H01L — Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам

Номер патента: 1376134

Опубликовано: 23.02.1988

Авторы: Вершигора, Гончаров

МПК: H01L 25/00

Метки: блок, преобразователя

...13 соединены шар-. нирами 30, На наружных частях 15 и 16 охлаждающего устройства 13 имеются буртики 31 с резьбовыми отверстиями 32 для крепления блока преобразователя на объекте.Блок-схема преобразователя состоит из полупроводникового преобразователя 1 тока якоря, собранного по схеме трехоперационного импульсного преобразователя постоянного тока сискусственной коммутацией. В схему входят силовые полупроводниковые приборы (Ч 1-Ч 6).Управляется преобразователь 1 от усилителя-Формирователя 2 импульсов. Выключение основных тиристоров Ч 1 и Чб осуществляется с помощью коммутирующего контура 3 и дополнительных тиристоров Ч 2 и Ч 5, Блок-схема включает в себя КС-цепочки 4, датчики 5 тока якоря и обмотки возбуждения, преобразователь 6...

Номер патента: 1376200

Опубликовано: 23.02.1988

Авторы: Васильев, Плеплис, Савицкас, Смельцов, Ясюленис

МПК: H01L 41/09, H02N 2/14

Метки: вибродвигатель

...высокочастотного электрического напряжения от генератора 5на пьезоэлемент 4 в нем возникают механические продольные колебания. Последниераспространяясь по телу вибровозбудителя 3, усиливаются. Колеблющийся с амплитудой 3-5 мкм рабочийнаконечник 2 вибровозбудителя 3, выполненный в виде полусферы, взаимодействует с боковой поверхностью ротораи посредством ударов, следующих с высокой частотой, приводит его в движение.Взаимодействие вибровоз будителя 3 с ротором 1 в процессе работы вибродвигателя носит ударный характер. Причем частота следования ударов равна частоте колебаний вибровозбудителя 3, а продолжительность отдельновзятого в общем случае меньше периода колебаний, т,е. имеет место. прерывистый контакт между взаимодействующими...

Номер патента: 1376262

Опубликовано: 23.02.1988

Авторы: Артеменко, Истокский, Катков, Кушнир, Ролик, Руденко

МПК: H01L 27/10

Метки: дискретной, информации, манипулированными, передачи, сигналами, частотно

...угла Ч, лежат в пределах 180ц(с)360 , а угла Р, ( ) в пределах 0 с(г) ы 180 , то для введения .фазового сдвига на угол Ч, к содержимому счетчиков 21 прибавляется разность между числом 64 и частным от деления значения Ср,(ь) на 5,625 , а для осуществления сдвига фазы в формируемом сигнале на угольк содержимому счетчиков 21 прибавляется двоичный код результата деления ц (.) на 5,625. С выхода ЦАП 23 псевдосинусоидальный сигнал поступает на вход фильтра б,В блоке 3 определения величины фазового сдвига на основании значения бита данных, поступающего от источника 1 информации, значения (Г), поступающего из блока 4 определения момента изменения фазы сигнала и значения фазы гармонического колебания из модулятора 2, происходит определение...

Номер патента: 1379752

Опубликовано: 07.03.1988

Автор: Семенюк

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: термоэлектрической, термоэлементов, эффективности

...поперечногосечения термоэлементов. Б и Б401 г Составитель В. ГолубевТехред М.Дидье Корректор С. Шекмар Редактор А. Козориз Заказ 978/48 Тираж 772 ПодписноеВНЙИПИ Государственного комитета ГССРпо делам изобретений и открытий113035, Москва, Ж, Раушская наб., д, 4/5 Производственно-полиграфическое предприятие,г,ужгород,ул,Проектная,4 Й к - длина термоэлементов;Б - площадь поперечного сечениятермоэлементов;К - сопротивление образцовогорезистора 15,1=1 для первого термоэлемента, Е 2для дополнительного термоэлемента.Расчетные формулы приведены дляслучая, когда произведение длины накорень квадратный из отношения периметра сечения к площади сечения первого термоэлемента в два раза большеэтой величины дополнительного...

