H01L — Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам

Номер патента: 1715712

Опубликовано: 28.02.1992

Авторы: Долгих, Поповкин, Стефанович, Холодковская

МПК: C01G 29/00, H01L 37/00

Метки: висмута-теллура, высокотемпературных, качестве, оксобромиды, пироэлектриков

...печь отключают ичерез 8 ч (время остывания) достают из нееампулу, в которой заметны пары брома. По 5 спетого, как ампулу вскрывают, избыточныйбром улетучивается.Получение оксобромида висмута-теллура формулы В 14 Тег 09 Вгг. Смешивают 3,05 гВ 10 Вг, полученного на стадии выше, 1,60 г10 ТеОг и 2,33 г В 1 гОз марки о.с.ч., перетираютв агатовой ступке и загружают в кварцевуюампулу, которую вакуумируют и отпаиваютв соответствии с вышеописанной методикой. Эвакуированную ампулу помещают в15 вертикальную трубчатую печь и нагреваютпри 650 +20 С в течение 3 недель. СкоростьувелиЧения температуры в данном случаероли не играет. По окончании отжига ампулуизвлекают из печи через 8 ч после ее отклю 20 чения. Получают целевой продукт с количественным...

Номер патента: 1716578

Опубликовано: 28.02.1992

Авторы: Набоких, Николаев, Никуличев, Трунов, Тытюченко

МПК: G01L 1/18, H01L 29/84

Метки: датчика, контактного, пьезорезисторного, сопротивления, чувствительного, элемента

...оснастки при закрепленииупругих элементов, создание временныхтехнологических перемычек, предварительное расправление электропроводных пластин на плоской и жесткой поверхности перед креплением на них упругих элементов, их строгую геометрическую форму, уменьшает погрешность взаимного расположения упругих элементов на обкладках. В результате при работе чувствительного элемента, например при приложении к нему усилия, все упругие элементы (выступы) вступают в работу одновременно и изменение площади контакта каждого из выступов, обеспечивающее изменение электрическо 510 обеспечивается высокая стабильность электрического сопротивления.На фиг.1 показан чувствительный элемент, собранный предлагаемым способом, общий вид; на фиг.2 -...

Номер патента: 1611155

Опубликовано: 07.03.1992

Автор: Генцелев

МПК: H01L 21/027

Метки: совмещения, экспонирования

...собой рентгенопрозрачную мембрану слой кремния, легированного бором толщиной 2-3 мкм с топологическим рисунком 4 из рентгенопоглощающего материала (слой золотатолщиной О,б мкм), формируют метки20, 2 (Фиг.3) совмещения,Метку 20 совмещения на подложкеформируют в виде набора плоских р-ипереходов или чередуецимися проводящими и непроводящими слоями размерами, например, 5 1 200 мкм, а метка 21на рентгеношаблоне представляет собой набор координатно сопряженных с метками на подложке отверстий размерами 5 м 200 в слое золота. Ренггеношаблон 3 и подложку 1 устанавливают в камере экспонирования на своих установочных столиках и положении частичного зацепления знаков совмещения, что достигается на операции предва- О рительного...

Номер патента: 1717590

Опубликовано: 07.03.1992

Авторы: Гриднев, Дыбова, Остапенко

МПК: C04B 35/49, H01L 41/18

Метки: керамический, материал, пьезоэлектрический

...КЬ 2 ОБ 0,18-1.36. Полученный по обычной керамической технологии материал имеет следующие харатеристики; Тк (753-803) К: Кр 0,090-0.125; дз (6.9) 10 Кл/Н; озз(30-63) 10Кл/1: Ок 87-220; Фц 148-168; цд 0,015-0,020;Кр 2/сд 0,4- 0,9; Кр Ом М.о 200-296, 2 табл. циях исходных веществ в среде изопропилового спирта из полученной шихты под давлением 200 кг/см прессуот брикеты,2Брикеты подвергают обжигу при 1023 К в течение 3 ч. Затем брикеты измельчают в порошок и прессуют изделия заданной формы и размера. Спрессованные изделия помещают в печь и спекают при 1273-1413 К, оптимальной для каждого состава, ь течение 1 ч. Скорость подьема температуры не более 200 К в 1 ч. Охлаждение производят в режииб вьключенной печи до комнатной...

