуюаналогично пунктам 1 и 2 примера 1, обрабатывают по п.З при следующих условиях: ион Хе, энергия 140 кэВ, доза1 з 1 +5 10 см, температура 400 С.П р и м е р 3, Структуру, полученнуюаналогично пунктам 1 и 2 примера 1, обрабатывают по п,З, при следующих условиях(комбиникованное облучение):ИонАз,Энергия 130 кэВ, доза - 10 см 280 кэВ - 10 см...

Номер патента: 1653442

Опубликовано: 30.04.1995

Авторы: Гунина, Дынник, Мандрыкина, Пимкина, Поярков

МПК: G03F 7/42, H01L 21/312

Метки: позитивного, состав, удаления, фоторезиста

СОСТАВ ДЛЯ УДАЛЕНИЯ ПОЗИТИВНОГО ФОТОРЕЗИСТА, содержащий метилпирролидон и воду, отличающийся тем, что, с целью повышения эффективности процесса удаления, он дополнительно содержит глицерин и алифатический амин при следующем соотношении компонентов, об.Метилпирролидон 17-82Глицерин 10-20Алифатический амин 2-25Вода Остальное

Номер патента: 1428141

Опубликовано: 10.05.1995

Авторы: Зотова, Карандашев, Матвеев, Рогачев, Стусь, Талалакин

МПК: H01L 33/00

Метки: диод, светоизлучающий

СВЕТОИЗЛУЧАЮЩИЙ ДИОД, содержащий варизонную структуру на основе InAsSbP с p-n-переходом и омические контакты, отличающийся тем, что, с целью повышения квантового выхода в области длин волн, больших 3,9 мкм, за счет обеспечения стимулированного режима работы светодиода, вариозная структура с p-n-переходом выполнена в виде пленки InAsSb, расположенной на варизонной пленке InAsSbP толщиной 60-90 мкм, торцовые грани диода сколоты по плоскостям, сходящимся в центре под углом , причем пленки InAsSb и InAsSbP выполнены в виде концентрических шаровых слоев, прилегающих к InAsSbP, n-область InAsSb имеет толщину 2-4 мкм, периоды решеток в обеих пленках линейно возрастают в направлении...

Номер патента: 1829758

Опубликовано: 10.05.1995

Авторы: Бреслер, Денисюк

МПК: H01L 21/225

Метки: диффузии, изготовлении, источника, полупроводниковых, приборов, твердого, фосфора

...кассеты устанавливают 100 рабочих кремниевых пластин диаметром 76 мм (в каждую по 50 шт. пластин) с формируемым силовым модулем, представляющим собой тройной транзистор Дарлингтона. В этих кремниевых пластинах имеется эпитаксиальный слой птипа и созданы базовые области р-типа биполярных транзисторов с параметрами базы как в примере 1 (после диффузии галлия), в которых вскрыты эмиттерные области для диффузии фосфора. В испарители на кварцевых кассетах насыпают порошок пирофосфата кремния с дисперсностью 0,5- 100 мкм,Далее процесс производят как в примере 1, с выдержкой на рабочей температуре55 1150 С в течение 3 ч, а затем после выгрузки кремниевых пластин дальнейшие технологические операции для создания силовых модулей; вскрытию...

Номер патента: 1829769

Опубликовано: 10.05.1995

Авторы: Володин, Костюкевич, Смертенко, Ханов, Ханова

МПК: H01L 21/28

Метки: контактов, моносульфиду, омических, самария

...через маску так, что оставался чувствительный элемент 45 из ЯаЯ размером 2 х 1 мм, а с двух сторон егобыли образованы контактные площадки 1 х 1 мм, Сначала через такую маску напылялся титан в течение 35 - 330 с со скоростью 5 - 60 оА/с, а затем никель в течение 130 - 670 с со 50оскоростью 6 - 30 А/с. Напыление металлов проводилось при температуре 80 - 240 С.Вольт-амперная характеристика структуры (И 1+Т)-Игпи представлена на черте1829769 Таблица 1 Сопротивление макетов тензорезисторов с контактами (Т+М) при различных режимах напыления Т 1; Тпод.=150 С; режим напыления гЛ: время напыления 1 м=350 с, скорость напыоления Чю=15 А/с. отклонения от омического закона, для которого а= 1.Из зависимости на чертеже следует, что диапазон...

Номер патента: 1831966

Опубликовано: 10.05.1995

Авторы: Дворников, Любый

МПК: H01L 29/72

Метки: биполярный, интегральный, транзистор

1. ИНТЕГРАЛЬНЫЙ БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР, содержащий полупроводниковую подложку первого типа проводимости с изолированными областями второго типа проводимости, в которой сформированы области базы, коллектора и эмиттера с омическими контактами, коммутирующие шины, отличающийся тем, что, с целью обеспечения программируемости параметров для аналоговых схем, эмиттер выполнен в виде (m n + 1) дискретных областей, где m 1,2,3,n 1,2,3, одна из которых расположена в центре, а остальные по n-радиальным направлениям симметрично относительно центра эмиттера, к каждой из которых сформированы омические контакты, и между ними по радиальным направлениям расположено не менее n омических...