Номер патента: 1379835

Опубликовано: 07.03.1988

Автор: Быков

МПК: H01L 25/00

Метки: высоковольтный, умножитель

...5 и разрядные Ь конденсаторы и контактные 30элементы 7, выполненные в виде шаров и установленные по электрической схеме. Конструкция четного блока является зеркальным отображениемконструкции нечетного блока.Высоковольтный умножитель напряжения работает следующим образом.Первичное переменное напряжениепоступает от трансформатора на пер"вый нечетный унифицированный блок 1, 4обеспечивающий удвоение напряжения,подается к шарам 7 и с помощью зарядного 5, разрядного 6 конденсаторов и двух диодов 4 удваивается иустанавливается на разрядном конденсаторе 6.45При установленном четном блоке сверху нечетного блока пружинными контактами соединяются между собой шары четного и нечетного блоков, и удвоенное напряжение с шаров нечетного блока поступает...

Номер патента: 1313254

Опубликовано: 15.03.1988

Авторы: Ахметов, Болотов, Гаврошевски, Рихтер, Смирнов, Шмальц, Эмексузян

МПК: H01L 21/263

Метки: атомов, геттерирования, дефектов, металлов, полупроводниках, тяжелых

...мкм, Облучение при 350 К в течение 300 с электронами с энергиейЕ = 3,5 МэВ, дозой Ф = 10 смБ - 2.поверхность окисляют травлением вСРс последуюцей выдержкой на воздухе в течение 70 ч.в -эБдц =7 10 см прий=2 2 мкм,Термообработка 570 К в течение1 ,8 -эБ= 7 10 см при Ь = 2,2 мкм.Облучение при 300 К электронами5 Яс энергией 3,5 МэВ дозой 510 эл/смс последующим отжигом при 570 К в течение 1 ч.БА 1,410 см при Й =- 2,2 мкм,Аналогичный результат получен ипри температуре облучения 280 К.П р и м е р 3. Материал и условия 40приготовления поверхности как и впредыдущих примерах.Б ц = (1,4-15) 1 О см при= 3,4 мкм,Термообработка 770 К в течение д1 ч,941 О см при й =: 394 мкмОблучение при 300 К электронамис энергией 3,5 МэВ дозой 5 10 смс последуюцим...

Номер патента: 1381620

Опубликовано: 15.03.1988

Авторы: Блинов, Масляный

МПК: B25J 15/00, H01L 21/68

Метки: захват

...и соприкасаются друг с другом.На стержнях 2 жестко закрепленыкрючки 3 для захвата и кулачки 4 длястабилизации положения захватываемойпластины 5, находящейся в пазу технологической кассеты 6,Расстояние между стержнями 2 иположение крючков 3 на спицах зависит от диаметра захватываемой пластины. Кулачки 4 расположены на стержнях 2 таким образом, что их соприкосновение с обратной стороной пластины происходит не более чем в1,5 мм от ее края (т,е, в ее нерабочей зоне).45Устройства работает следующимобразом,Манипулятор промышпенного роботавводит подвижные элементы захвата. -стержни 2, находящиеся в исходномположении (фиг. 3), в пространствомежду пластинами (или пластиной и торцовой стенкой кассеты фиг. 4) . Обеспечиваемое приводом устройства...

Номер патента: 1326145

Опубликовано: 15.03.1988

Авторы: Камарчук, Хоткевич, Янсон

МПК: H01L 39/22

Метки: взаимодействия, металлах, спектра, электрон-фононного

...помещают в криостат. Контакт между сверх- проводниками или сверхпроводником и нормальным металлом создают, например, методом сдвига электродов относительно друг друга. В соответствии с критериями качества проводят предварительный отбор контактов, которые ЗО ,удовлетворяют соотношению 1/й10 (1 - средняя длина свободного пробега электрона в области контакта, Й - диаметр контакта). Контакты, прошедшие такой отбор, имеют микроконтактные спектры, позволяющие с высокой степенью точности восстановить функцию ЭФВ. На основе экспериментальных данных показано, что зависимости Ч (Ч) сверхпроводящих контактов, для 40 которых справедливо неравенство 1/Й 1, не содержат спектральных особенностей ЭФВ. Если диаметр контакта сравним с длиной...

