H01L — Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам

Номер патента: 743489

Опубликовано: 30.07.1991

Автор: Шаповалов

МПК: H01L 21/324, H01L 21/477

Метки: кремниевых, пластин, термообработки

...интегральной схемы, которые, в свою очередь, отрицательносказываются на электрических парамет) СПОСОБ ТЕРМООБРАБОТКИ КРЕМПЛАСТИН в процессе изготовлеегральных схем, включающий ихс дальнейшим охлаждением соью не более скорости, обуславй возникновение термическихний пластинах кремния,ч а ю щ и й с я тем, что,увеличения выхода годных,ы охлаждают со скоростью не0 С/мин.74 3489 Редактор Л. Письман Техред АКравчук Корректор Л, Патай Заказ 3129 Тираж 315 ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г.ужгород, ул. Гагарина,101 Иелью изобретения является увеличение выхода годных эа счет траничения скорости охлаждения...

Номер патента: 1276201

Опубликовано: 30.07.1991

Авторы: Погорелов, Севрюков, Севрюкова

МПК: H01L 39/24

Метки: поверхности, примеси, рабочей, резонатора, сверхпроводящего, удаления, электролит

...в СССР, поряд-ка 3,5 10 в .течение 2,5 лет. Темпе"ратурная зависимость добротностисверхпроводящих резонаторов, обработанных в данном электролите и в электролите, принятом за прототип, показала лучшую долговременную стабильность сверхпроводящего генератора,стабилизированного сверхпроводящимрезонатором, прошедшим электрохими"ческую очистку в заявляемом элек"12тролите, и составила 1 О при 2 К,что намного превосходит лучшие квар"0 цевые генераторы,При использовании ортофосфорногоЭлектролита с добавкой диэтиламиданикотиновой кислоты наибольший эф"25фект "вытягивания" тантала наблюдается при напряжении формирования30 В, соответствующем толщине окисного покрытия 675 А,. причем этотфакт в 2,77 раза выше, чем в водномрастворе аммиака при том же...

Номер патента: 1306404

Опубликовано: 07.08.1991

Авторы: Антоненко, Байрамов, Веденеев, Ждан, Сульженко

МПК: H01L 21/66

Метки: параметров, полупроводников

...примеси Исстепени ее компенсации К и энергииактивации ЕНа фиг, 1 приведена рассчитаннаятемпературная производная уровня Ферми Р в полупроводнике; на фиг.2зависимость вспомогательной функцииИ от температуры Т.Измерения проводят в гелиевом кри"остате с электронным терморегуляторомв диапазоне температур 20-300 К,В режиме стабилизации емкости сигнал с измерителя добротности ВМ 560после интегрирования смещает МДП-структуру в направлении, компенсирующем возмущение ее ВЧ-емкости. Ста"билизация ВЧ-емкости осуществляетсяна уровне 10 , чувствительность кизменению емкости1 фФ на частоте1 МГц при амплитудном значении тестового ВЧ-сигнала 5 мВ.Определяют параметры легированиякремния в МДП-структуре АЕ-Б 1г2площадью 5 10 м " и толщиной...

Номер патента: 1668184

Опубликовано: 07.08.1991

Авторы: Камилов, Серикбаев, Шадманов

МПК: B60T 13/66, F16K 31/02, H01L 41/09 ...

Метки: аналоговый, давления, модулятор

...тормозными камерами, и входным каналом 10 с источником давления. 1 оршень 5 и крышка 8 электрически 20 связаны через кпеммы 11 и 12 с электрической цепью управления.Для установления в тормозных камерах изданного уровня ддвления соответствуюп 1 ее напряжение подается через клеммы 11 и 12 нд поршень 5 и кры(пку 8. 11 од действи( м рдз(нкти потенциалов нз поршне 5 и крышке 8 жидкий диэлектрик увеличивается в объеме эффект электрострикции) и перемеп 1 ает поршень 5 вниз. 11 ри этом поршень 1 закрывает клапан 2 и открывает клапан 4, обеспечивая перепуск воздуха от источник давления в тормозные камеры 1 о л(е)н напопнения торлнг.(ных кдл(ер растет давление воздухд под поршнем 1, вследствие н.го последний поднимзется, сжимая жидкий диэлектрик в...

