H01L — Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам

Номер патента: 277111

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Вители, Властимил, Евжен, Зденек, Йиржи, Пиврнец, Чехословацка

МПК: H01L 23/10

Метки: полупроводниковый, прибор

...соединения толщиной.В такой конструкции, повышается равномерность давления на прилегающиености электродов и полупроводниковстины, причем это давление создаетсямающим элементом, расположенным в бора,Уплотнительное кольцо, охватывающее полупроводниковуго пластину, предотвращает сжатие материала рамок. Концентрические пазы на кольце благодаря пластичности материала,позволяют уравнять используемые допуски.Обе рамки можно изготовить точным литьем как нсразъемное соединение, преимущестрамками имеется пространство, рого заполнена выступом 6 уплот. Фетодо едакт Заказ 3086(8ЦНИИПИ Комитета по Тираж 480 Подписное лам изобретений и открытий при Совете Министров СССР осква, Ж, Раушская наб., д. 4/5 ография, пр, Сапуно нительного кольца 7,...

Номер патента: 277113

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Властимил, Евжен, Зденек, Иностранное, Йиржи, Оборовы, Пиврнец, Чехословацка

МПК: H01L 23/10

Метки: полупроводниковый, прибор

...проходящими через наружные поверхности электродов, и плоскостямипроходящими через наружные поверхности электродов, и плоскостяхгй, проходящими через внутренние поверхности колец в местах их прилегания к промежуточным трубкам, получены зазоры, которые равны по крайней мере толщи. не стенки промежуточной трубки. Промежуточные трубки могут быть снабжены выдавками, расположенными в зазорах.На чертеже изображен полупроводниковыйприбор в разрезе.5 Полупроводниковая пластина 1, расположенная между, двумя электродами 2 и 3 в виде жестких пластинок так, что она может скользить между ними, окружена кольцом 4 из тетрафторэтилена.о На внешних сторонах электродов укреплены промежуточные металлические трубки б и б, а с их внешней стороны - кольца...

Номер патента: 277114

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Ларионов, Чернецкий

МПК: H01L 21/479

Метки: соединения, твердых, тел, электропроводных

...тЕЧ И ЕгО КО Та)ЛПЗа 11 Г ) ОТ В О И" ОСЛОП ГЯ) С) ПС ) а УП). 1 П.10 Л 10 ", Э С 1 Оп.30 чес)сого тока по,.",ер)киваОт 1)ост 051111 мп,277114 20 Предмет изобре 1 ения Составитель А. КоТехред Л. Богдано горректор А. Дзесов едактор Г. Громова 46 Изд.191 П ЦНИИПИ Государственного в СССР по делам изоб Москва, Ж,Типография24 Союзполиграфпрома, Москва, 121019, ул, Маркса - Энгельса, Тираж 780Комитета Совета Министроретений и открьтийРаушская иаб., д. 4/5 одписное Предлагаемый способ иллюстрируется чертежом.Для соединения двух пластин 1 и 2, одна из которых короче другой, их накладывают друг на друга, На свободный конец пластины 2 (конец А) помещают легкоплавкий материал 3 (проволоку или ленту) так, чтобы он касался торца пластины 1. К...

Номер патента: 277952

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Еремин, Коваль

МПК: H01L 25/00

Метки: высоковольтный, полупроводниковый

...в вертикальных диаметральных плоскостях, В промежутках между перегородками и между витками спирали установлены тиристорные ячейки с 10 приемными световыми устройствами 3. Виткиспирали служат изоляционными перегородками между соседними рядами тиристорныхячеек преобразователя, Воздушное охлаждение может быть как естественным, так и принуди тельным, При принудительном охлаждениипреобразователь заключается в сферический кожух 4, изготовленный из изоляционного материала и служащий наряду с витками спирали для организации воздушного потока. Внут ренняя поверхность кожуха и поверхностиспирали образуют спиральный канал для прохождения воздуха, нагнетаемого вентилятором. Воздух охлаждает радиаторы 5 тиристоров, установленные г,...

