H01L — Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам

Номер патента: 705924

Опубликовано: 30.10.1993

Авторы: Глущенко, Красножон

МПК: H01L 21/02

Метки: мощных, структур, транзисторных

...теле, например, и-типа проводимости, - подложке 1, создают маскирующее покрытие 2. затем через окно 3, вскрытое в этом покрытии, формируют диффузионную контактную область 4 с типом проводимости, противоположным типу проводимости подложки,В процессе диффузии на поверхности окна выращивают или осаждают закрытое покрытие 5. Далее, фотогравировкой открывают окно 6. имеющее перекрытие 7 с окном 3. Через окно 6 последовательно с помощью диффузии формируют основную базовую область 8 и эмиттерную 9. Затем создают (возмокно - в процессе дифФузии) изолирующее покрытие 10, Далее вскрывают контактные окна 11 и 12 и проводят диффузию подлегирования с образованием области 13 в контактной области 4 с последующим созданием контактной...

Номер патента: 533157

Опубликовано: 30.10.1993

Авторы: Булгаков, Велигура, Ивановский, Лобов, Майшев

МПК: H01L 21/28

Метки: кремниевых, многоэмиттерных, транзисторов

...формирования активных областей транзисторной структуры на поверхность структуры наносят нихромовый слой, а поверх него - слой алюминия толщиной 0,1 - 0,2 мкм. Далее проводят фотолитографическое формирование резисторов.Следующим. этапом последовательно напыляют слои многослойной золотосодержащей металлизации, после чего осуществляют фотогравировку металлических контактов ионно-химическим травлением, Последнее практически очень мало действует на алюминий, который таким образом надежно защищает нихромовые резисторы.По окончании ионно-химического травления слой алюминия удаляют в химическом травителе.Практически изготовление многоэмиттерных СВЧ транзисторов с нихромовыми резисторами показано в следующем примере.1. В исходных...

Номер патента: 2002337

Опубликовано: 30.10.1993

Авторы: Зорина, Иванов, Кудрявцева, Кулик

МПК: H01L 21/22

Метки: легирования, плазменного, подложек, полупроводниковых

...требованием получения равномерной воронки в зоне слияния плазменных струй. Примесь в газообразном состоянии по трубе вводится в зону слияния струй. В среде плазмы, нагретой до температуры 10 К, осуществляется полная диссоциация, активация и частичная ионизация газов плазменного потока и материала примеси. При соударении этого потока с поверхностью подложки под действием температурных и ионизационных факторов происходит одновременное осаждение и внедрение легирующей примеси в подложку с образованием тонкого легированного слоя. Затем прекращают подачу примеси и продолжают обрабатывать подложку при пересечении ей плазменного потока по меньшей мере один Раз, осуществляя тем самым дальнейшее внедрение примеси и плазменный отжиг. В...

Номер патента: 2002338

Опубликовано: 30.10.1993

Авторы: Валеев, Илларионова, Сидоренко

МПК: H01L 21/304

Метки: заготовок, пластин, полирования, полупроводниковых, стеклянных, химико-механического

...волокон при их содержании от 30 до 100 и высокоусадочн ых полиэтилентерефталатных волокон при их содержании до 70%, пропитанный полиуретаном при его содержании в материале от 15 до 650 .П р и м е р 1, Укрепляют пластину кремния на держателе, полировальный материал - на притире, В качестве полировального материала используют нетканый иглопробивной материал, состоящий из смеси малоусадочных полиэтилентерефталатных ф ормул а и зо бр ете н и я СПОСОБ ХИМИКО-МЕХАНИЧЕСКОГО ПОЛИРОВАНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПЛАСТИН И СТЕКЛЯННЫХ ЗАГОТОВОК, включающий укрепление полируемого материала на держателе и полировальника на притире с последующим их контактированием при взаимном вращении и непрерывном нанесении полировального состава на полировальник,...