Номер патента: 1176777

Опубликовано: 10.05.1995

Авторы: Вахтель, Гитли, Еремин, Замотайлов, Ивакин, Кадменский, Лобов, Фетисова

МПК: H01L 21/268

Метки: мдп-транзисторов

1. СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МДП-ТРАНЗИСТОРОВ, включающий формирование на кремниевой подложке областей истока, стока и слоя подзатворного диэлектрика, формирование металлической разводки и подгонки порогового напряжения, отличающийся тем, что, с целью упрощения технологии и повышения точности подгонки, подгонку порогового наряжения производят после формирования металлической разводки путем облучения структуры рентгеновским излучением дозойгде D доза облучения, Р;E3 ширина запрещенной зоны диэлектрика, эВ; относительная диэлектрическая проницаемость диэлектрика;m массовый...

Номер патента: 1816170

Опубликовано: 20.05.1995

Авторы: Курбанова, Штурмин

МПК: H01L 49/02, H05K 3/00

Метки: микросхемы, тонкопленочной

...1,5- 2,0 мкм методом вакуумного напыления. Формируют маску 3 из фоторезиста с рисунком схемы проводников нижнего уровня коммутации (фиг. 1-3). Удаляют слой 2 (фиг, 4) через маску 3 селективными травителями: для хрома: соляная кислота: дистиллированная вода:1 при температуре55 + 50 С; для меди - хромовый ангидрид;серная кислота: дистиллированная вода 5 9:3:20 при комнатной температуре.Удаляют маску 3 (фиг. 5).Очищают поверхность подложки сосформированным нижним уровнем коммутации кипячением в изопропиловом спир"0 те в течение 10 мин. Напыляют в вакуумесплошной технологический слоИ 4 ванадиятолщиной 0,1-0,15 мкм на поверхность подложки с проводниками нижнего уровня коммутации (фиг. 6).15 Формируют окна в слое 4 ванадия научастках...

Номер патента: 692443

Опубликовано: 20.05.1995

Авторы: Алексеюнас, Бондаренко, Гечяускас, Миллер, Переляев, Швейкин

МПК: H01L 27/24, H01L 35/00, H01L 45/00 ...

Метки: переключающий, полупроводниковый, элемент

1. ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПЕРЕКЛЮЧАЮЩИЙ ЭЛЕМЕНТ, содержащий активную область, заключенную между двумя токонесущими электродами, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности, активная область представляет собой матрицу, выполненную из полупроводника, стойкого к воздействию окружающей среды, в которой выращены каналы переключения из материала заданного состава.2. Элемент по п.1, отличающийся тем, что матрица выполнена из V2O5, а каналы переключения выполнены из VO2.

Номер патента: 1819488

Опубликовано: 20.05.1995

Авторы: Богачев, Вилисов, Днепровский, Калинин, Хан

МПК: H01L 33/00

Метки: светодиод

1. СВЕТОДИОД, содержащий кристалл на держателе, на котором сформирован светопроницаемый отражатель, задняя поверхность которого имеет форму купола, в частности, с параболической поверхностью, и с углублением на передней поверхности, дном которого является линза со сферической поверхностью, отличающийся тем, что, с целью повышения максимальной силы излучения и механической прочности светодиода, фокус линзы совмещен с фокусом параболоида и кристаллом, а апертурный угол линзы не превышает угла aм, где м есть решение транцендентного уравнения tg

Номер патента: 1822299

Опубликовано: 20.05.1995

Авторы: Гапоненко, Изидинов

МПК: H01L 21/306

Метки: кремниевых, травления

СПОСОБ ТРАВЛЕНИЯ КРЕМНИЕВЫХ ИЗДЕЛИЙ, включающий приготовление смеси плавиковой, азотной и уксусной кислоты, взятых в заданном соотношении объемов, охлаждение полученного травителя, предварительное определение скорости травления кремния в травителе данного состава и последующую обработку кремниевых изделий в том же травителе в течение времени, необходимого для стравливания кремния на заданную глубину, отличающийся тем, что, с целью повышения воспроизводимости глубины травления за счет создания условий самопрекращения процесса травления, объемное соотношение перечисленных кислот в травителе выбирают соответствующим 1:(6-17):(1-3), на стадии предварительного определения скорости травления дополнительно устанавливают удельный объем травителя,...