Номер патента: 278886

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Кириллов, Пашинцев

МПК: H01L 29/94

Метки: варикап, конденсатор, нелинейный, полупроводниковый, управляемый

...нелинейные конденсаторы (варикапы) на р-гг-переходе и поверхностно барьерные вари- капы, являющиеся двухэлектродными приборами, в которых один электрод служит как входным, так и выходным выводом.С целью создания трехэлектродного варикапа с разделенными входом и выходом с повышенными частотными свойствами, в предлагаемом варикапе применен управляющий кольцевой электрод и две кольцевые диффузионные сильнолегированные области противоположного по отношению к проводнику типа проводимости, Предлагаемый варикап представляет собой структуру металл - диэлектрик - полупроводник, изготавливаемую по обычной планарной технологии.На фиг. 1 изображена схема предлагаемого варикапа; на фиг. 2 - его эквивалентная схема; на фиг. 3 - вольт-фарадные...

Номер патента: 280600

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Качалов, Сидоров

МПК: H01L 35/30

Метки: компенсатора, теплопроводного, упругого

...помещают углекислую соль металла, например железа, свинца или кадмия, а после герметизации кохтпенсатор нагревают до температуры, при которой происходит диссоциация соли.Этот способ позволяет исключить детали для герметизации внутренней полости компенсатора, например откачную грубку.Однако изготовленный этим способом компенсатор в процессе работы постепенно переходит в состояние химического равновесия, в результате чего давление внутри компенсатора падает.Предложенный способ отличается тем, что в процессе сборки компенсатора в углекислую соль металла добавляют восстановитель, например углерод, в виде размельченного кокса. Благодаря этому после диссоциации углекислой соли на окись и углекислый газ происходит несколько вторичных...

Номер патента: 280682

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Вивчар, Сергиенко

МПК: H01L 21/02

Метки: 280682

...микроотверстиями диаметром порядка 5 - 20 лк.Эти способы не ооеспечивают правильной геометрии и идентичности отверстий, а для осуществления их необходимо уникальное оборудование. Кроме того, технологический процесс при этом способе изготовления растроив сложен.Целью изобретения является получение безлинзовых растров,из фольги с идентичными микроотверстиями правильной геометрии .и с ровными краями диаметром 5 - 20 як без применения сложного оборудования,Сущность предлагаемого способа заключается в получении растров путем прошивки отверстий в предварительно натянутой фольге стеклянной иглой конической формы. Способ позваляет значительно упроститьтехнологию изготовления безлинзовых растров, исключить применение уникального...

Номер патента: 280683

Опубликовано: 01.01.1970

МПК: H01L 21/302

Метки: 280683

...уменьшает дефектность поверхностиьх участков монокристалличес ких подложек полупроводников с алмазным типом решегки.Хрупко: разрушение прп воздействии абразива ид полупроводниковый материал с алмазтои реп 1 етой в направлениях (101) 30 плоскостях (010), скольжение на которых чрезвычайно редко в кристаллах с алмазной решеткой, образовавшиеся дислокации являются сидячими, При прогрессирующем образовании добавочных дислокации происходит их кодлесценция с образованием целых пачек дислокаций, ограничивающих края экстраплоскостсй, которые, действуя по типу скалывающего ножа, образуют микротрецПп.11 а основании ме.(апизма генердци дислокации установлено, что для двух направлений с малыми индексами (101) и (121), отличающихся нд угол 90,...

Номер патента: 280684

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Бабушкин, Веремейчук

МПК: H01L 21/66

Метки: вольтамперных, полупроводниковых, снятия, характеристик

...пластины. Вольтамперную характеристику системы снимают в темноте и сравнивают с кривой анодного растворения германия, не имеющего нарушенного слоя,Недостаток этого устройства заключается в низкой воспроизводимости результатов, а также в том, что при каждом снятии вольтамперных характеристик необходимо многократно наклеивать полупроводниковые пластины на державки для измерения, а затем отсоединять их, а также наносить защитные покрытия на пластины перед травлением. Это делает каждый замер весьма трудоемким ц приводит к увеличению погрешностей измерений.спирали, жестко установленной параллельно плоскости измеряемой пластины.Кроме того, система контактирования с положительным полюсом источника питания представляет собой изолированный...