Номер патента: 337061

Опубликовано: 23.03.1988

Автор: Михайловский

МПК: H01L 31/00

Метки: детектор, магнитный

...сигнала под действием реальныхшумов возникает прецессия намагниченности с Флюктуациями определяемыми шириной полосы частот СВЧ усилителя перед магнитным детектором и величиной частоты релаксации Феррита. Вэтом случае выходное ЗДС с магнитногодетектора определяется не полной величиной изменения намагниченности 6 М ш , а лишь величиной Флюктуаош максций намагниченности аМ . Для увелий чения разности между величинамиЬМ ,о и ЬМ ш необходимо подбиратьоптимальное значение амплитуды подаваемого на детектор шума.При включении модуляции подмагничивающего поля, т.е. при перестройке детектора с некоторой частотой (по- прежнему в отсутствие СВЧ сигнала), поведение намагниченности магнитного полупроводника качественно сохраняется тем же самым,...

Номер патента: 1088589

Опубликовано: 07.04.1988

Авторы: Гущин, Долгополов, Иванов, Медведев, Сологуб, Хоббихожин

МПК: H01L 21/3065

Метки: плазмохимической, пластин, полупроводниковых

...и путем изменения его расхода устанавливают рабоее давление в диапазоне 6,7-133 Па. После этого через время С так как происходит значительное разбавление (5 Х) рабочей смеси в реакторе. Это приводит к тому, что внекоторых технологических процессах,при использовании в качестве балластного газа - азота при его содержаниив плазмообразующей смеси )5 Х происходит дополнительная деструкция фоторезистивной маски энергией, выделяемой при дезактивации возбужденных мо Чф РС К фиещеЯ Ргде К - коэффициент (1 сКс 5)у Чобъем реактора, л; Я - расход газа,л/с; Р - рабочее давление, торр;Р, - нормальное атмосферное давление,возбуждают ВЧ разряд и проводятпроцесс плазмохимической обработки.Подача газа-разбавителя на выходеиз реактора позволяет...

Номер патента: 1387073

Опубликовано: 07.04.1988

Авторы: Башкиров, Кощевец, Перов

МПК: H01L 25/00

Метки: блок, выходной, многоячейкового, преобразователя

...Число магнитопроводов равно числу однотактных инверторов в преобразователе. Магнитный поток в каждом из и магнитопроводов можно модулировать независимо. Суммирование ЭДС, наведенных этими магнитными потоками, происходит в каждом из двух общих контуров, которые образованы стержнями 3 и 4, проходящими соответственно внутри первой 13 и второй 14 групп магнитопроводов с первичными обмотками. Исключить влияние магнитопровода трансформатора, не участвующего в передаче энергии, на ток в общем контуре можно закорачи вая его первичную обмотку при помощи ключей соответствующего однотактного инвертора. В первый полупериод частоты преобразования выходное напряжение, наведенное в стержне.З, выпрямляется группой диодов 7, во второй полупериод...

Номер патента: 668502

Опубликовано: 23.04.1988

Авторы: Верходанов, Гаштольд

МПК: H01L 21/18

Метки: геттер, уменьшения, уровня, шумов

...повыше ния эффективности очистки, но цриэтом ухудшить качество других электрофизических параметров изготавливаемого устройства,4. Ограниченность применения, поскольку геттер может использоватьсяв производстве очень небольшой номенклатуры изделий, которые должны удовлетворять следующим условиям; во-первых, не иметь электрического контакта со стороны подложки, посколькуслой геттера является диэлектриком,во-вторых, изготавливаться только спомощью метода термической диффузии.Целью настоящего изобретения является повышение воспроизводимостии эффективности геттера,Поставленная цель достигаетсятем, что в качестве геттера используют соединения типа БдК, где К -металлоиды 1 Ч, Ч и Ч 1 групп периодической системы, преимущественно углерод или...