Номер патента: 1669018

Опубликовано: 07.08.1991

Авторы: Бичуч, Браташ, Кабатянский, Сеферовский

МПК: H01L 25/00

Метки: полупроводниковый

...9, в которых устанавливаются конденсаторы 10, крепящиеся при помощи скоб 11.Крышки 6 крепятся к кожуху 4 при помощи резьбовых соединений, К балкам 3 спомощью реэьбовых соединений крепятся 35полупроводниковые преобразовательныеблоки 12. На одной из торцовых стенок кожуха 4 имеется отверстие 13 для забораохлаждающего воздуха, а на второй торцовой стенке выполнен патрубок 14 для подключения вентилятора.Полупроводниковые преобразовательные блоки, дроссели и конденсаторы сгруппированы между собой в отдельные модули15. обеспечивающие работу каждой фазы 45преобразователя в целом,Электрический монтаж каждого модулявыполнен в виде жгута проводов 16, к отдельным проводам которого подключаютсяполупроводниковые блоки 12, конденсэторы 10 и блок...

Номер патента: 1204039

Опубликовано: 07.08.1991

Автор: Рыскин

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: времени, мощности, рассеяния, транзисторов

...1. тоеоньй ключисточник напряжения 15 клемму пус-.Кя, б "1.П ГГрзоднког тК ОТСЕК За-д."."РЯНЗИСТСРЯ В ПРОТИВОПОЛОЖЕН .ИПУ ход к О т 0 Р с Г О с 0 е Д кн е ь с 11 е Р В ььа 1 ".хо"ДОМ схемы И ньгход которой чесез схему ИЛИ 5 соедкнек с упрднлио 1 цкм ВХОДОМ ГЕНЕПЯТОРЯ ГЧТНЬГХ КМГУЛа-.к -" упрднляющим Бх 0 дом Гене" ряторя тока 1, Выход которого СОЕДИНЕН С ГГЕРН 01 КЛЕММСй 1 (ДЛЯ ГГСДКЛЮЧЕНКЯ ЗМИТТЕРа ГГЗМЕР 5 ГЕИОГО транзкстсод21 Дтсрдя клем- МЯ 1 ОДля Г(одключенкя базы .; зменяд МО-.0 ТРДНЗ; ТРЯ 1 ОРД 11 НЕН.;. ":, "5теРОм понтсрктеля 13 к через токо огранкчкнаюв;ий Резистор 7 с базой ОТСЕК ЯЮЩЕ ГО ТРЯГНЗКСТОРЯ Я, ЗаГ".т"Е,: к 070 РОГО СОедкнек с выходом ксточ - НИКЯ НЯГ 10 яжения 1 Э Гао"ШЕКТОР СЕ- (Я 1 ЩЕГО 5 ЯЗС 0 СД Д...

Номер патента: 1045791

Опубликовано: 07.08.1991

Авторы: Ерохин, Куршецов, Ширшов

МПК: H01L 39/24

Метки: критических, сверхпроводников, технических, токов

...10 подключен к ой схемы сравнения 11, которой соединен с залоного апряжеия в циФ, а выход - с блоком ретока образца 13, который ботой источника тания м питания 14, управляемымпрограмматором 15, осуществляетсяввод тока в сверхпроводящий магнит16, создающий внешнее магнитное поле,Сигнал с шунта 17, пропорциональныйвеличине магнитного поля, поступаетна вход Х двухкоординатного самописца 18, вход У которого соединен с шунтом 8 в цепи питания образца 1, Источник магнитного поля 16 и исследуемый образец 1 расположены в криостате 19,При работе устройства текущее значение регулируемой величины (сигналпропорциональный сопротивлению образца Р) преобразовывается АЦП в цифровую Форму и сравнивается с заданнымзначением. Цифровая схема...