Номер патента: 281291

Опубликовано: 01.01.1970

МПК: H01L 21/00

Метки: 281291

...к устроиствам для тности термокомпрессии, изготовлении контактных пиковых приборов и плеМикроироволока, соприкасаясь с острыми кромками наладки при монтаже и заправке, обрывается, что является недостатком инстру мента.Предложенный инструмент отличается ог известного тем, что накладка выполнена из проволоки в виде петли, жестко связанной с иглой, расположенной над направляющим пазом и обращенной прогибом к контактной повсрхности. Проволочная петля поддерживает проволоку и центрирует ее на коротком участке, чтооблегчает заправку проволоки, исключаетзасорение паза и предупреждает поврежде 5 ние проволоки ввиду отсутствия острых кромок на накладке, а также устраняет дополнительную операцию по скруглению острыхкромок входного и выходного...

Номер патента: 281586

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Калинин, Классиди, Леонов

МПК: H01L 35/30

Метки: батарея, термоэлектрическая

...тепловых условиях. Особенно большая неравномерность в перепадах температур на спаях наблюдается в случае противотока, Эта несогласованность еще больше увеличивается в системе кондиционирования воздуха, где имеет место влаговыделение.Описываемое устройство отличается от известных тем, что теплообменники выполнены в виде перпендикулярных спаям термоэлементов соосных каналов с отверстиями у основания для циркуляции и отвода теплоносителя.На чертеже представлена схема описываемой термобатареи.Подлежащий обработке воздух подается от вентилятора через распределитель 1 в каналы 2, образованные ячейками 8 теплообменника. Стенки ячеек и каналов изготавливаются из теплопроводного материала и имеют паяный контакт с холодными или горячими спаями...

Номер патента: 281650

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Текстер, Шефтель

МПК: H01L 21/40

Метки: контактов, омических, полупроводниковых, терморезисторах

...и повышения стабильности контактов в полупроводник вжигают слой серебра, обслуживают серебряный слой пристоехт из сплава индий- свинец, производят термообработку. Кроме того, припой содержи1 п и 80 - 40% РЬ; термообрабопри 250+ 50 С.Суть способа заключаегся в следующем: 5 механическая обработка поверхности на шлифовальных станках; промывка в проточной воде; нанесение пасты из окиси серебра на торцовые поверхности терморезистора; вжнгание электродов при 700 в 8 С на воздухе 10 в течение 1 О - 15 ттин; обслуживание всей поверхности контакта и припаивание красно- медных выводов методом окунания (плп с помощью паяльника). Принципиально важных является состав припоя. Используется сплав 15 индия и свинца в соотношении от 77 вес....

Номер патента: 281651

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Кузнецов, Муравский

МПК: H01L 29/06

Метки: генератор, полупроводниковый

...на процессе релаксации ,поверхностного потенциального барьера. На поверхностно-барьерный переход относительно пластины (базы) подается постоянное обратное напряжение, плоскостной р-,п-переход шунтируется резистором. С некоторого критического напряжения на поверхностно-барьерном переходе начинается интенсивная холодная эмиссия электронов с поверхностных уровней в зону проводимости полупроводника. Это приводит к уменьшению высоты стоверхностного барьера, образованного захваченными на этих уровнях электрснами, в евою очередь это ведет ж уменьшению напряжения в истощенном слое и прекращению эмиссии, Возвращаясь к равновесию, поверхностные уровни вновь захватывают электроны, и потенциальный барьер восстанавливается. Восстанавливается и...

