Патенты с меткой «эпитаксиальных»

Номер патента: 204088

Опубликовано: 01.01.1967

Авторы: Московский, Сплавов, Чист

МПК: C23C 16/08, C23C 28/00

Метки: веществ, слоев, соединений, химических, элементарных, эпитаксиальных

...конденсацией из пара в вакууме вначале получают гетероэпи.таксиалыный слой металла на полупроводнике и его последующим вплавлением добиваются создания равномерного тонкого слоя жидкой фазы, из которои происходит процесс автоэпитаксии полупроводника, легированного заданной примесью (получение электронно.30 дырочного р-п, гг-р - пепехода) с образоча204088 Предмет изобретения Составитель О. Федюнина Редактор А. Шиллер Текред А, А. Камышникова Корректоры; О, Б, Тюрина и С, ф, ГоптаренкоЗаказ 3832/8 Тираж 535 ПодписноеЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР Москва, Центр, пр. Серова, д, 4 Типография, пр. Сапунова, 2 нием на поверхности металлического слоя, обеспечивающего омический контакт. Причем без...

Номер патента: 433570

Опубликовано: 25.06.1974

Авторы: Митрофанов, Смирнов, Чеховской

МПК: H01L 21/304

Метки: выступающих, дефектов, поверхности, слоев, удаления, эпитаксиальных

...удаляя выступающие дефекты, могутповредить эпптаксиальный слой.Цель изоорстения - создание способа, позволяющего повысить качество поверхностиэпитаксиальных слоев, т. е. удалить острые10 выступающие дефекты без влияния на остальную поверхность эпитаксиального слоя,Это достигается тем, что предварительновсю поверхность эпитаксиального слоя окисляют, а шлифование осуществляют с по 15 мощью плоского полировальника с канавкаНа чертеже схематически представлена полупроводниковая пластина с эпитаксиальнымслоем на операции обработки с помощью20 плоского полировальника,По предлагаемому способу после эпитаксиального выращивания слоя 1 на полупроводниковой пластине 2 всю поверхность эпитаксиального слоя 1 окисляют. Окисел выполня 25 ет функцию...

Номер патента: 458720

Опубликовано: 30.01.1975

Авторы: Ваганов, Пономарев

МПК: G01L 7/04

Метки: давления, малогабаритных, мембран, планарно, преобразователей, эпитаксиальных

...сообщающие полость сильфона с измеренной средой,На чертеже показан предлагаемый датчик.Датчик содержит корпус 1 со штуцером 2, сильфон 3, пружину 4, электромеханический преобразователь 5 и нагреватель б, например, электрический.Нагреватель изолирован от,внутренней полости 7 сильфона кожухом 8. В основании 9 штуцера выполнены радиальные каналы 10. Нагреватель служит одновременно ограничителем хода сильфона,Работа датчика заключается в преобразовании давления жидкой или газообразной агрессивной высокотемпературной среды в электрический выходной сигнал с помощью сильфона 3, пружины 4 и электромеханического преобразователя 5. Измеряемая среда поступает через штуцер 2 в полость 7 по части 11 штуцера и по каналам 10.Рабочее тело -...

Номер патента: 401272

Опубликовано: 25.02.1975

Авторы: Гулидов, Данилков, Палиенко, Райнов, Райнова, Селиверстов, Чистяков

МПК: H01L 7/68

Метки: слоев, эпитаксиальных

...подложек 6 и выполнен, например, из графита в виде П-образных петель, имеющихвертикально расположенные рабочие поверхности, на которых размещены подложки, Ко 30 личество П-образных петель, крепящихся на Однако неконтролируемыи характер газодинамических параметров (линейная скорость потока парогазовой смеси в разных точках реакционных камер) в таких установках приводит к нарастанию слоев или пленок, неравномерных по толщине. Эта же причина вызывает неравномерное легирование по площади растущих эпитаксиальных слоев. Кроме того, значительная длина трубопроводов газовакуумной системы на участке между испарителем и реакционной камерой не позволяет получать высокую чистоту поступающей в реакционную камеру смеси.5 1 О 15 20 25 зо 35 40 45...