Номер патента: 1718302

Опубликовано: 07.03.1992

Авторы: Корешков, Красницкий, Петрашкевич, Сарычев, Турцевич, Химко

МПК: H01L 21/318

Метки: кремния, нитрида, пленки, формирования

...в аммиаке не позволяет существенно уменьшить уровень механических напряжений в пленках и улучшить их зарядовые характеристики, что обуславливает снижение качества нитрида кремния. При толщине подслоя более 200 нм не удается провести выравнивание свойств пленки по всей толщине, т.е. примыкающий к подложке слой обогащен 31, следовательно, ухудшаются диэлектрические свойства: снижается электрическая прочность (уменьшаются пробивные напряжения), ухудшаются зарядовые характеристики при повышенных механических напряжениях, В конечном итоге указанные пленки характеризуются низким качеством.При осаждении подслоя из смеси 9 Н 4 - МНз - Иг при соотношении меньше, чем 1: 4; 15, наблюдается осаждение пленок с повышенным содержанием оборванных...

Номер патента: 1718303

Опубликовано: 07.03.1992

Авторы: Безрук, Благий, Новосядлый

МПК: H01L 23/28

Метки: больших, интегральных, корпус, пластмассовый, схем

...микротрещин в корпусе при термоциклировании, ф-лы, 2 ил,К тыльной стороне выводной рамки 1 приклеивают ободок 2, изготовленный из железоникелевого сплава и имеющий теп- СО локомпенсирующие условные прорези 3, (,) расположенные по периметру зоны монта- ) ка кристалла. Ободок имеет форму шестиугольника, большую ось которого при, приклейке ориентируют вдоль продольной оси выводной рамки, Угол шестиугольникапри вершинах, располокенных на продольной оси выводной рамки, выбирают равным 30 - 400 Для увеличения мощности рассеивания корпуса наружную сторону ободка выполняют с демпфирующей теплопроводящей пленкой из силицида титана, карбида кремния или меди, После насадки кристалла1718303 Составитель С.Манякинедактор И,Шулла Техред М.Моргентал...

Номер патента: 1718354

Опубликовано: 07.03.1992

Авторы: Быстрова, Соколов, Тарасов

МПК: H01L 41/12, H02N 2/00

Метки: перемещений

...двигатели 1 - 3, состоящие из магнитострикционных трубок и снабженные обмотками 4 - 6 возбуждения и обмотками 7 - 9 управления,Магнитострикционные двигатели жестко соединены одними торцами с неподвижным основанием 10, а на их вторых торцах консольно укреплены приводные рычаги 11 - 13, шарнирами 14 связанные с приводными точками 15 - 17, расположенными в вершинахтреугольника в плоскости объекта 18 управления (например, зеркала).Устройство работает следующим образом.При подаче напряжения на обмотку возбуждения, например 4, и управляющего напряжения на обмотку управления, например 7, ток этих обмоток создает винтовое намагничивающее поле, Магнитный поток поля проходит через магнитострикционную трубку и внешнее пространство, которое...

Номер патента: 1718355

Опубликовано: 07.03.1992

Авторы: Быстрова, Соколов, Тарасов

МПК: H01L 41/12, H02N 2/00

Метки: двухкоординатное, сканирующее

...онных двигателя 1 - 4, к торцами соединены крестоо мым углом друг к другу1718355 40 45 50 55 Магнитострикционные двигатели выполнены в виде магнитострикционных трубок, каждая из которых имеет цилиндрические обмотки 5 - 8, соосные двигатели имеют общие тороидальные обмотки 9 и 10,Соосные магнитострикционные двигатели по оси Х жестко соединены с объектом 11 управления, а по оси У - с основанием 12,Устройство работает следующим образом.При подключении цилиндрической обмотки, например 5, тороидальной трубке магнитострикционного двигателя 1 создается винтовое магнитное поле. Магнитный поток винтового поля замыкается через магнитострикционную трубку и основание 12:Так как один торец магнитострикционного двигателя 1 жестко прикреплен к...

