Патенты с меткой «монокристалла»

Способ изготовления конденсаторов с диэлектриком из монокристалла

Загрузка...

Номер патента: 21272

Опубликовано: 31.07.1931

Автор: Вологдин

МПК: H01G 4/06

Метки: конденсаторов, диэлектриком, монокристалла

...1, 2 конденсатора, как показано на фиг, 1, Можно также сразу поместить целый ряд обкладок 1, 1, 1 ф и 1, 2, 2", если нужно получить значительную емкость, После кристаллизации диэлектрика пластины 1, 1, 1" точно так же, как и пластины 2, 2, 2 ф, соединяются общими проводниками и образуют конденсатор.Пластинам можно придать форму сеток, как показано на фиг. 2, или заменить их проводниками, натянутыми в шахмат.ном ил ином- порядке, как показано на фиг. 3 и 4, Если соединить проволоки,обозначенные крестом, вместе и проволоки, обозначенные кружком, также вместе, то образуются две обкладки конденсатора, при чем для надлежащей ориентировки кристаллографических осей образующегося монокристалла кристаллизатор можно поместить в магнитное или...

Способ измерения толщины нарушенного слоя на поверхности монокристалла

Загрузка...

Номер патента: 316136

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Малкин, Терман, Линева

МПК: H01L 21/66

Метки: толщины, нарушенного, слоя, монокристалла, поверхности

...перпендикулярном электронному пу ку, ц измерецце расстояния вдоль направления сканирования от границы косого среза на поверхности моцокристалла до той точки сечения, начиная с которой дифракццонная картина остается нецзхтецной.Сущность изобретения поясняется чер геПодготовка ооьекта к измерениям и последовательность операций при измерении толщины нарушенного слоя состоят в следую щем. Под углом а к плоскости образца с нарушенным слоем 1 делают косое сечение (шлиф), Технологию изготовления шлифа ьыбирают такой, чтобы толщина дополнительного нарушенного слоя, связанного с его изго. товлецисм, была минимальной. Дополнцтель. цый нарушенный слой удаляется химическим травлением, причем изучаемая поверхносп. предварительно покрывается защитным...

Устройство для ориентирования кристаллографической плоскости монокристалла

Загрузка...

Номер патента: 443431

Опубликовано: 15.09.1974

Авторы: Балан, Ткаченко, Поляченко, Соснина

МПК: H01L 7/68

Метки: плоскости, монокристалла, ориентирования, кристаллографической

...оси 7. Пластбна, обойма, патрон, двигатель и редуктор составляют съемную часть прис 1 о пособлвния, предназначенную для установки на станок ориентированной резки.Основание 8 продольные салаз . 15 ки 9, жестко связанныэ с ниии попврвчныв салазки 10 с винтом подачи 11 и поперечная направляющая 13 представляют собоИ механизм, позво- ляющиИ только плоско-параллельное 2 о перемещение попэрзчноИ направляю- щвИ. Пластина зафиксирована на по- перечноИ направляющвИ базовыми штифтами 15, входящими в эе .базовые отверстия, и закреплена с помощью откидных винтов 14.На основан 1 и 8 имеется штырь 15, ось которого совпадает с вертикаль- ноИ осью вращения монокристалла относительно рентгеновского счетчика 16, куда попадает пучок рэнтгэновскйх лучэИ...

Индуктор для подогрева растущего монокристалла

Загрузка...

Номер патента: 485762

Опубликовано: 30.09.1975

Авторы: Кокойло, Неймарк, Самелюк, Брюхацкий

МПК: B01J 17/10

Метки: растущего, подогрева, индуктор, монокристалла

...по междьше 1 ертеже изображенаельной зонной плавко монокристалла про индуктора,роцесса вом рапредла схемас пологпомоще Изобретение относит проводников и может бестигельной зонной п гих полупроводниковыИзвестны индукторы щего монокристалла в зонной плавки, состоя ских витков.Однако такие индукт гревают монокристалл ва, Кроме того, индукт волнообразно изогнутог неравномерный нагрев Индуктор 1 для подогрева растущего моно- кристалла 2 расположен под плавильным индуктором 3, создающим расплавленную зону 4, и выполнен из нескольких витков 5, последовательно расположенных по его оси так, что расстояние Й между токопроводами соседних витков меньше амплитуд 5 волн. Количество витков при этом должно обеспечивать требуемую высоту зоны нагрева до...