Номер патента: 1325963

Опубликовано: 07.08.1991

Авторы: Лепехин, Петрина, Яценко

МПК: F25B 19/04, H01L 23/34

Метки: блок, радиоэлектронный

...при нагревании теплоносителя пар удаляется иэ материала с крупнодисперсной структурой, имеющей контакт с поверхностью тепловыделяющих приборов. Смесь нагретой диэлектрической жидкости 2 поступает в конденсатор 3 через сегментные окна 9.15Слой 13 не дает пару воэможности пробиться во внешние крупнодисперсные слои, имеющие контакт с электро- проводными перегородками 6. Поэтому внешние крупнодисперсные слои, кон-, тактирующие с перегородками 6, всегда смочены жидким теплоносителем, и гидродинамика жидкого теплоносителя по капиллярам вставки и самой капиллярно-пористой структуре охладителей 5 не нарушается.Охлаждение тепловыделяющих полупроводниковых приборов 4 при повышенных и импульсных электрических нагрузках всегда сопровождается...

Номер патента: 1289317

Опубликовано: 07.08.1991

Авторы: Ждан, Мухин, Никитин, Синкевич

МПК: H01L 21/66

Метки: заряда, носителей, подвижности, твердых, телах

...на примере определения подвижности электронов в инверсном слое кремниевого МДП-транзистора, изготовленного на подложке/20 Ом см. Толщина окисла составляет0,1 мкм, площадь структуры3 РсмИзмерение производной магнитосопротивления ЙВ/йЧ (фиг. 2) при фиксированном напряжении на затворе Ч15 В проводится по модуляционнойметодике в процессе изменения индукции магнитного поля В от 1 до 3 Тл,Установленное значение температурыудовлетворяет условию реализации551 РТшспособа - - в -9во всем ин 2 Л Ь еВ.тервале значений магнитной индукции, Таким образом, значения индукции магнитного поля, приложенного перпендикулярно поверхности Б, при измерении зависимости ЛН/ЙЧ удовлетворяют23 1 сТщровсво всем7 Ъеисследуемом интервале. На фиг. 3 определяют...

Номер патента: 1124819

Опубликовано: 07.08.1991

Автор: Француз

МПК: H01L 39/22

Метки: абсолютной, градуировки, магнитного, меры, многозначной, потока, сверхпроводящей

...фазы колебаний ВЧ-поля за время действия прямоугольного импульса напряжения.Известно, что вольт-амперная характеристика перехода Джозефсона, помещенного во внешнее электромагннтное ВЧ-поле, приобретает ступенчатый характер с участками нулевого511дифференциального сопротивления (сту=пенями) при напряжениях71=пЕ,где п=0,1,2, - целое число;Е - частота колебаний ВЧ-поля.Такая ступенчатая вольт-ампернаяхарактеристика перехода Джозефсона используется для градуировки меры.Если электрический ток через переход Джозефсона близок к нулю, рабочая точка на вольт-амперной характеристике находится на ступени с п=О, Путем подачи на переход соответствующих скачков тока можно скачком смещать рабочую точку на вольт-амперной характеристике со ступени с...

Номер патента: 1137898

Опубликовано: 15.08.1991

Автор: Рыскин

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: нагрева, полупроводниковых, приборов, структур

...Одциковых приборов, Обусловленная тем, что у теплоемких прибороводного типа, имеющих разброс теплового сопротивления, импульс греющей5мощности определенной формы и длительности будет вызывать различныйнагрев,Наиболее близким по своей технической сущности является способ нагрева структур теплоемких полупрово 1 никовых приборов, заключающийся вподаче на прибор серии импульсовпостоянной мощности с контролем величины нагрева структуры в паузах между импульсами и прекращение подачиимпульсов в момент достижения температурой нагрева структуры заданнойвеличины.20Недостатком этого способа являет-.ся низкая производительность нагрева,т.к. при нагреве структур полупроводниковых приборов импульсами постоянной мощности, нагрев приборов одноготипа,...