Номер патента: 2002339

Опубликовано: 30.10.1993

Автор: Агриков

МПК: H01L 21/306

Метки: газообразного, плазменной, поверхности, струей, твердого, тела, теплоносителя

...управляемость процесса обусловлена также принципиальной невозможностью контролировать ряд параметров плазмы в пограничном слое изза ее неравновесности и неидеальности,Высокая энергоемкость процесса обусловлена тем, что потребляемая мощность, как правило, превышает 100 кВт.Низкая воспроизводимость результатов объясняется недостаточной управляемостью процесса,Изобретение направлено на решение задачи снижения энергоемкости безвакуумной плазменной обработки поверхности твердого тела для реализации термообработки на базе быстропротекающих тепловых процессов, очистки и активации поверхности, нейтрализации поверхностных зарядов, адсорбционно-гаэовой защиты поверхности, травления и нанесения покрытий,В предлагаемом способе плазменной...

Номер патента: 2002340

Опубликовано: 30.10.1993

Автор: Сероусов

МПК: H01L 21/76

Метки: диэлектрической, изоляцией, интегральных, структур, схем, элементов

...диоксида кремния толщиной, большей45 глубины рельефа, соединение подложекмежду собой, термическую обработку поддавлением и вскрытие областей монокристаллического кремния, после формирования слоя поликристаллического кремния50 толщиной на 5-100% больше глубины рельефа на соединяемые стороны наносят соединительный слой толщиной 5-95% отглубины рельефа подложки, следующего состава, мас,%:55 Оксид бора 3-5,Спирт 97-95а термообработку проводят в азотной средес расходом азота(5,6-83) х 10 м Ус,Применение раствора оксида бора указанного состава в качестве основы соедини 2002340тельного слоя позволяет избежать высокоточной полировки кремниевых пластин, необходимости удалять наружный слой полировки и фаску, образующуюсяпри полировке по...

Номер патента: 2002341

Опубликовано: 30.10.1993

Автор: Сероусов

МПК: H01L 21/76

Метки: диэлектрической, изоляцией, интегральных, структур, схем, элементов

...счет продуктов газовыделения и, следовательно выхода годных структур.В предлагаемом способе получения структур для интегральных схем с диэлектрической изоляцией элементов, включающем механическую обработку подложек кремния, формирование на поверхности монокристаллической подложки рельефа с углублениями и скрытого слоя, формированиеслоя диоксида кремния толщиной, большей глубины рельефа, соединение подложек между собой, термообработку под давлением и вскрытие областей монокристаллического кремния, после формирования слоя поликристаллического кремния на соединяемые стороны наносят дополнительный слой диоксида кремния и соединительный слой толщиной 5-95,4 от глубины рельефа подложки следующего состава, мас,Д:Оксид бора 3-5Порошок...

Номер патента: 2002342

Опубликовано: 30.10.1993

Авторы: Дворников, Любый, Симоненко

МПК: H01L 27/04

Метки: интегральная, полупроводниковая, схема

...использовать первые в качестве "нырков"межсоедичений и упростить трассировкумежсоединений. Ориентация низкоомныхрезисторо параллельно сторонам ячейкипозволяет, кроме указанного, мини ллзировать про гяжен ность лежсоединений,Расположение низкосмного и-резисто-ра в р-кармане, к которому сформированоне менее двух омических контактов, позволяет упростить электрическую изоляцию и - 35низкоомного резистора, так какдопускается соединение с самым низкимпотенциалом схемы (группы резисторов)любого наиболее удобно расположенногоомического контакта к р-карману; использовать в качестве высокоомного резисторачасть р-кармана, частично ужатого областью низкоомного резистора.Расположение высокоомных резистооов на р-области и р-карманов низкоомных...

Номер патента: 671601

Опубликовано: 15.11.1993

Авторы: Гальцев, Глущенко, Гордиенко

МПК: H01L 21/22

Метки: переходов, планарных

...создают контакт 7 мент вкаочения кольца40 к сформированнойобластй 5, 6,Наиболее блйэким техническим речке- Пример. Полупроводниковыйматеринием является способ изготовления планар- ал кремний, поверхность пластин которого ных р-п-переходов, включающий создание в: сориентирована в кристаллографической переходном полупроводйиковом теле одно- плоскости 100), подвергают термическому . го типа проводимости области противопо окислению, Режим-комбинированнаясреложного типа проводимости путем да увлажненного и сухого кислорода. Т- диффузии через маску. 1100 - 1200 С. В выращенном термическомСпособ предусматривает создание ба- окисле 10 г толщиной. достаточной для мазовой области, змиттерной области, рас- скирования от последующих операций...