Номер патента: 1720569

Опубликовано: 23.03.1992

Автор: Челядинов

МПК: A01G 9/26, A01K 41/00, G01N 1/02 ...

Метки: влажности, помещениях, преобразования, сельскохозяйственных, температуры

...смесителя 4, на входы которого поступают сигналы с частотой1 т с опорного генератора 6 и 1 с усилителя 2,образуется разностная частота М=1 О-Хс,пропорциональная температуре,На выходе смесителя 5, на входы которого поступают сигналы с частотой 1 и бр, выделяется сигнал Ьбр = 1 - 1 р Сигналы с выхода смесителей 4 и 5 поступают на входы формирователей 7 и 8, где преобразуются из синусоидальных в импульсные, Делители 9 и 10 частоты производят обработку сигналов в соответствии с диапазо 5 10 15 20 25 30 35 40 45 ном измерения и разностной частотой датчика ПАВ.При изменении температуры окружающей среды изменяются частоты автогенераторов канала А измерения температуры и канала В измерения влажности, На выходе смесителя 4 появляется разностная...

Номер патента: 1721665

Опубликовано: 23.03.1992

Авторы: Мирошкина, Петрович

МПК: H01L 21/66

Метки: балочными, выводами, полупроводниковых, преимущественно, свч-приборов

...приборов с балочными выводами, общий вид; на фиг, 2 - узелна фиг, 1 (полупроводниковый СВЧ- прибор с балочными выводами, контактные элементы СВЧ-тракта и упругая тонкостенная прозрачная оболочка в момент контакти рова ния).Устройство для контроля полупроводниковых приборов содержит основание 1 с контактными элементами микрополосковой линии 2, эластичный прозрачный прижимной элемент, выполненный в виде тонкостенной оболочки 3, внутренняя полость которой соединена с источником 4 избыточного давления Р через штуцер 5 пневмо- или гидропривода. Устройство снабжено ограничителем перемещений тонкостенной оболочки 3, выполненным в виде кольца б, плоскость которого параллельна плоскостиконтактных элементов микрополосковой ли 5...

Номер патента: 1721666

Опубликовано: 23.03.1992

Авторы: Кобелев, Костин, Машошин, Панина, Самофалов, Ушаков

МПК: H01L 21/66

Метки: испытания, термокамера, электронных

...наблюдается вен но в объеме рабочей камеры, а также при винтообразное движение потока.движении по пылеемкому вытяжному и на Взвешенные частицы загрязнений регнетательному воздухопроводам. В реэуль- циркуляционного воздуха центробежной тате термокамера работает в силой отбрасываются к внутренней стенке экстремальных условиях, что отрицательно суживающегося диффузора 7 (фиг. 2) и насказывается на надежности используемых правляются в спиралеобразные канавки 9,35 где под действием возросшего гидравличеЦель изобретения - повышение досто-. ского сопротивления спиралеобразных каверности испытаний за счет увеличения од- навок 9 резко уменьшают свою скорость, народности воздушного потока. сталкиваются с другими частицами, укрупПоставленная цель...