Номер патента: 281663

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Иол, Оою, Сиксин

МПК: G01T 1/24, H01L 31/00

Метки: излучений, полупроводниковый, счетчик, ядерных

...распределения заряженных частиц из ядерных реакций мишень находится внутри полого кристалла кремния, на внутренней поверхности которого расположены поверхностно-барьерные переходы, выполненные в виде соосно расположенных колец,На чертеже представлена конструкция предлагаемого полупроводникового счетчика ядерных излучений,Пучок 1 заряженных частиц проходит через "истему 2 - 3 и попадает на тонкую твердую мишень 4, а далее - на ловушку б тока, соединенную с интегратором б тока, Перед мишенью 4 установлена диафрагма, на которую подается задерживающий потенциал 7. На 5 внутреннюю поверхность стакана 8, изготовленного из монокристалла кремния, нанес ны кольца 9 из золота, образующие вместе с кремнием р - и-переходы. Эти кольцевые...

Номер патента: 282486

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Заболотнов, Заумыслов, Колесников

МПК: H01C 7/18, H01L 49/02

Метки: rc-структура, распределенными, тонкопленочная

...узким зазором, существует расовределенная емкость, опрЕделяемая величиной зазора, шириной элементов и диэлектрической проницательностью подложки. В зависимости от геометрии участков слоев могутбыть получены, например, структуры следующих типов: а - структура типа КС - пй; б - З 0 структура типа РС; в - структура типа 1 тС - проводник Сй.Заданный закон изменения погонных,параметров может быть обеспечен изменением ширины зазора и ширины резистивных элементов. Емкостные элементы КС-структуры отличаются высокой надежностью. При зазоре между резистивными (или между резистивным и проводящим) элементами порядка 20 - 40 лк пробивное напряжение составляет несколько сот вольт, а возникновение произвольных закороток исключено.В качестве примера...

Номер патента: 284046

Опубликовано: 01.01.1970

МПК: H01L 27/02

Метки: 284046

...меди 4 (СпВгг, СпВг), бромистый свинец 5 (РЬВгг), смесь бромной и бромистой меди б и наконец второй инертный электрод 7,Прц пропускании через такую систему постоянного тока изменяются начальные концентрации Сп+ и Сп таким образом, что в катодном пространстве концентрация Сп уменьшается, а в анодпом - увеличивается (для концентрации Сп соотношения обратные), следствием чего является изменение э.д.с. системы.При малой концентрации Сп относительно Сп э.д.с. системы выражается приблизительной формулой Сп+ ,е=а 1 од(сц.+1:где е - э.д.с. системы, а - постоянная, 1 Спи 1 Сп 3 г концентрации Сп в обоих отделениях, Изменение концентрации Сп зависит284046 Предмет изобретения Составитель Матвеев Корректор Г, С. Мухина Тех р ед Т. П, Курил ло...

Номер патента: 284079

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Белевцев, Дудкин, Зыкова, Мазур, Никитин, Потупа, Ханин

МПК: H01L 35/18, H01L 35/34

Метки: термоэлемент

...термоэлемента и к,возрастанию внутреннего сопротивления.Для ликвидации вредных последствий упругого последствия при гсрессовании низкотемпературных термоэлементов используются в качестве наполнителей в порошки антидиффузионных материалов и материалов токоведущих шин (порошки Ре, Со и %) порошки висмута и сплава 80% Вт+20 а/о ЯЬ, Последние плавятся при температуре выше темпера туры эксплуатации низкотемпературных термоэлементов (до 300 С), при температуре же теплого прессования термоэлементов (около 350 С) - находятся,в жидком состоянии, придавая соответствующихт брикетам высокую О пластичность, позволяющую ликвидироватьнапряжение на границе с термоэлектрическими материалами. Порошки висмута и сядава 80% Вт+20 а/с ЗЬ добавлялись в...