Номер патента: 1308111

Опубликовано: 15.11.1993

Авторы: Берлин, Красножон

МПК: G03F 1/00, H01L 21/312

Метки: рисунка, фотошаблона

...и диапазоне 0,41-0,54 нм (Ац .дМО л Г),),или ультрафиолетом сдлиной волны 180-470 нм через фотошаблон, или. на Оптикомеханическом генераторе иэображений с поглощаемой дозой; достаточной для фотохимической диффузии сеРабРз в слой АвхЯе -х Обычно ДО 1 Дж/см,После этого удаляют слой серебра с неэкспонировзнных участков путем Обработки структуры в растворителе сере)ра, удобнее всего в 20-3)%-ном растворе НКО; Проявление экспонированных участков до полного удапения неэкспонированных участков слоя АэхЯеьх проводят путем Формула иэобоетенил СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ РИСУНКА ЭОТОШАБЛОНА, вкпочающий последовательное нзнесанис на проэрзчнио подлож ку слоя полиимидз неорГаничаскОГО резиста на Основе халькОГениднОГО стаклоОб)ззного полупроводника,и слОЯ...

Номер патента: 884506

Опубликовано: 15.11.1993

Авторы: Вето, Марчук, Скрылев, Старовойтов, Тренева

МПК: H01L 27/10

Метки: изображения, сигналов, формирователь

...изображения,Предложенный формирователь сигналов иэображения содержит одну строкусветочувствительных элементов 1, дополнительные светочувствительные элементы 2,сдвиговый регистр 3. затвор 4 переноса, обратносмещенные р-и переходы 5, устройстФормула изобретения ФОРМИРОВАТЕЛЬ СИГНАЛОВ ИЗО. БРАЖЕНИЯ на основе приборов с зарядо. вой связью. содержащий по крайней мере одну с 1 року светочувствительных элементов, затвор переноса и сдвиговый регистр с устройствами ввода-вывода информации, отпичающийс тем, что, с целью устране 10 15 20 25 30 35 40 во ввода информации б, устройство вывода информации 7,Основные 1 и дополнительные 2 светочувствительные элементы расположены сбоку сдвигового регистра 3, от которого они отделены...

Номер патента: 1314881

Опубликовано: 15.11.1993

Авторы: Берлин, Красножон, Чернышов

МПК: G03F 1/00, H01L 21/312

Метки: рисунка, фотошаблона

...130 С в течение 30 мин и экспонирование рисунка топологии на установке ЭМ, После проявления рисунка в 0,5(-ном растворе КОН и эадубливании его при температуре 140 С в течение 1 О мин проводят травление пленки 3 алюминия в травителе состава НЗРОп; НМОэ: СНэСООН : Н 20 = 140:6:30:5. Затем осуществляют реактивно-ионное травление слоя 2 сополимера поли глицидил мета крилата с этилэкрилатом в кислороде на установке УВПпри давлении 2,6 Па на установке вакуумного напыления УРМЗ,279,040 электронно-лучевым и термическим испарением, одновременно напыляют покрытие 5 (слой кермета на основе двуокиси кремния с содержанием никеля от 1 до 10 ат.1 ь). Затем полученную структуру обрабатывают в 10-ном растворе КОН до удаления слоев алюминия и...

Номер патента: 1322929

Опубликовано: 15.11.1993

Авторы: Глущенко, Красножон, Смирнов

МПК: H01L 21/8232

Метки: интегральных, мдп-транзисторов, микросхем

...Фотолитографическим споП р и м е р 1, Кремниевую монокристал- собом формируют поликремниевые здтооры 8. лическую подложку 1 р-типа проводимости После травления поликремния е хромо- КДВ 12 Ом см ориентации (100) окисляют вом трдеителе через слой подзатеорного диопри 1000 Свсредекислородасдобаелени- электрика проводят совместное ионное ем хлористого водорода до толщины пред легироеание областей 9 истока и стокд и верительного окисла кремния 2 - 60 нм, эатворое мышьяком с энергией 130 кэР и методом пиролизадихлорсилана в аммиаке дозой 1000 мкКл/см и фосфором с знерпри давлении 100 Па и температуре 800 С гией 100 кэВ и дозой 7 мкКл/см . Здтем наносят на слой 2 слой 3 нитрида кремния проводят разгонку имплантировднной притолщиной 100...