Номер патента: 1721667

Опубликовано: 23.03.1992

Авторы: Варданян, Манасян

МПК: H01L 23/04

Метки: полупроводниковый, силовой, узел

...транзисторной структурой 2, эмиттер которой соединен через молибденовую кольцевую шайбу 3 с медным электродом 4, на выступе которой закреплена низковольтная быстродействующая транзисторная структура 5, при этом соединяющая шина 6 базы силовой транзисторной структуры расположена в отверстии 7, выполненном в боковой части медного электрода 4, диодную цепь 8, закрепленную через изолятор 9 на внешней поверхности кольцевого упора 10, установленного с помощью болтов 11 через изолирующую шайбу 12 и пружину 13 на основании 1, при этом пружина 13 расположена между кольцевым упором 10 и изолирующей шайбой 12, установленной в проточке электрода 4.Используя в качестве обьекта серийно выпускаемые силовые транзисторные и диодные структуры типа ТК и...

Номер патента: 1721668

Опубликовано: 23.03.1992

Авторы: Богачев, Валюженич, Горохов, Гридин, Потапчук, Фалин

МПК: H01L 25/03

Метки: модуль, мощный, полупроводниковый

...изолирую пользования предлагаемой системы получащую 16 и металлическую 17 шайбы, Витая ем торрированный прижим порядка 2,5 - 3,51гпружина передает усилие прижима через кгс(мм .металлическую и изолирующие шайбы на Кроме того, предлагаемый подпружибазовый контакт 18, Тарельчатые пружины ненный изнутри и снаружи узел управления,7 передают усилие прижима на эмиттерный 35 состоящий из элементов 11-17, позволяеттокосъем 5 и эмиттерный вывод 19 и одно- контролировать усиление прижима базововременно прижимают транзисторный эле- го контакта к базе транзистора. При этоммент 2 к основанию 1, повышается технологичность сборки., такЭмиттерныйтокосъем(фиг.4) представ- как можно быстро и без перекосов собратьляет собой медную плоскую шину с отогну...

Номер патента: 1721865

Опубликовано: 23.03.1992

Авторы: Детинов, Зусмановский

МПК: H01L 23/34, H05K 7/20

Метки: охлаждения, электрорадиоизделий

...более 180".На фиг,1 представлено устройство, общий вид, разрез; на фиг,2 - вид А на фиг.1; на фиг.3 - вид Б на фиг.1.Устройство для охлаждения электрорадиоизделий содержит радиатор 1 с двухсторонним оребрением, например, в виде штырей, и сквозными отверстиями 2 в его основании. Радиатор 1 размещен в камере 3 и делит ее на две одинаковые полости не показаны),На одном конце камеры 3 со стороны подачи охлаждающего газа установлена торцовая стенка 4 с двумя симметричными относительно основания радиатора 1 сквозными отверстиями 5, выполненными в виде симметричных частей кругового кольца, ограниченных радиусами, с центральным углом а 1 . На торцовой стенке 4 с внешней ее стороны установлен диск 6 с возможностью вращения в плоскости,...

Номер патента: 1723602

Опубликовано: 30.03.1992

Автор: Наконечный

МПК: H01L 25/00

Метки: блок, полупроводниковый

...элементов 8 с помощью планки 11 и крепежа 12. Стяжные элементы 7 и 8 выполнены в виде прямоугольных токопроводящих шин из меди или алюминия и его сплавов, С внутренней стороны стяжных О элементов 7 и 8 установлены изоляционные О прокладки 13, Стяжные элементы 7 и 8 снаб- с жены монтажными площадками 14 для подсоединения выводов 3 полупроводниковых приборов, площадки 15 для подсоединения - ф шин силовой сети (не показаны), площадками 16 для установки предохранителей 10.Устройство работает следующим образом.Ток от силовой сети через одну из контактных площадок 15 посредством выводов 3, присоединенных к контактным площадкам 14, поступает через охладители 2 наанодные или катодные выводы полупроводниковых приборов 1, а затем через...