Номер патента: 284181

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Властимил, Евжен, Зденек, Изобретен, Иностранное, Йиржи, Оборовы, Пиврнец, Чехословацка

МПК: H01L 23/10

Метки: корпус, полупроводникового, прибора

...корпуса с мсталлпчсскп 284181ми трубочками согласно изобретению можно упростить конструкцию, Для этого одно из колец изготавливают из электроизоляционного материала, а другое из металла, причем тру. бочка металлического кольца образует с последним единое целое.Металлические кольца выполняют,преимущественно в вндссеченного конуса.На фиг, 1 изображено, сечение,полупроводникового прибора, у которого соединительные элюинты кори са Выполнены В виде металлических труоочек; на фиг. 2 предстаьлено сечение полчпроводликового прибора, 1 которого соединительные элементы выполнены из электроизоляционного матсриала и образуют с кольцом одно нераздельное целое; на фиг. 3 дано сечение полупроводникового прибора с упрощенлой конструкцией...

Номер патента: 285115

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Барышников, Дыгай, Фурманский

МПК: H01L 21/00

Метки: комплект, полупроводниковыхприборов, упаковочный

...одной из граней, а вкладыш имеет ту же форму с шахматным расположением на больших гранях гнезд, проекции которых на противоположные грани не совпадают с находящимися .на,них гнездами. Комплект снабжен двумя фиксирующими накладками с отверстиями. При такой конструкции комплекта вкладыш должен обладать повышенной жесткостью, а при вскрытии коробки должна быть, исключена, возможность повреждения приборов. Для этого вкладыш:вьрполнен из двух коробчатых частей, вставленных до упора отбортовки одной в противоположную грань другой, а линия стыка частей коробки проходит м ежду ряда ми гнезд. На фиг. 1,схехгатично изображен общений видупаковочного комплекта в разобранном положении; на фпг. 2 - вкладыш (вид сверху); на фиг. 3 - размещение...

Номер патента: 286083

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Абдуллаев, Али, Асадов, Ахундов, Институт, Шабалов

МПК: H01L 29/18

Метки: переключающий, полупроводниковый, прибор

...я также небольтнОЙ интервал рабочих температур, Недостатки переклю чающих диодов ня основе полупроводниковых стекол следующие: отсутствие возможности управления релейным эффектом, небольшое количество запоминаемой информации и малая стабильность электрических параметров.Предлагаемый лрпбор не имеет вышеперечисленных недостатков. Он изготовлен на основс полупроводникового материала системы СН-Тс, обладающего дефектной структурой, которая приводит к сильному легированию. Конструктивно он выполнен из пластины полупроводникового материала системы Сц-Те с вытрямляющим и омичеоким элекпродами,Такое сочетание полупроводникового материала и электродов позволило получить двуэлектродный прибор с управляемой релейпо 11, характеристикой в прямом и...

Номер патента: 287204

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Кайбанов, Центер

МПК: H01L 21/50

Метки: интегральных, систем, схем

...впечатываться на пло 1 цади, занимаемой каждой интегральной схемой, мцои"ество которых расположено ца полк проводниковой пластине. Для каждоц интегральной схемы в зависимости от того, как расположцлцсь дефектные компоненты на Отведенной для каждоц схемы площ 11 дке, подоцрается 1 автоматически или вручную) тот цлц иной коммунцкационцьш вариант. Далее ца фотографической установке изготовляется фото- шаблон, индивпдуальцый для каждой полупроводниковой пластицки. Отдельные коммуникационные конфигурации впечатываются проекционным методом с помощью набора орип 1 нала, прпчем источник освещения через. оригиналы и объектив образует на фотошаблоце скрытые изображения коммтццкаццоц287204 Предмет изобретения Составитель М. Лепешкина Техрсд А. А....

Номер патента: 287629

Опубликовано: 01.01.1970

МПК: H01L 29/78

Метки: моп-структурой, полевой, транзистор

...т,)П 1 2 В тО:)1 с,1-ае, с.;П 1 "12.етР пс 13 ехода10 я)пОДлох)к ОбразОВ 212 13 к,рсмн 15сопротпвлсп)псм - 1 О 0),)1,сзхГсл 11 разность и,)тспцпсло) мс: д) затв)ро.1 под;ОжкОй10 и 10 Гд 2 сопротпВлснпе бу.30;1 ет П 01)я)дка 10 - 1)0.)1, и эта Г)ел 1 чппг со287629 Фи ЯСоставитель О. Б, федюк едактор Л, Герасимова Корректор Л. А. Царько аква 0075,10- - 70 г. Тираж 480 Подписное1 И 11111 Комитета но делам ивооретений н откргктнй нрн Совете Министров СССРМосква, К.зо, 1 аушскав най, д. 4/о нгральна тнографнв МО противления достаточна в больгшшстве случаев для входного сопротивления для транзисторов с такой структурой. Транзистор прн отсутствии повреждения или пробоя окисной изолилирующей пленки может свободно функционировать в качестве...