Номер патента: 1683447

Опубликовано: 20.05.1995

Автор: Варламов

МПК: H01L 21/02

Метки: микросборка

МИКРОСБОРКА, содержащая коммутационную плату и размещенные на ней активные и/или пассивные элементы, каждый из которых соединен выводами с контактными площадками платы и защищен герметичной диэлектрической оболочкой, отличающаяся тем, что, с целью повышения надежности, в качестве диэлектрической оболочки использован полый полиимидный колпачок с толщиной стенок, равной 40-50 мкм, и формой, обеспечивающей зазор между внутренней поверхностью колпачка и поверхностью элемента, при этом внешняя поверхность колпачка и участок платы по периметру колпачка снабжен защитным слоем компаунда.

Номер патента: 1463083

Опубликовано: 20.05.1995

Автор: Принц

МПК: H01L 27/14

Метки: матричный, фотоприемник

МАТРИЧНЫЙ ФОТОПРИЕМНИК, содержащий фоточувствительные элементы, включающие полупроводник с потенциальными шинами, компенсированный глубокой акцепторной примесью, сформированный на полуизолирующей подложке и расположенный между сигнальными шинами, отличающийся тем, что, с целью повышения фоточувствительности, быстродействия и обеспечения неразрушающего считывания, сигнальные шины расположены параллельно одна другой, потенциальные шины расположены на обратной стороне подложки под фоточувствительными элементами перпендикулярно сигнальным шинам, при этом концентрация не заполненных электронами глубоких примесных центров лежит в интервале от 5 10 15 до...

Номер патента: 845685

Опубликовано: 20.05.1995

Авторы: Елагина, Кумаков, Роках

МПК: H01L 21/30

Метки: пленочных, состав, фоторезисторов

СОСТАВ ДЛЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПЛЕНОЧНЫХ ФОТОРЕЗИСТОРОВ, содержащий сульфид кадмия и в качестве активаторов хлорид меди и хлорид кобальта, отличающийся тем, что, с целью получения фоторезисторов с вольтамперной характеристикой, сверхлинейной при низких напряжениях 0,5-3 В, он дополнительно содержит сульфид свинца при следующих соотношениях ингредиентов, мас.Сульфид кадмия 54-79Хлорид меди 10-20Хлорид кобальта 0,5-2Сульфид свинца 5-30

Номер патента: 1491269

Опубликовано: 27.05.1995

Авторы: Гунина, Дынник, Поярков

МПК: H01L 21/312

Метки: нанесением, поверхности, подготовки, подложки, фоторезиста

СПОСОБ ПОДГОТОВКИ ПОВЕРХНОСТИ ПОДЛОЖКИ ПЕРЕД НАНЕСЕНИЕМ ФОТОРЕЗИСТА, включающий очистку подложки и обработку ее органическим гидрофобизирующим веществом, отличающийся тем, что, с целью повышения процента выхода годных подложек за счет снижения дефектности наносимого слоя, в качестве гидрофобизирующего вещества используют 0,01 1%-ный (по массе) водный раствор катионоактивного ПАВ катамина АБ алкилбензилдиметиламмоний хлорида общей формулы[ Cn H2n+1N+ (CH3)2 CH2C6 H5]Cl-,где n 10 18.

Номер патента: 1452398

Опубликовано: 27.05.1995

Авторы: Гитлин, Ивакин, Кадменский, Колесников, Левин, Остроухов

МПК: H01L 21/268

Метки: мдп-транзисторов

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МДП-ТРАНЗИСТОРОВ с пороговым напряжением Uо, включающий операции формирования на кремниевой подложке областей истока, стока и слоя подзатворного диэлектрика, нанесения металлической разводки и подгонки порогового напряжения, которую проводят после нанесения металлической разводки путем облучения подложек с транзисторами дозой рентгеновского излучения, пропорциональной величине необходимого изменения порогового напряжения U отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных транзисторов путем локализации обработки рентгеновским излучением, после нанесения металлической разводки измеряют геометрическое распределение пороговых напряжений...

Номер патента: 1829811

Опубликовано: 27.05.1995

Авторы: Иванов, Похолков, Савельев, Хасанов

МПК: H01L 39/12, H01L 39/24

Метки: высокодисперсного, высокотемпературного, монофазного, порошка, сверхпроводника

...температуры синтеза, сокращение продолжительности помола после синтеза для получения монофаэного порошка высокотемпературного сверхпроводника УВа 2 Сцз 07-х с частицами субмикронных размеров,Применение УДП меди удельной поверхностью. на три порядка превосходящей удельную поверхность порошка СцО стандартного, приводит к увеличению скорости синтеза шихты, что способствует снижению температуры и времени синтеза порошка и увеличению степени гомогенности синтезируемого порошка.П р и м е р, Исходные компоненты шихты; У 20 з ("хч", ГОСТ 42-208-81), ВаСОз ("чда", ГОСТ 4158-80) и УДП меди, полученный методом электрического взрыва проводников (ВТУ 2-25-98) с размерами частиц 0,05 - 0,15 мкм сферической формы, берут в соотношении, мас,% У 20 з...

