H01L — Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам

Номер патента: 392836

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Васильев, Курносов, Лаврова

МПК: H01L 21/47, H01L 31/00

Метки: герметизации, полупроводниковых, состав

...составы для герметизации полупроводниковых приборов на основе эпоксидных, кремнийорганических, полиуретановых и других соединений, используемые для изготовления широкого ряда полупроводнико вых приборов в пластмассовых корпусах.Однако кремнийорганические соединения имеют низкую механическую прочность, известные составы на основе эпоксидов недостаточно термостойки (до 125 - 150 С) и имеют высокие значения диэлектрических потерь. Поэтому такие составы не могут быть применены для герметизации приборов, работающих в ВЧ и СВЧ диапазонах длин волн. В связи с этим ВЧ и СВЧ приборы классическими методами герметизируют в металлокерамические корпуса без применения пластмасс,Цель изобретения - разработка состава для герметизации...

Номер патента: 393782

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Кириллин, Рыдзевский

МПК: H01L 21/00

Метки: кристаллов, панки, ультразвуковой

...из роликов и соответствующей емусалазкой, затем - между другим роликом идругой салазкой. При этом паяльник 2 поворачивается вокруг осей 16 и 16. Инсгрументы 20также приподнимаются на заданное расстояние (до 5 мм) относительно поверхности ленты 21.После подъема инструментов рычаг 22, установленный на оси 23, поворачивается и черезпалец 24 поворачивает рычаг 26. Стол 17 перемещается в направляющих 26 механизма горизонтальных перемещений 1 до упора 27. Одновременно перемещаются установленная наоси 16 рама 3 и паяльник 2. При этом профильные салазки 4 прокатываются по роликам 12, а инструменты 20 устанавливаютсянад кассетой 28 с кристаллами 29, Рычаг 14перемещается вместе с корпусом 6 относитель.но пяты 13,Дальнейший поворот кулачка 9...

Номер патента: 393783

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Гков, Медведев, Щербачев

МПК: H01L 21/00

Метки: автомат, химической

...2.Предлагаемый авгомат содержит вибрационную платформу 1 с площадкой 2 для вибрационного транспортирования кассет 3 с обрабатываемыми изделиями 4 к позиции загрузкиб до упора 6, с плосцадкой 7 для размещениякамер химической обработки 8, с площадкой 9для вибрационного транспортирования кассег3 до упора 10 и вибропривод 11, установленный на столе 12,Автоперекладчик автомата химической обработки изделий состоит из смонтированногона столе 12 пневмоцилиндра 13, на валу поршня которого установлена крестовина 14 с направляющим штырем 15 и штангами 1 б; пневмоцилиндра 17 с валом 18, на котором посредством фланцев 19 закреплена гптанга 20 спневмоцилиндром 21, имеющим направляющийштырь 22, штангу 23 и водило 24; зацепляющейся штырем 25 с...

Номер патента: 393784

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Афанасьев, Кузьмичев, Лось, Твердое

МПК: H01L 21/00

Метки: 393784

...и осаживапия модуля, механизм сдвига ленты 4, узел контроля 5, сварочную головку 6, механизм подячи рямки 7, механизм няруження 8, кассеты 9 и 10.Устройство 3 для отделения модуля от ленты содержит блок ловителей 11, отрезной и осаживающий шток 12, паправляющуо планку 13. На горизонтальной каретке 14 закреплен выдвижной столик 15 с электроизолированным ложем 16, имеющий базирующий рельеф для ориентации модуля. Подъем и опускание выдвижного столика 15 осуществляется от рычага 17 через обкатывающийся по нему ролик 18. Пружина 19 поджимает столик 15 до упора 20 и демпфирует в процессе осадки модуля на столик.Узел контроля 5 состоит из измериел,ной головки 21, установленной на верти.Яльной каретке 22, перемещающейся в направляющих...

