Способ изготовления многослойных структур
Описание | Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Описание

2. Способ по п.1, отличающийся тем, что внедрение ионов азота проводят при энергии ионов на 80-100 кэВ меньшей, чем энергия ионов кислорода.
Заявка
4077635/25, 05.05.1986
Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов АН СССР, Рижский политехнический институт им. А. Я. Пельше, Институт полупроводников АН УССР
Копецкий Ч. В, Устинов Ю. А, Данилин А. Б, Мордкович В. Н, Ерохин Ю. Н, Темпер Э. М, Иванов В. В, Вяткин А. Ф, Калинин А. В, Литовченко В. Г, Попов В. Г, Романюк Б. Н, Рудской И. В, Медвидь А. П, Жолудев Г. К, Шаповалов В. П
МПК / Метки
МПК: H01L 21/265
Метки: многослойных, структур
Опубликовано: 20.08.1999
Код ссылки
<a href="https://patents.su/0-1389598-sposob-izgotovleniya-mnogoslojjnykh-struktur.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ изготовления многослойных структур</a>
Предыдущий патент: Бухтосверточная машина
Следующий патент: Механизм подачи стана холодной прокатки труб
Случайный патент: Крепь для заходок при столбовой системе разработок