Номер патента: 1723683

Опубликовано: 30.03.1992

Авторы: Сконечный, Спокойный, Трофимов

МПК: H01L 23/34, H05K 7/20

Метки: интегральной, охлаждения, схемы

...ИНТЕГРАЛЬНОЙ СХЕМЫ(57) Изобретение относится к радиоэлектронной аппаратуре, в частности к устройствам охлаждения интегральных схем, Цель изобретения - повышение эффективности охлаждения - достигается тем, что в устройстве, включающем радиатор с тупиковыми полостями между его ребрами, тупиковые полости выполняются глубиной, не превышающей расстояния между ребрами радиатора. 4 ил,этого из сопл воздуховода происходит истечение струй воздуха в тупиковые полости ребристого радиатора, что обеспечивает отвод тепла, которое поступает к радиатору от интегральной схемы.В устройстве радиатор изготавливается из алюминиевых сплавов литьем под давлением или из проката соответствующего профиля. Воздуховод с соплами может быть изготовлен из жести...

Номер патента: 1609403

Опубликовано: 07.04.1992

Авторы: Горчаков, Курочкин, Француз

МПК: H01L 39/22

Метки: индуктивности, катушки, сверхпроводящей

...1 ПОТОК Б СВ(-т)ХПРОВОДЯЩРЙ КЯТУШКЕ "К СПОУ ЕНИЛЛЬНО (Е 1 ШЛ ЕТСЯ С ПОСТОнУНОИ ВРРМЕНИ Ь:-1(/1(, ВЭЫБЯЯ КО,ПЕбанил ця Выход Р (. Б ерхп 1. ОВОдяще ГО кван тового ицтерферометрического, преобразователя, частота которых также экспоценцилльцо умецьшается. Частотомер ттзмерит среднее значение периода 1. этих колебаний, Значение индуктивнлсти сверхпроводящей катушки рассчитывает.я по значениям 2, Т и чис- ЛЯМ (1 И и СЛЕД ЛЭЦГ( ОбраЗОМ. В МОМЕНТ Бэ(-.маци :) когда чястотоме 1) зафиксирует и периодов колебаний на выходе сверхпрводящего квлнтового итер(1)ерометрического преобразователя (т.е, =Ттп), ток . В сатушке будет равен.(;1( КЯК т.=(-1=-.11 /т тО МОЖНО:Зацнат1 с и Ф - )" ПЧо1-Р )= -1Отсидя (, -1./Е=ТП/1 П 1(/(1(-1)и 1= Тпс/.ттл 11 с/(1...

Номер патента: 1554671

Опубликовано: 07.04.1992

Авторы: Болтунов, Иванов, Никеенко

МПК: H01L 21/268

Метки: контактов, низкоомных, омических, проводимости, р-типа, теллуриду, цинка

...Облуцение образца со стороны металлической пленки не приводитк положительному результату. Источником излучения служил лазер на неодимовом стекле, работающий в импульсном режиме с длительностью импульса0,5 мс и энергией кванта, меньшешириНы запрещенной эоны теллуридацинка (1 1, =1,1 эВ, Г (300 К)2,25 эБ). Лазерное излучение Фокусировалось на образце с помощьюлинзы, Плотность мощности излученияизменялась от 1,8 до 2,8 10 Втсм2путем перемещения линзы относительнообразца.Выбор нижнего предела плотностимощности излучения обьясняетсл тем,что при меньших мощностях облученияположительньй результат не достигается. При значениях плотности мощности больше 2,8 10 Вт/см наблюдалосьйразрушение передней поверхности...

Номер патента: 1618230

Опубликовано: 07.04.1992

Авторы: Горчаков, Француз, Хавинсон, Шишигин

МПК: H01L 39/00

Метки: компарирования, магнитного, механической, поля, работы, сверхпроводниковая, электромеханическая, энергии

...тело 4, выполненное в виде тонкостенной оболочки иэ сверхпроводника, например ниобия, в форме усеченного конуса, сопряженного с катушкой 1, правильную призму 5 из сверхпроводника, например ниобия, прикрепленную к основанию усеченного конуса 4 так, чтобы оси конуса и призмы совпадали, причем призма внутри имеет коаксиальную цилиндрическую полость для прохождения каркаса 2 к основанию системы 3. На теле 4 закреплено плоское зеркало 6, а около граней призмы 5 расположены прикрепленные к основанию 3 системы дополнительные электромагнитные катушки 7, каждая из которых подключена через выводы 8 к отдельному регулируемому источнику тока, Для измерения взаимных перемещений на левитирующем теле 4 и каркасе основной катушки 2 закреплены отражатели...

