H01L — Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам

Номер патента: 1268002

Опубликовано: 27.09.1995

Авторы: Генделев, Петров, Шильников

МПК: H01L 21/463

Метки: монокристаллических, сфер, феррогранатов

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СФЕР ИЗ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ФЕРРОГРАНАТОВ, включающий резку монокристаллов на кубические заготовки, придание заготовкам формы, близкой к сферической, с использованием абразива зернистостью 160/125 мкм, шлифование связанным абразивом последовательно уменьшающейся зернистости 80/63, 40/28, 20/14 мкм, полирование свободным абразивом последовательно уменьшающейся зернистости 10/7, 5/3, 3/2, 1/0,5 мкм, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных сфер по однородности кривой ферромагнитного резонанса, на каждом этапе шлифования снимают слой толщиной 310 d/H3, а при полировании абразивом зернистостью 10/7 мкм, преимущественно эльбором на полировальнике из стеклотекстолита, снимают слой толщиной от 11 до 15...

Номер патента: 1160899

Опубликовано: 27.09.1995

Авторы: Беломестнов, Тояков

МПК: H01L 31/08

Метки: излучения, источником, светового, слежения

УСТРОЙСТВО ДЛЯ СЛЕЖЕНИЯ ЗА ИСТОЧНИКОМ СВЕТОВОГО ИЗЛУЧЕНИЯ, включающее полупроводниковую пластину с нанесенными на нее проводящим кольцом, выводами и n парами контактов, где n равно 1 или 2, расположенных внутри зоны, ограниченной проводящим кольцом, причем в каждой паре контакты расположены относительно друг друга по дуге 180o с центром в центре пластины, при этом при n 2 вторая пара контактов развернута относительно первой на 90o, отличающееся тем, что, с целью увеличения диапазона измеряемых координат, на поверхность пластины, заключенной между парами контактов, нанесен управляющий электрод, изолированный от пластины и контактов слоем диэлектрика и выполненный центрально-симметричным.

Номер патента: 1790316

Опубликовано: 27.09.1995

Авторы: Ачкасов, Глазнев, Мещеряков

МПК: H01L 21/82

Метки: больших, интегральных, кмоп, структур, схем

...(2 - 15 с) оксида кремния необходимо проводить се- травление оксида кремния в контактных оклективно, получая на легированных донор нах, образование которого возможно при ной примесью активных областях и выполнении технологических операций (наполикремнии слой оксида кремния толщи- . пример, удаление фоторезиста), следующих ной около 0,3 мкм, а на легированных актив- за операцией травления изоляции второго ных областях - 0,05 - 0,08 мкм, чтобы уровня поликремния.Дополнительноетрэвисключить маскирование ионов бора при ление производят в травителе на основеплавиковой кислоты. Так как время травления мало, то ухудшения изолирующихсвойств межслойного диэлектрика практически не происходит,Формирование буферных областей второго уровня...

Номер патента: 1593518

Опубликовано: 27.09.1995

Авторы: Крымский, Ли, Ольшанецкая

МПК: H01L 27/148

Метки: зарядовой, многоканальное, приборах, связью, считывания

МНОГОКАНАЛЬНОЕ УСТРОЙСТВО СЧИТЫВАНИЯ НА ПРИБОРАХ С ЗАРЯДОВОЙ СВЯЗЬЮ, содержащее N каналов переноса заряда, каждый из которых отделен от выходной диффузионной области соответствующего канала затвором переноса, N транзисторов сброса, стоки которых соединены с шиной напряжения питания устройства, затворы объединены и являются входом сброса устройства, а истоки соединены с выходными диффузионными областями соответствующих каналов и затворами соответствующих считывающих транзисторов, стоки которых соединены с шиной напряжения питания устройства, истоки со стоками соответствующих ключевых транзисторов, истоки которых объединены и являются выходом считывания устройства, а затворы подключены к соответствующим выходам цифрового сдвигового регистра,...