Ювелирный камень из монокристалла

Загрузка...

Номер патента: 572259

Опубликовано: 15.09.1977

Авторы: Максименков, Зыков, Соколов

МПК: A44C 17/00

Метки: камень, монокристалла, ювелирный

...с рундистом; на фиг. 5 - схема сравнительной ориентации (вписывание) бриллианта круглой формы с рундистом, образующая которого перпендикулярна площадке, параллельна оси камня.Описываемый ювелирный камень состоит изкоронки 1 и павильона 2, разделенных рундистом 3, образующая 4 которого выполнена наклонной относительно оси 5 камня так, что образующие 4 рундиста сходятся в направлении павильона 2, имея с площадкой 6 угол, 25 не превышающий 90.На фиг. 5 приняты следующие обозначениялинейных и угловых параметров огранки:Д - диаметр камня с цилиндрическим рундистом;30 Д 1 - то же с коническим рундистом;,Г Р - величина площади камня с цилиндрическим рундистом;Р - то же с коническим рундистом;г - величина рундиста камня;а - угол наклона...

Устройство для поддержки монокристалла

Загрузка...

Номер патента: 656476

Опубликовано: 05.04.1979

Авторы: Герхард, Вольфганг

МПК: B01J 17/10

Метки: монокристалла, поддержки

...его конического участка. На Фиг, 2 изображен вариант устройства с муфтой из телескопкческих кольцевых элементов, цакболь -ший 9 из которых по диаметру снабжен внешним кольцевым бортиком 10и укреплен ца вертикальных штоках11, проходящих через стенку 12 камеры, Элемент 13 с наименьшим диаметром прикреплен к кольцевой плите 5После разращинания монокристалладо заданного диаметра, штокам сообщают движение ннерх, в результатечего элементы,раздвигаются и образуют воронкообразную муфту, которуюзатем наполняют сыпучкм материаломаналогично тому, как описано вью.На фиг. 3 изображен вариант устройства с муфтой из двух элементов1 и кольцевой плитой 5, выполнеццы- З 8ми из магнитного материала. В кольцевую плиту 5 встроена катушка 14...

Способ получения просветляющегося оптического фильтра на основе монокристалла

Загрузка...

Номер патента: 631031

Опубликовано: 25.07.1979

Авторы: Зимин, Грибковский

МПК: H01S 3/10

Метки: просветляющегося, оптического, основе, фильтра, монокристалла

...оптические свойства, так как просветление происходит в канале: акцентор цд основе вакансии цинка - зона проводимости.Ори.чер. Нелегированные монокристаллы в ХпТе помешают в кварцевую дчпулу, из которой откачивают воздух до давления 5 х н 10 мм рг. ст. Ампулу цд; ревдют до 1100 С и спустя 5 миц почещают в жидкий азот до полного охлаждения.Образцам, извлеченным из ампулы, механической полировкой придают форму плоскопараллельцой пластинки толцгиной 0,7 мм.Пластинки ХпТе почсшают в азотный криостат и цри температуре 77 К .проводят измерение величины ЬР =Рз в -Ро, гдеРо - 20 оптическая плотность образца при малыхпотоках излучения; Р в - оптическая плотность при потоках Я, вьзываюшцх насыщение поглощения (5:; 1 О МВтсм-).631031 Фор...

Способ контроля поверхностного слоя полупроводникового монокристалла

Загрузка...

Номер патента: 763751

Опубликовано: 15.09.1980

Авторы: Кон, Ковальчук, Буйко, Афанасьев, Ковьев, Имамов, Болдырев, Лобанович

МПК: G01N 23/207

Метки: полупроводникового, поверхностного, слоя, монокристалла

...того, кривые дифракционных отражений от исследуемой и ненарушенной поверхности монокристалла получают с помощью поляризованных пучков рентгеновского излучения.и Чтобы пояснить физическую сущностьпредлагаемого способа, рассмотрим модель,описывающую дифракию на тонких кристаллических слоях. Кристалл (подложка)представляет собой плоскопараллельнуюплаСтину с идеальной кристаллической решеткой, на поверхности которой находитсянарушенный слой толщиной 1, При этомслой считается слабо отражающим. Этосправедливо при условии, когда толщина слоя 1.н меньше экстракционнойзь длины кристалла Еэ, которая в геометрии Брэгга зависит от порядка отраженияи величины структурной амплитуды. Рассеяние в такой ситуации описывается кинетической теорией....