Номер патента: 740077

Опубликовано: 23.04.1988

Авторы: Власов, Остаповский, Портнягин, Ротман

МПК: H01L 27/04

Метки: интегральная, структура

...содержит полупроводниковую подложку 1 р-типа с образованными на ней эпитаксиальными слоями 2 и 3 противоположного типа проводимости, В верхнем эпитаксиальном слое 2 выполнены области/р-и-р-транзистора: эмиттер 4, база 5, коллектор 6 (часть коллектора расположена в эпитаксиапьном слое 3).В эпитаксиальной базе транзистора выполнена дополнительная область 7 того же типа проводимости с поверхностной концентрацией донорной примеси М 1 = 6 10 см . Указанная концент 17 -3рация примеси дополнительной области превышает концентрацию примеси в остальной области базы, которая составляет М р = 5 10 см ; Область 8, выполненнаяна границе эпитаксиального слоя 3 и подложки 1 предотвращает смыкание области коллектора с подложкой. Для получения омических...

Номер патента: 1093175

Опубликовано: 23.04.1988

Авторы: Попов, Сухов

МПК: H01L 21/318

Метки: кремний-двуокись, кремния, кремния-нитрид, структур

...улучшения элекФрофизических параметров структур.Давление в реакторе при отжиге более 2 атм приводит к нарушению герметичности кварцевого реактора и невозможности реализации процесса. Использование металлических реакторов приводит к загрязнению структур ионами металлов и взаимодействию аммиака с материалом реактора при повышенной температуре процесса. Эксперименталь 35 ио показано, что отжиг структур при давлении аммиака 1-2 атм улучшает электрофизические параметры структур только при продолжительности отжига не менее 30 мин.Под улучшением электрофизических характеристик понимается увеличение крутизны вольт-фарадных характеристик структур Бх - ЯО- БхэМ, что является следствием уменьшения флуктуаций заряда и уменьшения величины...

Номер патента: 1044203

Опубликовано: 23.04.1988

Автор: Трегубов

МПК: H01L 27/04

Метки: интегральной, микроструктура, полупроводниковая, схемы, тестовая

...слоев. При просмотре в направлении стрелки этого участка в растровом электронном микроскопе можно одновременно визуализировать (сфотографировать) и возможное место разрыва слоя алюминия накраях диэлектрических слоев, а клинтравления этих слоев, который обычно непостоянен по высоте,Неудовлетворительная форма краевэлементов (козырьки, подтравы и т.д.)создающих ступеньки для алюминиевого слоя, является одной из главныхпричин возможных разрывов последнегои отсутствия контакта с подложкойТаким образом, структура, приведенная на фиг,1, позволяет выяснить технологические причины брака в слоях, прикрытых на рабочем участке интегральной схемы другими слоями, а также может использоваться для отработки технологии, межоперационного и 55(другая...

Номер патента: 1390660

Опубликовано: 23.04.1988

Авторы: Быкадоров, Платонов

МПК: H01L 25/00

Метки: выпрямительное, испытательной, установки

...В В , и электростатических экранов 3, являющихся одновремен т,е, напряжение на элементах выпряно выходньяи точками электрической мителя 1 возрастает пропорциональцепи выпрямительного устройства, 25 но его высоте или числу конденсато-Выпрямитель 1 содержит конденсато" ров 4 в колоннах. Поскольку напряжеры 4, жестко скрепленные с внутрен- ние на резисторах активного делитеними экранами 5, которые закреплены ля 2 также возрастает пропорциональв прорезях изоляционных стоек 6. На но его высоте, размещение активноговнешних сторонах последних разме делителя 2 между колоннами конденщены диоды 7, активный делитель 2 саторов 4 обеспечивает равномерныисостоит из вертикальной колонны из характер электрического поля внутрирезисторов 8, заключенных в...

Номер патента: 921387

Опубликовано: 23.04.1988

Авторы: Верходанов, Власов, Гаштольд, Калиников, Кольдяев

МПК: H01L 27/04, H01L 29/78

Метки: полупроводниковое

...затвора в области канала,На чертеже изображено сечение полупроводникового устройства, состоящее из полупроводниковой подложки 1, например, р-типа проводимости, эпитаксиального слоя 2 противоположного типа проводимости, областей 3, 4 верхнего, нижнего. затворов, областей 5 каналов, областей б истока (стока), легированной области 7 канала.Как видно из чертежа, канал состоит из двух областей: неравномерно легированной и нелегированной.В эпитаксиальной области 5 канала легирующая примесь распределена однородно и соответствует уровню легирования исходной эпитаксиального слоя М, тогда как в области 7, которую создают с помощью операций диффузии или ионного легирования, концентрация примеси не постоянна, а уменьшается от значения, соответст"...