Номер патента: 462072

Опубликовано: 28.02.1975

Авторы: Альтман, Головнин, Гончар, Церфас

МПК: G01B 19/36

Метки: пленок, толщины, эпитаксиальных

...изменение величины фото-э,д.с. между плецкои: подложкой при воздействии .ца пленку локальцого ддвлсиия. Ооъясияетй техники имени В. И. Ленина)1 дс и - коэффицисит пропорциональности,постояииьш в области упругой деформации. С другой стороны, величина фото-э.д.с. Па р - гг переходе пропорциональна отиошсшцо г/г., где /. - ток, ооусловлеииый генерацией носителей светом, / - обратцый ток р - г переХода. ИЗМСИСИИЕ /г - ОбратИОГО тОКа, ВЫЗЫ- вающес измсцсиис фото-э.д.с., связаио с измецеиием ширины запрещеииой зоиы полупро- ВодцИКОВОГО МяТСРИяЛя ОТ дяВЛЕИИя. Мосицо показать такке, что отиошсиис измеиеция фото-э.д.с, к измсиси;о давления, тридокеиио- ГО 1" ПЛСИКС, 001 сТИО-П 1 ОИ 01 ЗЦИСИсЛЬИ)0 ТОЛ)цпие плеики.Величииу измсиеция фото-э.д.с....

Номер патента: 496873

Опубликовано: 25.12.1975

Авторы: Коробов, Маслов, Хлебников

МПК: H01L 7/36

Метки: газовой, например, полупроводников, растворов, слоев, твердых, фазы, эпитаксиальных

...уменьшении п,гг)ц)ди неоднородных по составу пластин источника).5При достижении указанной скорости смены источников слоистая неоднородность полученного твердого раствора не превышает период, равный одному чежатомному расстоянию. Вследет зщ этого дгье медленный процесс самодиффузии в тве)одоч теле обеспечи О виет плное выравнивание концентраций комПг Ргсцт)ЛЗ; ВЕР,Г)го Р )С .Ра .:ЕЖДУ СОСЕДНИ.;:.)Точны чи с;гон )следовательно, по всем, ) оъечу эг.таса,.ьцой пленки.ЗадаРВ): . ) гав твердого раствора обес 15 печивается благодаря использованию пластин источников различных по размеру.Для иолучеция твердого раствора на основе соединений АВ ц АВ соотношение углов секторов используемых источников должно быть пропорционально их мольной доли в 2...

Номер патента: 561926

Опубликовано: 15.06.1977

Авторы: Альтман, Церфас

МПК: G02F 1/00

Метки: диффузионных, кремния, слоев, толщины, эпитаксиальных

...границы, а металлическим зондом осуществляют давление на пластину в пределах упругих деформаций.10 Способ основан на том, что под давлением:пирина запрещенной зоны кремния уменьшается. Следствием этого свойства является интенсивное поглощение кремнием света с длиной волны более .р (красная граница) в об ластях, подвергшихся давлению. Поглощениесвета приводит к генерации подвижных носителей в той же области и возникновению фото-ЭДС на р - и переходе. Если давление создавать точечным зондом, то область сдавлен ного кремния и, следовательно, область генерации подвижных носителей определится размерами зонда, снлои давления н может быть сделана значительно меньше размеров измеряемых слоев и размеров элементов интег ральных схем. В этом...