Номер патента: 1795821

Опубликовано: 10.10.1995

Авторы: Гумаров, Петухов, Хайбуллин

МПК: H01L 21/265

Метки: дисилицида, кобальта, кремнии, мезотаксиальных, слоев

...тем, что визвестном способе получения мезотаксиального дисилицида кобальта в кремнии, включающем ионную бомбардировку монокристаллического кремния ионами кобаль та, процесс бомбардировки осуществляютпри плотности ионного тока, превышающей 30 мкА/см, Предложенное техническое ре- .шение обеспечивает возможность создания специального условия для получения мезо таксиального слоя непосредственно во время бомбардировки, Таким условием является повышение средней за период сканировавния ионного пучка плотности ионного тока ) до значений выше 30 мкА/см.40 Такое увеличение ) приводит во-первых, квозрастанию температуры облучаемой подложки и, во-вторых, к повышению плотности радиационных дефектов в приповерхностном слоем, Оба приведенных...

Номер патента: 1723956

Опубликовано: 20.10.1995

Авторы: Гурин, Семенюк, Трипута, Хоббихожин, Хоменко

МПК: C23C 14/02, H01L 21/302

Метки: ионно-плазменной

УСТРОЙСТВО ДЛЯ ИОННО-ПЛАЗМЕННОЙ ОБРАБОТКИ, содержащее вакуумную камеру, в которой размещены разрядные электроды, подключенные к двум независимым источникам ВЧ-напряжения и разделенные промежуточным заземленным электродом с отверстием, при этом обрабатываемое изделие размещено на одном из разрядных электродов против отверстия промежуточного электрода, отличающееся тем, что, с целью повышения скорости ионно-плазменной обработки и уменьшения степени загрязнения обрабатываемого изделия, оно снабжено дополнительным электродом, размещенным на противоположном торце камеры, камера выполнена в виде параллелепипеда, охватывающего разрядный, промежуточный и дополнительный электрод, формы которых повторяет сечение камеры, и присоединенного к нему...

Номер патента: 1625292

Опубликовано: 20.10.1995

Автор: Ли

МПК: H01L 29/768

Метки: зарядовой, приборах, связью, считывания

...цикла считывания.При этом после считывания по общейшине записи подается высокий потенциал и заряд, остающийся под затвором накопления, вытягивается в выходную диффузионную область, с окончанием которого начинается новый цикл накопления.Калибровка устройства происходит следующим образом.Очередной код на ОЗУ блока предпроцессорной обработки поступает в ЦАП и на общую шину записи многоканального устройства считывания, для коррекции потенциала на затворе 5. При этом потенциал на 40 дополнительном затворе 5 корректируетсяв сторону более точного соответствия зарядовой емкости второго входного затвора 4, определяемой произведением Сп( уИ- р), где ф 4 и Ъ - поверхностные потенциалы 45 под затворами 4 и 5, величине вводимого вустройства...

Номер патента: 1396862

Опубликовано: 20.10.1995

Авторы: Гитлин, Ивакин, Кадменский, Остроухов

МПК: H01L 21/316

Метки: полупроводниковых, приборов, структуры

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ СТРУКТУРЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ, включающий нанесение на поверхность структуры полупроводникового прибора, содержащего алюминиевую металлизацию двухслойного диэлектрического покрытия, первым из которых является фосфорсиликатное стекло, и вскрытие в покрытии контактных окон, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности работы приборов и увеличения выхода годных приборов путем улучшения качества диэлектрического покрытия, на слой фосфорсиликатного стекла методом низкотемпературного разложения моносилана в высокочастотном разряде осаждают пленку аморфного кремния толщиной 500 1000 нм, причем осаждение аморфного кремния до толщины пленки 50 нм проводят со скоростью 5 15 нм/мин, а затем структуру подвергают отжигу в...