Номер патента: 1050473

Опубликовано: 15.11.1993

Авторы: Арбузова, Воеводин, Грибенюков, Максимова, Якубеня

МПК: H01L 21/66

Метки: однородности, полупроводникового

...образуются йа кристаллографическйх15 гранях, например (110), .ориентированныхперпендикулярно оси роста кристалла. Наобразцах, вырезанйых параллельно оси роста, наблюдаются протяженные ограненные области.: вытянутые вдоль оси роста20 кристаллов. Рентгенотопографическим методом показано; что указанные ямки появляются в местах выхода на поверхностьвключений посторонних фаэ.Исследуют зависимость скорости трав 25 ления и состоянйеповерхности от концентрации кислоты в растворе травителя.Результаты экспериментов приведены. втабл. 1,На основании проведенных исследоваф30 ний сделан вывод об оптимальном соотношении компонентов тра вителя:НЙОз:Н 2 О 3 2Исследуют: влияние температуры обра-,ботки на результаты травления в интервале35 30-110 С....

Номер патента: 1340481

Опубликовано: 15.11.1993

Авторы: Глущенко, Гордиенко, Колесников, Коновалов

МПК: H01L 21/265

Метки: бис, затворами, мдп-транзисторах, поликремниевыми

...термическое окисление (Т = 950 С)поликремния в кислородной среде до тало20 щины окисла кремния 700 А. Затем осуществляют фотогравировку, используядополнительные маскирующие свойства выращенного окисла кремния, слоя поликремния, вытравливая его над областями стока,истока и затвора, При этом оставляют подслоем поликремния диэлектрик запоминающего конденсатора и второй промежуточ-.ный диэлектрический слой окисла кремния,расположенный над активными областямиструктур стока, истока и подзатворного диэлектрика,Для Обеспечения необходимого примесного распределения в подзатворной области подложки с учетом последующейо 5 термической сегрегации примеси и для подгонки порогов через выращенный слойокисла кремния проводят подгонку имплантацией...

Номер патента: 2003200

Опубликовано: 15.11.1993

Авторы: Джон, Зорина, Иванов, Кулик

МПК: H01L 21/203

Метки: алмазных, алмазоподобных, газовой, пленок, фазы

...поскольку длина пробега для неупругих 20 взаимодействий много больше толщины пограничного слоя, Однако, в результате упругих столкновений в пограничном слое активные частицы теряют кинетическую энергию, Таким образом, при очень высокой 25 плотности потока активных частиц и, следовательно, большой скорости Физико-химических процессов на поверхности радиационные нарушения практически исключены, чем и достигается высокое качество ЗО обработки. В силу того, что тепловой потокк поверхности велик (температура плазмы достигает (10-15) 10 К), обработку такой, плазмой можно проводить только в режименестационарнойтеплопроводности,т,е. при З 5 кратковременном воздействии плазмы наповерхность, Толщина осаждаемого на поверхность слоя определяется...

Номер патента: 2003201

Опубликовано: 15.11.1993

Авторы: Кулик, Павлов

МПК: H01L 21/306

Метки: плазмохимического, поверхности, твердого, тела, травления

...показывают, что время протекания гетерогенной реакции плазмо-химического травления при указанных условиях, существенно зависит от большого количества параметров и должна определяться при отработке конкретного процесса плаэмо-химического травления. Максимальное время воздействия мальная температура поверхности твердого тела при воздействии определяется условиями разрушения поверхности (например, началом ее плавления), либо условиями аморфизации приповерхностного слоя, либо недопустимым развитием рельефа поверхности при травлении и другими причинами. Эти условия определяются экспериментально, при разработке конкретного процесса травления. При известной максимально-допустимой температуре Тд поверхности твердого тела из конкретного...