Номер патента: 288069

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Институт, Марковский, Марченко, Чемодин, Чесмочакова

МПК: H01L 35/02

Метки: генератор, секционный, термоэлектрический

...спаев ТЭБ. Однако полностью собранная в за)водских условиях она может бы ть испытана ца стенде с вытяжной трубой, к которой мсцтт подсоединяться любые термоэлектрогорелоч цые секции. Использование релочцых секций позволяет:набирать из нцх генератор любой необходимой мощности (прц этом используются лишь одна опорная конструкция и вытяжная труба, к которым кренится оцределеиое количество термоэлектрогорелочцых секций);производить качественную сборку и отладку работы секций в заводских условиях, что повысит качество генераторов в целом и значительно уменьшит объем наладочных рабог црц пуске генератора в полевых условиях;значительно облегчить монтажные раооты црц установке генераторов в местах цх эксплуатации, где чаще всего...

Номер патента: 288070

Опубликовано: 01.01.1970

Автор: Романовский

МПК: H01L 35/00

Метки: нагрева, охлаждения, термоэлементов, электрического

...моста 2 или 3 через кремниевые диоды 4 или 5 соответственно, Мосты 2 и 3 питаются от согласующих трансформаторов 6 и 7, первичные обмотки которых своими концами соединены через диоды 8 - 11 со вторичной обмоткой сетевого трансформатора 12. К средним точкам трансформаторов 6 и 7 присоединены коллекторы триодов 13 и 14, а их эмпттеры подключены к средней точке сетевого трансформатора 2.Управление трапзисторами 13 и 14 производится по базам от усилителя с прямым и инверсным выходами (на чертеже не показан 1.При подаче отрицательного потенциала на базу, например, транзистора 13 (транзистор. В, Ивано еда Заказ 948 Тираж 480 ПодписноеЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССРМосква, Ж, Раупская...

Номер патента: 288157

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Ленинградское, Хамбур, Яковлев

МПК: H01L 21/00

Метки: держатель, крепления, полупроводниковыхприборов

...кольцевого выступа, и пружинящие лепестки, на концах которы выполнены буртики, В другой части гнезда, меньшего диаметра, с боковыми окнами для отвода тепла и отверстиями в дне для выводов полупроводника, имеется пространство между внутренним кольцевым выступом и дном гнезда, исключающее возможность перегиба и пайки выводных концов ближе допустимого расстояния от корпуса полупроводника, вместе с тем допуская произвольную рихтовку выводов за пределами держателя.Описываемое устройство позволяет также удобно и быстро заменять полупроводниковые приборы,На фиг, 1 изображен общий вид держателя; на фиг. 2 - вид в разрезе с прибором, вставленным в отверстие платы; на фиг, 3 - конфигурация отверстия в плате,Держатель выполнен прессованием...

Номер патента: 288159

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Заддэ, Зайцева, Ландсман, Стребков

МПК: H01L 31/06

Метки: генератор, полупроводниковый, фотоэлектрический

...последовательной, параллельноц или смешанной. При параллельном соединении (см. фцг. 1) коммутация микрофотопреобразователей 1 с р - а-переходамп 2 выполнена с помощью металлических контактов г по четырем граням мигсрофотопреобразователей, имеющих р - и- переходы, плоскости которых параллельны направлению излучения. Мнкрофотопресбразователи имеют р - а-переходы ца пяти гранях. Контакт 4 к базовой области нанесен на шестую, свободную от р - и-перехода сторону микрофотопресбразователей. 1 ля изоляции оазового контакта ст контакта к легированному слою часть легированного слоя всех р - а-переходов, прилегающих к базовому контакту, вытравлена и заполнена изолируюгцим веществом 5. Рабочей поверхностью-б Сдлп г Г 1 Г Г Г Г ГСоставитель...