Номер патента: 1392602

Опубликовано: 30.04.1988

Автор: Дргач

МПК: H01L 21/302

Метки: двухсторонней, других, кремниевых, круглых, механической, пластин, тонких

...самоочисткасегментов 8 путем взаимного трения,2 ил. конусным пазом, а третья - в видецилиндрического кольца с конусным пазом, установленного соосно с опорнымдиском, на котором также установленымоечные сегменты. Привод всего устройства обеспечивается одним двигателем.11 редлагаемое устройство позволяет производить одновременную очисткудвух сторон полупроводниковых пластинбез дополнительного проведения операции по перегрузке пластин, а такжеулучшить качество очистки преимущественно центральной поверхности пластин при низкой материалоемкости устройства и уменьшении расходов вспомогательных материалах.На фиг.1 изображен профиль устрой"ства; на фиг. 2 - устройство, плоскийразрез.Устройство содержит корпус 1,крышку 2, опорный диск 3,...

Номер патента: 625522

Опубликовано: 07.05.1988

Авторы: Деркач, Михалевич, Рева, Точинский

МПК: H01L 29/768

Метки: зарядовой, прибор, связью

...сигнала; д) - выходного сигнала, 50Прибор с зарядовой связью (фиг.1) содержит ряд передающих электродов 1-11, расположенных на полупроводниковой подложке 12, покрытой слоем диэлектрика 13, а также входную 14, выходную 15, заряжающую 16, истоковую 17, и стоковую 18 области проти".воположного с подложкой типа проводимости (причем стоковая область можетсостоять из двух областей 18 и 19,соединенных проводящей шиной 20),выходной электрод 21, заряжающийэлектрод 22, первую 23 и вторую 24тактовые шины и дополнительный электрод 25,Устройство работает следующимобразом.На тактовые шины 23 и 24, к которым присоединены передающие электроды, поданы, соответственно, первыеи вторые (фиг. 2 а и б) тактовые импульсы, вызывающие перенос...

Номер патента: 786741

Опубликовано: 07.05.1988

Авторы: Деркач, Копыл, Михалевич, Торчинский

МПК: H01L 27/10

Метки: запоминающий, элемент

...со стоком разрядного и затвором ключевого транзистора, а затвор и сток зарядного транзистораподсоединены ко второй тактовой шине,На фиг, 1 представлена блок-схемапредлагаемого запоминающего элемента; 5. 50на Фиг. 2 - Формы первых, вторых тактовых импульсов, сигнала записи инФормации и импульсного напряжения,Запоьанающий элемент содержит регистр сдвига с переносом заряда 1 55(например на пожарных цепочках), выходной транзистор 2, ключевой 3,зарядный 4 и разрядный 5 транзисторы,шины первых 6 и вторых 7 тактовыхинпульсоь, затвор 8, подсоединенныйк источнику импульсного напряжения,шину записи информации 9.Работу устройства рассмотрим напримере десятичного фазо-импульсногозапоминающего элемента, регистр сдвига которого содержит пять...

Номер патента: 1396181

Опубликовано: 15.05.1988

Автор: Шабоян

МПК: H01L 25/04

Метки: модуль, полупроводниковый, силовой

...или силовой составной модуль,в котором силовой транзистор защунтирован диодом, При этом используется силовая диодная структура с малымвременем восстановления.В варианте модуля с одной силовойдиодной структурой на каждой сторонетермокомпенсатора, где диоды подключены последовательно (фиг,4), полу-чается плечо выпрямительного моста.В варианте модуля с силовой диодной структурой на обеих сторонахповерхности термокомпенсатора 3 диоды смонтированы встречно (фиг.5),следовательно, получается диодный модуль, в котором диод изолирован откорпуса,181 45 3 1396При соединении основания 6 с выводом 9 получается модуль с параллельно включенными диодами.В другом варианте тиристори диодподключены последовательно (фиг. 6),5анод тиристора...