Номер патента: 1670722

Опубликовано: 15.08.1991

Авторы: Лаужа, Никифоров, Скольцов, Узарс, Феоктистов, Чаусов, Чуверин

МПК: H01L 23/34, H01L 25/00, H05K 7/00 ...

Метки: модуль, полупроводниковый, силовой, установки, электропреобразовательной

...приборы, теплопроводы 2 и кожух 3, причем каждый теплоотвод выполнен в виде металлического диска 4 со спицами 5, торцы которых скреплены между собой кольцом 6, и снабжен кольцевыми элементами 7, имеющими радиальные прорези 8.Полупроводниковый модуль содержит соосно закрепленные чередующиеся полупроводниковые приборы цилиндрической формы и теплоотводы 2, размещенные в цилиндрическом кожухе 3, Каждый теплоотвод выполнен в виде металлического диска 4 с радиально расположенными спицами 5, торцы которых скреплены между собой кольцом 6, диаметр которого выбран равным внутреннему диаметру кожуха 3, и снабжен кольцевыми элементами 7, имеющими в радиальном сечении Ч-образную форму, которые крепятся к каждой спице 5 при помощи радиальной...

Номер патента: 1670723

Опубликовано: 15.08.1991

Автор: Закордонец

МПК: H01L 35/02

Метки: механическую, преобразования, тепловой, термоэлектрическое, энергии

...двигателя - повышение КПД. Вом устройстве для преоб Изообретение относится к машению и приборостроению, а именнвым приводам, и может быть испов качестве термоэлектрическогодвигателя,Цель изобретения - повышенНа чертеже изображено предлустройство,Устройство содержит термоэлтипа, термоэлемент 2 М-типа, комЩую шину 3, токопроводящуюпереходящую в ось, на которой прподшипника 5 укреплен диск 6, цский сосуд 7, электропроводящую8, тепло- и электроизоляционные п9 и 10, электроизолирующую про иску подсоединен вал 13 устоотводящее ребро 14, уплоткольцо 15, приводимыйЗаказ 2754 Тираж 350 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Раушская наб 4/5 Производственно-издательский...

Номер патента: 1670817

Опубликовано: 15.08.1991

Автор: Шульга

МПК: H01L 23/34, H01L 23/36, H05K 7/20 ...

Метки: охлаждения, радиатор, электрорадиоэлементов

...температуры ребер 3 по их высоте.Эффективному перераспределению потока с учетом изменения температуры ребер 3 по высоте и с учетом сохранения относительного расстояния между ребрами 3 соответствует также введение между однонаправленными лепестками 11 или 12 вершин 7 однонаправленных лепестков 12 или 11 соответственно соседних ребер 3. Они дополнительно сужают сечение между ними у менее нагретых участков ребер 3 на границах их разделения, в связи с чем поток прижимается к более нагретым поверхностям.При движении хладагента через охлади- тель торцовые установочные площадки 2, расположенные поперек потока, вызывают его турбулизацию за счет хаотичного резкого изменения направления потока в зоне вершин 7 ребер 3 в местах разделения...

Номер патента: 1373254

Опубликовано: 30.08.1991

Авторы: Ефремов, Севрюкова

МПК: H01L 39/24, H01P 11/00

Метки: поверхности, рабочей, резонатора, сверхпроводящего, свойств, эмиссионных

...4,461 эВ, т.е, выцгрьппв работе выхода электроцон оценивается величиной 0,373 эВ. Л даже сравнительно малый выигрьпп в работе выхода электронов вызывает заметноеснижение эмиссионных токов.В реальном сверхпроводящем резонаторе, состоящем из десятка моцокристаллических зерен, картина гораздо сложнее и не поддается теоретическим расчетам, Поэтому пока единственным способом экспресс-контроля эмисиоццых свойств рабочей поверхностисверхпроводящего резонатора являетсяпредлагаемый способ контроля с помощью петель гистерезиса.П р и и е р. Выпи изготовлены трисверхпроводящих резонатора из ниобиямарки НРБ, имеющие на рабочей поверхности зерна величиной от 25 до68 мм разной ориентации, Петли гистерезиса, т.е. зависимость 1=1(11), снималцсь в прямом...