Номер патента: 2003202

Опубликовано: 15.11.1993

Авторы: Болтарь, Корольков

МПК: H01L 21/425

Метки: имплантированных, кадмия, ртути, слоев, теллурида, формирования

...через нее ускоренных ионов легирующего элемента бора и светового отжига, в качестве капсулирующейпленки используют систему, состоящую изо5 слоев АЬО з толщиной порядка 2000 А и 3102отолщиной порядка 1000 А, имплантированный слой КРТ получают внедрением ионовбора с энергией 120-150 кэВ и дозой в диа 10 вазоне 5 х 10 -1 х 10 ион/см, а отжиг про 12 34 2водят ступенчато (1 - 5 ступеней) с режимомкаждой ступени 100 С 15 - ЗО мин,Сопоставительный анализ предлагаемого решения с прототипом показываетчто15 предлагаемый способ отличается от известноготем, что, во-первых, используютдругуюкапсулирующую пленку (систему, состоящую из слоев АЬОз толщиной порядкао о2000 А и ВОр толщиной порядка 1000 А,во-вторых, имплантированный слой КРТ,получают...

Номер патента: 2003203

Опубликовано: 15.11.1993

Авторы: Мурин, Хейфец

МПК: H01L 21/50

Метки: гибком, микросборка, носителе

...тем, что в устройстве, содержащем подложку, изготовленную из гибкого фольгированного диэлектрика и навесные компоненты, закрепленные на подложке, коммутирующий элемент выполнен из части подложки,В микросборке на гибком носителе в сравнении с прототипом в качестве коммутирующего элемента используется часть Формула изобретения МИКРОСБОРКА НА ГИБКОМ НОСИТЕЛЕ, содержащая подложку, выполненную из гибкого фольгировэнного диэлектрика,подложки, изготовленной из гибкого фольгированного материала, что позволяет сделать вывод о соответствии заявляемого технического решения критерию "новизна", 5 Использование подложки в качестве коммутирующего элемента, контактирующего с двумя или несколькими поверхностями навесного элемента (одного или...

Номер патента: 2003204

Опубликовано: 15.11.1993

Автор: Назаров

МПК: H01L 21/60

Метки: кремниевого, кристалла, монтажа, плате

...вышеуказанных материалов, в качестве лазера 10 могутиспользоваться лазер на СО (длина волны15 излучения 5 - б мкм, поглощение в монокристалле кремния - 1,610 см) или лазер наСО 2 длина волны излучения 10,4 мкм и 9,4мкм, поглощение в монокристалле кремния- 1,8 см). В обоих случаях кристалл 1 может20 считаться прозрачным для излучения 11 лазера 10, Коэффициент поглощения двуокисикремния намного больше коэффициента по-глощения монокристаллического кремниядля данных типов излучения,Излучение СО 2 - лазера с длиной волны9,4 мкм особенно эффективно поглощаетсяслоями двуокиси кремния, что может позволить производить сварку контактов с наи. меньшими энергетическими затратами.Общеизвестно свойство алюминия образовать на воздухе...

Номер патента: 2003205

Опубликовано: 15.11.1993

Авторы: Егоров, Питулин

МПК: H01L 27/00

Метки: выводов, контактными, площадками, свч-элементов, соединение

...выполняют с зазором между витками и предварительно залуживают в местах соприкосновения с выводом и контактной площадкой, а пайку производят общим нагревом,Сущность предлагаемого способа опреде яется совокупностью механических и электрических свойств круглого одиночного витка спирали, как одного из М элементов промежуточного электрического монтажа. Выбранная геометрия элемента допускает смещение соединяемых поверхностей во всех трех плоскостях изменением формы витка без растяжения проволоки, т.к. разрушающие механические усилия в точках пайки отсутствуют,Активное и реактивное сопротивления соединения уменьшаются приблизительно в Й раз по сравнению с одиночным витком, поэтому выбором диаметра и шага спирали эти величины могут быть...

Номер патента: 2003206

Опубликовано: 15.11.1993

Авторы: Агрич, Иванковский, Лифшиц

МПК: H01L 27/00

Метки: затворами, кмоп-интегральная, поликремниевыми, схема

...области подложки и кармана иметаллические шины истоков, параллельные шинам питания,На фиг.1 приведена электрическая схема О-триггера, на примере которой рассматриваются различные конструкции ИС; на фиг.2 - конструкция ИС О-триггера по прототипу, в которой металлические шины питания и межсоединений элементов размещены непосредственно над МОП транзисторами, на фиг.З - та же, в которой ширина МОП транзисторов сделана минимально возможной с целью минимизации тока потребления, шины питания размещены по обе стороны параллельно рядам транзисторов, а межсоединения вдоль рядов транзисторов выполнены с использованием поликремниевых "подныров" под шинами питания; на фиг.4 - та же, в которой ширина транзисторов сделана минимальной. э питание к...