Номер патента: 1724744

Опубликовано: 07.04.1992

Авторы: Лиманов, Молоствов, Пашкуденко

МПК: C30B 13/00, C30B 29/06, H01L 21/20 ...

Метки: боковой, кремнии, кремния, методом, окисленном, ориентированных, пленок, эпитаксии

...глубину. В случае использования в окрестности затравочных окон пленок кремния толщиной более 0,8 мкм плавление подложки практически не имеет места. Если ширина участка с повышенной толщиной пленки кремния меньше 10 мкм (по 3 мкм с двух сторон затравочного окна и 4 мкм ширина окна), теплоотвод от затравочного окна осуществляется недостаточно эффективно. Увеличение ширины затравочного окна также приводит к снижению эффективности способа, Толщина пленки на этих участках выбирается исходя из того, что, если она превышает толщину пленки на рабочих участках менее, чем в 1,5 раза, не удается избежать локального плавления подложки. Максимальное значение отношения толщин пленки кремния используется для пленок толщиной около 0,2 мкм и...

Номер патента: 1725293

Опубликовано: 07.04.1992

Авторы: Богданов, Вялый, Живов, Иванчик, Любак

МПК: H01L 21/302

Метки: клеящий, крепления, пластин, полировании, полупроводниковых, состав

...и клин пластинпосле полирования увелич,1 вается.При массовом содержании смеситрихлорэтилена с изопропаноломболее 500 мас,ч, например 530 мас.ч.,из-за малой вязкости толщина наносимого на столик состава не првышает 1-2 мкм. В этом случае снижается прочность крепления пластин настолике, что приводит к срыву пластин со столика при полировании.При массовом содер нании канифолименее 80 мас.ч например 75 мас.ч,и церезина более 18 мас.ч., например 20 мас.ч., клеящий состав характе.ризуется низкой прочностью крепления пластин на столике в начальныйпериод полирования, когда температура полировальника находится впределах 293-298 К в результатепроисходит самопроизвольный срывпластин со столика и их бой.При массовом содержании канифоли более...

Номер патента: 1725294

Опубликовано: 07.04.1992

Авторы: Проценко, Розе, Сергеев

МПК: H01L 23/34

Метки: интегральная, корпусе, матричном, микросхема

...в центреподложки, полупроводниковый кристалл,соединения его со схемой межсоединений и слой отвержденного герметика.Однако в указанных схемах не предусмотрена возможность получения корпуса интегральной микросхемы в од 40ном пакете совместно с теплоотводом,площадь внешней части которого выбрана равной площади монтажных слоев,На фиг.1 представлены составныечасти пакета; на фиг, 2 - интеграль 4ная микросхема в матричном корпусе всборе, разрез,Интегральная микросхема содержитплоский теплоотвод 1 (фиг.1) иэ ме 50 таллицеского, например медного илиалюминиевого, листа с матричной сеткой отверстий 2, диаметр которыхвыбран превышаюшимдиаметр металлизированных отверстий. 3 (фиг,2) под55штырьковые выводы 4, монтажные слои5 фиг.1) с рисунком...