Номер патента: 1823718

Опубликовано: 20.10.1995

Авторы: Арутюнов, Богатыренко, Грибов, Сорокин

МПК: H01L 27/148

Метки: кодированных, сигналов, формирователь, фотоэлектрический

...фотодиоды 1 оказываются под плавающим потенциалом. Электронно-дырочные пары, генерируемые светом в самих фотодиодах 1 и в примыкающих к ним областях полупроводниковой подложки 28, разделяются на р-и-переходе. В фотодиодах 1 происходит накопление зарядов, что приводит к изменению их потенциала на величину Оф - -Оф/Сф, пропорциональную экспозиции, где Оф - накопленный в фотодиоде заряд: Сф - емкость фотодиода. Напряжения Оф с фотодиодов 1 поступают на входы истоковых повторителей, составленных транзисторами Т 1 и Т 2, повторяются на их выводах, к которым присоединены задающие электроды 5.В момент времени 1 в, который может совпадать с моментом времени 11, подают запирающее напряжение на затворы 10 транзисторов Т 4. Присоединенные к...

Номер патента: 1572342

Опубликовано: 20.10.1995

Авторы: Гладков, Махаев

МПК: H01L 21/66

Метки: испытаний, климатических, полупроводниковых, приборов

УСТРОЙСТВО ДЛЯ КЛИМАТИЧЕСКИХ ИСПЫТАНИЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ, содержащее проходную камеру с размещенными в ней нагревателем и накопителем, отличающееся тем, что, с целью улучшения эксплуатационных возможностей и повышения эффективности теплообмена, оно снабжено диаметральным вентилятором, причем нагреватель и рабочее колесо диаметрального вентилятора расположены в проходной камере параллельно оси накопителя, а длина нагревателя и длина рабочего колеса диаметрального вентилятора равны длине накопителя.

Номер патента: 1630564

Опубликовано: 20.10.1995

Авторы: Асессоров, Велигура

МПК: H01L 21/18

Метки: балластными, многоэмиттерных, мощных, резисторами, свч-транзисторов

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МОЩНЫХ МНОГОЭМИТТЕРНЫХ СВЧ-ТРАНЗИСТОРОВ С БАЛЛАСТНЫМИ РЕЗИСТОРАМИ, включающий создание в многокристаллической кремниевой пластине диффузионных областей баз и эмиттеров, формирование покрытия из диоксида кремния, нанесение на покрытие тонкопленочного резистивного слоя, создание резистивных элементов, вскрытие контактных окон к областям базы и эмиттера, формирование металлизации, наращивание защитного диэлектрического покрытия, травление окон в защитном диэлектрическом покрытии в области контактных площадок металлизации, отличающийся тем, что, с целью улучшения энергетических характеристик транзисторов, одновременно с созданием резистивных элементов изготавливают тестовый резистор, измеряют его сопротивление, по значению...

Номер патента: 1780457

Опубликовано: 20.10.1995

Авторы: Денисюк, Левицкая

МПК: H01L 21/225

Метки: диффузии, источников, кремния, основе, пирофосфата, планарных, твердых, фосфора

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТВЕРДЫХ ПЛАНАРНЫХ ИСТОЧНИКОВ ДИФФУЗИИ ФОСФОРА НА ОСНОВЕ ПИРОФОСФАТА КРЕМНИЯ, включающий приготовление смеси из порошков пирофосфата кремния, кремния и пирофосфата циркония, нанесение диффузанта в виде блоков на термостойкую подложку из кремния и спекание источника диффузии фосфора в инертной или окислительной среде при 1010 1050oС, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных источников при изготовлении и увеличения срока их службы при эксплуатации при температурах не выше 1050oС за счет повышения термомеханических свойств источников и снижения отслаивания блоков диффузанта и выкрашивания частиц диффузанта, перед нанесением диффузанта на термостойкую подложку из кремния приготавливают...