Номер патента: 395929

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Авторы, Заддэ, Зайцева, Катина, Силин, Тризно, Федосова

МПК: H01L 31/05

Метки: 395929

...превышать 100 мк.Такая толщина контакта не обеспечивает 15 термостойкости фотопреобразователя при термоциклировании в силу различия коэффициентов термического расширения кремния и припоя. При 180 С припой, расплавляясь, собирается в капли и замыкает отдельные фотоэлектрические преобразователи. Поэтому при отжиге радиационных дефектов в кремнии при температуре 4000 - 500 С, обеспечить стабильность характеристик фотоэлектрических преобразователей с токосъемами указанной конструкции не представляется возможным.Получение необходимой электрической проводимости и обеспечение термостойкости токо- съема в диапазоне от температуры отжига радиационных дефектов до отрицательной температуры в процессе эксплуатации может быть достигнуто заменой...

Номер патента: 395930

Опубликовано: 01.01.1973

Автор: Сметании

МПК: H01L 31/08

Метки: ilwllrl, l-(+, tlvinifriific, всесоюзная, ла

...напряжение на фотодиоде поддерживается постоянным и равным сумме высокостабпльного напряжения источника 5 опорного напряжения плюс напряжение исток - затвор полевого транзистора 8.Регулируемое стабилизированное напряжение источника 6 компенсации обеспечивает нулевой начальный уровснь выходного сигна ла при отсутствии засветки фотодиода. Напряжение компенсации слагается из напряжения на фотодиоде 1 и падения напряжения на резисторе 2 за счет темнового тока фотодиода.Резистор 9 служит для выбора рабочей точки 15 регулирующего транзистора 8.При увеличении (уменьшении) фототокаувеличивается (уменьшается) падение напряжения на резисторе 2 и плюсовое смещение напряжения на затворе транзистора 8 относи тельно его истока. Вследствие...

Номер патента: 396756

Опубликовано: 01.01.1973

Автор: Институт

МПК: G03F 3/08, G06F 7/00, H01L 31/0272 ...

Метки: фоторезистор

...равно 100 в 100 мего.ц.Естественно, что применение таких фото- резисторов в практических электронных схемах, особенно в быстродействующих, связано с определенными трудностями,Активация ртутью фоторезисторов, содержащих золотые электроды, до сопротивлений, меньших 10 О 5, при комнатной температуре приводит к полной утрате фоточувствительности. Это явление обусловлено существованием в приэлектродных областях фоторезисторов с золотыми электродами высокоомных (- 10 ом) нефотоактивных участков шириной около 1 мм.Существование высокоомных нефотоактивных участков не позволяет также увеличить проводимость таких фоторезисторов путем сокрашения расстояния между электродами.Ъ становлено, что прц уменьшении расстояния между золотыми электродами...

Номер патента: 397857

Опубликовано: 01.01.1973

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: контактов, надежности, омических, полупроводниковых, приборов

...характеристики р-и перехода прибора. При наличии нарушений омцческого контакта наблюдаются высокочастотные деформации вольт-амперной характеристики. Импульс напряжения, возникающий на контролируемом прибора при пропусканци через397857 ваемые на входы нуль-органа 9, не совпадают.Нуль-орган 9 срабатывает, возбуждая исполнительное устройство 12. В случае посто янного обрыва на выходе генератора 1 формируется прямоугольный импульс и подчеркивается высокочастотная составляющая спектра.В случае постоянного короткого замыкания 10 перехода исследуемого прибора работает блокобнаружения постоянных коротких замыканий 10, выходной сигнаал которого через логическую схему 11 возбуждает исполнительное устройство 12,15 Устройство контроля...

Номер патента: 397858

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Пожала, Толутис, Ука

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: бесконтактного, датчик, концентрации, носителей, полупроводниках

...концентрации,носителей тока по объему часто не бываст равномерным, поэтому цзмсрснцые величины дают картину интегральной концентрации.В случае малых исследуемых образцов измеренные значения более близки к локальной концентрации. Смена образцов в датчике осуществляется легко и быстро, благодаря налцчцю в одцои из полосковых линии сдвигасмоц части.На чертеже схематично показан предложенный датчик.Исследуемый образец 1 помещается в отверстие в центре металлического корпуса 2. Всхняя посеребренная полоска - входное устройство 3, к которой присоединен цснтральцыц провод входного кабеля 4, прпклссца к диэлектрической пластинке 5. Подвижная деталь 6 входного устройства, к которой приклеена посеребренная полоска 7, отодвигается в сторону....