Номер патента: 392857

Опубликовано: 25.08.1977

Авторы: Гофштейн-Гардт, Деготь, Дененберг, Дмитриев, Дохман, Коган, Царенков, Шкармутин, Яковлев

МПК: H01L 21/20

Метки: аппарат, полупроводниковых, слоев, эпитаксиальных

...как в условиях отсутствия фазового равновесия между компонентами раствора-расплава (открытый объем), так и в условиях фазового равновесия,(закрытый, объем). Это достигается тем, что внутренняя Мамера аппарата снабжена подвижвымв герметиэиру 3 ощими пробками и расположена в температурной зоне нагревателя,На чертеже показан предлагаемый аппарат.Аппарат содержит камеру 1 с отверстиями для продувания рабочего газв, нвгре ватель 2, кварцевую трубу 3 е конически ми шлифами и пробками 4 из кварца, зв крепленными на штоках 5; Каждый шток соо. тоит иэ двух частей, соединенных между собой. полусферическим шарниром 6 и имеет ручной привод, сосгояший иэ маховика 7 и пружины 8, которая поджимает шток к трубе Э. В месте выхода из рабочей...

Номер патента: 513575

Опубликовано: 05.12.1977

Авторы: Марончук, Пухов, Сушко

МПК: H01L 21/20

Метки: кремнием, легированных, поверхности, слоев, эпитаксиальных

...легированнь ченных методом жидкос личаюшийс яте ворения избыточного кр шают в,раствор-расплав 3-10 вес. % алюминия галлия при 800-850 С рхностих кремнитной эпи итаксиальм, полуксии о т м, что,емния,, содери 90-9 елью р омеес, % в течение Изобретение относится к полупроводниковой технологии и может быть использовано для получения эпитаксиальных р-и структур на основе арсенида галлия, предназначенных для изготовления ИК-светодиодов. 5Известен способ получения р-и структур из ограниченног раствора-расплава, Использование этого способа при получении сильно легированных кремнием эпитаксиальных слоев приводит к образованию на поверхности слоевО арсенида галлия дентритов кремния.Целью изобретения является получение р-п структур арсенида галлия...

Номер патента: 612316

Опубликовано: 25.06.1978

Авторы: Гольдин, Демьянец, Коробов, Куклев, Маслов, Хлебников, Юшков

МПК: H01L 21/20

Метки: выращивания, газовой, структур, фазы, эпитаксиальных

...ВГЫрац)ГВЕЕ,4 ЫХ ЭПИ т. ЯКСИЕГ 1 Ь-ных структур.1 ЦЕПЬО ИЗ О 6 ГтЕТЕНтня явпяэтся у;,Е-, т ГЧ - ,цие производительности устройства иповышение однородности параметров получаемых эпнтаксиальцых структур,Достигается это тем, что:; извесллв ном густройстве, содержащем нагреваТЕЛИ ИСТОЧНИКЕ И ПОДЛОЖКИ, ВЕРТИКЯ;тьный трубчатый реактор со штуцерамиддя ввода и вывода газа, расположенныйв нем блок для размещения подложек иустановленный параллецьцо ему блок дпяРаЗМЕШЕЦИЯ ТВЕРДЫХ ИСТОЧНИКОВ, ПРГНЕМблоки закреплены ца соосных штокахпроводящих через пх центр и связанныхс приводами для вращения и перемеще.ния, блоки для крепления источников иподложек выполнены в виде дисков, периферийная часть которых выполнена в виде плоских сплошных...

Номер патента: 612317

Опубликовано: 25.06.1978

Авторы: Бочкарев, Гольдин, Коробов, Маслов, Хлебников

МПК: H01L 21/20

Метки: выращивания, газовой, структур, фазы, эпитаксиальных

...блок 10, шток 11, уппогнения 12 и 13, привод. 14, нагреватель 15, кварцевую трубку 16, штуцеры 17 и 18, смотровые окна 19 и 20, бортик . 55 21, источник 22, подножку 23, средство крепления 24, В устройстве кварцевый трубчатый реактор 1 эакаочен в метаппический водоохпаждаемый кожух 2 Граитовый бпок 5 со средством креппения 24 источников 22 выполнен в виде плоского диска с бортиками 21, ограждающими со всех сторон каждый источник, и закреппен на штоке 6, соединенном с приводом 7. Средства креппения 24 выполнены, например, в виде винта с шайбой. Над графитовым блоком 5 установлен нихромовый нагреватель 8, заключен ный в кварцевую трубку 9. Трубка 9 выполнена в виде плоской спирапи. Кварцевая трубка 9 с нагревателем 8 через уплотнение (на...