Номер патента: 1579346

Опубликовано: 20.10.1995

Авторы: Гладков, Махаев

МПК: H01L 21/66, H05K 13/02

Метки: накопитель

НАКОПИТЕЛЬ, содержащий транспортирующий ротор с толкателями, винтовую направляющую, размещенную внутри транспортирующего ротора, и привод, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности и увеличения удельной емкости, толкатели транспортирующего ротора выполнены в виде фигурных лотков, открытая сторона которых обращена к винтовой направляющей.

Номер патента: 1588262

Опубликовано: 20.10.1995

Авторы: Дмитриев, Каптюг, Майборода, Максимов, Славинский, Стручев

МПК: H01L 23/48, H05K 1/14

Метки: блок, радиоэлектронный

1. РАДИОЭЛЕКТРОННЫЙ БЛОК, содержащий герметичный теплоотводящий корпус, выполненный в виде соединенных между собой основания и крышки с образованием между ними полости и размещенной на основании матрицы электрически изолированных между собой внешних выводов, микроплаты с контактными площадками, расположенные в корпусе одна над другой и электрически соединенные с внешними выводами и контактными площадками смежных микроплат, и электрорадиоэлементы установленные на микроплатах, отличающийся тем, что, с целью повышения плотности компоновки, он снабжен дополнительными матрицами электрически изолированных между собой внешних выводов, которые установлены на крышке герметичного теплоотводящего корпуса, теплоотводами, расположенными перпендикулярно...

Номер патента: 1797416

Опубликовано: 20.10.1995

Авторы: Викулин, Викулина, Глауберман, Мальцев, Прохоров

МПК: H01L 29/82

Метки: магнитотранзистор

...7 уменьшается. Эта приводит к росту падения напряжения на резисторе 10 и уменьшенио нзрезисторе 12, т. е. к возникновению разности потенциалов 01 между коллекторами 6 -7, которая увеличивается с ростом 81. Приэтом токи коллекторов 7-8 изменяются оди"наково и разность потенциалов между ними02 = О. Точно таким же образом возникаетразность потенциалов 02 между коллекторами 7 - 8 при возникновении внешнего магнитного поля с индукцией В 2. Соответственно, при В 1 = 0 поле В 2 одинаково меняет. составляющей магнитного поля В 1, а 02между коллекторами 7 - 8 - функцией В 2, чтои позволяет иэмерять взаимно перпендикулярные составляющие магнитного поля 81 и10 ВОпытные образцы магнитотранзисторов изготавливались иэ и-германия удельным...

Номер патента: 1708104

Опубликовано: 27.10.1995

Авторы: Абгарян, Авакян, Будагян, Есаян, Мкртчян

МПК: H01L 21/00

Метки: контактного, соединения

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ КОНТАКТНОГО СОЕДИНЕНИЯ, включающий последовательное нанесение в вакууме слоев алюминия и промежуточного металла, термообработку и присоединение золотой проволоки микросваркой, отличающийся тем, что, с целью повышения качества и надежности контактного соединения, в качестве промежуточного металла используют хром, толщину слоя которого выбирают равной 800 1000 а термообработку осуществляют при 450oС в течение 20 мин.

Номер патента: 1132732

Опубликовано: 27.10.1995

Авторы: Анисимов, Годик, Матвеев

МПК: H01L 21/314

Метки: защиты, полупроводниковых, приборов

1. СПОСОБ ЗАЩИТЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ, содержащий нанесение слоев фосфорно-силикатного стекла и поликристаллического кремния, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности и эффективности защиты от ионов щелочных металлов, после нанесения поликристаллического кремния структуру подвергают термообработке в окислительной среде, содержащей пары фосфора, затем наносят второй слой поликристаллического кремния, который уплотняют термообработкой в окислительной среде.2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что термообработку слоем поликристаллического кремния ведут при температуре 1273 1373 К.3. Способ по п. 1, отличающийся тем, что содержание паров фосфора в окислительной среде составляет 0,1 0,2