Способ контроля степени мозаично-сти изогнутого монокристалла

Загрузка...

Номер патента: 819653

Опубликовано: 07.04.1981

Авторы: Лобова, Подлесная, Смушков, Райхельс

МПК: G01N 23/20

Метки: изогнутого, степени, монокристалла, мозаично-сти

...чем вдвух точках,Точки выбирают на том расстоянии, длякоторого построена градуировочная зависимость, и определяют степень мозаичностипо градуировочной кривой,После выращивания монокристаллов привысоких температурах и остывании до комнатной температуры, наблюдаемая мозаичность кристалла часто обусловлена такимстатистическим распределением блоков мозаики по кристаллу, при котором соседниеблоки повернуты один относительно дру-гого в одну сторону, Измеренный характер 4изменения углов отражения рентгеновскнх лучей в точках кристалла, расположенных вдоль какого-либо направления, имеет впд монотонно изменяющейся кривой. Это обуславливает искривление кристаллографической плоскости как целого всей поверхности кристалла.На чертеже изображен...

Способ определения профиля распределенияструктурных искажений b поверхностномслое монокристалла

Загрузка...

Номер патента: 830206

Опубликовано: 15.05.1981

Авторы: Имамов, Ковальчук, Кон, Лобанович, Буйко, Афанасьев

МПК: G01N 23/20

Метки: поверхностномслое, профиля, искажений, распределенияструктурных, монокристалла

...профиля до совпадения кривых 4.Недостатками данного способа являются небольшая точность из-за малых интенсивностей отражений в дополнительных областях дифракции при исследовании тонких поверхностных слоев, а также неоднозначность восстановленного профиля при сложных формах искажений.Цель изобретения - повышение точности и достоверности получаемого профиля структурных нарушений. 40Поставленная цель достигается тем,что согласно способу определения профиля распределения структурных искажений в поверхностном слое монокристалла, заключающемуся в том, что про-изводят регистрацию кривой дифракционного отражения монохроматическогорентгеновского излучения от исследу"емой поверхности монокристалла, моделируют профиль распределения...

Дифрактометрический способ определения ориентировки монокристалла

Загрузка...

Номер патента: 890179

Опубликовано: 15.12.1981

Авторы: Новиков, Освенский, Утенкова, Фомин

МПК: G01N 23/20

Метки: дифрактометрический, ориентировки, монокристалла

...рентгеновских лучей от источника 1 проходйт через систему коллимируюших щелей 2 и падает на поверхностьизучаемого монокристалла 3, подвергнутого предварительному ориентированию,при котором нормаль отражающей плоскости и нормаль поверхности и повыведенй в плоскость перпендикулярнуюгониометрической оси 4, Поворачиваякристалл вокруг оси 4 выводят нормальП 1,в отражающее положение фиксируя максимум интенсивности дифрагированного луча 5 детектором 6, Приэтом регистрируется отсчет углоизмеритедьного устройства поворота 9, Вданном положении вводят кодлимиатор 7с двумя круглыми диафрагмами, размеркоторых должен быть равен сечению дифрагированного луча 5, и, плавно перемещая его, устанавливают в позиции,обеспечивающей прохождение...

Способ рентгенодифрактометрического определения ориентировки монокристалла

Загрузка...

Номер патента: 890180

Опубликовано: 15.12.1981

Авторы: Фомин, Освенский, Утенкова, Новиков

МПК: G01N 23/20

Метки: ориентировки, монокристалла, рентгенодифрактометрического

...монокристалла, подвергнутого предварительной юстировке, направляют монохроматический пучок рентгеновских лучей и, поворачивая кристаллы вокруг оси гониометра, выводят в отражающее положение заданную кристаллографическую плоскость, фиксируя при этом значение угла ф, отвечающего этому положению, Затем объект поворачивают на180 вокруг оси, перпендикулярной плооокости среза и гониометрической оси, и,повторяя ранее совершенные операции,вновь выводят монокристаллы в отражение и фиксируют угловое положение кри-сталла , Ориентацию заданной кристаллографической плоскости относительноплоскости шлифа (т. е. угла отклоненияот нормали к плоскости среза) находяткак полуразность зафиксированных углов7 йООКак следует из таблицы,...