Номер патента: 1725295

Опубликовано: 07.04.1992

Автор: Каликанов

МПК: H01L 23/34

Метки: испарительным, модуль, охлаждением, полупроводниковый, силовой

...модуль. Силовые полупроводниковые приборы 1 таблеточного типа расположенымежду автономными параллельно расположенными отсеками 2, которые спомощью верхних компенсаторов 3 продольного расширения соединены с основной герметичной емкостью 4, а спомощью дополнительных нижних компенсаторов 5 продольного расширенияс дополнительной емкостью 6, внутрикоторой расположен дополнительныйтеплообменник 7, Сверху над основной герметичной емкостью 4 расположеннаклонный конденсатор.8, входом соединенный с этой емкостью паропроводом 9, а выходом - с входом дополнительной емкости 6 конденсатопрово;дом 10 с образованием замкнутойсистемы циркуляции теплоносителя.Конденсатопровод 10 присоединен кдополнительной емкости 6 киже автономных отсеков 2....

Номер патента: 1725426

Опубликовано: 07.04.1992

Авторы: Бабурин, Балабанов, Бойко, Кондратьев, Лазутин, Орлова, Перегуд, Самойлов, Ставинский, Тыквенко

МПК: G01M 19/00, G01N 25/00, H01L 21/66 ...

Метки: испытания

...элемента и, поставив переключатель вида воздействующего фактора в положение "Тепло", поток тепла поступает снизу камеры 1.принудительным путем посредством вентилятора 6 и выходит через верхнее отверстие теплоизолированной камеры 1 опять к вентилятору 6, создавая тем самым соответствующую температуру в камере 1, которая контролируется датчиком 50, при этом нагреватель 4 и холодильный элемент 3 имеют соответствующие регуляторы (не показаны).В теплоизолированной камере 1 (фиг,5) может быть создан, например, воздействующий фактор - температура, основной держатель 7(фиг.1) с платой 16 и изделием 9, например, выполненным в виде микросхемы или другого радиоэлектронного компонента помещен в камеру 1, при этом стенка 12 закреплена...

Номер патента: 1725777

Опубликовано: 07.04.1992

Автор: Рыбалко

МПК: H01L 21/66

Метки: диагностики, кристаллов, пластинах, функционирования

...которые следует подать на растровую систему, чтобы совместить координаты реально контролируемой структуры с эталонной, будут соответственно при скомпенсированной нелинейности развертки (8=2).Ь х=0,024 А:Ь у=0,036 А,Далее подают эти постоянные корректирующие сигналы и тем самым добиваются того, что электронный пучок, который будет перемещаться от контролируемого узла к контролируемому узлу по программе, координатносопряженной с эталонным изображением, будет попадать именно в требуемые участки реальной поверхности кристалла. Далее подают на контактные площадки с помощью механических зондов рабочие напряжения и облучают первый тестируемый элемент, например, токоведущую до рожку. Ге н е ри руем ы й при этом поток вторичных электронов...

Номер патента: 1160906

Опубликовано: 07.04.1992

Авторы: Белый, Джилавдари, Морозов, Пашкевич

МПК: H01L 29/66, H01L 41/08

Метки: акустоэлектронный, генератор, кольцевой

...границе раздела пьезополупроводника 5 и звукопровода 4 со скоростью, превышающей скорость ультразвука в пьезополупроводнике 5,Процесс самовозбуждения генератораультразвука начинается с усиления тепловых акустических шумов, В резонатоое 1 и звукогроводе 4 всегда присутствуют акустические шумы, обусловленныетепловыми колебаниями атомов кристаллической решетки, Эти шумы представгяют собой набор упругих плоских волнсо случайными фазами и амплитудами,распространяющихся во всех направлениях внутри резонатора и звукопровода.Из всей совокупности тепловых упругихволн, попадающих из резонатора в пьезополупроводник, усиливаются толькоте, которые падают на границу разделамежду резонатором и звукопроводом подуглом, близким к углу полного...

Номер патента: 1726571

Опубликовано: 15.04.1992

Авторы: Дмитриев, Рендакова, Челноков

МПК: C30B 19/00, C30B 29/36, H01L 21/208 ...