Номер патента: 612610

Опубликовано: 25.06.1978

Авторы: Гленн, Джон, Николас

МПК: B01J 17/32

Метки: кремния, слоев, эпитаксиальных

...на полом основанииб, внутрь которого при помощи впускного 7и выпускного 8 каналов может подаваться вола.Внутри камеры 1 установлена подставка 9,вращающаяся на вертикальной оси 10 и изготовляемая, например, из углерода. Подставка имеет форму шестигранной усеченной призмы, у которой каждая из шести наклонныхповерхностей 11 снабжена буртом 12 для установки на нем обрабатываемой полупроволниковой подложки 13.Ось 10 установлена на вертикальном валу 14, помещенном внутри муфты 15 и снабженном подшипником 16. Нижний конец вала 14 снабжен шкивом 7, который приводится в движение через ременную передачу 1825 от двигателя 19 с регулируемой скоростью.При работе реактора подставка 9 медленновращается в циркулирующих через камеру 1газа х.Смесь...

Номер патента: 653586

Опубликовано: 25.03.1979

Авторы: Бурлаков, Красильников, Кукушкин, Люзе, Эленкриг

МПК: H01L 21/66

Метки: ганна, диодов, пленок, пригодности, эпитаксиальных

...что средний за пе О риод ганновских колебаний ток через диод (при полях выше порогового):Змакс мин 21 (Г 1+2 а)+эмин Г1 2близок к Эмщ,.Пролетный режим работы диода Ганна реализуется в апериодическом контуре, который характеризуется тем,что его резонансная частота много 2 Обольше пролетной, а нагрузкой является сопротивление, величина которогомного меньше сопротивления образца.Измерительная установка (фиг. 3)состоит из генератора 1 импульсов,последовательно включенного эмиттерного повторителя 2, к эмиттеру которого подключены апериодический контур3 и клемма 4, Одновременно с клеммы4 подается сигнал на вход усилителягоризонтальной развертки осциллографа 5В коллекторную цепь эмиттерного повторителя включена батарея б,эашунтированная...

Номер патента: 736219

Опубликовано: 25.05.1980

Авторы: Курицын, Мокрицкий, Шаховцов

МПК: H01L 21/263

Метки: кремния, слоев, эпитаксиальных

...точечных. дефектов. При энергии электронов менее 4 МэВколичество и стабильность названных дефектовнедостаточны для образования явно выраженногоградиента концентрации носителей заряда, Кро.ме того, при таком значении энергии частиц,набор необходимой дозы облучения происхо 119 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 диз гд время 1 е.41 нпее пр к 1 ичееки 1 еие.1 е сообрд 1 ным ие 1 дх 11 кндние дко 1 н способа. Принергил чдси 11 бо 11 ее 5 МВ количество дефек 1 ов и их евойс 1 вд дков 11, 1 го обрд 1 уюзся необратимы и 1 менения с 1 рук 1 урпых свойств исходно 1 о м;периен 1 д, ухудшающие основные пдрдме 1 ры приборов, создаваемых на его основе, В связи с эим оптимальным следует считать диапазон значений быстрых электронов от 3 до 5 МэВ.П р и м е...

Номер патента: 862087

Опубликовано: 07.09.1981

Авторы: Галкин, Кожухарь, Ходосов, Чиркин

МПК: G01R 33/12

Метки: параметров, систем, ферритгранатовых, эпитаксиальных

...анизотропии). Преимуществом является и то, что угловая зависимость Нр, при изменении У= ОСРнезначительно меняется в пределах + 20 эпри вращении магнитного поля в плоскости пленки.20Предлагаемый способ реализуется последовательным получением и обработкойспектров ФМР в двух характерных областях частот при различной ориентации магнитного поля Н 0 относительно ОЛН (ось длегкого намагничивания).1, Зались спектров магнитного резонанса в области фазового перехода насыщенное состояние - ненасыщенное состояние доменной структуры для определенияНр 1 (магнитная компонента Ъ.1 1, НО).Ц. Получение спектров ФМР Н 0 ОЛНи Н 01 ОЛН на частотах, обеспечивающихрезонанс насыщенного состояния магнитной пленки.Отметим, что в принципе оба спектра35можно...