Способ исследования структурного совершенства поверхностного слоя монокристалла

Загрузка...

Номер патента: 894500

Опубликовано: 30.12.1981

Авторы: Александров, Болдырев, Фалеев, Ковальчук, Лобанович, Афанасьев, Имамов

МПК: G01N 23/207

Метки: совершенства, слоя, исследования, структурного, монокристалла, поверхностного

...с энергией25 кэВ при дозах 3,110 см- и6,210"ф см . Измерения производились на трехкристальном спектрометре при использовании СцК,- излучения и симметричного отражения типа (Ш),На Фиг.б показана серия спектровкремния облученного ионами бора сдозой 3,1 10" см-, а на фиг.7представлены хвосты двухкристальной кривой отражения от этого кристалла, причем пунктиром показанакривая отражения до облучения. Изфиг,7 видно, что при углах, меньшихбрегговского, появляется дополнительная область днфракции, тогда какс другой стороны кривая отраженияпрактически совпадает с кривой от"ражения ненарушенного кристалла.Этот факт находит четкое выражениев трехкрнстальных кривых, полученных предлагаемым способом, При по"вороте кристалла в сторону большихуглов...

Способ контроля поверхностного слоя полупроводникового монокристалла и трехкристалльный рентгеновский спектрометр для осуществления способа

Загрузка...

Номер патента: 894501

Опубликовано: 30.12.1981

Авторы: Имамов, Болдырев, Лобанович, Завьялова, Афанасьев, Ковальчук

МПК: G01N 23/207

Метки: монокристалла, слоя, полупроводникового, рентгеновский, поверхностного, трехкристалльный, способа, спектрометр

...от друга на 180Ба чертеже показана схема спектрометра. Способ осуществляется следующим образом.На первом этапе реализации первые два кристалла являются монохромато-. рами, а третий кристалл исследуемый. В этом случае получают трехкристальные собственные кривые отражения, не искаженные инструментальной ошибкой. При съемке нарушенного слоя кривая дифракционного отражения содержит хвосты, интенсивность ко" торых складывается, в общем случае,из интенсивности динамического рассеяния и интенсивности диффузного рассеяния на дефектах в нарушенном слое. Затем измеряют кривую дифракционного отражения от идеального кристалла, используя, например, об"ратную ненарушенную сторону исследуемого монокристалла.Затем, на втором этапе, исследуемый...

Способ изготовления дифракционной решетки на поверхности монокристалла

Загрузка...

Номер патента: 705986

Опубликовано: 30.03.1982

Авторы: Смирницкий, Портной, Мизеров, Волков, Лысогоров

МПК: G02B 5/18

Метки: монокристалла, поверхности, дифракционной, решетки

...шагом и различными углами блеска. Решение этой проблемы позволяет существенно расширить спектральный интервал таких приборов, что ведет к расширению круга задач, решаемых,ими. Кроме того, при создании целого ряда интегрально-оптических и оптоэлектронных приборов возможность получать решетки с различными углами блеска позволяет направленно изменять их основные характеристики.Предлагаемый технологический процесс изготовления решетки заключается в следующем.Изготавливают монокристалл (подложка будущей решетки) с исходной кристаллографической плоскостью, наиболее устойчивой к какому-либо химическому травителю (аналогично устойчивой к фотохимическому травителю или устойчивой при ионно-плазменном распылении).705986 Рабочую поверхность...

Способ определения толщины поликристаллической пленки, возникающей при обработке монокристалла

Загрузка...

