H01L — Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам

Номер патента: 824824

Опубликовано: 27.03.1996

Авторы: Кокин, Манжа, Назарьян, Одиноков, Чистяков

МПК: H01L 21/82

Метки: изоляцией, интегральных, комбинированной, конструкция, схем

1. Конструкция интегральных схем с комбинированной изоляцией, содержащая транзисторы и резисторы, изготовленные в областях, изолированных локальными областями, легированными примесью противоположной скрытому и эпитаксиальному слоям типом проводимости, и диэлектриком, отличающаяся тем, что, с целью повышения степени интеграции и процента выхода годных схем, боковая диэлектрическая изоляция транзисторных структур состоит из двух слоев диэлектрика, пересекающих эпитаксиальный слой и касающихся локальной области, между которыми расположен эпитаксиальный слой с легированной областью резисторной структуры.2. Способ изготовления интегральных схем с комбинированной изоляцией по п.1, включающий операции формирования диэлектрической изоляции,...

Номер патента: 1829760

Опубликовано: 27.03.1996

Авторы: Баранов, Достанко, Казачонок, Попов

МПК: H01L 21/263

Метки: планаризованных, пленок, тонких, формирования

...частоты модуляции Гмг35 имеет значение порядка 4 МГц, Ограничение частоты модуляции определяется ограничением подвижности ионов вэлектрическом поле, которые за один период модуляции Тг=1 Рмг не успевают пере 40 сечь область катодного падения потенциалав плазме тлеющего ВЧ-разряда.Способ поясняется схемой, представленной на чертеже, где 1 - рабочая камера,2 - магнетронный источник распыления, 3 -45 блок питания магнетронэ, 4 - мишень, 5 -подложка с рельефной поверхностью, 6 -подложкодержатель, 7 - керамические элементы, 8 - ВЧ-генератор, 9 - согласующееустройство, 10 - генератор импульсов,50 Для реализации способа формированияпланариэованных тонких пленок была модернизована промышленная установка типа 01 НИ-006, предназначенная...

Номер патента: 1829767

Опубликовано: 27.03.1996

Авторы: Баранцев, Бессонов, Костюк, Пономаренко

МПК: H01L 21/28

Метки: межсоединений, полупроводниковых, приборов

...того, в межсоединениях, изготовленных по способу-прототипу, возникает дополнительный вклад во внутренние напряжения, связанный с различием температурных коэффициентов линейного расширенич материалов окисного и проводящего слоев, В заявляемом способе этот вклад отсутствует, так как межсоединения представляют собой единую монолитную систему.Предлагаемый способ изготовления межсоединений полупроводниковых приборов позволяет, рассчитав предварительно температурный режим испарения, необходимый для реализации оптимальной глубинь фракционирования, данной навески сплава А - В - С, в дальнейшем осуществлять испарение, строго следуя этому режиму. При этом сам процесс испарения становится высокотехнологичным, а параметры получаемых...

Номер патента: 705934

Опубликовано: 27.03.1996

Авторы: Кокин, Манжа, Сергеев, Стадник, Шварц

МПК: H01L 21/82

Метки: интегральных, схем

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ, включающий формирование жесткой маски, создание рабочих областей структуры в объеме полупроводниковой подложки, вскрытие контактных окон и металлизацию, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности интегральной схемы, вскрывают базовые окна, наращивают поликристаллический кремний (Si*), легированный примесью противоположного типа проводимости эпитаксиальной пленке, маскируют Si* диэлектрической пленкой, которая не травится в травителях два SiO2 и Si3N4, создают базовые области диффузией из поликристаллического кремния, методом фотолитографии удаляют диэлектрическую пленку и поликристаллический кремний везде, за исключением участков, где...

Номер патента: 1225426

Опубликовано: 27.03.1996

Авторы: Думаневич, Зумберов, Кузьмин

МПК: H01L 21/28

Метки: полупроводниковый, прибор

1. Полупроводниковый прибор, содержащий полупроводниковую пластину по крайней мере с одним p - n-переходом и контактную металлизацию, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности, металлизация выполнена с уменьшающейся по направлению к поверхности раздела металл - полупроводник микротвердостью с градиентом микротвердости 1013 - 2 1013 Па/м.2. Способ изготовления полупроводникового прибора, включающий формирование в полупроводниковой пластине по крайней мере одного p - n-перехода, нанесение на пластину металлизации и термообработку, отличающийся тем, что металлизацию создают последовательным нанесением слоев металла, а...