Номер патента: 1660532

Опубликовано: 27.10.1995

Автор: Варданян

МПК: H01L 21/66

Метки: заряда, неосновных, носителей, параметров, полупроводниках

...контакта, генерируются неосновные носители заряда, которые создают фототок короткого замыкания,Освещают образец монохроматическим светом длиной волны 1 мкм (при этомз -а= 5,7 10 мкм, и выполняется условие а а 1), Подаю-, напряжение обратного смещения 01= 1 В и измеряют соответствующее значение барьерной емкости С 1 фото- токакороткого замыкания при отсутствии магнитного поля. Воздействуют на образец магнитным полем. Под действием магнитного поля, вектор индукции которого параллелен поверхности образца, ННЗ диффундируют к выпрямляющему контакту под углом Холла относительно нормали к поверхности выпррмляющего контакта, Регистрируют фототок ;ь короткого замыкания при воздействии магнитного поля.Затем повторяют измерения (измеряются...

Номер патента: 1667574

Опубликовано: 27.10.1995

Авторы: Астахов, Коноплев, Фомичев

МПК: H01L 27/085

Метки: базовый, интегральный, логический, элемент

БАЗОВЫЙ ИНТЕГРАЛЬНЫЙ ЛОГИЧЕСКИЙ ЭЛЕМЕНТ, содержащий подложку первого типа проводимости, стоковые и истоковые области нагрузочного и ключевых МОП-транзисторов, металлическую шину питания, расположенную над стоковой областью нагрузочного транзистора, и соединенную с ней металлическую общую шину, расположенную над областями стоков, истоков и затворов, соединенную с истоковыми областями ключевых транзисторов, полупроводниковый слой встроенного канала нагрузочного транзистора, слои подзатворного диэлектрика, на которых расположены поликремниевые входные шины, и выходную металлическую шину, соединенную со стоковыми областями ключевых транзисторов, затвором и истоковой областью нагрузочного транзистора, отличающийся тем, что, с целью уменьшения...

Номер патента: 1820783

Опубликовано: 27.10.1995

Авторы: Захаров, Лымарь, Пашенко, Шубин

МПК: H01L 21/205

Метки: арсенида, галлия, слоев, эпитаксиальных

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СЛОЕВ АРСЕНИДА ГАЛЛИЯ p типа проводимости, включающий наращивание искомых слоев на нагретых подложках методом пиролиза металлоорганических соединений галлия в среде водорода при пониженном давлении в присутствии избытка арсина, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества слоев за счет повышения концентрации носителей и повышения воспроизводимости их параметров, наращивание проводят при температуре подложек 530 690oС, давлении 2 10 торр, при этом расход металлоорганических соединений галлия и арсина задают таким, чтобы соотношение образовавшихся в процессе их термического распада мышьяка и галлия в газовой фазе составляло (5-35) 1.

Номер патента: 1780469

Опубликовано: 27.10.1995

Авторы: Крячков, Куваев, Носухин, Царева

МПК: H01L 23/18

Метки: герметизации, интегральных, пластмасса, полупроводниковых, приборов, схем, термореактивная

ТЕРМОРЕАКТИВНАЯ ПЛАСТМАССА ДЛЯ ГЕРМЕТИЗАЦИИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ И ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ, включающая эпоксидную смолу, отвердитель, смазку и кварцевый песок в качестве наполнителя, отличающаяся тем, что, с целью повышения теплопроводности и электросопротивления, наполнитель дополнительно содержит порошок синтетического алмаза при следующем соотношении компонентов, об. ч.Кварцевый песок 5Алмазный порошок 1 106при этом кварцевый песок и алмазный порошок равномерно распределены по объему пластмассы, а объем наполнителя в пластмассе составляет 20 80% ее объема.