Метки: выращивания, карбидкремниевых, политипа, р-п-структур

...они, по-видимому, иг- давления 3 10 мм рт.ст. последовательнорают роль фактора, увеличивающего 25 ротационным и цеолитовым насосами, авероятность образования ЗС-ЮС, Другой затем втечение 15 мин продували очищенс ественный недостаток метода - невоз- ным водородом. Величину расхода водоможность получать эпитаксиальные слои, рода устанавливали 2 д /ущз,содержащие акцепторную примесь с необ- Осуществляли нагрев тигля с навесками доходимой концентрацией. Это связано стем, .30 500 С, затем в течение 1 ч осуществлялиочто используемый в качестве растворителя отжиг при 500 С,для жижидкостной эпитаксии Оа входит в расо -зПосле отжига увеличивали нагревотущий материал на уровне 10 см и его тигля до 1200 С и в течение 0,5 ч выдерсодержание не...

Номер патента: 1727178

Опубликовано: 15.04.1992

Авторы: Богданов, Живов

МПК: H01L 21/302

Метки: пластин, полировки, полупроводниковых, финишной

...химического травления кремния, что приводит к появлению на рабочей поверхности пластин дополнительного количества рисок и царапин. Поддержание давления на пластины меньшего, чем 0,05 10 Па, например 0,0410 Па, затрудняется по техническим причинам, связанным с конструктивными особенностями установок для химико-механической полировки. При продолжительности третьей стадии полировки меньшей, чем 2 мин, например 1,5 мин, съема кремния оказывается недостаточно для удаления матовости рабочей поверхности пластин, а при продолжительности третьей стадии большей, чем 5 мин,например 5;5 мин, появляются дефекты в виде рисок и царапин,Необходимость проведения второй и третьей стадий обработки на одном полировальнике имеет следующее...

Номер патента: 1727540

Опубликовано: 15.04.1992

Автор: Хейнрих

МПК: H01L 21/68

Метки: пластин, полупроводниковых, термической

...с ним нагреватель Ю, заполняющий патрубок по всему поперечному сечению со стороны загрузки. Остающаяся полость заполнена кварцевой ватой 22. Стакан 19 зафиксирован с помощью металлической или керамической пластины 23 и стопорного кольца 24, Для предотвращения возможной термической перегрузки пластина 23 соединена с помощью установленного с геометрическим замыканием патрубка 25 с уплотняющим элементом с кольцом 26 круглого сечения и одно,".ременно зафиксирована в своем положении на лопате 21, Другой регулируемый нагреватель 27 неподвижно установлен в кварцевом патрубке в блоке 3, При этом остающаяся полость также заполнена кварцевой ватой 22. Посредством нагревателя 27 достигается изотермический режим со стороны выхода газа.Механизм...

Номер патента: 1728189

Опубликовано: 23.04.1992

Авторы: Гордиенко, Корзунова, Новикова

МПК: C04B 35/00, H01L 41/18

Метки: керамический, материал, пьезоэлектрический

...синтез при 700 С, 4 ч: спекание при 940-945 С, 1 ч; материал имеет следующие характеристики: е 40 - 50; 19 д 0,004 - 0,006; бзз 9,1 - 10,3 10 Кл/Н, 2 табл. ся относительно высокое значение диэлектрической проницаемости (80 на частоте 10 Гц),Цель изобретения - срической проницаемостизомодуля бзз.Поставленная цель достигается тем, что пьезокерамический материал, включающий РЬО, В 120 з, МоОЗ, содержит дополнительно Та 205 и Сг 20 з при следующем соотношении компонентов, мас,0:РЬО 11,41 - 13.34 В 120 з 47,76 - 52,17 МоОз 11,78 - 13,.98 Та 205 22,04 - 26,82 С г 205 0,2-0,3,Известно использование Сг 20 з с целью повышения пьезомодуля бзз.Керамику получают методом, обычной керамической технологии из оксидов свинца, висмута, тантала, молибдена...