Номер патента: 1674016

Опубликовано: 30.08.1991

Авторы: Рыжов, Рябинин, Чумаков

МПК: G01R 31/28, H01L 21/66

Метки: вольт-фарадных, регистрации, характеристик

...равно 20011В) = 1 В), -- ) 1 Сд)С1) вС 1 ВР) где 011 а) - значение напряжения на выхо де избирательного усилителя 17;С - емкость измеряемого объекта 18;В - сопротивление измеряемого обьекта 18;С 1 - емкоСть образцового конденсатора 30 16;в - круговая частота синусоидального напряжения;01 ц а) - значение синусоидального напряжения (тестового сигнала) на выходе 35 сумматора 9.С выхода избирательного усилителя 17 сигнал, пропорциональный комплексной проводимости измеряемого объекта 18, поступает через второй вход блока 2 обра ботки на второй вход фазочувствительного выпрямителя 7. Синусоидальное напряжение с выхода генератора 1 через первый вход блока 2 обработки поступает на вход первого фазосдвигающего элемента 3. На пряжение с выхода...

Номер патента: 1674293

Опубликовано: 30.08.1991

Автор: Суворов

МПК: H01L 21/58

Метки: кристалла, кристаллодержателем, полупроводникового, соединения

...Цель изобретения - повышение надежности соединения. На кристаллодержатель наносят слой алюминия толщиной 2,7 мкм,а на кристалл напыляют слой магния толщиной 1,75 мкм, Температуру нэ рабочем столике устанавливают равной 450-750 С. Кристэллодержатель из ковара помещают на столик и прогревают, наносят на поверхность кристаллодержателя прокладку из звтектики магний - алюминий и присоединяют кристалл в течение 2 с в нейтральной среде, при этом повышается устойчивость полупроводниковых приборов к механическим и климатическим воздействиям. ной 1,75 мкм, Температуру на рабочем столике устанавливают равной 450-750 С. Кристаллодержатель из ковара помещают на столик и прогревают до заданной температуры. С помощью пинцета наносят на поверхность...

Номер патента: 1674294

Опубликовано: 30.08.1991

Авторы: Агеев, Зайцев

МПК: H01L 21/48, H01L 21/60

Метки: интегральной, монтажа, носитель, схемы

...относится к микроэлектронике, в частности к носителям для монтажа интегральных схем,Цель изобретения - повышение надежности и снижение трудоемкости.На чертеже представлена конструкция носителя.Носитель содержит диэлектрическое основание 1 с окном 2 и парами противолежащих плоских металлических выводов 3, выполненных в виде единой токоведущей полоски,Носитель работает следующим образом.Носитель накладывают на поверхность кристалла диэлектрическим основанием 1 так, чтобы контактные площадки кристалла расположились в окне 2, а металлические выводы 3 проходили над контактными площадками. Металлические выводы присоединяют ультразвуковой сваркой к контактным площадкам кристалла.Выполнение плоских металлических выводов 3 в виде единой...

Номер патента: 1674295

Опубликовано: 30.08.1991

Авторы: Арсентьев, Васильев, Гарбузов, Журавкевич

МПК: G05D 27/00, H01L 21/208

Метки: гетероэпитаксиальных, жидкофазной, методом, многослойных, полупроводниковых, структур, эпитаксии

...клапаном, расположенным на фланце реактора 13. Во время движения штока электромагнитный клапан приоткрывается, обеспечивая свободный ход штока в уплотнении, а во время остановок он закрывается, обеспечивая надежное уплотнение штока и предотвращая попадание воздуха в реактор. Такимобразом, предлагаемая установка позволяет перемещать подложку под расплавами спостоянной стабилизированной скоростью заданной величины.П р и м е р, Создана автоматизированная установка для выращивания сверхтонких ( 10 см) полупроводниковых слоевметодом жидкостной эпитаксии на движущуюся подложку;Установка состоит из диффузионной печи "СДО - 125", кварцевого реактора с размещен ной внутри неподвижной графитовой кассетой с подвижной частью (слайдера), которая...