Номер патента: 2003207

Опубликовано: 15.11.1993

Автор: Пырченков

МПК: H01L 27/12

Метки: гибридной, интегральной, схемы

...планарной структуры, охлаждают структуру до затвердевания расплава и отделяют промежуточныйноситель. Затем Формируют .ФотолитограФией многослойную коммутацию.В результате погружения кристаллов МС в эвтектический расплав образуется прочное соединение этих элементов между собой и со сплавом, чем достигается высокая механическая прочность многокристальной структуры и надежнрсть ГИС (гибридная интегральная схема). При погружении кристаллов МС в расплав происходит плотное заполнение зазоров между кристаллами, и на стыках кристалл-металл микрорельеф высокого качества за счет приплавления кристаллов, что также новышает надежность устройства.Кристаллы, смонтированные на подложке в застывшем расплаве, находятся в одинаковых условиях для отвода...

Номер патента: 2003208

Опубликовано: 15.11.1993

Авторы: Лебедев, Шнитников

МПК: H01L 29/06

Метки: диод, ограничительный, полупроводниковый

...время пролета т носителей заряда через обедненную область было мало посравнению с периодом Т СВЧ колебаний: т =О,1; Т = 1/Т. С учетом дрейфового характера движения носителей при высоком уровне мощности можно записать в случае 5 В/5В/4: т = ЧЧ 4/Чз, где Ч - дрейфоваяскорость. При использовании кремния име- ем 10В/4() = (4) Толщина базы В/ предложенного диодавыбирается иэ соображений малых вносимых потерь в режиме низкого уровня мощ ности и большой рабочей мощности врежиме ограничения, но не оказывает влияния на величину постоянного токаспоэтому целесообразно наложение условия 40 В/1 ) (5 - 10) В/4. (б) Увеличение толщины В/1 сверх указанного предела влечет эа собой рост времени восстановления, а также (при неизменной толщине В/4)...

Номер патента: 667011

Опубликовано: 30.11.1993

Автор: Черный

МПК: H01L 21/306

Метки: интегральных, схем

...пленки. разде-.., ных областей.:.:.:. ;-, . лительных канавок, прй:этом проиеходитДля точного определения момента.", йолная электрическая изоляция -Структур.окончания сошлифовки монокристалла на .,;Таким образом, глубина изолированных об: . фоторезисторной маске располагают окна .:;: ластей монокристалла определяется глуби- "под контрольные углублениятакой формы и З 0ной вытравлейного рельефа и не зависит отразмеров,:чтобы йри .травлении раздели- ": прогиба подложки.На:поверхности.вскры-тельныхканалов на заданную глубйну конт- :, :. той пластины: находятся изолированнйе об-.рольные углубления изготавливалйсь на , ласти, разделенвые промежутками окйсла,.номинальнуа глубину зз 4 егания.монокри : который образовался:при:окислении...

Номер патента: 936755

Опубликовано: 30.11.1993

Авторы: Вето, Марчук, Скрылев, Тренева, Шилин

МПК: H01L 27/148

Метки: зарядовой, основе, приборов, связью

...ция 5; разделительный регистр 6, расположенный между секциями 4 и 5, идентичный по конструкции регистрам 1 и 2; выходной регистр 7 и четыре выходных устройства, неразрушающего считывания 8 и 9 и 10 и 11.20Технологически устройство выполнено. наполупроводниковой пластине кремнияКЭФориентации 100) по трехслойнойполикремниевой технологии, Средние толщины поликремниевых электродов достига 25 ют величины 0,4-0,5 мкм. Затворный окиселобразуется окислением полупроводниковойпластины в атмосфере сухого кислорода с.добавкой хлористого водорода при 1200 О С.Толщина затворного окисла колеблется в30 пределах 0,1-0,11 мкм. Устройства неразрушающего считывания информации выполнены на основе плавающих затворов,Устройство работает следующим образом.35...