Номер патента: 397859

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Виснап, Дикун, Кальгина, Овчаренко

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: 2(088, 3126удк, авторскому, кл, свидетельствум

...4 включено 1 О реле времени 6. Все элементы устройства подключены к источнику питания 7.Устройство работает следующим образом.К участку испытуемого перехода 8 или 9)прикладывается напряжение от источника пи тания 7, соответствующее рабочему режиму.Обратньш ток перехода в,датчцке-преобразователе тока 1 усиливается. Усиленный сигнал тока перехода сравнивается в схеме сравнения 2 с оигнапом, пропорциональным норме по 20 постоянноц составляющей тока, установленнойв технических условиях. Если оц превышает установленный уровень, то схема сравнения 2 выдает сигнаал в блок коммутации и индикации 4, и устройство сигнализирует о браке.Если же сигнал на выходе датчика-преобразователя 1 меньшс установленной нормы, то происходит его...

Номер патента: 397860

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Воронков, Зелезецкий, Макеев

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: микронеоднородности, сопротивления, удельного, фотоэлектрический

...- заряд электрона;0 - полное число носителей, создаваемыхсветом в единицу времени;5 - сечение образца;Ио, рп - подВИЖНОСТЬ, СООТВСТСТВСННО, ОСНОВных и неосновных носителей; р(Х,) - удельное сопротивление в месте нахождения световой полоски;- изменение напряжения, снимаемогос обпазца,397860 Составитель М. Ленешкина Текред Т. Курилко Корректор А. Дзесова Редактор Т. Орловская Заказ 50/17 Изд. Мз 16 Тираж 755 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий Москва, К, Раушская наб., д, 4/5Типография, пр. Сапунова, 2 Образец сканировали по длине модулированной с частотой 18 кгц полоской излучения шириной 50 мк, с длиной волны 1,1 мк. Скорость сканирования, осуществляемого...

Номер патента: 397992

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Голубенке, Епифанов, Нанушь, Санжаровский, Черничкина

МПК: H01L 21/56

Метки: герметизирующий, состав

...Изд. Ма 45 Тираж 780 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий Москва, Ж, Раушская наб., д. 45Типография, пр, Сапунова, 2 После отверждения составов образуются покрытия, отличающиеся повышенной адгезией, отсутствием кристаллизуемости в широком интервале температур, низкими температурами стеклования (от - 70 до - 95 С) и достаточно высокими диэлектрическими свойствами.Составы могут использоваться как в качестве бескорпусного защитного покрытия поверхности р-п-,переходов приборов, так и для защиты приборов, герметизированных в пластмассовом или металлическом корпусе.П р и м е р 1, Получение винилолигосилоксанов со следующей брутто-формулой элементарного звена: 1 (СН 7,)510 Е 510 в...

Номер патента: 397993

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Белевич, Кегелес, Колмаков, Колмакова, Раснецова

МПК: H01L 21/465

Метки: избирательного, пленок, раствор, травления, хрома

...копировального слоя, проявление, терНческ 251 обработка защитногорисунка, кими еское травление незащищеня ных 12 стков .розОНОЙ пленки, промывка нсушка, удаление фоторезистора.Пластну с хромовой пленкой, на которуюнанесен 32 щцтны 31 рисунок, погружаот В раствор для травлоши и выдерживают в нем до 25 полного стравливания хромовой пленки с незащищенных фоторезистом участков.В качестве фоторезцста 1 используютФП - ЗЗЗВ.Нижс да:1 ы сост 2 вы растворов для травлс- ЗО нця хромозой пленки:1 Кисло; а соляная 36 - 40%, мл 1000Иодистый натрий, г 100Двухлористое олово, г 40Время полного стравливания хромовой пленки толщиной 0,12 мкм составляет 1 мин 20 сек,толщиной 0,3 мкм - 4 мин 20 сек,2 Кислота соляная (36 - 40%), м,г 1000Иодистый калий, г...