Номер патента: 1556463

Опубликовано: 07.09.1991

Авторы: Бенеманская, Лапушкин

МПК: H01L 21/66

Метки: двумерных, зон, металла, поверхности, электронных, энергии

...Сввеличина степени покрытия, соответствующая минимуму работы выхода Йр0,5, так что можно наиосить плен"ку Сз с любой степенью покрытия Влежащей в интервале 096 0,5. Вданном примере на поверхность (100)Мнанесена субмонослойная пленка Свсо степенью покрытия 90,3.На образец О(100) со стороныпленки Сз фокусируют монохроматнческий свет видимой спектральной области, интенсивностью 110 Вт/см,получаемый с помощью монохроматора8 от источника 6 видимого свете. Спомощью поляроида 1 0 осуществляютполяризацию электрического вектораизлучения в плоскости падения облучения (выделяют излучение р-поляризации) . Длину волны монохроматического света изменяют в. пределахот красной границы фотоэффекта, Я= 620 нм до длины волны видимогосвета л400 нм. Линейная...

Номер патента: 1675280

Опубликовано: 07.09.1991

Авторы: Иокста, Клейне, Кутузова, Ткаченко, Яунзема

МПК: C04B 35/472, H01L 41/187

Метки: керамический, материал, пьезоэлектрический

...кг/м, диэлектрическая проницаемость 280-300, диэлектрические потери 0,С 08-0,012, пьеэомодуль гааз 10 38-45 Кл/Н, температура фазового перехода 410-420, коэффициент электромеханической связи 19-20. механическая добротность 2600-3200, изменение пьезомодуля д, в диапазоне температур 20 350"С 10-12%, оптимальная температура спекания 1190-1200"С. 2 табл,Модификатор станнат бария синтезируют из ВаСОЗ и 5 п 02 при температуре 760 С в течение 3 ч,Модификатор в установленных нами оптимальных концентрациях добавляют при помоле г 1 редеарительно синтезированной основы титаната свинца. Помол осуществляют в яшмовом барабане в среде иэопропилового спирта в течение 24 ч,Спекание керамики проводят при температуре 1190 - 1220 С, в зависимости от...

Номер патента: 1675970

Опубликовано: 07.09.1991

Авторы: Ермилов, Матусов, Мещеряков

МПК: H01L 25/03

Метки: блок, полупроводниковый

...комбинат "Патент", г. Ужгород, ул Гагарина, 101 Изобретение относится к электротехнике, а именно к силовой преобразовательнойтехнике.Цель изобретения - уменьшение индуктивности и габаритов полупроводникового 5блока.На чертеже изображен полупроводниковый блок, общий вид,Полупроводниковый блок состоит из цепочки последовательно соединенных таблеточных полупроводниковых диодов 1,расположенных вдоль оси металлическогоцилиндрического корпуса 2. Каждый из вентилей расположен между медными вкладышами 3, осуществляющими токоподвод и 15охлаждение, Цепочка вентилей одним концом через медный вкладыш упирается в днокорпуса.Другой конец цепочки вентилей упирается в изолирующую шайбу 4 зажимного 20устройства, механически соединенного через...