Номер патента: 949439

Опубликовано: 07.08.1982

Авторы: Лобова, Райхельс

МПК: G01N 23/20

Метки: обработке, поликристаллической, толщины, пленки, монокристалла, возникающей

...рентгеновских лучей Йотмонокристаллов МаС с различйойплотностью дислокаций р , где кри-,вые.1,2 и 3 относятся к излучениямМоК и рефлексу (600), СцКи рефлексу (400) и РеК, рефлексу(200) соответственно. П р и м е р. Из различных монокристаллов МаС 1 выращенных методомКиропулоса на воздухе, выкалывают поспайности (100 образцы размером 20 х 20 х 10 мм. С помощью травления на дислокации подбирают образцы с различной плотностью дислокаций Я Изменение величины Р от образца к образцу выбирают в диапазоне от 10 см до 10 см . На этих.монокристаллах измеряют значения интегрального коэффициента отражения рентгеновских лучей Й, Такие зависимости получают для излучений МоК 11, рефлекс (500) 1 СцКЯ 1 рефлекс (400). и РеК,урефлекс (200) .Из...

Способ травления монокристалла смешанного галогенида цезия

Загрузка...

Номер патента: 988853

Опубликовано: 15.01.1983

Авторы: Богданова, Данилов, Шульга

МПК: C09K 13/00

Метки: галогенида, монокристалла, травления, цезия, смешанного

...То жеП р и м е р 2. Шлифовальный образец ф о р м у л а и з о б р е т е н и яСВНВг (рабочая поверхность 10 мм,й1. Способ травления монокристалла1вес 10,1248 г) помещают в пробирку с 30 смешанного галогенида цезия путем обрапритертой пробкой, заливают 10 мл этило- ботки его спиртом, о т л и ч а ю ш и йвого спирта, температура 18 оС. Каждые с я тем, что, с целью обеспечения воз 10 мин вынимают образец, подсушивают можности травления и полирования монодо постоянного веса и взвешивают. Раст- кристалла СЗНВг, в качестве спиртворения нет, Поверхность матовая, молоч- З 5 используют этиленгликоль.ного цвета, 2, Способ по. 1, о т л и ч а юПриведенные примеры и результаты щ и й с я тем, что травление ведут втаблицы свидетельствуют о возможности...

Способ обработки анизотропного монокристалла ниобата лития

Загрузка...

Номер патента: 998128

Опубликовано: 23.02.1983

Авторы: Купин, Козлов, Ишков

МПК: B28D 5/00

Метки: монокристалла, анизотропного, лития, ниобата

...и последующее шлифование с выхаживанием и полирование, шлифование осуществляют под углом 60 - 80 к оптической оси монокристалла,Такое выполнение способа обеспечивает сниже ние требований к точности ориентации моно- кристалла относительно направления шлифования при одновременном уменьшении вероятное. ти появления микротрещин, что повышает ка. чество обработанной поверхности.На чертеже изображена зависимость между ве личиной угла ориентации оптической оси моно- кристалла при шлифовании и.вероятностью появления трецйн.олопов Составитель В. Техред Т, Фант Шанд орректор Л. Бокшан Тираж 587дарственного комитета СССРизобретений и открытийЖ, Раушская наб д. 4/5 писное иал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4 3 99Способ обработки...

Состав для очистки поверхности монокристалла титаната стронция

Загрузка...

Номер патента: 1112008

Опубликовано: 07.09.1984

Авторы: Лебедев, Чурганова, Смирнова, Лихолетов, Левина, Корнюкова, Кудряшова, Мосевич

МПК: C03B 33/00

Метки: состав, стронция, титаната, монокристалла, поверхности

...одной и вдж:Ьх .Сдлд ;гических операций при изготов: с":и; 111" .я,ляется очистка поверхностп м(эног 1 эи(т 1ческих пластин титандта л 1 э(эд(я:.(.;,;раднеобходима и перед хими сской пп; рддь,,кристаллов,Известен способ обработки (11 срх;(эсггмонокристалла титаната СГГэ(яНия, д(;1 Ьэ 1;.1( нпоследовательную промывку в кэ(я:1;1:д (нических растворителях Толу(элс. Ин. Исизопропиловом сп(иртс) и чеп;рс (хл э;, -Оь:углероле 113 .Недостатком способа явгяст-я н;ГНдстепень очистки поверхносн ьэ(эн,э( ",;":.(. я.ческих пластин, д также т(э(Сия(Гсь (ОПаСНОСтЬ ИСПОЛЬЗУЕМЫХ рдСВО(И 1 сэСг.Наиболее близким о техИгссГ(э 1к предлагаемому является состав ; яповерхности монокристаллов тнтдн 1 дсодерждтций, (мдс.%: п(авеле 1 д 1 1;"., с, 0-:40,5;...