Номер патента: 397994

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Бушманов, Кириченко

МПК: H01L 21/48

Метки: базового, ориентирования, среза

...8 - 13 м.1, толщина полупроводникоВой пластины - -200 - 400 з:км. Подложка выполнена из Вакуумной резины с шсохоВатойповерхностью.На фиг. 1, 2, 3 показаны варианты разломаполупроводниковых пластин по кристаллографическим плоскостям спайности и выходы плоскостей спайности на исходную плоскость (плоскость пластины). Так, на фиг. 1 представлен,вариант разламывани 51 полупроводниковой пластины из слитка, выращенного в направлении 111, по кристаллографическим плоскостям спайности (111); на фиг. 2 - разламывание пластины из слитка 1110 по плоскостям спайности (111); на фиг. 3 - разламывание пластины из слитка ,100 п плоскостям (110),После разламывания пластины берут один из секторов л 1 обой) и совмещают его 1 няпрн мер, с помощью...

Номер патента: 397995

Опубликовано: 01.01.1973

МПК: H01L 21/56

Метки: жидким, защиты, кассета, компаундом, полупроводниковых, приборов

...покрытия. В та- О ких кассетах выполнены ячейки ц пазы подвыводы прибора цлц перфоленты. Пазы выполняются для,предотвращения растекания исидкого кОхопаунда по ВыВодам за пределы допустимого. Такцс кассеты надежны в рабо те, долговечны, однако сложны в изготовлении, так как требуется высокая точность при выполнении пазов под выводы ц ячеек, Обычно их выполняют сборными.Цель изобретения состоит в упрощении О конструкции металлических кассет с ацтцадгезиоцным покрытием для формирования двусторонней замкнутой защитной оболочки.Поставленная цель достигается путем использования поверхностного натяжения жцд кцх материалов ц тем, что в обеих частяхкассеты в плоскости разъема и местах контакта с устанавливаемой между ними лентой с приборами...

Номер патента: 398067

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Герхарт, Иностранцы, Пауль

МПК: H01L 21/027

Метки: пластины, полупроводниковой, рисунка, рисунком, совмещения, фотошаблона

...и полупроводниковой пластиной 5 образуется зазор, равный высоте базового выступа эталона.На фиг. 1 представлено устройство длясовмещения,и экспонирования, общий вид; на фиг. 2 - устройство для совмещения, реали О зующее предложенный способ; ца фиг. 3, 4показано положение элементов устройства для совмещения вмомецты установки полупроводниковой пластины по эталону и установки в рабочем положении фотошаблона.15 Параллельность между полупроводццковой пластиной 1 и фотошаблоном 2 обеспечивается юст 11 ровкой пластины Относительно эталона 3. После поджима пластины к э.ало ну ее закрепляют в этом положении, смещают 20 эталон, а а его место устанавливают фотошаблон. При этом фотошаслсн устанавливается параллельно над цолуцровод 1 гцковой...

Номер патента: 398068

Опубликовано: 01.01.1973

Автор: Иностранец

МПК: H01L 29/78

Метки: 398068

...излучателя и стока, расположенных по существу параллельно); Ъо - напрякение между затвором и излучателем; Ър - запирающее напряжение; Ъ - напряжение стока.Применяя уравнение (1) к устроцству, изображенному на фиг. 1, для первого транзистора ичеем: Г - длина истока 1, Ь - расстояние между истоком 1 и островной зоной 5, Ъ - напряжение затвора 2 относительно истока 1, Р - напряжение островной зоны 5 относительно истока 1.Это уравнение в равной мере может быть принято и для второго транзистора, если допустить, что зона 5 является излучателем, а зона 4 - стоком.Если Ьэ - поток стока первого транзистора, я - поток стока второго транзистора и э)1 пэ, то общий поток стока ограничен 1 гэ, Также, если Ьви то общий поток стока ограничен Ьэ, Если...