Номер патента: 1060066

Опубликовано: 27.03.1996

Авторы: Казуров, Кокин, Манжа, Патюков, Попов, Шурчков

МПК: H01L 21/76

Метки: боковой, диэлектрической, изоляцией, интегральных, схем

1. СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ С БОКОВОЙ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ИЗОЛЯЦИЕЙ, включающий операции формирования сплошного скрытого слоя, наращивания эпитакисального слоя, формирования окисла кремния, фотолитографии, травления, формирования диэлектрической изоляции, диффузии и металлизации, отличающийся тем, что, с целью повышения степени интеграции и процента выхода годных интегральных схем, после формирования окисла кремния производят нанесение поликристаллического кремния и под защитой фоторезиста производят травление поликристаллического кремния, окисла кремния, эпитаксиального слоя, сплошного скрытого слоя и подложки на глубине ниже границы области объемного заряда данной части p-n-перехода: n+-скрытый слой - подложка, после...

Номер патента: 1468318

Опубликовано: 27.03.1996

Авторы: Гресков, Романов

МПК: H01L 21/263

Метки: арсенидгаллиевых, полевых, радиационной, свч, транзисторов

СПОСОБ РАДИАЦИОННОЙ ОБРАБОТКИ АРСЕНИДГАЛЛИЕВЫХ СВЧ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ, включающий облучение готовых приборов электронами с энергией 3 - 5 МэВ и дозой 1013 - 1014 см-2 при комнатной температуре, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных за счет уменьшения коэффициента шума и увеличения коэффициента усиления по мощности, облучение электронами проводят при плотности тока 0,2 - 2,0 мкА/см2 при заземленных внешних выводах транзисторов.

Номер патента: 1178269

Опубликовано: 27.03.1996

Авторы: Казуров, Кокин, Манжа, Патюков, Чистяков, Шурчков

МПК: H01L 21/76

Метки: p-n-переходами, полупроводниковых, приборов, пристеночными

1. СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ С ПРИСТЕНОЧНЫМИ p-n-ПЕРЕХОДАМИ, включающий формирование боковой диэлектрической изоляции, глубокого коллектора окисления меза-областей, создания активной и пассивной базовой областей, осаждение нитрида кремния, вскрытие контактных окон в диэлектрических слоях, осаждение пленки поликристаллического кремния, ионное легирование донорной примесью областей, вскрытых в диэлектрических слоях, через пленку поликристаллического кремния, одновременный отжиг всех ионолегированных слоев, металлизацию, отличающийся тем, что, с целью увеличения процента выхода годных приборов, после осаждения пленки поликристаллического кремния дополнительно проводят ее ионное подлегирование акцепторной примесью дозой (5...

Номер патента: 723984

Опубликовано: 27.03.1996

Авторы: Злыднев, Кремлев, Любушкин, Манжа

МПК: H01L 21/33

Метки: планарных, самосовмещающихся, транзисторов

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ САМОСОВМЕЩАЮЩИХСЯ ПЛАНАРНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ, включающий операции маскирования подложки диэлектрической пленкой, вскрытия окон, наращивания поликристаллического кремния, легированного примесью противоположного типа проводимости подложке, формирования базовой области и контакта к ней из поликристаллического кремния, создания эмиттера и металлизацию, отличающийся тем, что, с целью повышения плотности компановки структур, на нижнюю диэлектрическую пленку наносят поликристаллический кремний, травят окна в пленках до подложки, наращивают низкотемпературный поликристаллический кремний, легированный примесью противоположного типа проводимости подложке, локально маскируют диэлектрической пленкой, не травящейся в травителях для...

Номер патента: 1072666

Опубликовано: 27.03.1996

Авторы: Кокин, Манжа, Патюков, Чистяков

МПК: H01L 21/331

Метки: p-n-переходами, полупроводниковых, приборов, пристеночными

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ С ПРИСТЕНОЧНЫМИ p-n-ПЕРЕХОДАМИ, включающий формирование боковой диэлектрической изоляции, глубокого коллектора, нанесение диэлектрических слоев, вскрытие окон в диэлектрических слоях, осаждение пленки поликристаллического кремния, легирование пассивных, активных базовых и эмиттерных областей и металлизацию, отличающийся тем, что, с целью увеличения процента выхода годных приборов и повышения плотности их компановки, после создания боковой диэлектрической изоляции проводят ионное легирование пассивной базы, осаждают нитрид кремния, осуществляют фотолитографию всех контактных окон, затем наносят пленку поликристаллического кремния, формируют фоторезистивную маску для защиты эмиттерных и...