Номер патента: 1634060

Опубликовано: 27.10.1995

Автор: Варданян

МПК: H01L 21/66

Метки: заряда, неосновных, носителей, параметров, полупроводниках

...ь 6 = - и- --ф 1- -- -О Ч (.а,:заесты)л, позволяет, одновременно с извеП р 1 М С,). Оц рад"ЛяЮЭндпацня П:3 д-,",)г)э крелневой цпас;и;ы роводимогьн. р-типа. Дпч измерения поверхностнойфотоЭДС применяют структуру металл-оки сгл-полупроводник с полупрозрачныл металлическим слоем. Образец помещают в зазор между полюсами электромагнита и освещают мо;охроматическим светом Иэ 1 еняя длину вол, свс)д А в диапазоне от ) 8 до 1 05 мкм, измеряют интенсивность световоо )огока С, гдддерживдя пос-оян- НЬМ ЗНДЧЕНИ 6 ЦОЯЕРХ)ОСТЕЙ фОТОЛДС.Опред)гяюг значь я коэффициента гоглоце ия света цо формула5 сг =0,521367 ,14425 1О 585368 х1 ,( + 03358 и строя г эда: симость 0 =- г(гх ).1 з получечной эд)исимости огределякц д)лффузион.ю дл.у Н 1 3= 87,. Мкм к:.к...

Номер патента: 1168021

Опубликовано: 27.10.1995

Авторы: Мельник, Мокеев, Нидаев

МПК: H01L 21/76

Метки: мдп-приборов, структур

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СТРУКТУР МДП-ПРИБОРОВ, включающий формирование на кремниевой подложке пленки двуокиси кремния, осаждение слоя поликристаллического или аморфного кремния, разделение слоя кремния на изолированные области, рекристаллизационный обжиг, отличающийся тем, что, с целью увеличения подвижности носителей заряда в изолированных областях кремния и сохранения исходной формы этих областей, слой поликристаллического или аморфного кремния разделяют на изолированные области методом локального прокисления этого слоя до пленки двуокиси кремния.

Номер патента: 1384106

Опубликовано: 10.11.1995

Авторы: Вахтель, Гитлин, Ивакин, Кадменский, Остроухов

МПК: H01L 21/263

Метки: бис, мдп

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МДП БИС по авт. св. N 1176777, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных изделий, а также повышения надежности и улучшения стабильности их работы путем снятия нестабильной части радиационно стимулированного в подзатворном диэлектрике заряда, после облучения структуры проводят дополнительный термический отжиг последней при температуре от 400 до 450oС в течение от 30 до 60 мин, а дозу облучения выбирают из отношениягде =6 10-6P

Номер патента: 1814446

Опубликовано: 10.11.1995

Авторы: Либо, Пригода, Пухляков

МПК: H01L 21/308

Метки: галлия, локального, травления, фосфида

...топологии на пластине в направ лениях 100 или ЙО Вб/Вг составляет0,08-0,15 и свидетельствует о том, что приглубоком (40-50 мкм) травлении можно безискажений перенести на пластину рисунок,заданный фотошаблоном, т.е, сохранить то-30 пологие. При Изменении направления110 до 100 расположения элементов топологии на пластине боковое подтравливание (Вб/Вг) увеличивается до 1.Температурный диапазон травителя О 30 С. Уменьшение температуры травителяниже О С приводит к кристаллизации раствора, а следовательно, к прекращениютравления, Увеличение температуры трави-теля выше 30 С вызывает селективный ха рактер травления и снижает качествотравления.Уменьшение частоты вращения при перемешивании менее 30 об/мин приводит к, ухудшению полирующих свойств...

Номер патента: 1753886

Опубликовано: 20.11.1995

Авторы: Васильев, Жулина, Орлов

МПК: H01L 21/225

Метки: пленкообразующий, раствор

ПЛЕНКООБРАЗУЮЩИЙ РАСТВОР для легирования кремниевых пластин, включающий хлорпроизводное соединение сурьмы, тетраэтоксисилан, изопропиловый спирт, воду и соляную кислоту, отличающийся тем, что, с целью улучщения однородности легирования и увеличения срока годности раствора, он дополнительно содержит диглим в массовом отношении к изопропиловому спирту 1,2 1, а в качестве хлорпроизводного соединения сурьмы дихлоргидратхлордиэтоксид сурьмы общей формулы SbCl3H12C4O2 при следующем соотношении компонентов, мас.Дихлоргидратхлордиэтоксид сурьмы 3 5Тетраэтоксисилан 20 30Вода 3,5 6,0Соляная кислота (36%-ная) 0,1 0,3Смесь диглима с изопропиловым спиртом Остальное

