Описание

1. Способ изготовления многослойных структур, включающий создание в кремниевой подложке скрытого диэлектрика путем внедрения ионов кислорода с последующим отжигом, отличающийся тем, что, с целью повышения качества структур, в подложку дополнительно внедряют ионы азота при соотношении атомов внедренного кислорода и азота в пределах 0,5-2,5 и суммарной объемной концентрации внедренных атомов (0,8-3,0) 1022 см-3.
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что внедрение ионов азота проводят при энергии ионов на 80-100 кэВ меньшей, чем энергия ионов кислорода.

Заявка

4077635/25, 05.05.1986

Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов АН СССР, Рижский политехнический институт им. А. Я. Пельше, Институт полупроводников АН УССР

Копецкий Ч. В, Устинов Ю. А, Данилин А. Б, Мордкович В. Н, Ерохин Ю. Н, Темпер Э. М, Иванов В. В, Вяткин А. Ф, Калинин А. В, Литовченко В. Г, Попов В. Г, Романюк Б. Н, Рудской И. В, Медвидь А. П, Жолудев Г. К, Шаповалов В. П

МПК / Метки

МПК: H01L 21/265

Метки: многослойных, структур

Опубликовано: 20.08.1999

Код ссылки

<a href="https://patents.su/0-1389598-sposob-izgotovleniya-mnogoslojjnykh-struktur.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ изготовления многослойных структур</a>

Похожие патенты