Номер патента: 1135378

Опубликовано: 10.04.1996

Авторы: Коваленко, Лукасевич, Манжа, Патюков, Рябов, Щепетильникова

МПК: H01L 21/265

Метки: биполярных, интегральных, транзисторов

1. СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ БИПОЛЯРНЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ, включающий формирование в полупроводниковой подложке первого типа проводимости скрытого слоя второго типа проводимости, формирование эпитаксиального слоя второго типа проводимости, формирование боковой диэлектрической изоляции, нанесение поликремния, маскирование нитридом кремния области эмиттера, формирование пассивной базы ионным легированием примесью первого типа проводимости, термическое окисление поликремния, удаление нитрида кремния, формирование активной базы и эмиттера путем ионного легирования примесями первого и второго типа проводимости с последующей термообработкой, формирование контактов к активным областям транзистора, отличающийся тем, что, с целью повышения...

Номер патента: 1611151

Опубликовано: 10.04.1996

Авторы: Абрамян, Есаян, Мкртчян, Петросян

МПК: H01L 21/00

Метки: золото-алюминий, контакта, кремниевой, подложке

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ КОНТАКТА ЗОЛОТО-АЛЮМИНИЙ НА КРЕМНИЕВОЙ ПОДЛОЖКЕ по авт. св. N 152975, отличающийся тем, что, с целью увеличения выхода годных и надежности приборов, перед напылением меди алюминиевый слой выдерживают в течение 5 10 мин не нарушая вакуума.

Номер патента: 1263148

Опубликовано: 10.04.1996

Авторы: Костенко, Шумильский

МПК: H01L 23/26

Метки: интегральная, микросхема

ИНТЕГРАЛЬНАЯ МИКРОСХЕМА в корпусе с контактными площадками, имеющими внутреннюю полость, содержащая пассивные и активные элементы, выполненные в кристалле полупроводника, отличающаяся тем, что, с целью расширения функциональных возможностей и упрощения системы отключения микросхемы при перегреве, кристалл полупроводника расположен между контактными площадками корпуса и С-образной металлической лентой, жестко соединен с большей стороной этой ленты, причем криволинейные участки С-образной металлической ленты выполнены биметаллическими.

Номер патента: 908198

Опубликовано: 10.04.1996

Авторы: Генералов, Граужинис, Думаневич, Ковров, Кузьмин, Рухамкин

МПК: H01L 29/74

Метки: тиристор

1. ТИРИСТОР, содержащий вспомогательный n-эмиттер, расположенный в центре структуры вокруг управляющего электрода, снабженный выступами, приближенными по радиусу к управляющему электроду, основной эмиттер, охватывающий вспомогательный эмиттер и отделенный от него p- базовым слоем, отличающийся тем, что с целью повышения допустимой величины скорости нарастания анодного тока и повышения рабочей частоты, между выступами вспомогательного эмиттера расположены дополнительные изолированные эмиттерные области, при этом расстояние от управляющего электрода до дополнительных эмиттерных областей по крайней мере в два раза больше расстояния от управляющего электрода до выступов.2. Тиристор по п.1, отличающийся тем, что с целью улучшения...

Номер патента: 1829770

Опубликовано: 10.04.1996

Авторы: Заболотская, Рогов, Савушкин, Смирнов

МПК: H01L 21/304

Метки: доводки, пластин, полупроводниковых

...маслом, затем на нем устанавливают зубчатые колеса 2 и 4 (е=З мм, =22, гэ=105), между которыми размещают четыре колеса-сателлита 3 (хг=38), обеспечивая зацепление между ними. В отверстиях 5 ко лес 3 размещают четыре спутника с пластинами, Прижимной диск 8 с прокладкой 11 совмещают с колесом 2, добиваясь размещения шпильки 9 в отверстия 10 колеса, Ось вращения прижимного диска 8 помещают в 30 направляющую штангу корпуса на расстоянии - 150 мм от оси вращения доводочного диска. Посредством кронштейнов 12, сохраняя равномерность перемещения колес- сателлитов 3 между колесами 2 и 4, внешнее 35 колесо 4 жестко закрепляют на корпусе 13устройства.Создают давление на пластины из расчета Р=6,0 кПа. Доводочный диск приводят во вращение с...