Номер патента: 1575845

Опубликовано: 07.09.1991

Авторы: Бенеманская, Лапушкин

МПК: H01L 21/66

Метки: двумерных, зон, металла, металлической, пленки, подложке, субмонослойной, щелочно-земельного, щелочного, электронных, энергии

...света. С помощью поляроида 10 осуществляют поляризацию электрического вектора излучения в плоскости падения облучения(выделяют излучение р-поляризации),Длину волны монохроматического светаизменяют в пределах от Л800 нмКдо длины волны видимого света Л= 400 нм. Линейная дисперсий монохФоматора равна 2 нм/мм, что при ширинещелей монохроматора, равных 1 мм,позволяет использовать для облучения.пленки. участок укаэанного спектра ши".риной ЮЛ = 2 нм. Погрешность измерения длины волны монохроматическогосвета составляет Л, = 0,05 нм. Облучение пленки светом осуществляют подуглом д 45 ф так как .угол Брюстераудля этой системы в видимой облас.Р оти спектра равен )ф= 78Интегральный фотоэмиссионный токрегистрируют в цепи подложка 4 с пленкой -...

Номер патента: 1677745

Опубликовано: 15.09.1991

Авторы: Баранов, Зайцева, Четайкин

МПК: H01L 25/00

Метки: полупроводниковый

...приборы только одного плеча моста, чем исключается влияние нагрева одних плеч на другие, Направление движения воздуха может быть любое: как сверху, так и снизу.Панели полупроводниковых приборов 3 и несущие панели 2 образуют канал 4 охлаждения. Приборы плечирасположены с одной стороны шкафа, приборы плечи И - с другой стороны шкафа, чем обеспечивается короткое соединение приборов между собой. Катодные выводы полупроводниковых приборов короткими перемычками со-. единяются с шиной 5 постоянного тока, анодные - с Шиной 6 постоянного тока, Катодные выводы плеча Б и анодные выводы плечасоединяются общей шиной 7, обра 1677745зуя силовой вывод средней точки моста схемы, выводы 8 с которой расположены с противоположных сторон шкафа.Применение...

Номер патента: 1677746

Опубликовано: 15.09.1991

Авторы: Полозок, Томилов, Штарев

МПК: H01L 23/44, H01L 25/00

Метки: погружной, полупроводниковый

...контейнера 1 залита трансформаторным маслом 5. На контейнере 1 также имеются пробки для заливки 6 и слива 7 диэлектрической жидкости.Внутри контейнера 1 на раме 8 укреплены силовые полупроводниковые приборы 9 с радиаторами 10 и блоками 11 управления. На корпусе 12 силового полупроводникового прибора 9 выполнен компенсатор гидро- статического давления, представляющий собой резиновую манжету 13, с натягом охватывающую корпус 12 с выполненными на нем отверстиями 14. Внутренняя полость силового полупроводникового прибора заполнена полиметилсилоксановой жидкостью 15.При погружении преобразователя в воду при помощи компенсатора 3 выравнивается давление снаружи и внутри преобразователя, При этом компенсаторы 3 обеспечивают равномерное...

Номер патента: 1677747

Опубликовано: 15.09.1991

Авторы: Баталова, Вейцман, Гузеев, Лебедев, Михайловский, Сюзюмова, Чаусов

МПК: H01L 25/00, H05K 7/20

Метки: воздушным, охлаждением, полупроводниковый, самовентилируемым, средства, транспортного

...показанотройство, состоящее изду воздуха канала 9 и заприсоединен к кожухупомощью фланца 11. 3ся на нижней боковойСужение канала повышохлаждения за счет родающего воздуха, 1677747П реобразователь работает следующобразом, При движении поезда н бим т.е, повышения темп ературы одного охладида на егаю- теля над темпе ат щии поток воздуха омывает ко бр урои другого, происходит разователя и, кроме того бжух прео - выравнивание тр е температур за счет переклат го, за ирается дывания излишковт закрылками с боковой поверхносов тепловой энергии на боДалее он поступает в воздушны, бн сти поезда. 5 лее слабо наг тшныи канал, об- Фо м ларетыи охладитель. разованный охладителями 4 и 5. Срмула изобретения тиристоры 6 охлаждаются воз хи . иловые Пол...