Номер патента: 791114

Опубликовано: 07.02.1982

Авторы: Гапонов, Лускин, Салащенко

МПК: H01L 21/205

Метки: пленочных, структур, эпитаксиальных

...выбор той или иной установки опгеделяется требованиями, прельявляемыми к толщине пленок и их электрофизическим свойствам.Установка содержит два лазера, один из которых работает в режиме свободной генерации, а другой в режиме модулированной добротности с интенсивностью излучения на поверхности испаряемого материала не менеее 109 Вт/см. Второй лазер используется в качестве источника высокоэнергетичных частиц. Монокристаллическая подложка, на которую наносят компоненты гетероструктуры, и вращающийся столик, на котором размещены образцы напыляемых материалов, установлены в вакуумной камере. Режим работы установки задается блоком управления.Подложка представляет собой моно- кристалл или любую многослойную структуру, поверхность которой...

Номер патента: 983444

Опубликовано: 23.12.1982

Авторы: Светличный, Цопкало

МПК: G01B 7/06

Метки: диффузионных, слоев, толщины, эпитаксиальных

...или эпитаксии, что позволяет своевременно обнаружить бракованные полуфабрикаты и устранить отклонение в техническомсрежиме. Простота способа и применение недорогостоящего оборудования для его реализации позволяет использовать его на предприятиях страны, выпускающих микроэлектронные приборы. Формула изобретения Способ измерения толщины диффузионных и эпитаксиальных слоев полупроводниковой пластины, заключающийся в том, что пластину помешают на металлическом основании и производят давление металлическим зондом на пластину со стороны диффузионного или эпитаксиального слоя в пределах упругих деформаций, о т л и ч а ю ш и й с я тем, что, с целью повышения локальности, точности измерения и упрошенияспособа, на измеряемую пластину...

Номер патента: 427557

Опубликовано: 30.11.1983

Авторы: Вагин, Лапидус, Николаева, Скворцов

МПК: C30B 25/02

Метки: кремния, слоев, эпитаксиальных

...не наблюдается ухудшения структуры нарастающего слоя при концентрациях водяных паров вплоть до2110 мол.%. Наоборот, значительноуменьшается количество дефектовупаковки. Во избежание заметноговлияния на скорость роста гидролиза 60паров четыреххлористого кремния во-дяные пары следует вводить непосредственно в реакционную камеру, Поскольку при температурах 1160, СоводянывпаРы при точке росы выше 65-50 о С окисляют кремний, необходимопосле процесса роста производитьотжиг при 1250 ф С для удаления остатков влаги из газовой фазы. Продолжительность отжига определяетсягеометрией реактора, расходом водорода и не превышает 1-5 мин, т.е.времени, принятого по суцествующейтехнологии.П р и м е р 1. Эпитаксиальныеслои кремния акцепторного типа...

Номер патента: 1059028

Опубликовано: 07.12.1983

Авторы: Данилов, Одарич, Рубан

МПК: C30B 1/02

Метки: гранатов, структур, эпитаксиальных

...виде квадратных пластин с размером ребра 7 мм.Образцы разделены на 3 группы и лодвергнуть 1 обработке: первая группа - в окиси гал" лия при различных режимах; вторая - в окиси алюминия лри различных режимах; третья. - в окиси кремния при различных режимах. Контроль парамет. ров после обработки (измерение гра диента показателя преломления в диф. Фуэионных слоях и толщина этих слоев проведен отдельно в каждом образце элипсометрическим методом.П р и м е р 1, Обработка в порошке оксида галлия. Структуру ЖИГ на подложке ГГГ помещают в мелкощюсперсный порошок окиси галлия (в кераммическом тигле 1, тщательно утрамбовывают порошок в тигле и устанавливают его в отжиговую печь. Температуру поднимают по 150-200 оС/ч до 1100 ОС, далее пленку...