Номер патента: 1111634

Опубликовано: 10.04.1996

Авторы: Кокин, Манжа, Сулимин, Шурчков, Ячменев

МПК: H01L 21/76

Метки: изоляции, интегральных, схем, элементов

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ИЗОЛЯЦИИ ЭЛЕМЕНТОВ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ, включающий формирование в кремниевой подложке сплошного скрытого слоя, наращивание эпитаксиального слоя, осаждение маскирующих пленок, формирование в них окон, вытравливание в эпитаксиальном, скрытом слоях и части подложки канавок, формирование в канавках диэлектрического покрытия, удаление его с дна канавок, противоканальное подлегирование дна канавок, осаждение слоя поликристаллического кремния, удаление его с изолируемых областей и канавок, окисление поликристаллического кремния в канавках, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных интегральных схем за счет улучшения планарности, на маскирующих пленках дополнительно осаждают пленку фосфоро- или боросиликатного...

Номер патента: 1120886

Опубликовано: 10.04.1996

Авторы: Баранцева, Костенко

МПК: H01L 29/08

Метки: p-i-n-диод

P-i-n-ДИОД, содержащий сильнолегированные p+ и n+-области и омические контакты к ним, сформированные в приповерхностной области с одной стороны высокоомного кристалла полупроводника, отличающийся тем, что, с целью снижения величины напряжения смещения и расширения функциональных возможностей, дополнительно сформированы два изолированных полевых электрода, один из которых расположен между высоколегированными областями, а другой на противоположной стороне кристалла.

Номер патента: 784645

Опубликовано: 10.04.1996

Авторы: Гохман, Наконечный

МПК: H01L 23/34

Метки: радиатор

РАДИАТОР по авт. св. СССР N 730206, отличающийся тем, что, с целью обеспечения эффективного теплообмена между двумя средствами, проволока выполнена полой.

Номер патента: 1480674

Опубликовано: 10.04.1996

Авторы: Веселова, Гусев, Космодемьянская, Слесарева

МПК: H01L 21/306

Метки: антимонида, индия, раствор, травления

РАСТВОР ДЛЯ ТРАВЛЕНИЯ АНТИМОНИДА ИНДИЯ, включающий органическую кислоту, перекись водорода, азотную кислоту, отличающийся тем, что с целью улучшения качества травления за счет повышения его равномерности, раствор дополнительно содержит фторид аммония и алкилсульфонат натрия, а в качестве органической кислоты винную или лимонную кислоту при следующем соотношении компонентов, об.Винная или лимонная кислота (30%-ная) 66,7 72,7Перекись водорода (30%-ная) 15,5 23,3Азотная кислота (65%-ная) 3,3 5,7Фторид аммония (40%-ный) 2,9 6,2Алкилсульфонат натрия (1%-ный) 1,7 2,9

Номер патента: 1802652

Опубликовано: 20.04.1996

Автор: Варламов

МПК: H01L 21/50

Метки: микросборки

...контрольной платы были выбраны припои Пср ОСЗи Пср 1,5, Припой в количестве 2 г расплавлялся и в него добавлялась золотая проволока Зл,9 до растворения в припоя в следующих количествах: для Пср ОСЗ-1,0;4 для Пср 1 5-1,50.Контактные площадки контрольной платы обслуживались полученным составом и к ним присоединялись кристаллы с выводами булавообразной формы, Производился контроль электрических параметров кристалллов и кристаллы с облуженными выводами монтировались на платы микросборок.Высота облуженной части выводов больше толщины припоя на контактных площадках микросборок на 10-25%.Создание слоя полуды на выводах булавообразной формы предотвращает процесс растворения золотого вывода и повышает эксплуатационные свойства микросборок,В...

Номер патента: 1814430

Опубликовано: 20.04.1996

Авторы: Мякиненков, Ногин, Саратовский, Сейдман, Сопов

МПК: H01L 21/24

Метки: кремниевых, многослойных, структур

...структуры р -и-типа изготовленыедующим образом,Исходными являлись пластины моноисталлического кремния КДБ,01 и КДБ,ориентированные в плоскости (100),аметр пластин 60 мм, толщина 350-400км. Пластины проходили стандартную подтовку поверхности в перекисно-аммиачм растворе, после чего на поверхностьной из пластин напыляли слой тугоплавго металла (Т 1, толщина 0,05), а на поверость другой слой германия (бе, толщинаО). Пластины р и р складывали в столбикпарно, напыленными слоямй навстречууг другу, а размещали в цилиндрическийарцевый реактор печи СДС/125 и продили термообработку при температуре00 С в течение 1 ч в атмосфере формирга(смесь аргона и водорода). Для оценкичества полученных структур после термо-.работки изготавливали...