Рентгеноинтерферометрический способ определения искажений атомной решетки монокристалла

Загрузка...

Номер патента: 1117503

Опубликовано: 07.10.1984

Авторы: Асланян, Безирганян

МПК: G01N 23/20

Метки: атомной, решетки, монокристалла, рентгеноинтерферометрический, искажений

...При малых поворотах (повороты в пределах угловойобласти отражения) векторыНЬ Й и ЬН можно представить в следующем вйде (фиг.1):", лгде х, у и У - единичные векторы по направлениям осей ОХ, 07 и 02 соответственно.Следовательно, величину вектораЬ Нможно представить уравнением1 дн 1= (2) 7503 о повопериода торого где Ни Нбратных реше исталлов с При выводеуглы Е и Еционарных интся выражением(ЬНг) В этом случае внутри второго кр лярны к отражающи муаровые плоскости сталла перпендикуплоскостям (фиг. и 4),Муаровые плоско можно регистрирова(наблюдать),ых распределеисталла непароверхности вы(,наблюдаютсяторце получаютности второгортины, вызвайоси ОУ, нельзя если плоскости муаровний внутри второго кр ал 25лельны (пересекают) пхода этого...

Способ определения параметров поверхностного слоя реального монокристалла

Загрузка...

Номер патента: 1303913

Опубликовано: 15.04.1987

Авторы: Фомин, Шехтман

МПК: G01N 23/20

Метки: реального, параметров, слоя, монокристалла, поверхностного

...углового положения исследуемого монокристалла с соответствует на даннойсхеме повороту вектора обратной решетки 3 на угол О вокруг нулевого узла обратной решетки. Вращение кристалла-анализатора на уголотвечает повороту вектора дифракции Кдвокруг центра сферы Эвальда на угол 3,Как видно из чертежа, при поворотеисследуемого монокристалла на угол Ки кристалла-анализатора на угол=20конец дифракционного вектора К ивектора обратной решетки и пересекаются на сфере Эвальда, что соответствует динамической дифрации на областях когерентного рассеяния дляданного углового положения исследуемого монокристалла. Таким образом,проводя измерения в режиме совместного вращения исследуемого монокристалла и кристалла-анализатора ссоотношением скоростей...

Способ контроля распределения структурных неоднородностей по площади монокристалла и устройство для его осуществления

Загрузка...

Номер патента: 1225358

Опубликовано: 30.03.1988

Авторы: Мингазин, Лейкин, Бондарец, Зеленов

МПК: G01N 23/20

Метки: структурных, распределения, площади, неоднородностей, монокристалла

...6, а дифраги"," рованный пучок попадает во входное окно детектора 7. Регистрируемый де- тектором сигнал преобразуется и уси-, ливается в интенсиметре 8 и поступает в блок .сравнения системы 9 управления. В блоке сравнения зарегистрированный сигнал 1, сравнивается с дву" мя заданными пороговыми величинами 1, и 1 , где 1, соответствует интенсивности дифракции от структурно совершенного участка монокристалла, а 1 - интенсивности дифракции от участка .монокристалла с заданной плотностью дефектов структуры. В зависимости от соотношения уровня сигнала 1 и пороговых значений 1, и 1 сис-. тема управления вырабатывает команду,задающую режим работы пишущего органа двухкоординатного записывающего узла 10.Исследуемый монокристалл горизонтально...

Способ определения радиуса изгиба монокристалла и устройство для его осуществления

Загрузка...