Номер патента: 322115

Опубликовано: 30.01.1984

Авторы: Жигач, Лапидус, Сирятская, Скворцов

МПК: H01L 21/205

Метки: слоев, эпитаксиальных

...недостатков. Метод жидкостноголегирования связан с использованиемвзрывоопасного трибромида бора иочень летучего трихлорида бораКроме того, получение заранее заданного номинала удельного сопротивления затруднено обменной реакциейтрибромида бора и тетрахлорида 25кремния.Цель изобретения - создание способа получения из газовой фазы легированных бором полупроводниковыхматериалов, обладающего высокой воспроизводимостью, щироким диапазономлегирования, простотой техническогооформления, надежностью и стабильностью при эксплутации.Предлагаемый способ отличаетсяот известных тем, что в качестве35легирующего соединения бора используют карборановые соединения, в частности изопропилкарборан,Низкая упругость насыщенного паракарборана...

Номер патента: 1073564

Опубликовано: 15.02.1984

Авторы: Журба, Косыгин, Силантьев

МПК: G01B 9/02

Метки: слоев, толщины, эпитаксиальных

...двумя сферическими зеркалами, установленными в ходе лучей, отраженных от первого зеркального блока, и зеркальным умножителем, выполненным в виде двухплоских зеркал, одно из которых установлено неподвижно, а другое - на общем основании с подвижным зеркалом второго зеркального блока под тупым углом к нему.На чертеже представлена схема устройства.Устройство содержит два параллельноустановленных источника 1 и 2 монохроматического и немонохроматического излучения и последовательно расположенный по ходу излучения от источников светоделитель 3, выполненный в виде плоского зеркала, расположенного под углом 45 к оптической оси устройства, зеркальный блок, выполненный в виде двух плоских зеркал 4 и 5, установленных на общем основании таким...

Номер патента: 1081490

Опубликовано: 23.03.1984

Авторы: Алавердова, Коваль, Михайлов, Фукс

МПК: G01N 23/20

Метки: деформации, системах, упругой, эпитаксиальных

...предварительнопроизводят его стандартную юстировкуи находят отражение с углом Ю , близким к 45 о. Затем вращением образцавокруг главной оси гониометра при неподвижном счетчике (ш - сканированиепредварительно находят максимум интенсивности отражения от плоскостей(Ь;,К;,1-) подложки, После этого передсчетчиком устанавливается узкая щельи вращением счетчика при неподвижномобразце определяют положение, соответствующее максимуму интенсивностирассеяния. При большой ширине кривойкачания, обусловленной неоднородностью межплоскостных расстояний, принеподвижном счетчике с узкой щельюрегистрируют кривую качания и по положению ее максимума определяют уголповорота образца, соответствующийустановленному положению счетчика.Такая схемка позволяет...

Номер патента: 475917

Опубликовано: 07.07.1984

Авторы: Александрова, Вязанкина, Лымарь, Сарнацкий, Скворцов, Уэльский

МПК: H01L 21/02

Метки: арсенида, галлия, полуизолирующих, слоев, эпитаксиальных

...соединение, разлагаетсяца свету и сильно гидролизуется., Кроме того, для получения эффекталегирования требуется введение очень больших количеств хлористого хромила, что приводит к заметному снижению скорости роста и эррозии поверхности.Целью изобретения является создание простого технологичного способа .изготовления полуизолирующих эпитаксиальных слоев арсецида галлия судельным сопротивлением в зависимости от типа легирующей примеси 10о"30-40 л/ч Сущность предлагаемого способа заключается в легировании эпитаксиальных слоев арсенида галлия из карбоцилов соответствующих металлов, Карбонилы Сг, У, Мо, Ге, Со, И 1 известны, получены и очищены, имеют достаточно высокие упругости паров и распадаются с выделением металла 5917 2прц...