Номер патента: 1814432

Опубликовано: 20.04.1996

Авторы: Боднар, Кастрюлев, Корольков

МПК: H01L 21/265

Метки: барьера, высоту, диодами, имеющими, интегральных, микросхем, потенциального, различную, создания, схем, шоттки

...получить максимальный эффектувеличения высоты потенциального барьера высокобарьерных диодов Шоттки при минимальных токах утечки обратной ветви. Известно, что в процессе образования дисилицида титана на 1 нм . толщины слоя титана расходуется 2,27 нм толщины кремния. Таким образом, на взаимодействие, например, 45 нм титана расходуется 103 нм слоя кремния, что требует применения ионной имплантации бором с энергией 30 кэВ.Реализация самосовмещенной технологии формирования дисилицида титана с помощью одностадийной импульсной фотонной обработки в указанных режимах позволяет получать величины максимального логического перепада при минимальном 2 уровне легирования акцепторной примесью за счет большей степени электроактивации,. более...

Номер патента: 1672865

Опубликовано: 20.04.1996

Авторы: Богдевич, Дмитриев, Клокотов, Кузнецов, Никонов, Советов

МПК: G21K 1/06, H01L 21/20

Метки: атомов, нейтральных, пучка, формирования

1. Способ формирования пучка нейтральных атомов, основанный на резонансном взаимодействии их в вакууме с полем стоячей световой волны когерентного излучения частотой 1 и полем бегущей световой волны охлаждающего излучения 2, частоты которых смещены в длинноволновую область относительно частоты линии разрешенного перехода в спектре поглощения атомов пучка, отличающийся тем, что, с целью получения гомоцентрического монохроматического пучка, допускающего стигматический перенос изображения, атомы разгоняют до постоянной скорости V, воздействуя на них дополнительно световой волной частотой...

Номер патента: 952051

Опубликовано: 20.04.1996

Авторы: Ишков, Кокин, Лукасевич, Манжа, Сулимин

МПК: H01L 21/82

Метки: интегральных, схем

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ, включающий операции окисления, формирования скрытых слоев, наращивания эпитаксиальной пленки, диэлектрических слоев, создания изолирующих и базовых областей транзисторных структур, вытравливания в диэлектрике эмиттерных и коллекторных окон, наращивания легированной пленки кремния, термического отжига для перераспределения примеси, обтравливания легированной пленки кремния, металлизацию, отличающийся тем, что, с целью увеличения процента выхода годных интегральных схем и повышения их надежности, после создания базовых областей формируют дополнительное маскирующее покрытие, устойчивое к травителю для пленки кремния, а обтравливание легированной пленки кремния осуществляют при формировании металлизации.

Номер патента: 1816166

Опубликовано: 20.04.1996

Авторы: Залетаев, Койфман, Кочеров

МПК: H01L 31/08

Метки: фотоприемник

...один от нии, обеспечивающем обьемного заряда. При жиме между элемента управляемый песта цио объеме полупроводника нов ьппению коэффицие ского усиления при с значения квантовой эфф но в фотоприемных ации инфракрасного в фотоприемнике напенсированного по- двух контактов выи более элементов, другого на расстоясмыкание областей этом в рабочем реми протекает ток, парным зарядом вчто приводит к нта фотоэлектричеохранении высокогоективности, 3 ил,1816166 т1 с=А - = 7,110,. и Формула изобретения ФОТОПРИЕМНИК на основе примесного компенсированного полупроводника, содержащий . активный слой и два контакта с электрическими выводами, отличающийся тем, что, с целью повышения коэффициента фотоэлектрического Коэффициент усиления...