Номер патента: 398290

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Вител, Кмита, Медведь, Электроники

МПК: B06B 1/06, H01L 41/113

Метки: волн, детектирования, поверхностных

...грани пьезоднэлектрпческого образца 2, вдоль которой,распространяется поверхностная ультразвуковая волна. На верхней грани полупроводниковой пластины имеется омическпй контакт 5.)Припцип действия устройства основан на поперечном акустоэлектрическом эффекте на поверхностных ульз)развуковых волнах в слоистых стру ктурах пьезодэлектрик - полупроводник. Пакет поверхностных акустических волн распространяется по верхней грани пьезодиэлектрцческого образца 2. Проходя 5 под полупроводниковой пластиной 3, поверхностная волна вызывает своими элсктричсскими полями, которые проникают п приповерхностный слой полупроводника, круговь)е электрические токи в приповерхностном слое 10 последнего, появляется разность потенциаловмежду поверхностью...

Номер патента: 399036

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Бансевичус, Лукошевичюс, Рагульскис, Славенас

МПК: H01L 41/09, H02N 2/12

Метки: электропривод

...принцппиачьная схема описываемого электропривода, а на фиг. 2 - вид колебаний точек касания свободных концов пьезокерамическнх элементов с охватывающим кольцом.Электропровод состоит из пьезокврамичеэкого кольца, разделенного через 120 на равные части (пьезокерамические элементы) 1, 2 и 3, которого установлены на неподвижном основании 4 и закреплены на нем с одной стороны, и охватывающего кольца 5, сопрнкасающе ося с пьезокерамическим кольцо.При подаче переменного напряжения на пьезокерамические элементы 1, 2 и 3 из-за обратного пьезоэлектрического эффекта они приходят в колебательное движение. 1 Чри этом точки касания А, В и С совершают дни жения, направленные под некоторым углом к касательной окружности кольца 5 (показано стрелкамч 1...

Номер патента: 399799

Опубликовано: 01.01.1973

МПК: H01L 21/66

Метки: полупроводниковых, сопротивления, удельного

...трения и обеспечивает плавносизмерительного зонда как при опускани.и при подъеме.Ь предложенном устройстве поршни гид системы выполнены из тонкостенных томп ковых сил ьфонов, В такой гидросистеме сильфонами вибраций не возникает, узкие каналы гидросистемы также способствуют гашению колебаний.Дроссельная игла имеет резиновое уплотнение 34, в результате получается закрытая гидросистема. Постоянная нагрузка на зонд твердым весом и постоянная скорость опускания поршня гидросистемы при подходе зонда к поверхности измеряемого образца, обеспечивают воспроизводимый динамический удар зонда. Давление на острие зонда возрастает постепенно, так как после касания острием зонда поверхности измеряемого материала палец 17 продолжает еще некоторое...

Номер патента: 400931

Опубликовано: 01.01.1973

МПК: H01L 21/18

Метки: 400931

...5 чего его удобно использовать для эффективного легирования азотом.Использование пецтанитрида фосфоракроме обеспечения легировацця эпитаксиальных слоев азотом позволяет также уменьшить 10 расход фосфида галлия за счет насыщениягаллиевого расплава фосфором.П р и м е р, Эпцтаксиальная р-гг-структураизготавливается путем наращивания из галлиевого расплава г- и р-областей. В качестве 15 подложки могут быть использованы дендритцые пластины фосфида галлия, легированные теллуром до концентрации 4 10"+1 10 ггсм - .Подложка фосфида галлия и смесь, из которой производится эпитаксиальное наращива ние, помещаются в водородную печь. Смесьсостоит из Са+2,3 мол. % СгаР+ (0,2 - 0,9) мол. о/о Р,Х 5. Пластины фосфида галлия и смесь нагреваются в...

Номер патента: 401938

Опубликовано: 01.01.1973

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: 401938

...капель защитного кислотостойкого лака, например ХСЛ, структуру травят в растворе НР:НХОз:СНзСООН=2:9:5 на глубину, несколько превышающую толщину двух эпитаксиальных слоев. Полученные меза-структуры защищают сплошным слоем защитного лака, подложку подшлифовывают 0 и затем химически никелируют в стандартномрастворе.Защитные слои лака растворяют в толуолеи измеряют прямую вольт-фарадную характеристику меза-структуры на мостовом измериз тельном приборе в двух характерных точках:при нуле (Со) и при выбранном значении прямого смещения (Сц). Оптимальная величина напряжения смещения определяется экспериментально для данного типа СВЧ-ограничиЗ 0 тельного диода с целью получения максимальЗаказ 26515 Изд. Уа 127 Тираж 755 Подписное Ь,ИИИПИ...