Номер патента: 723986

Опубликовано: 23.12.1985

Авторы: Белов, Кондратьева, Эрлих, Юшков

МПК: H01L 21/20

Метки: полупроводниковых, структур, эпитаксиальных

...описанием примера его осуществления.П р и м е р 1, Проводят обработку слитка кремния (ЭКЭС,01-86) диаметром 40 мм до резки последнего на пластины. Слиток разрезают на три части (а, б, в). Боковая поверхность слитка (части а) шлифуется на круглошлифовальном станке алмазным инструментом с номинальным размером зерна 40 мкм (нарушенный слой 20-25 мкм). Часть слитка б подвергают травлению в полирующем травителе типа СРдля удаления нарушенного слоя. Часть слитка в (ростовая поверхность слитка) шлифуют алмазным абразивом с номинальным размером зерна 10 мкм, Затем по известной технологии изготавливают пластины кремния толщиной 250 мкм, ориентации (11 1)2, Процесс эпитаксиального наращивания осуществляют методом восстановления четырех-...

Номер патента: 1322373

Опубликовано: 07.07.1987

Авторы: Барьяхтар, Вайсман, Дорман, Ковалев, Никонец

МПК: G11C 11/14

Метки: дефектов, доменосодержащих, обнаружения, пленках, эпитаксиальных

...учдстк в ндсьпенно чонодоменное) состояние. В реультдте по крдям локального уча ткд Гб;11 уется лоченндя грани д, рд леляющдя 20 .61 чонолоче(нные области с протнвопо ,11 жЫЛ ДНД 5.5 ПЩ М НДМЗГПНЧЕННОСтн.,Ьтел полсч пс пня спичдк т, в резлльтз ЧЕГ РДЗВИВЗСЯ НЕУСтОйЧИПОСтЬ ЛОЧЕН- ной границы, сформированной по краям ,окольного участка. Это приволич к форчировдникч нз нес системы полосовых чз 1 ичпых лочено 5, улчинякцихсл по направ ;с. (1 к, и.рп плнку.ярночу границе лкдль.и го учдсткд о ск чднпи эгого процес СД Н ЛОКД.ЬНОЧ ) сДеть. 1 ЧС Л КаРтнНУ Р 1,ИДЛЬНОХОЛЯЦХСЯ ПО,ОВЫХ ЛОМЕНОВцентром строо середине локального (дсткд ри зли ии леректд нз иссле,счоч учасгк пленки после снятия по.чя смсщения перемдгпичивание пленки...

Номер патента: 1341679

Опубликовано: 30.09.1987

Авторы: Вайсман, Герасимчук, Ильчишин, Семенцов, Хома

МПК: G11C 11/14

Метки: автосмещения, монослойных, отжига, пленок, создания, феррит-гранатовых, эпитаксиальных

...предприятие, г.ужгород, ул.Проектная, 4 1 13416Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при изготовлении запоминающихустройств на цилиндрических магнитных доменах (ЦМД).Цель изобретения - упрощение технологии получения эпитаксиальныхферрит-гранатовых пленок с. автосмещением, 10Способ осуществляется следующимобразом.Подложку с нанесенной на нееэпитаксиальной Феррит-гранатовойпленкой (ЭФГП) помещают в вакуумнуюотжиговую камеру, обеспечивающуюградиент температуры по поверхностипленки не более двух градусов. Производится безмасляная откачка объемакамеры до величины давления порядка10" мм рт,ст. Включают нагревателькамеры и температуру поднимают дозаданной со скоростью, не превышаюощей...