Номер патента: 1412535

Опубликовано: 27.05.1995

Авторы: Елагина, Матасова, Роках

МПК: H01L 31/18

Метки: визуализатора, излучения, слоев, фотопроводящих

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ФОТОПРОВОДЯЩИХ СЛОЕВ ДЛЯ ВИЗУАЛИЗАТОРА ИЗЛУЧЕНИЯ, включающий двухстадийное вакуумное напыление шихты, причем на первой стадии напыляют шихту на основе селенида кадмия в квазизамкнутом объеме при температуре испарителя 680 700oС и температуре подложки 300 - 350oС, отличающийся тем, что, с целью повышения срока службы визуализатора на первой стадии наносят шихту, которая дополнительно содержит хлорид кадмия при следующем соотношении компонентов, мас.CdSe 70 80CdTe 12 26CdCl2 4 8в течение 1,5 2 ч, а на второй стадии напыляют путем магнетронного ступенчатого распыления шихту, которая содержит сульфид свинца и сернокислую медь при следующем соотношении компонентов,...

Номер патента: 786705

Опубликовано: 27.05.1995

Авторы: Асеев, Ли

МПК: H01L 21/26

Метки: полупроводниковых, сверхрешеток

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СВЕРХРЕШЕТОК, включающий создание на МДП-структуре периодически меняющегося поверхностного потенциала, отличающийся тем, что, с целью улучшения выходных параметров сверхрешеток и упрощения технологии, периодически меняющийся потенциал создают путем проецирования электронного изображения системы кристаллических плоскостей вспомогательного монокристалла на поверхность МДП-структуры.

Номер патента: 1496565

Опубликовано: 09.06.1995

Автор: Варламов

МПК: H01L 21/50

Метки: кристаллов, микросборок, монтажа, облуженные, платы

1. СПОСОБ МОНТАЖА КРИСТАЛЛОВ НА ОБЛУЖЕННЫЕ ПЛАТЫ МИКРОСБОРОК, включающий формирование из одного конца микропроволоки шариковых выводов на контактных площадках кристаллов термокомпрессионной сваркой, последующую установку и присоединение выводов кристаллов к плате, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности микросборок к термоциклическим нагрузкам за счет снижения механических напряжений на границе вывод плата, обрезают второй конец микропроволоки и формируют выводы булавообразной формы.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что наносят кремнеорганический или эпоксидный клей в промежутки между красталлами.

Номер патента: 1436768

Опубликовано: 09.06.1995

Авторы: Вахтель, Гитлин, Ивакин, Кадменский, Колесников, Левин, Лобов, Остроухов

МПК: H01L 21/268

Метки: интегральных, мдп-больших, схем

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МДП-БОЛЬШИХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ (МДП-БИС) с пороговым напряжением Uо, включающий формирование в кремниевой пластине областей истока, стока и слоя подзатворного диэлектрика, формирование металлизированной разводки и подгонку порогового напряжения путем облучения пластины рентгеновским излучением, отличающийся тем, что, с целью уменьшения разброса параметров МДП-БИС и увеличения процента выхода годных, облучение рентгеновским излучением проводят до дозы насыщения, затем снимают гистограмму распределения порогового напряжения МДП-БИС на пластине, определяют по гистограмме величину минимального порогового напряжения Uмин и разность

Номер патента: 1419418

Опубликовано: 09.06.1995

Авторы: Вахтель, Гитлин, Евсеев, Ивакин, Кадменский, Левин, Остроухов, Стоянов

МПК: H01L 21/268

Метки: мдп-транзисторов

1. СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МДП-ТРАНЗИСТОРОВ, включающий операции формирования на кремниевой подложке областей истока, стока и слоя подзатворного диэлектрика, формирование металлической разводки и подгонку порогового напряжения на величину Un путем облучения подложки со структурами дозой рентгеновского излучения, пропорциональной Un, отличающийся тем, что, с целью повышения производительности способа путем сокращения времени на выполнение операции подгонки, а также улучшения температурной стабильности параметров транзисторов, облучение подложки со структурами проводят при нагреве подложки до...

Номер патента: 795350

Опубликовано: 19.06.1995

Авторы: Бабко, Гибадулин, Чехович, Чубриков

МПК: H01L 31/05

Метки: батарея, солнечная

СОЛНЕЧНАЯ БАТАРЕЯ, содержащая несущую поверхность, выполненную из закрепленных на каркасе параллельно друг другу упругих элементов из электроизоляционного материала, расположенных над коммутационными шинами модулей фотопреобразователей, отличающаяся тем, что, с целью повышения надежности, упругие элементы выполнены в виде лент, закрепленных на каркасе перпендикулярно плоскости фотопреобразователей.