Номер патента: 402105

Опубликовано: 01.01.1973

МПК: H01F 30/00, H01L 41/00

Метки: 402105

...ниде тонких гибких медных проволочек служат для электрического контакта выводов 11 пьезотрансформатора с электродами пьезоэлементов.Стрелками на чертеже показаны направления поляризации секций пьезоэлементов.Поляризация основного пьезоэлемента 1 направлена от электрода 2 секции возбудителя и электрода 3 секции генератора к оощему электроду 7, в то время как поляризация дополнительного пьезоэлемента направлена в противоположную сторону от общего электро4 0210 б Тираж 780 Подписноеого комитета Советаизобретений и открытийская наб., д. 4(591ударственпо делам-35, Рауш Заказ 40415 Из ЦНИИПИ Го Министров СССР Москва, Ж4 -ьу - -+ - :=,фВыкпд Типография, пр. Сапунова,да 7 к электродам 5 и 6 генератора и возбудителя.Общие электроды 7, а также...

Номер патента: 402172

Опубликовано: 01.01.1973

МПК: H01L 21/326

Метки: 402172

...напряжения, подаваемого на подложку, зависит от типа канала транзисторов в схеме: положительное 25 напряжение - для схем с р-канальными транзисторами, отрицательное - для схем с и-канальными транзисторами.На фиг. 1 представлена часть кремниевогокристалла с диффузионными областями, пере секаемыми алюминиевой коммутационной ши 402172ной; на фиг. 2 - паразитный транзистор, который может возникнуть между двумя диффузионными областями, если напряжение на пересекающей их алюминиевой шине превышает величину порогового напряжения для данной толщины диэлектрика (подложка-кристалл соединена с контактом земли); на фиг. 3 - паразитный транзистор, на подложку которого подано положительное смещение относительно истока.Интегральная схема на...

Номер патента: 404145

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Ларионов, Левинзон, Мирошникова, Новиков, Пеллер, Сачков

МПК: H01L 21/00

Метки: 404145

...2 укреплены рамы 4, в которые вставлена цилиндрическая пружина б и диэлектрическая прокладка б. Каждый виток пружиныимеет контакт с рамой 4 и с нижней из соединяемых пластин 7, в то время как с нижнейстороны соединяемая пластина изолирована отрамы диэлектрической прокладкой б,Устройство обеспечивает равномерное распределение электрического тока по попереч 10 ному сечению соединяемых пластин и, компенсируя термическое расширение и сжатие пластины, снижает в них температурные напряжения.Навеску 8 легкоплавкого металла поме 15 щают на нижней пластине 7 у торца верхнейпластины 9 так, чтобы не получилось контактанавески 8 с пружиной б,Устройство работает следующим образом.Пластины 7 и 9 с пружинными зажимами помещают на...

Номер патента: 405088

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Белик, Ких

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: 405088

...с выхода блока схем сопряжения поступает пачка импульсов, амплитуда которых меньше напряжения порога срабатывания пороговой схемы 5. В остальных положениях коммутатора, когда блок 9 подключен к электродам испытуемого транзистора по схеме с общим эмиттером, с выхода блока схем сопряжения на вход пороговой схемы 5 поступают одиночные импульсы, обусловленные переходными процессами при неправильном включении испытуемого транзистора. Это происходит потому, что количество выбросов, амплитуда которых превышает напряжение порога срабатывания пороговой схемы 5, не более емкости Е счетчика, которую выбирают из условия Е= - ,Уг т сигнал с выхода счетчика 3 отсутствует и в момент срабатывания и-го разряда распределителя б с его выхода поступает...