Номер патента: 466817

Опубликовано: 30.05.1988

Авторы: Думаневич, Евсеев

МПК: H01L 29/74

Метки: переключатель, полупроводниковый, трехэлектродный

...в обратном 1направлении двух р - п-переходов, вследствие чего повышается напряжение в цепи управления, 30Предложенный переключатель отличается тем, что шунтировка дополнительной области выполнена только состороны управляющего электрода.На фиг.1 изображен тиристор, упРав ляемый током . отрицательной полярности и содержащий пластину 1 исходного кремния электронного типа, диффузионные слои 2,3 дырочного типа; диффузионные слои 4,5,6 электрон ного типа; электроннодырочные переходы 7-11; металлические контакты 12- 15Отличием данной структуры является шунтирование р-и-перехода 1145 дополнительной области 6 со стороны управляющего электрода. В результате при подаче сигнала управления инжекция электронов происходит из областей 5 и 6, структура...

Номер патента: 349356

Опубликовано: 30.05.1988

Авторы: Думаневич, Евсеев

МПК: H01L 29/74

Метки: симметричный, тиристор

...половиной кольцевой областидырочного типа проводимости, а отэмиттерной области дырочного типа полукольцом с электронным типом проводимости и полукольцом области дырочного типа проводимости,На фиг.1 схематично изображено сечЕние симистора; на фиг,2 - полупроводниковая пластина, вид сверху и снизу.Предложенный симистор состоит из исходного монокристаллического кремния 1 с проводимостью электронного типа, дырочных слоев 2 и 3, получен ных. диффузией, эмиттерных слоев 4 и 5 п-типа, кольцевой области 6 с электронным типом проводимости, полу- кольцовой области 7 с электронным типом проводимости, электронно-дырочных переходов 8-13, управляющего электрода 14, верхнего и нижнего силовых электродов 15,16 соответственно,Такая...

Номер патента: 1122114

Опубликовано: 30.05.1988

Авторы: Глезин, Григорьева, Далецкий, Звягина, Мильштейн, Попов, Харон

МПК: G01T 1/24, H01L 31/04

Метки: датчик, дозиметра, излучения, ионизирующего, полупроводниковый

...связано сразмещением источника света в корпусе датчика. Это требует использования дополнительного пространства для 40установки самого источника и для формирования пути распространения светадля получения более или менее равномерного освещения полупроводниковогопреобразователя. 45Цель изобретения заключается вуменьшении габаритов датчика и обеспечении условий для световой калибровки.50Поставленная цель достигается тем, что в датчике дозиметра ионизирующего излучения, содержащем светонепроницаемый корпус, в котором установлены полупроводниковый преобразователь, и источник света, полупроводниковый датчик выполнен в виде пластины с двусторонней чувствительностью, в корпусе дополнительно установлена светорассеивающая пластина, одной...

Номер патента: 1401415

Опубликовано: 07.06.1988

Авторы: Борназян, Паносян

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: времени, заряда, поверхности, релаксации, твердотельного, электрода

...4 с электролитом, который выбирается с учетом его ингибирующихсвойств относительно коррозии данного материала. В режиме разомкнутойцепи на потенциостате 5 устанавливают начальное значение исходного потенциала, от которого начинаетсяразвертка потенциала, Начальное значение исходного потенциала выбираютиэ области потенциалов, где ожидается наблюдение максимума нестационарного тока, послечего потенциостатприводят в режим замкнутой цепи ина миллиамперметре 7 фиксируют уста 35новившееся значение стационарного тока ячейки, которое должно быть одинаково для различных Ч.Скорость развертки потенциала Чвыбирают с учетом возможности регистрации максимума нестационарного то. ка, поскольку с увеличением Ч максимум получается отчетливее....