Номер патента: 1215550

Опубликовано: 20.04.1996

Авторы: Казуров, Манжа, Патюков, Попов, Чистяков, Шурчков

МПК: H01L 21/265

Метки: p-n-переходами, полупроводниковых, приборов, пристеночными

1. СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ С ПРИСТЕНОЧНЫМИ P-N-ПЕРЕХОДАМИ, включающий формирование боковой диэлектрической изоляции, формирование глубокого коллектора, окисление меза-областей, создание базовой области, осаждение нитрида кремния, вскрытие окон в диэлектрических слоях к коллектору, активной и пассивной части базовой области, осаждение пленки поликристаллического кремния, ионное легирование вскрытых в диэлектрических слоях областей через пленку поликристаллического кремния, одновременный отжиг ионнолегированных слоев и формирование металлизации, отличающийся тем, что, с целью увеличения процента выхода годных приборов, после вскрытия окон в диэлектрических слоях проводят ионное подлегирование активной части базовой...

Номер патента: 1829757

Опубликовано: 20.04.1996

Авторы: Аветисян, Енишерлова, Клемин, Орлов, Шмелева

МПК: H01L 21/225

Метки: p-p+-структур, кремниевых

...после изготовления омических контактов из структуры 5 вырезаются фотоприемники или линейкифотоприемников.Приборы, изготовленные в режимах, отличных от приведенных в изготовлении, имеют худшие по сравнению с теми прибо рами, которые изготавливаются согласноданному предложению, фотоэлектрические параметры, у них не оптимальные параметры барьерного слоя (см, таблицу, примеры 2-21). Например, прибор, изготовленный 15 при температуре отжига 1100 и времениотжига 3 ч имел до одного порядка хуже ампер-ваттную чувствительность. Такой же эффект наблюдается при изменении времени отжига, например, меньше 2 ч, при сохрэ нении температур отжига в пределах1150-1230 С.1829757 Продолжение таблицы Качество репою а структуре р .о в со.Концентрацию...

Номер патента: 1829796

Опубликовано: 20.04.1996

Авторы: Аветисян, Вето, Клемин, Куликов, Якушев

МПК: H01L 27/148

Метки: гибридный, фотопреобразователь

...большой ток позволяет уменьшить входное сопротивление, регулировать ВС-цепочку на входе и тем самым улучшать частотные характеристики гибридной фоточувствительной схемы.Фотоприемник и коммутатор в предлагаемой конструкции соединены так же, как и в прототипе, за тем лишь исключением, что между точкой их соединения и "землей" включена емкость, выполненная в виде МДП структуры на поверхности фотоприемника (см. фиг,2), Накопление заряда, обусловленное протеканием фототока через фоторезистор, первоначально происходит в МДП-структуре,Перед подачей напряжения на ФП емкость Смдп заряжается посредством подачи отрицательного напряжения (насхеме это осуществляется замыканием ключа В), Это осуществляется за один такт, если СмдпСпзс, либо за...

Номер патента: 1340500

Опубликовано: 20.04.1996

Авторы: Даниелян, Евдокимов, Зайдлин, Манжа, Фишель

МПК: H01L 21/76

Метки: изоляции, интегральных, схем, элементов

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ИЗОЛЯЦИИ ЭЛЕМЕНТОВ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ, включающий формирование в кремниевой подложке сплошного скрытого слоя, наращивание эпитаксиального слоя, осаждение маскирующих пленок, формирование в них окон, вытравливание в эпитаксиальном, скрытом слоях и в исходной подложке канавок, формирование в канавках диэлектрического покрытия, удаление его с дна канавок, противоканальное подлегирование дна канавок, осаждение двуокиси кремния, удаление двуокиси кремния с изолирующих областей и частично с канавок, отличающийся тем, что, с целью упрощения технологии изготовления изоляции элементов за счет снижения требований к профилю канавок и повышения выхода годных интегральных схем путем устранения пустот в канавках, осаждение двуокиси...

Номер патента: 1579340

Опубликовано: 20.04.1996

Авторы: Битюрин, Миронов, Петров, Чириманов

МПК: H01L 21/18

Метки: диодов, лавино-пролетных, матрицы, мезаструктур

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МАТРИЦЫ МЕЗАСТРУКТУР ЛАВИНО-ПРОЛЕТНЫХ ДИОДОВ, включающий формирование на подложке германиевой или арсенидгаллиевой структуры типа n+-p-p+ (n+-n-p+), нанесение металлизации на структуру и ее разделение на отдельные активные элементы, отличающийся тем, что, с целью расширения частотного диапазона генерации и повышения КПД диодов, в качестве материалв подложки используют медь, трехслойную структуру формируют путем нанесения на подложку слоев типа n+-p(n+-n), их рекристаллизации при 400 500oС, а p+-слои формируют на рекристаллизованной двухслойной структуре методом низкотемпературной диффузии.