Номер патента: 1362387

Опубликовано: 30.07.1988

Авторы: Пак, Мун, Воробьев

МПК: H05H 6/00

Метки: радиуса, изгиба, монокристалла

...зависимости БВ(Ы), соответствующий рассматриваемому случаю,приведен на фиг.3, По минимуму счетадетектора 3 определяют протяженностьДЬ области изменения радиуса изгиба.Перемещая детектор вдоль прямой ОВ,находят точку фокусировки О, в кота"рой наблюдается максимум интенсивности параметрическогачрентгеновскогоизлучения. Измерив величину перемещения ОО 1, определяют радиус изгиба 55 монокристалла К из соотношения, по"лученного согласно геометриифиг, 4)1 Ь 2 . к(к-оо+ ф .1. Способ определения радиуса нэ" гиба монокристалла, включающий облучение монокристалла пучком реляти" нистских положительно заряженных частиц под углом меньше критического уг" ла каналирования, .регистрацию частиц, захваченных в режим каналирования, и частиц,...

Способ контроля распределения структурных неоднородностей в объеме монокристалла и установка для его осуществления

Загрузка...

Номер патента: 1389435

Опубликовано: 30.04.1990

Авторы: Лейкин, Зеленов, Мингазин, Бондарец

МПК: G01N 23/20

Метки: структурных, монокристалла, неоднородностей, распределения, объеме

...уравнений (2) - (5)Второй вариант, когда приемная 5щель удалена от поверхности ББ нарасстояние, большее расстояния междуэтой поверхностью и точкой ЬРасстояние Х между приемной щелью и поверхностью БУ в этом случае опреде Оляется соотношением (6), где Хописывается формулой (15). Ширина Еприемной щели должна, быть одновременно не более Е, и длины отрезка,параллельного поверхности ББ и соединяющего прямые ПЬ и РЬ за ихпересечением в точке Ь, либо не менее расстояния между границами ПЬпучка 21 и П Ь пучка 21 в, плоскостиприемной щели, Второй случай расположения приемной щели описывается системой уравнения (3) (6) - (8),Третий случай, когда приемная щельрасположена в окрестности плоскости наложения друг на друга пучков 2521 и 21,...

Способ определения структурных искажений приповерхностных слоев совершенного монокристалла

Загрузка...

Номер патента: 1599732

Опубликовано: 15.10.1990

Авторы: Ломов, Новиков, Имамов, Гоганов, Гуткевич

МПК: G01N 23/20

Метки: совершенного, искажений, слоев, монокристалла, структурных, приповерхностных

...0,5-50 нм.Способ осуществляется следующимобразом.Для исследуемого кристалла выбирается семейство дифракционных плоскостей, составляющих с поверхностьюкристалла угол ) ( 9 ь, Поскольку интенсивность ПБП тем выше, чем меньшеугол отклонения от точного угла Брэгга, то следует выбирать (8 -(О) ".о Бг-. 1 - 3, а для повышения локальности необходимо, чтобы значение (6 ьр+ Ц)обыло близко к 90 . Для стандартныхполупроводниковых кристаллов, используемых в промьппленности, удобно выбирать следующие отражения: при ориентации поверхности 1111 - отражение (311) и излучение М, Со, Ре,а при ориентации 100) - отражение(311), (400) и излучение Сц. При использовании стандартныхисточников излучения монохроматизация падающего пучка не...

Держатель монокристалла к рентгеновскому гониометру

Загрузка...

Номер патента: 1608528

Опубликовано: 23.11.1990

Авторы: Евграфов, Киселев, Гусев, Фомин, Забелышенский

МПК: G01N 23/20

Метки: гониометру, монокристалла, держатель, рентгеновскому

...ролики отводят внаправлении от стойки 2. Цилиндрический монокристалл устанавливаютторцом на шариковую опору 3, совмещают образующую цилиндра монокристалла с образующей опорных роликов 4 и перемещают прижимные ролики 5 в обратном направлении. При этом фиксатор 10 находится в нейтральномположении и прижимной ролик 5 свободно вращается вокруг своей оси, Вращением всего устройства вокруг оси гониометра устанавливают базовую плоскость 11 стойки 2 под брэгговским углом 0 относительно направления первичного пучка, Угол 0 соответствует отражению от заданных кристаллографических плоскостей ЬЫ) базового среза, Детектор гониометра располагают подуглом 20 относительно первичного пучка. Направляют рентгеновский пучок на образующую монокристалла и,...

Устройство для контроля диаметра монокристалла

Загрузка...