Номер патента: 1457738

Опубликовано: 30.11.1993

Автор: Калинин

МПК: H01L 21/60

Метки: бис, выводов, монтажа

...к точке второй сварки по эволь. венте круга радиуса В. Точка второй сваркирасположена на кристалле БИС, В данном20 примере исполнения точка второй сваркирасположена выше уровня траверзы (точкипервой сварки) на высоту кристалла,а уголО выбран равным й/6, Это является примером сложного случая при монтаже выводов25 инструментом с наклонным капиллярнымотверстием. По ОСТ 11.0409,017.5-79 предусмотрен инструмент с углами О: л/6,л/4 и ж/3, при этом монтаж вывода можетвыполняться как от траверзы к кристаллу,З 0 так и от кристалла к траверзе.При подъеме инструмента сила тренияпроволоки в его капиллярном отверстии минимальна, поскольку нормальное давлениеблизко к нулю. Для более толстой проволокиЗ 5 ( 827 мкм) допускается отклонение...

Номер патента: 1457744

Опубликовано: 30.11.1993

Автор: Флегонтов

МПК: H01L 23/02

Метки: корпус, металлокерамический, микросхемы

...с подслоем никеля. Возможны и другие покрытия.Рамка 2 имеет фаску, что ограничивает паяный шов между рамками, Возможно расположение фаски на рамке 3, при агом рамка 2 не имеет фаски.Положительный эффект от использования изобретения достигается благодаря тому, что выступающая кромка нижней рамки, соединенная с металлизацией платы, обеспечивает существенное уменьшение термомеханических напряжений от сварки в наиболее опасном месте - под наружным краем паяного соединения нижней рамки с металлизацией. Термомеханические напряжения уменьшаются благодаря перераспре делению напряжений, передающихся отверхней рамки, на сравнительно большуюплощадь соединения нижней рамки ободкас металлизацией платы, Наличие фаски5 между наружной кромкой...

Номер патента: 1340477

Опубликовано: 30.11.1993

Авторы: Голубев, Латышев, Ломако, Прохоцкий, Савенок, Тарасова

МПК: H01L 21/26

Метки: интегральных, схем

...области базы и коллектора транзисторов радиационных дефектов, концентрацией которых управля;от выбором флюэнса облучения, отличаощийся тем, что, с целью повышения воспроизводимости параметров при увеличении быстродействия, после операции соединения элементов проводящими дорожками по всей поверхности схемы наносят защити-перехода составляет 1,80,2 мкм, толщина активной базы - "О,9-1 мкм,С помощью фотолитографии вскрьвают контактные окна над коллекторной, базовой и эмиттерной областями транзисторов и контактными площадками резисторов, напыляют металлизацию, по которой создают электропроводящие дорожки, обеспечиваощие в нужной последовательности соединенля между элементами интегральной схемы ИС. Далее наносят по асей поверхности схемы слой...

Номер патента: 1223784

Опубликовано: 30.11.1993

Авторы: Латышев, Ломако, Прохоцкий, Соловьев, Тарасова

МПК: H01L 21/26

Метки: интегральных, схем

...1,х В:.О/ай ОК И 1 СОКОГО ) 1)ОИ 1(1;,;,;. - ВХОДЦОИ 1к низкого ровня Па 1 л 0)(Оццае цаг)р 1)ке 1 Р 18 питацР 1/ сост 1 ляла - 5,2 В, 1-а 1 ластице и)з)0 ци/1 и 00 р 1 "1 ую 1 рОВ-Ок)/ ).ехцэ фн" ;ци 01 иравацие и строили Г 1 стООГрдмлы РзсгРеДеле 11 Я :ЗРамт08 Г 10 Ос) аткла" дывд/и 0 цашециа числа фу ц:;Р 01 иру 10- 1 ЗМ 80 Е 1)/ Г)аРаМетРКГОлнаму чис.)схем ца 1;лзстице, па Оси Х - 3; ач 811 я а 18 лиг ируемаГО Г 1 арз/18;ра. г 13- ,)акааКУ , ГОДЫе) 8 1 Ы 1 ЗОВОДРОи ( 11ЛСсл 1 С) У Ь й Я"О 1 /1 У, 1 ак, 111;)им 3 р, па ) эза)1 цым Т)ГОДными язля 10 тс /С с гзлР;янам)1 Й,х1,6 В, ), ,50 мкА.ИсОльзавание в техцалаРчес ам працсссе Операций )адиациацна"термической Обрабг)ткиицтегрэльцы;пагак .=- 1,0 х 10 час Ги -.; см 1 Р) /д0 Сп в 1 дР)ла...