Номер патента: 1083858

Опубликовано: 15.06.1988

Авторы: Гончаров, Григорьева, Кабузак, Томашпольский, Фролов, Чижик

МПК: H01L 23/12

Метки: интегральная, схема

...в данной конструкции электрически соединен коммутационными.проводниками свнутренними концами выводной рамки, 30контактная поверхность которых покрыта алюминием.Покрытие алюминием обеспечиваетвысокую надежность контакта коммута- .ционного проводника с внутреннимконцом выводной рамки. Однако следуетотметить, что, т.к. монтажная область кристаллодержателя также покрыта алюминием, возникают затрудненияв обеспечении надежного низкоомного 40контакта с полупроводниковым кристаллом.Это объясняется тем, что пайкак алюминию обычно осуществляется специальными припоями с использованием45агрессивных флюсов. Применение жеультразвуковых методов пайки вызывает значительные механические воздействия. на полупроводниковый кристалл,что приводит к его...

Номер патента: 1403396

Опубликовано: 15.06.1988

Авторы: Жаров, Явношан

МПК: H01L 23/36, H05K 7/20

Метки: охлаждения, радиоэлементов

...внешней стороны квнутренней стороне капсулы 3,Корпус 1 конструктивно может бытьвыполнен с отсеком 9, заполняемымрастворяющимся веществом 4 и герметизируемым плавящимся веществом 5,В качестве жидкости-растворителя2 и растворяющегося вещества 4 вустройстве могут быть использованы,например, вода и тиосульфат натрия,вода - соль КС 1,В качестве плавящегося вещества5 может использоваться стеариноваякислота, парафии, сплав вуда и другиеметаллические и неметаллические вещества.Устройство работает следующим образом.При включении прибора 6 выделяемое им тепло через стенку корпуса 1 из высокотеплопроводного материала поступает в жидкость 2 и идет на ее разогрев. По достижении температуры плавления первой перегородки капсулы 3 вещество 4,...

Номер патента: 1405711

Опубликовано: 23.06.1988

Автор: Карл

МПК: H01L 25/00

Метки: статический

...стержней 73 и 74и демпфера 75, которые образуютэлектрический контакт между блоками.Если путь, по которому проходит токчерез демпфер, прерван (перегорожен)слоем из непроводящего материала,демпфер можно замкнуть при помощилинии 7 б,Вентили блоков в основном подвергаются только напряжениям на разрывВентили можно крепить (натягивать)при помощи сквозных вертикальных перегородок из слоистого стекловолокнаили подобных, которые относительноне восприимчивы к изгибанию, вращению(качанию) н другим деформациям. Такимобразом, подвешенный вентильный блокобразует прочную и в некоторой степени жесткую конструкцию, которая придает блоку очень высокую сопротивляемость воздействиям на него, вызванньж колебаниями элемента (точки), ккоторому крепится...

Номер патента: 1405712

Опубликовано: 23.06.1988

Автор: Дэвид

МПК: H01L 31/04

Метки: полупроводниковое

...устройства подложку, например алюминий, располагают на нагревательной пластине, в вакуумнойкамере и подсоединяют к отрицательной клемме источника энергии,Затем вакуумную камеру откачиваютдо давления порядка 0,5-1,0/х 10 торр,а подложку нагревают до 150-400 С.В вакуумную камеру впускают силан51 Нпод давлением 0,1-3,0 торр и врезультате этого температура подложки повышается до величины 200-500 С.0С целью обеспечения невыпрямляющегоконтак га между подложкой и активнойобластью, последняя должна наноситься на подложку при температуре вьппе350 С для того, чтобы гарантироватьобразование эвтетики между алюминиевой подложкой и активной областьюаморфного кремния,Для нанесения активного слоя разность потенциалов между анодом и...

Номер патента: 1406538

Опубликовано: 30.06.1988

Автор: Парфенов

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: идентичности, матричных, параметров, приборов, электрических

...поступающие на счетчик 5,параллельный код с выходов которогоуправляет работой коммутатора ч, т,е.поочередно подключает выходы фотодиодов матрицы 3 к входу усилителя 7мощности, таким образом формируетсяпоследовательность электрических импульсов,Фотоприемники опрашиваются по очереци с первого до последнего, затемцикл повторяется, Импульсы на выходекоммутатора соответствующие по амплитуде ЭДС, вырабатываются фотодиоцамипод действием света. Импульсы усиливаются до необходимого уровня усилителем 7 и подаются на электроакустический преобразователь 8, имеющий малую инерционность, например пьезоэлектрический или динамический высокочастотный громкоговоритель, Импульсыакустического давления, в спектре которых присутствует частота...