Номер патента: 1677748

Опубликовано: 15.09.1991

Авторы: Партон, Пеньков, Филиппов

МПК: H01L 25/00

Метки: блок, выпрямительный

...выводам полу 1677748проводникового выпрямительного блока через полупроводниковые выпрямительные диоды 5, 6, 7, 8 протекает электрический ток и нагревает их, Выделяющееся при прохождении электрического тока через р-и-переходы полупроводниковых выпрямительных диодов 5, 6, 7, 8 тепло отводится через корпуса самих диодов на охлаждающие радиаторы 1., 2, 3, 4 и токопроводящие шины 9 и затем беспрепятственно вследствие вертикального эффективного расположения ох-, лаждающих радиаторов 1, 2, 3, 4, отводится непосредственно в окружающую среду,В результате прохождения электрического тока токопроводящие шины 9 нагреваются и вследствие линейного расширения металла, удлиняются,Так как охлаждающие радиаторы 1, 2, 3, 4 блока жестко...

Номер патента: 1677749

Опубликовано: 15.09.1991

Авторы: Каликанов, Туник

МПК: H01L 23/427, H01L 25/00

Метки: блок, полупроводниковый, силовой

...2, наступает пузырьковый режим ки 1677749пения. Пары жидкости из герметичной емкости 4 поступают в конденсатор 6, конденсируются, конденсат стекает обратно в герметичную емкость,При дальнейшем увеличении тока через полупроводниковые приборы увеличиваются тепловые потери, пузырьковый режим кипения переходит в пленочный, теплоотдача (охлаждение полупроводниковых приборов) ухудшается. Для исключения этого используются плавающие шарообразные элементы 10, находящиеся внутри боковых полостей 7, Под воздействием кипящей жидкости и паровых пузырей, которые совершают пульсирующие движения около боковых поверхностей теплоотводящих элементов, шарообразные элементы приходят в движение, периодически соприкаса ются этими боковыми поверхностями и...

Номер патента: 1677886

Опубликовано: 15.09.1991

Авторы: Ляшенко, Тесло

МПК: H01L 23/36, H05K 7/20

Метки: охлаждения, радиатор, радиоэлементов

...3, к которому прикреплена полоска 4 из гибкого неупругого материала, способного колебаться под действием потока. На основании 1 установлен также охлаждаемый радиоэлемент 5.Радиатор работает следующим обраОмываемый основание 1 и ребра 2 поток газа набегает на установленный наклонно к основанию 1 стержень 3. При обтекании стержня 3 с него периодически срываются вихри (вихри Кармана), создавая возмущающую силу, воздействующую на полоску 4, В результате действия возмущаагцей силы образуются отклонения полоски 4 от исходного положения, что устанавливает ее под углом атаки к потоку. Под действием скоростного напора потока полоска 4 возвращается,в исходное состояние, Таким образом происходит колебание полоски, При обтекании полоски 4...

Номер патента: 1678219

Опубликовано: 15.09.1991

Авторы: Гийсбертус, Дагоберт, Корнелис, Ян

МПК: H01L 39/24

Метки: оксидного, сверхпроводящего, слоя, тонкого

...таблетки диаметром 25 мм. Затем в течение 30 мин в атмосфере воздуха сжимают эту таблетку под давлениемв100 ИПа до момента достижения плотности, которая равна 95-100% теоретической плотности, Затем тщательно полируют поверхность до образования шероховатости менее 1 мкмС помощью лазерного метода напыления в вакууме образуем на поверхностислой ВаСцО толщиной в 1 мкм. Этотслой аморфный и состоит из ВаСО , которое при последующем нагревании преобразуется в ВаСцО. Мольное отношение Ва и Сц в этом слое предпочтительно 11Затем подложку и образованный тонкий слой нагревают до 850 С со скоростью 200 С/ч и выдерживают приоэтой температуре в течение 2 ч. Затем образованныи таким образом блокохлаждают со скоростью 100 С/ч доо20 С. Вся эта...