Номер патента: 288160

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Заддэ, Зайцева, Ландсман, Стребков

МПК: H01L 21/78

Метки: генератора, полупроводникового, фотоэлектрического

...способу, твердотельные матрицы с р - и-переходами соединяют между 30 собой в заготовки посредством металлических или изолирующих слоев так, чтобы плоскости р - и-переходов, перпендикулярных рабочей поверхности матриц, были параллельны у всех матриц, входящих в состав заготовки, Полученные заготовки из матриц разрезают перпендикулярно плоскости р - и-переходов на твердотельные блоки, у которых указанные плоскости перпендикулярны рабочей поверхности. На готовых блоках создают дополнительные р - и-переходы на рабочих сторонах, например методом ионной бомбардировки. Изготовление фотоэлектрического генератора заканчивается после присоединения контактов, просветления и нанесения защитного покрытия,Описываемый способ позволяет получать...

Номер патента: 288161

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Заддэ, Зайцева, Ландсман, Стребков

МПК: H01L 31/068

Метки: полупроводниковый, фотоэлектрическийгенератор

...что значительно повышает его чувствительность.При соединении эмиттерных и коллекторных областей между собой все и-р-п илп р-ир-структуры тогут оыть использованы в фотодиодном или вентпльном режиме.Для изоляции эмиттерных и коллекторныхобластей от контакта к базовой области часть материала эмиттера и коллектора всех микрофотопреобразователей, прилегающая к тыльной поверхности генератора, вытравлена и заполнена изолирующим веществом. Контакт к базовой области является в то же время отражающей поверхностью для инфракрасного излучения, Это уменьшает нагрев генератора прн работе и увеличивает его эффективность288161 Предмет изобретения Составитель А, Котдактор Б, Б. Федотов Текрсд А. А, Камышникова Корректор Н. Л. Бронская Подписнопете...

Номер патента: 288162

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Заддэ, Зайцева, Ландсман, Лидоренко, Стребков

МПК: H01L 21/761

Метки: генератора, полупроводникового, фотоэлектрического

...генератор с рабочим напряжением 50 в/см и более при рабочем токе более 10 а/см площадир - п-перехода.Для этого фотопреобразователи с р - и-переходами, параллельными падающему излучению, коммутируют в твердотельную матрицу с последующим созданием диффузией на рабочих поверхностях готовой матрицы примесей дополнительных переходов,Диффузию осуществляют ионной бомбардировкой.5 Согласно описываемому способу пластиныс р - и-переходами соединяют в заготовки так,чтобы плоскости р - и-перехода были параллельны, затем заготовки разрезают на пластины перпендикулярно плоскости р - п-пере 10 ходов. После полировки и снятия шунтовпластину превращают в твердотельную матрицу из фотопреобразователей с р - и-переходами, расположенными параллельно...

Номер патента: 288163

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Косарев, Стребков

МПК: H01L 31/042

Метки: генератор, полупроводниковый, фотоэлектрический

...распределения примесей по фронту сплавления и малого времени жизни неос новных носителей в компенсированной области.Описываемый полупроводниковый фотоэлектрический генератор, состоящий из фото- преобразователей с р - тг-переходами, распо ло 1 снными параллельно падающему излучению, отличается от известных тем, что фото- преобразователи выполнены в виде микроминиатюрных параллелепипедов, скоммутированных в твердотельную матрицу. Толщина 25 микрофотопреобразователей соизмерима сдиффузионной длиной неосновных носителей тока в базовой области. Эти отличия позволяют достичь микроминиатюризации генератора, а также повысить к, п.д. и рабочее на пряжение до 50 всм 2 и более.Изд.13 Заказ 4036/7 Тираж 480 ПодписноеЦНИИПИ Комитета по делам...