Номер патента: 1348906

Опубликовано: 30.10.1987

Авторы: Барьяхтар, Дорман, Ковалев, Манянин, Никонец

МПК: G11C 11/14

Метки: пленок, феррит-гранатовых, эпитаксиальных

...ее границы. По мере заполнения видимой области полосоными доменами сигнал на выходе ФЭУ уменьшается и формируется его задний фронт(фиг.2, линия 1),Общая длительность отклика складывается из длительности перемагничивающего импульса 7, и временирелаксации Т;,еф, которая обусловлена аксиально-симметричным движением вершин ПД от краев катушки,т,е, перемагниченной области, к середине.При наличии дефекта внутри катушки релаксация доменной структурыпосле снятия импульсного поля обусловливается совместно протекающимипроцессами движения ПД и зародьппеобразования на дефекте. Скорости движения обеих структур - полосовой, распространяющейся от краев катушки и радиально-гребешковой, распространяющейся от дефекта, - одинаковы,Если дефект...

Номер патента: 1474737

Опубликовано: 23.04.1989

Авторы: Ковалев, Никонец

МПК: G11C 11/14

Метки: дефектов, доменосодержащих, обнаружения, пленках, эпитаксиальных

...Раушская наб., д, 4/5 эоизводственно-издательский комбинат "Патент", г.ужгород, ул. Гагарина,11 тушки. Об этом можно судить по появлению в пленке системы радиально сходящихся к центру катушки полосовыкдоменов (при отсутствии других полейсмещения). Доменную структуру можнонаблюдать в поляризационный микроскоп, освещая пленку поляризованнымсветом. При подаче на эпитаксиальнуюпленку однородного постоянного полясмещения, направленного встречно вертикальной составляющей импульсного,неоднородного магнитного поля, вокруг дефекта образуется изолированный кольцевой домен, появляющийся вместе раздела двух систем доменов(радиально сходящейся полосовой ирадиально расходящейся из дефекта в.пленке гребешковой) в результате коллапса обеих доменных...

Номер патента: 1573057

Опубликовано: 23.06.1990

Авторы: Данильцев, Иванов, Краснов

МПК: C30B 25/02, C30B 29/40

Метки: многослойных, структур, эпитаксиальных

...дувают в течение 5 мин Са(СН) При 600 С расход АяН устанавливают 10 (0,113 ммоль/мин) . Затем подают АяН.а на уровне 0,565 ммоль/мин и подъем (0,170 ммоль/мин) и СеН 4. (5 10 ммоль/рекращают и осуществля- /мин) и осуществляют осаждение слоя ю продувку реактора в течереактора,в течение 4 мин р -СаАя при отношении расходов АяНу Д лее в реактор подают Са(СН )с и Са(СН), равном 1,5, после чего пор сходом , ммол м 0,113 моль/мин и СеН с 15 дачу реагентов прекращают и охлажда 110 + ммоль/мин осущест- ют реактор до комнатной температуры. н е слоя и-СаАя отноше-. + +Полученная структура состоит из ние расходов АяНи Са(СН ) равно 5. р -и-р -слоев СаАя толщиной 0,1, По саждения подачу АяН и 0 3 и О Й мкм соответственно. ПротяС Н прекращают и...

Номер патента: 1597401

Опубликовано: 07.10.1990

Авторы: Логинов, Рандошкин

МПК: C30B 19/04, C30B 29/28

Метки: выращивания, пленок, феррит-гранатов, эпитаксиальных

...этого температуру снижают до значения Т= 865-900 Со расплав помещают подложку из гад ний-галлиевого граната с ориентаци К 1597401(111) диаметром 20 мм, предварительно прогретую до той же температуры, Под- е ложку приводят во вращение со скоростью 120-180 об/мин. Наращивание пленок проводят в течение 1-30 мин, после чего подложку извлекают из раствора-расплава, приводят ее в ускоренное вращение для стряхивания капель раствора-расплава и охлаждают.Параметры пленок скорость движения доменных стенок, коэффициент опти- СР ческого поглощения гленок, выращенных при разных составах раствора-расплава и температуре роста, даны в таблице,1597401 Ф ор м у л а и з о б р е т е и и я СоставСодержание компонентов, мол.7) Вьоа Тт Оа Реоа Сатори т, фС...