Номер патента: 1493022

Опубликовано: 20.11.1995

Авторы: Петров, Соколов, Степанов, Трофимов

МПК: H01L 21/66

Метки: высокоомных, полупроводников, фотопроводимости

СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ ФОТОПРОВОДИМОСТИ ВЫСОКООМНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВ, включающий облучение исследуемого образца интерферирующими опорным и фазомодулированным сигнальным пучками света, регистрацию выходного электрического сигнала, по которому рассчитывают величину фотоприводимости исследуемого образца, отличающийся тем, что, с целью повышения чувствительности, осуществляют дополнительную фазовую модуляцию сигнального пучка света с частотой F1, выбираемой из соотношениягде время диэлектрической релаксации исследуемого освещенного образца;

Номер патента: 1256608

Опубликовано: 20.11.1995

Авторы: Буттаев, Гасанов, Магомедов

МПК: H01L 21/205

Метки: газовой, кадмия, слоев, сульфида, фазы, эпитаксиальных

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СЛОЕВ СУЛЬФИДА КАДМИЯ ИЗ ГАЗОВОЙ ФАЗЫ, включающий размещение кремниевых подложек в зоне роста, загрузку порошка сульфида кадмия в зону испарения реакционной камеры, ее вакуумирование, испарение сульфида кадмия в водороде, осаждение эпитаксиальных слоев на подложках, отличающийся тем, что, с целью повышения качества эпитаксиальных слоев за счет обеспечения постоянства их стехиометрии по толщине, перед осаждением эпитаксиальных слоев на подложки порошок сульфида кадмия испаряют в вакууме при давлении не более 10-1.10-2 мм рт.ст. на поверхность реакционной камеры с градиентом температуры в направлении потока паров кадмия и серы не менее 40oС/см, после чего...

Номер патента: 1227067

Опубликовано: 20.11.1995

Авторы: Кечиев, Меликьян

МПК: G01R 9/04, H01L 29/84

Метки: варианты, его, механоэлектрический, полупроводниковый, стабилизированный

1. Полупроводниковый механоэлектрический стабилизированный преобразователь, содержащий основание, полупроводниковый кристалл и прижатый к нему индентор, образующие тензодиод или тензотранзистор, держатель индентора, узел регулировки силы прижима индентора к кристаллу и усилитель электрического сигнала, отличающийся тем, что, с целью стабилизации чувствительности преобразователя путем регулирования силы прижима между индентором и кристаллом, он снабжен узлом регулирования силы прижима, выполнен в виде прямой, прикрепленной концами к основанию металлической нити, середина которой между точками крепления оттянута зафиксированной к основанию пружиной и соединена второй металлической нитью с держателем индентора, снабженной электронагревателем,...

Номер патента: 1464797

Опубликовано: 20.11.1995

Авторы: Гитлин, Замотайлов, Ивакин, Кадменский, Левин, Лобов, Остроухов

МПК: H01L 21/268

Метки: мдп-транзисторов

1. СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МДП-ТРАНЗИСТОРОВ с пороговым напряжением Uо, включающий формирование на кремниевой пластине областей истока, стока и слоя подзатворного диэлектрика, формирование металлизированной разводки и подгонку порогового напряжения путем облучения пластины рентгеновским излучением, отличающийся тем, что, с целью повышения производительности способа, а также улучшения точности подгонки порогового напряжения и увеличения процента выхода годных изделий, облучение рентгеновским излучением проводят дозой насыщения, после чего пластины облучают ультрафиолетовым излучением с энергией квантов в интервале 4,35 8,8 эВ и проводят их термический отжиг, причем первоначально экспериментально определяют изменение порогового...