Номер патента: 1682414

Опубликовано: 07.10.1991

Авторы: Казаков, Нечаев, Фалилеев

МПК: C30B 15/20

Метки: монокристалла, диаметра

...подачи логической единицы или нуля на управляющий вход 14. Импульсы блока синхронизации строк поступают на вычитающий вход второго двоичного счетчика 2 и вычитают из него по единице. Когда счетчик 2 обнулится, на выходе схемы ИЛИ 5 появится логический ноль, который поступает на схему НЕ-И 8. Зтот момент времени соответствует строке на экране телевизионного приемника, где установлен маркер, т.е, требуемой точке измерения. На второй вход схемы НЕ-И 8 поступают импульсь 1 от кварцевого генератора 9, а на первый сигнал - от компаратора55 разование длительности импульса срабатывания. Компараторы Т в частоту, т.е.диаметр пропорционален б = бТ. Таким образом, чем выше дисфетизация по частоте; тем с большей точностью задается диаметр...

Способ получения монокристалла сложного оксида

Загрузка...

Номер патента: 1696616

Опубликовано: 07.12.1991

Авторы: Романов, Иванов, Буш, Журов, Стефанович, Косяченко

МПК: C30B 29/26, C30B 13/22

Метки: сложного, монокристалла, оксида

...мельнице а течение 1,0 ч, полученную смесь кальцинируют при 900 С 8 ч, Кальцинированный продукт гомогенизируютв шаровой мельнице в течение 2 ч и формуют из него стержни в специальной пресс-форме, Формованные стержни спекают при 1400 С в течение 8 ч. Часть охлажденного стержня(57) Изобретение относится к синтезу моно- кристаллов и может быть использовано в радиоэлектронной технике. Цель изобретения - получение монокристалла ЯГА 204 с высокой кислородно-ионной проводимостью. Способ включает бестигельную зонную плавку с оптическим нагревом поликристаллического вертикального стержня, спеченного из шихты стехиометрического состава, в воздушной атмосфере со скоростью, соответствующей скорости роста монокристалла, равной 3-10 мм/ч. В качестве...

Способ контроля ориентации монокристалла

Загрузка...

Номер патента: 1733988

Опубликовано: 15.05.1992

Авторы: Лисойван, Маврин

МПК: G01N 23/20

Метки: ориентации, монокристалла

...нормали к грани, не изменившей своей кристаллографической ориентации в результате второго поворота,и нормали к плоскости, перпендикулярной оси первого поворота. Эту проверку осуществляют перед измерениями углов первого и второго поворотов,На фиг. 1 изображено взаимное положение кристаллофизических осей ХУ 2, выбранных плоскостей (2110), (0110), (0001) и нормалей М 1, Й 2, Мз к этим плоскостям; на фиг. 2 - положение их относительно нормалей Йа, МБ, М 6 к граням двухповоротногокварцевого пьезоэлемента.П р и м е р, Проверка углов поворотов на сверхтонком пьезоэлементе среза ух 3/35 10 ф/3050 ф. Эксперимент проведен на рентгеновском дифрактометре с гониометром ГУРс гониометрической приставкой, позволяющей вращать образец вокруг...

Термолюминофор на основе монокристалла фторида кальция

Загрузка...

Номер патента: 1512108

Опубликовано: 23.08.1992

Авторы: Божевольнов, Шавер, Иванов, Алешин, Скробут, Карелин

МПК: C09K 11/61

Метки: кальция, фторида, монокристалла, термолюминофор, основе

...новый ннзкотемпературный пик (70 С)летки толщиной 1 мм, При необходимосчто увеличивает фединг термолюминоти полученный кристалл может быть фора,растерт в порошок с последующим таб-При концентрациях фторида лютелетированием его для получения детек" ция меньше 0,03 мол.% уменьшениятора, фединга термолюминофора не происПри приготовлении термолюминесцент 15 ходит.ного материала н ниде монокристалли- Верхний предел содержания фторических табЛеток используют не менееда железа (11) обусловлен тем, что80 мас, % полученного кристалла. При дальнейшее увеличение концентрацииэтом разброс дозиметрических харак- желеэа приводит к падению чунстнитеристик образцов, полученных из раэ. в .20 тельности термолюмииофора. Испольличных частей кристалла, не...