Номер патента: 405144

Опубликовано: 01.01.1973

Автор: Зайцев

МПК: H01L 23/34, H01L 23/367

Метки: охлаждения

...образуется полость 4 за счет выступов б ца внутреннем чашеобразцом элементе.Полость 4 сообщена с тепловыми трубка. ми б, представляющими собой трубчатый корпус с ребрами 7, внутри которого помещен фитиль 8. Тепловые трубки располойе 11 ы по окружности.Пространство между тиристс рами 1 и ьцутренними чашеобразнымц элементами,3 заполнено изоляционным материалом 9,Тепловой и электрический контакт осущест. вляется сжатием всех элементов с по, ощьо шпилек 10 и гаек 11. Блок изолирован от шпилек изоляционными втулками 12. Управляю щие импульсы поступают ца управляют;цс электроды 18.Устройство расположено ца основании 1:/.1.1 апряжение к блоку подводится через контактные шпильки 15 и 1 б, причем всрхняя шпилька прикреплена к флаццу 17,В...

Номер патента: 405145

Опубликовано: 01.01.1973

Автор: Писарев

МПК: H01L 25/00

Метки: преобразовательное

...и ооразуют общий канал для охлаждающего агента, а охладители, являющиеся тоководами постоянноГО тока, оораз ют каналы параллельные первому,На фиг. 1 показана принципиальная конструкция предлагаемого преобразователя с использованием охладителей в качестве токовслущих элементов; на фиг, 2 - электрическая схема.К наружным поверхностям верхнего полого охладителя 1 (см. фиг, 1) ирижимаются четыре таблеточных тиристора, соединяющихся в точке соответствующей фазы А.Тиристоры 2 и 8 прижимаются к охладителю катодами, а тиристоры 4 и 5 - анодами (см. фиг. 2). Таким же путем устанавливаются тиристоры на охладители фаз Б и В, Между охладителями фаз А, Б и В имеются изоляционные прокладки 6, обеспечивающие надежную электрическую изоляцию между фаз...

Номер патента: 406244

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Лифл, Салей, Чехута

МПК: H01L 21/00

Метки: птб

...устройство длятранспортнровашя подложек, внд в плане; на фиг. 2 - узел Л; на фнг. 3 - разрез но 30 Б - Б па фнг, 1.УСГСти) ля т)яисиОрИровэци 5 иоч,О- жСК ЬЦО,ЦС 0 ЦДС ИОВОР)гйОГО МЦОГОИО- зцпцоинц.о стола 1, вращаощегося в юдшиипика.; 2 отиситслш о неподвижной оси ). ПоороИы стол иссет соорочиьс ириспособлс- ) иця 4, в которых закрепляются В заданном ио;10 ксиии иолложкц д. 1 сгн) соорочи 1 х ирисцосоо 1 еицй рйцо числм иозцццЙ стола.Сбор)чюс 1 рцспособлеиие представляет сооой корпус 6, установленный иа рабочей 1 О иоверхиости ИО 01)отиОГО стола 1. Кячя 10 цсся рычаги Т ц 8 обеспечивают ирцкцм иодлоккц 6 к базовым уюрам 9, 10 и 11. Усилие прцжи)яа передается от пружии 2 ц 1и рсГугиТ)устс 51 витами 14 и 1 д. 1 ьчлГ 1) 7 и 8 юлучяют...

Номер патента: 406245

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Ведерннкон, Кононович, Фейгинов

МПК: H01L 21/00

Метки: полупроводниковых, скрайбироваиия

...16. Го 3 имеет направляю е 1 цястся вертпкальп 51 ощпмп призмаи И. скалкам 19 горцзоппсремещяется ползупок ухарем 22, взяпмоде 11 .1 пазом каретки 7 и альпое ее перемептеп 1 м. а 20 осуществляется по- винта 2 и гайки 25,аправляющив каретки 13 льцем 21 и с 1 С ИЯКЛОЦПЬ ощим вертик цецпе ползуц м ручки 23,Г 1 отальпой 20 с пя в 1 ющ 51) вызыва 1 Перемет средство в.еа, 30 УСТАНОВКА ДЛЯ СКРАЙЬИ 1 ОВА 11 ИЯ Г 1 ОЛУПРОВОДНН 1(ОВЬХКаретка 17 в верхней части имеет паз, в котором перемещается и фиксируется оптическое устройство совмещения 1.Установка работает следующим ооразом.Первопачальио настраивают двупольпос устройство совмещспия 1 И)иг. 1) опюситсльпо линии реза, для чего на вакуумном патроне 5 закрепляют пробную пластинку н проводят па...